【課題】被処理基板に対して均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバ２と、チャンバ内で基板Ｇが載置される、下部電極として機能する基板載置台３と、基板載置台３と対向するように設けられ、高周波電力が印加される上部電極１５と、チャンバ２内に処理ガスを導入するシャワーヘッド５と、チャンバ２内を排気する排気装置２８とを具備する。上部電極１５は、２つの電極部材１６、１７からなり、これら電極部材１６、１７に高周波電力が印加された際に各電極部材に定在波が形成され、電極部材１６、１７に形成された複数の定在波の総和によって前記電極平面に形成される電圧分布が均一になるように、電極部材１６、１７の配置またはこれらに形成される定在波の分布が調整される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生のために誘導結合型の電極を用いることにより、プラズマ形成ボックス内の壁面がエッチングされることを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、複数の被処理体Ｗを保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段２２と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段３８と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段６０とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の長手方向に沿って設けられるプラズマ形成ボックス６４と、前記プラズマ形成ボックスに沿って設けられる誘導結合型の電極６６と、前記誘導結合型の電極に接続された高周波電源６８とよりなる。 （もっと読む）

【課題】流通するガスの流速をより精密に制御する気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１は、処理対象物である基板５を保持する、回転可能なサセプタ３と、基板５の一方の主表面上に成膜用のガスを流す流路１０とを備える。流路１０の内部における側面部に配置される多孔質体の平均孔径を、流路１０の中央部に配置される多孔質体の平均孔径よりも大きくしている。側面部に配置される多孔質体の平均孔径を、中央部に配置される多孔質体の平均孔径よりも５０％以上大きくすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】厚み分布が小さく、温度変化による転位および不純物が少ない高品質なＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮなどの単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶体の製造方法は、単結晶３ｂを形成させるための主面が水平となるように設けられた種基板３ａを、回転軸Ａが鉛直方向となるように回転させる工程と、水平方向に開口したガス供給口４ｃを先端に有し、同軸構造の外筒部４ｂと内筒部４ａとから構成され、内筒部４ａのガス供給口４ｃの中心軸Ｂが鉛直方向で且つ前記回転軸Ａの延長線上から離間したガス供給管４において、前記内筒部４ａから３族元素ガスまたは５族元素ガスのいずれか一方を、前記内筒部４ａと前記外筒部４ｂとの間から３族元素ガスまたは５族元素ガスの他方のガスを前記種基板３ａに供給させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

流体分配マニホールドは第1プレート及び第2プレートを有する。前記第1プレートは、長さ次元、幅次元、並びに、前記第1プレートの長さ次元及び幅次元のうちの少なくとも1つにわたって前記第1プレートを変形可能にする厚さを有する。前記第2プレートは、長さ次元、幅次元、並びに、前記第2プレートの長さ次元及び幅次元のうちの少なくとも1つにわたって前記第2プレートを変形可能にする厚さを有する。少なくとも前記第1プレート及び前記第2プレートの少なくとも一部は、流体流を導く流路を画定する凹凸パターンを画定する。前記第1プレート及び前記第2プレートは1つとなって、前記長さ次元と前記幅次元のうちの少なくとも1つに沿った高さ次元において非平面形状を形成する。
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【課題】電子ビーム誘起付着、イオンビーム誘起付着およびレーザビーム誘起付着中に汚染物を除去する、または酸化可能な材料の付着またはエッチング中の酸化をリアルタイムで抑制する方法を提供する。
【解決手段】加工物にビームを照射すると同時に、付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスを、純化化合物およびキャリヤ・ガス（任意選択）とともに、または、予め混合してから、処理室内へ噴射する。ビームは、ビームを照射した領域にだけ膜を付着させ、または、ビームを照射した領域の膜だけをエッチングする。純化化合物は炭素などの不純物を、膜成長中に除去し、あるいは、エッチングされた材料の酸化を抑制する。付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスと膜純化化合物との同時注入または噴射前の予混合によって、成長／エッチング速度および達成可能な材料純度に関して、付着プロセスまたはエッチング・プロセスを最適化する。 （もっと読む）

