【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニールまたは熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台４上に密着して支持された基板１の表面上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃをほぼ垂直に吹き付けると基板表面のみをアニールできる。 （もっと読む）

【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニールまたは熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台４上に密着して支持されたガラス基板１の表面にあるアモルファスシリコン膜上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃをほぼ垂直に吹き付けてアモルファスシリコン膜をアニールする。 （もっと読む）

超高純度ハフニウム含有有機金属化合物を使用して高Ｋ（誘電率）膜を作るためのプロセスが、開示される。高純度ハフニウム含有有機金属化合物で作られた高Ｋ膜を組み込むデバイスもまた、述べられる。
（もっと読む）

【課題】大きな誘電率とリーク電流の抑制の両立が可能なキャパシタ用絶縁膜を提供する。
【解決手段】電極１、２の間に絶縁膜３が挟まれた構造からなるキャパシタ素子において、キャパシタ用絶縁膜３は酸化アルミニウム膜と二酸化チタン膜が交互に積層された積層構造を有し、前記二酸化チタン膜は、ルチル結晶構造を有し、前記酸化アルミニウム膜は、そのトータルの膜厚の比率が、前記積層構造の総膜厚に対して３〜８％である、キャパシタ用絶縁膜。 （もっと読む）

【課題】 キーホール・シームの形成を排除した信頼性が高い高アスペクト比のコンタクト構造体を含む半導体構造を提供する。
【解決手段】 キーホール・シームの形成は、本発明においては、誘電体材料内部に存在する高アスペクト比のコンタクト開口部内に高密度化貴金属含有ライナを設けることによって排除される。高密度化貴金属含有ライナは拡散バリアの上に配置され、これら両方の要素は、本発明のコンタクト構造体の導電性材料を、下層の半導体構造体の導電性材料から分離する。本発明の高密度化貴金属含有ライナは、第１の抵抗率を有する貴金属含有材料の堆積、及び、堆積した貴金属含有材料の抵抗率をより低い抵抗率に減少させる高密度化処理プロセス（熱又はプラズマ）を、堆積した貴金属含有材料に施すことによって形成される。 （もっと読む）

【課題】 真空装置の真空容器や真空容器内部品等の真空容器類の表面全面にガス放出の少ない均質な膜を成膜する表面処理方法及び真空容器類を提供する。
【解決手段】 窒素及び酸素のうち少なくとも１種類の元素と、水素と、炭素とが含まれたシリコン化合物を原料とし、この原料を１０^−３〜１０^−５Ｐａの圧力に減圧された処理容器に気体状態で導入し、該原料によるプラズマを生成することにより、シリコン、水素と炭素及び酸素、窒素の少なくとも１種類の元素が含まれた膜を、この減圧された処理容器内に収容した被処理真空容器類の表面に堆積させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＨＦ系溶液に対するエッチングレートが少ないシリコン窒化膜を形成することが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】加熱された基板２００を収容した処理室２０１内に、ビスターシャリーブチルアミノシランガスとアンモニアガスとを供給して、ＣＶＤ法により基板上にシリコン窒化膜３０４を形成し、シリコン窒化膜が形成された基板を８００℃以上の雰囲気で加熱処理する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも約２２ＭＰａ ｍ^１／２の靭性を有する単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドに関する。本発明はさらに、単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドを製造する方法に関する。本発明のダイヤモンドの成長速度は約２０μｍ／ｈ〜１００μｍ／ｈであり得る。 （もっと読む）

【課題】光照射によって加熱される基板の温度を直接かつ正確に測定することができる熱処理装置および基板温度測定方法を提供する。
【解決手段】処理対象となる半導体ウェハーＷはサセプタ７０に保持された石英製の保持プレート７４の上に水平姿勢にて載置される。保持プレート７４には、上下に貫通して開口部７８が穿設されている。放射温度計１２０は、半導体ウェハーＷから放射される赤外光を保持プレート７４の開口部７８を介して受光する。放射温度計１２０の視野からは石英が除かれており、放射温度計１２０は半導体ウェハーＷの下面を直接測定することができる。このため、放射温度計１２０は、保持プレート７４に保持された半導体ウェハーＷの温度を直接かつ正確に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜室２内における成膜面Ｗ１上の熱対流を抑制することにより、成膜面Ｗ１への自己組織化単分子の吸着ムラを無くし、緻密な自己組織化単分子膜を形成する。
【解決手段】自己組織化単分子を含有する成膜原料を気化し、基板Ｗの成膜面Ｗ１上に自己組織化単分子膜を形成する単分子膜形成装置１であって、内部に基板Ｗが設けられる成膜室２と、前記成膜室２内に自己組織化単分子を含有する成膜原料を気化して供給する原料供給機構３と、前記成膜室２内に保持された基板Ｗの成膜面Ｗ１上の対流を制限する対流制限構造８と、を具備する （もっと読む）

