【課題】ボート上にダミーウエハと隣接して製品ウエハを搭載するようにした基板処理装置において、製品ウエハの面間膜厚均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ボート上に、表面に凹凸が形成された複数の第１の基板（製品ウエハ）を積層保持するとともに第１の基板の上端若しくは下端に第１の基板よりも表面の凹凸が少ない第２の基板（ダミーウエハ）を保持し、処理室内にて第１の基板および第２の基板を処理する際に、第１の基板および第２の基板に向けて処理ガスを供給するとともに、第２の基板に向けて不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】プロセス結果に悪影響を及ぼす処理ガス供給周期パターンを予め変更しておき、基板に対する適切な処理を行う。
【解決手段】設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板回転機構の回転周期、処理ガスの供給周期、処理ガスの供給時間及び処理ガスの供給回数を含む処理ガス供給周期パターン演算結果が、パターン演算部４２において求められる。設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板上に供給される処理ガスの供給領域の形状がシミュレータ４９によりシミュレーションされ、その結果がディスプレイ５０に表示される。比較部４３において、パターン演算部４２からの処理ガス供給周期パターンの演算結果と、記憶部４５からのプロセス結果に悪影響を与える処理ガス供給周期パターンの参照結果とが比較される。比較部４３において、処理ガス供給周期パターンの演算結果と、プロセス結果に悪影響を与える参照結果が一致した場合、アラーム部４４からアラームが発せられる。 （もっと読む）

【課題】プロセスガスが早期にプラズマ化することで、被処理体に対する成膜などの処理が良好になされないのを改善する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバ、チャンバ内に設けられたプラズマ発生源、チャンバ内で被処理体を支持する支持台、プラズマ発生源と前記支持台との間に配置されてプラズマ発生源側空間と被処理体が配置される前記支持台側空間を隔てる仕切材、支持台側空間にプロセスガスを供給するプロセスガス導入部、を備えることで、プロセスガスをプラズマ源近傍を通すことなく、基板近傍にのみ流すことができ、そのガスは基板近傍でプラズマにより分解され、より多くのラジカルを基板表面に到達させることができ、例えばＣＶＤプロセスの場合、ＳｉＨ_３ラジカルがより多く基板表面まで到達することになり、それにより欠陥密度の少ない良い特性の膜が得られる（光劣化に対して強くなるなど）。 （もっと読む）

【課題】成膜室内の部材へのダメージを抑制しつつ、クリーニング速度の均一性を向上させることのできるプラズマＣＶＤ装置の提供。
【解決手段】不活性ガスを含む第１のクリーニングガスを成膜室６の外部でプラズマ励起させて第１供給口９から成膜室内に供給する第１供給手段１，２と、フッ素を含むガスが含まれる第２のクリーニングガスをプラズマ励起させずに第２供給口１１から成膜室内に供給する第２供給手段３と、を備え、第１供給口と第２供給口とが成膜室６内の異なる位置に形成されているプラズマＣＶＤ装置とする。 （もっと読む）

【課題】高周波電圧印加時の表面電流によるジュール発熱を抑制し、プラズマ放電処理の均一性を確保し、加熱による電極の破壊が防止され、更に、電極軸受け部材を互い違いに配置することで、軸受け部材間のアーク放電も防止された、プラズマ放電装置を提供する。
【解決手段】母材２００ａの表面に非磁性導電性被膜２００ｂを施し、さらに、該非磁性導電性被膜の表面を誘電体２００ｃで覆ったプラズマ放電装置に用いる誘電体被覆電極であって、該母材のヤング率が１５０ＧＰａ〜２８０ＧＰａであることを特徴とする誘電体被覆電極、プラズマ放電装置及び大気圧プラズマ処理方法。 （もっと読む）

【課題】多数のウエハを同時に成膜処理しても、ウエハ内及びウエハ間で膜厚がばらつくことのない有機金属気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る有機金属気相成長装置は、反応容器１と、この反応容器１内に配置されたサセプタ保持台３、このサセプタ保持台３の上面に配置された複数のサセプタ４、サセプタ保持台３の下部に配置された抵抗発熱体５、反応容器１内に原料ガスを導入するガス導入部１１及び１５、反応容器１内のガスを排気するための排気路２０を備えている。サセプタ４の上面にはウエハ１００が載置される。反応容器１は下部反応容器２ａと蓋２ｂからなり、蓋２ｂの下面には複数のサセプタ４を互いに隔離する隔離部材９が取り付けられている。各サセプタ４と隔離部材９とから反応空間１０が形成される。ガス導入部１１及び１５は分岐導入管１３，１７を有しており、原料ガスは各反応空間１０に導入される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で基板温度を容易に調整することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１６の上面に形成した基板載置部２１ａに載置した基板２０をサセプタ下方のヒータ１４によって加熱する気相成長装置において、前記サセプタを、前記基板載置部を有する上部サセプタ部材２１と、前記加熱手段によって加熱される下部サセプタ部材２２とに分割形成して上部サセプタ部材の下面と下部サセプタ部材の上面との間に伝熱量調整用の空間部を形成するとともに、前記空間部の寸法を調節して下部サセプタ部材から上部サセプタ部材への伝熱量を調節する伝熱量調整部を備えている。 （もっと読む）