本明細書では、基板を処理するための方法および装置が提供される。いくつかの実施形態において、基板を処理するための装置は、中に基板の処理面をプロセスチャンバ内の所望の位置に支持するための基板支持体を有するプロセスチャンバと、基板の処理面上に第１の方向に第１のプロセスガスを提供するための第１の吸入口と、基板の処理面上に第１の方向と異なる第２の方向に第２のプロセスガスを提供するための第２の吸入口であって、基板支持体の中心軸に関して第１の方向と第２の方向の間で測定される方位角が最大約１４５度である第２の吸入口と、第１のプロセスガスおよび第２のプロセスガスをプロセスチャンバから排気するために第１の吸入口の反対側に配置された排気口とを含む。
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コーティング装置が非直交コータ・ジオメトリを含み、それによってガラス・リボンに対するコーティングを改善し、またコーティングの収率を改善する。コーティング装置は、リボンを、ガラス形成チャンバ内に設けたコーティング区間を通る第１の仮想的なストレートライン２３に沿って移動させるための第１の装置を含む。コータは、コーティング・ノズル８０及び排出孔８３を有し、それぞれが長手方向の軸線を有する。コーティング・ノズル８０は、コーティング蒸気をコーティング区間に向けて方向付け、排出孔８２は、蒸気をコーティング区間から除去する。第２の装置によって、コーティング・ノズル８０及び排出孔８２がコーティング区間に面する状態で、コータが経路に対して間隔を置いた関係に取り付けられる。第２の仮想的なストレートライン９４がコーティング・ノズル８０の長手方向の軸線に垂直であり、第１の仮想的なライン２３と第２の仮想的なライン９４とは０度超から９０度の範囲内の角度を定めている。
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薄膜を形成するための蒸着反応器および方法。蒸着反応器は、円の孤に沿って配列された、第１の部分から第３の部分を備える。第１の部分は、第１の部分内の凹部に物質を注入するための少なくとも１つの第１の注入部を有する。第２の部分は、第１の部分に隣接しており、第１の部分の凹部に連通可能に接続された凹部を有する。第３の部分は、第２の部分と隣接しており、第２の部分の凹部と連通可能に接続された凹部と、蒸着反応器から物質を排出するための排出部とを有する。
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【課題】シャワーヘッド電極に加えて、低コストでメンテナンスが容易な原料ガスの供給機構を用いることにより、基板への膜の均一性を向上させることが可能なプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤによる成膜方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、真空容器２内に原料ガスを供給して、プラズマＣＶＤ成膜法により基板１の表面に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、真空容器２内には、原料ガスを供給するためのシャワーヘッド電極９が配設されているとともに、シャワーヘッド電極９に対して側面方向から原料ガスを供給するためのガス供給機構１４がさらに配設されている。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内のヒータ等の加熱機構がクリーニング処理によって生じる劣化や腐食を、クリーニング時における温度制御を要することなく行い、温度制御に伴う操作時間を不要とし、真空成膜装置の稼働率の低下を抑制する。
【解決手段】真空成膜装置において、クリーニング時において加熱機構の外周を不活性ガスで覆うことによって、反応性に高いクリーニングプラズマあるプラズマによって発生するラジカルが加熱機構に接触しないようにし、これによってクリーニング処理により劣化や腐食を防ぐ。保護機構は、ヒータの周囲空間に不活性ガスを導入する不活性ガス導入機構を備え、クリーニング時に不活性ガスを導入して加熱機構をクリーニングガスプラズマ又はラジカルから空間的に分離してヒータを保護する。 （もっと読む）

【課題】選択性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を複数ウェハの面間で均一性よく成長させることができる半導体装置の製造技術を提供する。
【解決手段】表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜若しくはシリコン窒化膜の露出面とを備えるウェハ３０４を処理室３０１内に搬入する。まず、処理ガスを第１のガス供給系３０６から第１のガス供給管３０９を介して、処理室３０１の上部から導入する。そして、第１のガス排気管３１１と第１のガス排気系３０８を用いてガス排気を行う。その後、処理ガスを第２のガス供給系３０７から第２のガス供給管３１０を介して、処理室３０１の下部から導入する。この処理室３０１の上部と下部からのガス供給工程を１回以上実行し、ウェハ表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】同時に複数枚の基板をバッチ処理する場合において、基板間の処理の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内で複数の基板を保持する基板保持体と、処理室内へ所定の処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内からガスを排出するガス排出部と、を備え、基板保持体は、複数本の支柱と、支柱の長手方向に沿って配列するように複数設けられ、基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持される基板の外周を囲うリング形状のプレートと、を備え、プレートの表面には表面パターンが形成されており、複数のプレートのうち第１プレートに形成されている表面パターンと、複数のプレートのうち少なくとも第２プレートに形成されている表面パターンと、が異なる。 （もっと読む）

