【課題】 反応性の高い原料を用いて成膜を行う場合に、原料の分離と混合のタイミングを容易に制御できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 反応容器１６０の側面には、複数のガス供給ラインから供給された複数種のガスを基板Ｓ上に導入するガス導入部としてのシャワーヘッド１５０が設けられている。シャワーヘッド１５０の隣接するガス導入孔１５０ａの境界部分から、載置台１６１の上面と平行に、載置台１６１の中央部に向かって延伸する板状の仕切板１５２が設けられており、上下のガス導入孔１５０ａから噴出するガスの早期の混合を抑制する。 （もっと読む）

【課題】膜厚の面内均一性を向上させると共に、反応効率を向上させて成膜速度も高くすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】有機金属化合物の原料ガスを用いて被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜装置において、真空排気が可能になされた処理容器２２と、加熱ヒータ３４が設けらた載置台２８と、載置台に対向させて設けられており、原料ガスの分解を促進させる分解促進ガスを導入させるために載置台上の被処理体に対向するように配置された複数の分解促進ガス導入口８０Ａと原料ガスを導入させるために複数の分解促進ガス導入口が形成された領域を囲むようにして配置された原料ガス導入口８０Ｂとを有するガス導入手段８０とを備える。これにより膜厚の面内均一性を向上させると共に、反応効率を向上させて成膜速度も高くする。 （もっと読む）

【課題】 原料の反応性を高め、効率的に酸化亜鉛薄膜を成膜することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも有機原料ガスと酸素源ガスとを含む成膜ガスを、反応容器１６０の側面に配列されたシャワーヘッド１５０から個別に供給し、有機金属気相堆積成長法により、反応容器１６０に載置された基板Ｓ上に酸化亜鉛薄膜を成膜する成膜方法において、酸素源ガスとしてオゾンガスを用い、かつ、有機原料の分解を促進する水素ガスを前記成膜ガスに添加するとともに、オゾンガスと水素ガスとを異なるガス導入孔から反応容器内に供給する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一対の電極とを有する基板処理装置において、該電極間を通過する処理ガスのプラズマ励起効率を向上させ、成膜速度を向上させることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を次のように構成する。すなわち、複数の基板を積層して収容し、前記複数の基板に対し処理を行う処理室２０３と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に設けられ、電力が印加されることにより前記処理ガス供給部から供給される処理ガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極２６９，２７０とを有し、前記一対の電極は、それぞれ基板の中心位置から異なる距離に配置されることを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板表面に生成する膜を全面でより均一にできるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】熱化学気相成長法により基板Ｋの表面にカーボンナノチューブを生成する加熱室１３を有するカーボンナノチューブ形成用の熱ＣＶＤ装置であって、加熱室１３内を所定方向に移動される所定幅の基板Ｋを側面視が円弧形状となるように保持し得るガイド板２３を具備するとともに、このガイド板２３により保持される基板Ｋの円弧中心位置に原料ガスＧの放出口５を基板Ｋの幅方向に沿って配置したものである。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に成長用基板を担持して成長用基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの少なくても材料ガス供給側の半分を矩形に囲む、サセプタと同じ熱伝導率を有する素材からなる不動の受熱板と、周囲から受熱板を固定し、成長用基板に水平に材料ガスを誘導する不動のフロー補助板と、その開口する先端がフロー補助板上に位置し受熱板の端部と略平行にかつ成長用基板の直径よりも幅広に形成され、成長用基板の全面に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、その材料ガスノズル側の縁部が受熱板の端部に略平行に形成され、その全面が直上のサセプタと受熱板の全面に対向してサセプタと受熱板を均一に加熱する矩形の加熱器と、成長用基板とサセプタと受熱板の全面に向けて材料ガスノズルよりも幅広の領域に押さえガスを供給する押さえガス噴出器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】長尺な基材をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ、大気圧プラズマを用いて成膜を行なう際に、成膜前に基材の表面処理を行なう場合に、基材とパスローラ等との接触や表面処理からの時間経過によって表面処理の効果を低下させること無く成膜を行なうことにより、基材と成膜物との密着性を向上させ、高品質な膜を効率よく連続成膜することができる大気圧プラズマ装置を提供する。