【課題】緻密な基板処理をしつつ、スループットを向上させることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理室内に設けられ、基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部を移動する基板支持部移動機構と、前記処理室にガスを供給するガス供給部と、前記処理室のガスを排気する排気部と、前記基板支持部と対向するように設けられたプラズマ生成部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板１５を支持する底面サセプタ部１４ａと、サセプタ１４ａ，ｂの上面に沿って流れる材料ガス流を供給するノズル１１と、を含む。サセプタ１４ａ，ｂは、それぞれが基板と同一材料からなる、底面サセプタ部１４ａの上面に基板に嵌合する凹状の基板保持部を画定する外周サセプタ部１４ｂとサセプタ１４ａ，ｂの裏面を画定する底面サセプタ部１４ａとから構成されていること、外周サセプタ部１４ｂは、基板１５の上面と同一平面となる基板保持部を囲む上面を有しかつ、基板保持部を囲む上面が基板の上面の結晶面方位と同一の結晶面方位を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜した膜の膜厚の面内均一性の低下を抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに膜を形成する成膜装置２において、処理容器４と、ガスを噴射するガス噴射口３４Ａ，３６Ａを有するガス供給手段２８，３０と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段１２と、保持手段をガス噴射口に対して相対的に回転又は周期的に移動させる駆動機構２１と、少なくとも１種類以上のガスの供給を行う供給期間と供給の停止を行う供給停止期間とを１回行うサイクルを複数回繰り返す時に、サイクルの繰り返し数をＰ（Ｐは２以上の自然数）として被処理体の中心から見て、Ｐ回の各サイクル毎におけるガス供給開始位置を、被処理体の１周分の周囲を任意の分割数Ｋ（Ｋ＝Ｐ）個に分割した１つ分ずつだけ被処理体の周方向へ順次移動する様に制御する制御手段４８とを備える。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で行われる炭化珪素エピタキシャル膜成長において複数枚の基板を均一に成膜することができる半導体製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
縦方向に延在して設けられる第１のガス供給ノズルと第２のガス供給ノズルとを備え、第１のガス供給ノズルには第１のガス供給口が設けられ、第２のガス供給ノズルには第２のガス供給口が設けられ、第２のガス供給ノズルが基板と第１のガス供給ノズルとの間に設けられる半導体製造装置における半導体装置の製造方法であって、縦方向に積層して配列された複数枚の基板を反応室内に搬入する工程と、前記第１のガス供給口から、シリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガスを供給し、前記第２のガス供給口から、炭素原子含有ガスと還元ガスとを供給し、基板表面に炭化ケイ素膜を形成する工程と、複数枚の基板を反応室内から搬出する工程とを備えた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】成膜対象のシリコン基板の表面上に自然酸化膜が形成されている場合であっても、基板上にホウ素含有アモルファスシリコン膜を形成する際の成長遅れ時間を短縮させ、基板処理の生産性を向上させる。
【解決手段】反応室２０１内に基板２００を搬入する搬入工程と、前記反応室内にシリコン含有ガスのみを供給し前記基板上にシード層を形成する第１の成膜工程と、引き続き、前記反応室内にシリコン含有ガスとホウ素含有ガスとを供給し前記シード層上にホウ素含有アモルファスシリコン膜を形成する第２の成膜工程と、前記反応室内から前記基板を搬出する搬出工程と、を有する基板処理方法とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着される金属薄膜の品質を向上させることのできるガス噴射ユニット及びこれを利用する薄膜蒸着装置及び方法を提案する。
【解決手段】ガス噴射ユニットは、反応ガスが流入される内部管と、内部管を囲み、内部管内の反応ガスを冷却する冷却流体が流れる外部管と、内部管内の反応ガスを外部管の外部へ噴射する噴射管と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板に不純物が均一にドーピングされた炭化珪素膜を成膜することができる半導体製造装置及び基板の製造方法及び基板処理装置を提供する
【解決手段】反応室内に延在されて設けられる第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０と、第１のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第２のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され1以上の第１のガス供給口６８を有する第１の分岐ノズルと、第２のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第１のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され、1以上の第２のガス供給口７２を有する第２の分岐ノズルとを備え、第１のガス供給口と第２のガス供給口とが基板の積層方向に隣接するように設けられた基板処理装置によって課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】厚みと組成の均一な膜を形成しやすい成膜装置を提供する。
【解決手段】大気圧下においてプラズマＰを生成する。このプラズマＰを用いて被処理物Ｗの表面に膜原料を付着させて成膜するための成膜装置Ａに関する。膜原料を含有する成膜ガスＣＧを流通させるための第１流路５。プラズマ生成ガスＰＧを流通させるための第２流路９。前記プラズマ生成ガスＣＧに電界Ｅを印加してプラズマＰを生成するための電極３。前記第１流路５と前記第２流路９とを合流させる合流部１４とを備える。前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入方向と、前記合流部１４での前記プラズマＰの流通方向とが略平行となるように前記第１流路５が前記第２流路９内に形成される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ（炭化珪素）膜形成を行う際に反応ガスを効率良く使用し、膜厚均一性と品質の高い膜を実現する成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置５０の成膜室１を、珪素ソースガスを含む第１の反応ガス２５用の第１のガス供給路４と、炭素ソースガスを含む第２の反応ガス２６用の第２のガス供給路１４と、半導体基板６の置かれる胴部３０より断面積の小さい頭部３１を有して成膜室１内壁を被うライナ２とから構成する。第１のガス供給路４は、内管と外管とからなって、先端が半導体基板６近傍まで延び、外管に水素ガスを供給しながら、内管に第１の反応ガス２５を供給できるようにする。そして、第２のガス供給路１４からライナ２の頭部３１に供給された第２の反応ガス２６を流下させ、第１の反応ガス２５と半導体基板６の表面で混合し、半導体基板６表面にＳｉＣ膜形成を行うようにする。 （もっと読む）