【課題】パージ時間を短縮し、スループットを向上する。
【解決手段】基板９を出し入れする基板収納口及び基板収納口に着脱自在に装着されたドア１０ａを備えたキャリア１０を載置する基板授受ポートと、基板授受ポートに載置されたキャリア１０のドア１０ａを保持する可動部４０と、可動部４０に保持されたドア１０ａを可動部４０と共に移動させて基板収納口を開閉するキャリア開閉装置と、可動部４０及び基板収納口を少なくとも囲うチャンバ６０と、可動部４０に設けられ、基板収納口からキャリア１０内にガス６２を導入するガス導入部６３、６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器の天井壁に設けられた第３ノズル部および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質の半導体膜を大面積の絶縁透光性基板の面内に均一に形成でき、かつ異なる製膜ロット間での膜質の差が小さい半導体膜の製造装置及び方法を得ること。
【解決手段】Ｈ_２ガス又はＨ_２ガスとＳｉＨ_４ガスとの混合ガスを分散供給するシャワーヘッド４と基板ステージ１とが内部に設けられた真空容器を製膜室として備えた半導体膜の製造装置であって、シャワーヘッド４と基板ステージ１との間の空間にプラズマを発生させる高周波電源５と、シャワーヘッド４と基板ステージ１との間の複数のモニタ箇所でプラズマの電子温度を測定するラングミュアプローブ８と、シャワーヘッド４と基板ステージ１との間隔を調整する伸縮アーム１０と、各モニタ箇所での電子温度の測定値が設定値と一致するように、伸縮アーム１０を制御してシャワーヘッド４と基板ステージ１との間隔を調整する制御コントローラ１とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板保持体もしくは基板保持体に保持された基板の清浄化に要する時間を短縮し、基板処理のスループットを向上させることができる基板処理装置、ガス導入装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持体１０と、基板保持体にガスを導入するガス導入装置と、を備え、ガス導入装置は、ガスを清浄化しつつ放射状に放出するフィルタと、フィルタの外周に設けられフィルタから放射状に放出されたガスの流れを絞る絞り部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器内の下部から天井壁付近まで立ち上がりその天井壁に向けてガスを吹き付けるように設けられた第３ノズル部および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】生産性や製造コスト面に優れ、かつ、高スループットを実現することができるとともに、薄膜太陽電池としての変換効率の低下を防ぐことができる薄膜太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】真空中で基板に所望の膜を成膜する成膜室１１と、成膜室に第一開閉部を介して固定された仕込・取出室と、仕込・取出室と第二開閉部を介して固定され、キャリアに対して基板を脱着する基板脱着室と、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持するキャリアと、を備え、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出可能に構成され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行うことができる薄膜太陽電池製造装置であって、成膜室内に付着している副生成物に対してガスを噴射可能な複数のガス噴出口１５７を有する供給管１５１と、供給管に窒素ガスを供給する窒素ガス供給源１５８が接続されている。 （もっと読む）

【課題】基板の凹部に対して良好な埋め込みを行うこと。
【解決手段】真空容器１内の回転テーブル２に、凹部２３０が形成されたウェハＷを載置し、当該回転テーブル２上のウェハＷを、第１の反応ガス（ＢＴＢＡＳガス）が吸着されて凝縮される温度に温度調整し、次いで前記回転テーブル２上のウェハＷに反応ガスノズル３１からＢＴＢＡＳガスを供給し、当該ＢＴＢＡＳガスの凝縮物をウェハＷに付着させる。次いで回転テーブル２を回転させてウェハＷを分離ガスノズル４２の下方領域に位置させ、ウェハＷに対して加熱されたＮ_２ガスを供給して、前記ＢＴＢＡＳガスの凝縮物の一部を気化させる。次いで回転テーブル２を回転させてウェハＷを第２の反応ガス供給領域に位置させ、プラズマインジェクター２５０から第２の反応ガスであるＯ_２ガスを活性化してウェハＷに供給することにより、前記凝縮物と反応させて反応生成物を生成する。 （もっと読む）