【課題】基板上の３次元構造の少なくとも１つの側壁に、少なくとも１つの触媒ナノ粒子を設けるための良好な方法および、こうした触媒ナノ粒子を触媒として用いて、偏長ナノ構造を形成するための良好な方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの触媒ナノ粒子（８）を、基板（１ａ，１ｂ）の主面（１５）上にある３次元構造の少なくとも１つの側壁（１０）に設けるための方法であって、該主面（１５）は面内にあり、３次元構造の側壁（１０）は基板（１ａ，１ｂ）の主面の面に対してほぼ垂直な面内にあり、主面（１５）上に、非触媒マトリクス（５）に埋め込まれた触媒ナノ粒子（７）を含む３次元構造を得ること、３次元構造の側壁（１０）において非触媒マトリクス（５）の少なくとも一部を選択的に除去して、少なくとも１つの触媒ナノ粒子（８）を露出させること、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】光照射の総時間が１秒以下の光照射加熱において、ピークが発光出力ＬＰとなる出力波形にて半導体ウェハーに光照射を行う第１段階と、そのピークが過ぎた後に発光出力ＬＰよりも小さな発光出力にて半導体ウェハーＷに追加の光照射を行う第２段階と、によって構成される２段階照射を行う。第２段階の発光出力はピーク時の発光出力ＬＰの３分の２以下である。第１段階の光照射時間は０．１ミリセカンド以上１０ミリセカンド以下であり、第２段階の光照射時間は５ミリセカンド以上である。半導体ウェハーの表面温度を概ね一定の処理温度Ｔ２に維持しつつも、表面よりやや深い位置をもある程度昇温することができる。 （もっと読む）

【課題】実用レベルの発光素子を与えるに十分な低い抵抗率で且つｎ型ＺｎＯと接合したとき優れたダイオード特性を示すｐ型ＺｎＯ単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】ドーパントとして窒素とＩＢ族元素とを含有し，ＩＢ族元素がＣｕ及びＡｇより選ばれる少なくとも１種であり，温度２０℃における抵抗率が０．１〜２０Ω・ｃｍである，ｐ型単結晶ＺｎＯ，並びに，化学気相成長法によるｐ型単結晶ＺｎＯの製造方法であって，（ａ）（０００１）面を表面とする単結晶ＺｎＯ基板を加熱しつつ，基板の表面にＺｎ源ガス，Ｏ源ガス，アンモニア並びに，Ｃｕ及びＡｇより選ばれるＩＢ族元素源ガスを供給して基板上に，窒素及びＩＢ族元素をｐ型ドーパントとして含んだ単結晶ＺｎＯを成長させるステップと，（ｂ）ｐ型ドーパントを含んだ単結晶ＺｎＯをＯ源ガスの存在下にアニールするステップを含んでなる，ｐ型単結晶ＺｎＯの製造方法。 （もっと読む）

有機金属化学気相成長の方法は、第１のガスを提供するように濃縮物質源を変換するステップを含み、該物質源は、金、銀、およびカリウムから成る群より選択される少なくとも１つの元素を含む。方法はさらに、亜鉛を含む第２のガスおよび酸素を含む第３のガスを提供するステップと、第１のガス、第２のガス、および第３のガスを、基板に移送するステップと、基板上でｐ型酸化亜鉛系半導体層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によれば、濃縮物質源は、非ハロゲン化および非シリル化源であってもよい。非ハロゲン化および非シリル化濃縮物質源は、固相であってもよく、変換するステップは、物質源を昇華させるステップを含んでもよい。
（もっと読む）