【目的】
シングルドメインの高品質且つ平坦な結晶層を成長できるフローチャネル方式のＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】
基板と平行に基板側から不活性ガスを噴出する第１のチャネル、材料ガスを噴出する第２のチャネル及び不活性ガスを噴出する第３のチャネルがこの順で層状に構成されたノズルを備え、第２のチャネルには、酸素含有化合物を噴出する第１のサブチャネル及び有機金属化合物を噴出する第２のサブチャネルが基板と平行方向に交互に並んで配置され、ノズルから噴出されたガスは、少なくとも基板端まで当該ノズル端から延長された天板および底板で構成されたフローチャネルで誘導される。 （もっと読む）

【課題】膜質のばらつきを抑制しつつ、処理時間を短縮することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を支持する基板支持部２２０と、基板支持部の周囲から複数の基板を加熱する加熱部２３０と、基板と直交する方向に離間して配置され、薄膜を形成するためのガスを供給する３つのガス供給部３００，３２０，３４０と、ガス供給部から供給されるガスの温度を調節する、３つの温度調節部３０６，３２６，３４６と、温度調節部を個別に制御する温度制御部と、を備え、ガス供給部の各々は、原料ガスを供給するための原料ガス供給管３０２，３２２，３４２と、反応ガスを供給するための反応ガス供給管３０４，３２４，３４４と、を備え、温度制御部は、３つのガス供給部のうち、中心側に位置するガス供給部によって供給されるガスの温度が、周辺側に位置するガス供給部によって供給されるガスの温度よりも高くなるように、温度調節部を制御する。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に基板を担持して基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの周囲に位置し、基板に水平に材料ガスを誘導するフロー補助板と、不活性ガスまたは水素を、基板の法線方向から４０°まで傾けた方向の範囲の角度で、基板の面積より広い面積で、基板に吹付ける押さえガス噴出器と、そのノズル幅が基板の直径の１／２〜１／１の幅であり、ノズル先端がフロー補助板上に位置し、基板上に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、を備え、押さえガス噴出器の噴出口から供給するガス流速を材料ガスノズルから供給するガス流速で除した比率が０．００４乃至０．１３の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】 反応性の高い原料を用いて成膜を行う場合に、原料の分離と混合のタイミングを容易に制御できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 反応容器１６０の側面には、複数のガス供給ラインから供給された複数種のガスを基板Ｓ上に導入するガス導入部としてのシャワーヘッド１５０が設けられている。シャワーヘッド１５０の隣接するガス導入孔１５０ａの境界部分から、載置台１６１の上面と平行に、載置台１６１の中央部に向かって延伸する板状の仕切板１５２が設けられており、上下のガス導入孔１５０ａから噴出するガスの早期の混合を抑制する。 （もっと読む）