【解決手段】基材の搬送方向において、成膜用電極よりも上流側に、ドラム電極の周面に対面して設けられる処理用電極と、処理用電極に電圧を印加する処理用電源と、ドラム電極と処理用電極との間に、表面処理用の反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 厚み分布が小さく、温度変化による転位および不純物が少ない高品質な単結晶体を提供する。
【解決手段】 単結晶を形成させるための主面が水平となるように設けられた種基板を、回転軸が鉛直方向となるように回転させる工程と、前記種基板に向かって開口したガス供給口を先端に有し、同軸構造の外筒部と内筒部とから構成されたガス供給管の前記ガス供給口において、前記内筒部から３族元素ガスまたは５族元素ガスのいずれか一方を前記種基板に直接供給させ、前記内筒部と前記外筒部との間から３族元素ガスまたは５族元素ガスの他方のガスを、前記内筒部からのガス供給速度よりも遅いガス供給速度にて、前記種基板に直接供給させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】反応室を開放することなく、かつ、整流板上部の空間容積を変動させることなく、整流板とウェーハの距離を近づけて成膜処理を行うことができ、生産性、膜厚均一性を向上させることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、反応室１１と、反応室１１壁面に設けられ、ウェーハｗの搬入出を行うためのゲート１６と、ガスを内部に導入するための導入口１２ｃと、ガスを整流状態で排出するための整流板１２ｄと、所定の内部容積を有するガス供給ユニット１２ａを備えるガス供給機構１２と、ガス供給ユニット１２ａを、整流板１２ｄの下面がゲート１６の位置より下方となるように移動させることが可能な上下駆動機構１３と、ガスを排出するためのガス排出機構１５と、ウェーハｗを保持するための支持部材１７と、ウェーハｗを所定の温度に加熱するためのヒータ２０ａ、２０ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】搬送される長尺の基材に成膜できる領域である成膜ゾーン２２の下方に配置される少なくとも１本のガス供給管３２であって、該成膜ゾーンの下方から該成膜ゾーンを指向する１個以上のガス供給口３４Ａを有する前記ガス供給管を備えたプラズマＣＶＤ成膜装置１０を用いて、前記成膜ゾーンの下方に位置する前記ガス供給口から前記成膜ゾーンにガスを供給して、前記基材を搬送しながら前記基材上に連続的に成膜する、成膜方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、シャワー電極から噴出されたガスが基板上において均一に流れ、基板上に生成される薄膜の膜厚を均一にすることが可能な成膜装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、減圧可能な反応室２と、基板３を支持する基板支持部４と、複数のガス供給孔１０から基板３に対して成膜ガスを噴出する平面形状のシャワー電極７と、シャワー電極７から噴出された成膜ガスを複数の排気孔１７から排出するガス排気部１４とを備えている成膜装置１において、シャワー電極７が、平面上に線対称軸Ｘを有し、ガス排気部１４における排気孔１７の開口率は、線対称軸Ｘから離れるにつれて徐々に大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】処理室内へのガス流量を均等にすると共に、質量流量計の数を低減させる。
【解決手段】 複数の基板を収容する処理室と、ガス供給源に接続されるガス供給管と、ガス供給管に接続され、ガス供給管からのガスを処理室内にそれぞれ供給する複数の分岐管と、分岐管にそれぞれ設けられる差圧生成部と、を備え、差圧生成部は、分岐管から処理室内に供給されるガスの流量が、複数の分岐管の間で均等になるように、差圧生成部より上流側の分岐管内と、差圧生成部より下流側の分岐管内と、の間にそれぞれ差圧を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、第１成膜ロール２０Ａ及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロール２０Ｂを含む成膜ロール２０と、第１対称面１８Ａが設定され、成膜ゾーン２２が設定され、第２対称面１８Ｂが設定されており、第１対称面内に配列される１本又は２本以上のガス供給管３２であって、成膜ゾーンと対向し、かつ第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を有するガス供給管を備えるガス供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理材に到達する荷電粒子を十分に抑制したうえで、ラジカルのみを効率的に供給できるリモート式のプラズマ処理装置とプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】前記放電部の圧力が大気圧近傍に維持され、前記処理室の圧力が前記放電部の圧力より低く維持され、前記一対の電極のうち第一電極は、前記仕切り板に重ね合わせて気密接続されるとともに前記複数の貫通孔にそれぞれ連なる細孔が設けられ、前記一対の電極のうち第二電極は、前記第一電極と所定の空隙を介して対向配置され、前記第一電極の前記空隙側の表面且つ前記第二電極の前記空隙側の表面および前記細孔の内面が誘電体で覆われている。 （もっと読む）