【課題】薄膜特性及び接着性が改善が可能な基板構造形成方法及びこれを用いて形成された基板構造を提供する
【解決手段】基板構造を形成する方法は、基板１０をエッチングして垂直面５１を有するエッチング部５０を形成する段階と、基板１０の全面上にまたは基板１０に部分的に拡散物質層６０を形成する段階と、拡散物質層６０を熱処理して、一部が上記エッチング部５０の表面の下へと拡散したシード層６０’を形成する段階、及びシード層６０’上に金属層７０を形成する段階とを含む。上記方法によれば、シード層６０’によって基板１０のエッチング部５０の表面特性が改善されることもあるので、エッチング部５０の垂直面５１に接着性に優れ且つ均一な厚さの金属層７０を形成することができる。 （もっと読む）

相変化メモリ用のカルコゲナイド薄膜の形成方法が開示される。本発明によるカルコゲナイド薄膜の形成方法は、反応器の内部にパターンが形成されている基板をローディングし、ソースガスを基板上に供給する。このとき、ソースガスは、Ｇｅ原料ガス、Ｇａ原料ガス、Ｉｎ原料ガス、Ｓｅ原料ガス、Ｓｂ原料ガス、Ｔｅ原料ガス、Ｓｎ原料ガス、Ａｇ原料ガス及びＳ原料ガスから選択された１種以上からなる。そして、基板上に供給されたソースガスをパージするために基板上に第１パージガスを供給し、基板上にソースガスを還元させるための反応ガスを供給し、基板上に供給された反応ガスをパージするために基板上に第２パージガスを供給する。そして、パターン内部の蒸着速度がパターン上部の蒸着速度より大きくなるように、第１パージガスの供給時間変更及び前記反応器の内部の圧力調節のうち少なくとも一つを行う。本発明によれば、パターンの上部に薄膜が形成される速度よりパターンの内部に薄膜が形成される速度が大きくなるように、ソースガスをパージする時間を変更するか、または反応器の内部の圧力を調節することによって、ギャップ・フィル特性の優秀なカルコゲナイド薄膜を形成できる。
（もっと読む）

【課題】バリア層をさらに薄くしても、配線本体側からの銅の拡散や、絶縁膜側からの珪素の拡散に対する障壁作用を十分に保持して、絶縁膜の絶縁性確保、また配線の低抵抗化を実現することができ、それによって配線の線幅を減少させることができ、ＬＳＩの集積度も向上させることができるようにする。
【解決手段】この発明の銅配線は、シリコン基板の表面上に設けられ、珪素と酸素と炭素とを炭化水素基の形態で含むＳｉＯＣ絶縁層１０と、ＳｉＯＣ絶縁層１０上に形成され、添加元素の酸化物を含む銅合金からなるバリア層１５と、そのバリア層１５に接して形成され、銅を主成分としてなる配線本体１６とを備え、バリア層１５は、添加元素と炭素と水素とを含む酸化物からなり、その添加元素の原子濃度が最大となる当該バリア層内の厚さ方向の位置で、炭素と水素の各原子濃度が極大となる。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサ素子の感度を向上可能する。
【解決手段】ｎ層４７ｎとｉ層４７ｉとｐ層４７ｐとのそれぞれを液晶パネル２００の面の法線方向ｚにおいて、順次、積層することで、フォトセンサ素子３２を形成する。ここでは、ポリシリコンよりも光吸収係数が高い微結晶シリコンによって、ｉ層４７ｉを形成する。 （もっと読む）

【課題】低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に所定の特性を有するシリコン窒化膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスと窒化ガスとを用いて第１の温度で前記被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程Ｓ１と、前記被処理体を前記第１の温度よりも高い第２の温度で窒化ガスの雰囲気下にてアニールして前記シリコン窒化膜を改質する改質工程Ｓ３とを行う。これにより、低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】被処理体がクランプリング部材と接触していても、被処理体の面内温度の均一性を高くして、熱処理の面内均一性を向上させることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器４内にて被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すために被処理体を載置するための載置台構造において、内部に被処理体を加熱する加熱手段３８が収容された透明材料よりなる載置台３２と、載置台の上面に設けられると共に、その直径が載置台の直径よりも小さく設定されて上面に被処理体を直接的に載置するための不透明材料よりなる均熱板４２と、 載置台の周辺部の上方に昇降可能に設けられて、被処理体を載置台側へ押し付けるための不透明材料よりなるクランプリング部材５０を有するクランプ機構４８とを備える。 （もっと読む）