【課題】原料ガスをあらゆる角度に対して均等な流量で噴出でき、サセプタの対面においては原料ガスの分解、結晶化を抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ２の対面が内部に冷媒を流通する手段を有し、原料ガス導入部が円板状の仕切り１２，１２”により上下方向に仕切られた構成からなる複数のガス噴出口１３を備え、該ガス噴出口１３の少なくとも１つが複数の柱状の仕切り１４により円周方向に仕切られた構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に設けた回転テーブルに複数の基板を、周方向に配置された複数の凹部に夫々載置し、回転テーブルを回転させることにより基板を反応ガスの供給位置に順次通過させて基板上に薄膜を形成する装置において、基板が通過する領域における圧力差により回転テーブルから飛び出すことを防止すること。
【解決手段】基板載置領域の周縁に基板の周方向に沿ってリング状に形成されたリング部材を、回転テーブルを貫通して昇降自在な昇降ピンに固定する。基板を凹部内に搬送した後、昇降ピンを降下してリング部材を基板の表面周縁部に接する位置あるいはわずかに上方位置に置き、基板が浮上しようとしたときに係止して飛び出しを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板においても原料ガスの均一な給排気が可能であり、且つプラズマ空間で発生した高次シランを速やかに除去する。
【解決手段】真空容器内に基板保持材を兼ねた接地電極と、該接地電極と相対向する位置に配置された第一放電電極とを有し、該真空容器内に原料ガスを導入してプラズマを形成し、基板表面に薄膜を形成する以下の構造を有するプラズマＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、簡易かつ低コストの構成で、プロセスガスの導入位置を基板の配置（特にバッチ処理の場合）や基板のサイズ（特に枚葉処理の場合）に応じて高い自由度で設定可能とし、それによって高生産性と品質安定化を達成する。
【解決手段】チャンバ３の上部開口に配置された天板７には、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋが設けられている。天板７の上面７ａには、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋを接続するために、供給ガス溜め部７ｅ、共通導入溝部７ｇ、分配ガス溜め部７ｆ、分岐溝部７ｉ、及び個別ガス溜め部７ｈが設けられ、これらの上部開口は天板７の上面７ａに配置された蓋部材８により閉鎖されている。個々のガス導入口７ｊ，７ｋは基板サセプタ６に保持された基板２の中央領域の上方に位置している。 （もっと読む）

【課題】プラズマ成膜を行う際、成膜用原材料を効率よく使用して材料コストの低廉化及び省資源化を図る。
【解決手段】プラズマ用ノズル１６と、基材１０の成膜部位１２との間に、整流用治具１４を配置する。この整流用治具１４には、プラズマ供給路２０と、原材料供給路２２と、これらプラズマ供給路２０と原材料供給路２２が合流した成膜用合流路２４と、成膜部位１２を通過したプラズマ放電ガス及び未反応の原材料を排出するための排出路２６と、排出路２６中の未反応の原材料をプラズマ供給路２０に戻すための回収路２８とが形成される。プラズマ放電ガスとともに排出路２６の立ち上がり通路３４に流通した未反応の原材料は、冷却管３８を流通する冷却媒体によって冷却されることで凝縮し、液相となって回収路２８から成膜用合流路２４の鉛直通路３０に導入される。その後、プラズマ放電ガスによって揮発・再活性化された原材料は、成膜部位１２に再供給される。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑えつつ成膜の際の自由度を向上させることが可能な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】複数のガイドロール１３，１４を用いて基材２０を搬送しつつ、複数のＡＬＤヘッド１１Ａ，１１Ｂによって前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂを基材２０に対して出力し、原子層堆積による成膜を行う。各ＡＬＤヘッド１１Ａ，１１Ｂをガイドロール１３に対して個別に対向配置し、前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂが基材２０に対して局所的に出力されるようにする。使用する前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂの量が従来よりも削減されると共に、使用可能な前駆体ガスの種類の幅が広くなる。 （もっと読む）