【課題】ＣＶＤ法、ＡＬＤ法等に好適な反応剤、特に酸化剤との反応性に優れ、成膜速度向上及び低温薄膜化が可能となるチタニウムプレカーサを提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される金属化合物。式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ²は、メチル基又はエチル基を表し、Ｒ³は、メチル基又はエチル基を表す。
（もっと読む）

【課題】カーボン膜の抵抗率を低減することができる電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１が載置されたチャンバ４内に炭素を含有する原料ガスを供給する。基板１１の周囲からチャンバ４内のアノード１に向けて電子を放出させてチャンバ４内にプラズマ１４を発生させ、基板１１上にグラファイト、グラフェン等のカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において照射領域を絞るマスクを用いないで、微小な領域のプラズマ処理を行うプラズマ処理技術を提供する。
【解決手段】プラズマ生成用細管６から試料１１にプラズマ流１５を照射し、照射されるプラズマ照射領域内に加熱用レーザ発振器３０がレーザ光３３を照射する。これにより、レーザ光３３により局所的に加熱された被加工物上で反応させることで、限られた領域に薄膜を形成すること、または限られた領域をエッチングすることが可能となる。ガス供給口１４からは反応性ガスが供給される。温度測定器３１によりレーザ照射領域の温度を測定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来のＣＶＤ装置で用いることの出来なかった材料により成膜を可能にし、さらに不純物が混じらない高品質の成膜を可能とした薄膜堆積方法および装置を提供することを目的とする。
【解決手段】非平衡プラズマにより原料ガス１４に与えるエネルギーと、原料ガス１４より生成する目的の反応生成物固有のポテンシャルエネルギーとの差分のエネルギーを求め、ポテンシャルエネルギーが不足の場合、前記差分のエネルギーを補充するレーザ光１９の波長を求め、ポテンシャルエネルギーが余剰の場合、差分のエネルギーを誘導放出により放出するレーザ光１９の波長を求め、非平衡プラズマ化された原料ガス１４に、求めた波長のレーザ光１９を照射して、原料ガス１４の基底準位を前記ポテンシャルエネルギーに遷移し、原料物質より目的の反応生成物を解離または分解し、被成膜物質１２に堆積して成膜する。 （もっと読む）

コバルト含有薄膜を蒸着工程により形成する方法が提供される。該方法は、構造が式（Ｉ）に対応する少なくとも１種の前駆体を使用することを含み；式中、Ｒ^１及びＲ^２は独立にＣ_２〜Ｃ_８アルキルであり；ｘはゼロ、１又は２であり；並びにｙはゼロ又は１であり；ｘ及びｙの両方が同時にゼロであることはできない。

（もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法を利用しながら、イオンによる熱損傷が有効に改善され、耐熱性が乏しく、熱変形を確実に防止することが必要な基板に対しても有効に成膜を行うことが可能なプラズマ−光複合ＣＶＤ成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生領域３に反応性ガスを供給し、該領域で発生したプラズマをプラズマ遮蔽板７により形成された迂回路を通して基板１９が置かれた成膜室５に導入せしめ、成膜室５において、光照射によりＣＶＤ反応を促進させながら基板１９上に成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法。
【解決手段】反応チャンバに金属元素及びリガンドを含む第１反応物を注入して基板上に第１反応物を化学吸着させ、不活性ガスでパージして物理吸着された第１反応物を除去し、水酸化基を含まない第２反応物を注入して第１反応物と第２反応物との化学反応によって、第２反応物の酸素と金属元素が結合し、第１反応物からリガンドを分離して化学吸着された第１反応物を金属−酸素原子層とし、不活性ガスでパージして物理吸着された第２反応物を除去し、第３反応物を注入して化学吸着された第１反応物の残余分と第３反応物との化学反応によって第３反応物の構成要素である酸素と金属元素が結合し、第１反応物からリガンドを分離することにより化学吸着された第１反応物の残余分を金属−酸素原子層として、水酸化基の生成が抑止された状態で原子層単位の金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】
室温で容易に重合する性質を有する含酸素フッ素化合物、特にテトラフルオロフランを、そのエッチング性能等を実質的に低下させることなく安定にプラズマ処理装置へ供給する方法、及びそのようにして供給された含酸素フッ素化合物をプラズマ化し、被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
式：Ｃ_４Ｆ_４Ｏで表される繰り返し単位からなる重合体を熱分解して、式：Ｃ_４Ｆ_４Ｏで表される含酸素フッ素化合物を得た後、得られた含酸素フッ素化合物をプラズマ処理装置へ供給することを特徴とする含酸素フッ素化合物のプラズマ処理装置への供給方法、この供給方法により、含酸素フッ素化合物をプラズマ処理装置へ供給し、該装置内で、前記含酸素フッ素化合物をプラズマ化し、被処理物をプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理方法、このプラズマ処理方法を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング・高周波動作電子回路において、導電率が大きく、かつ、界面特性の向上と低エネルギー化が実現された、傾斜機能を有する高機能な導電薄膜を提供する。
【解決手段】荷電粒子等生成供給部１０２から、荷電粒子等薄膜構成元素１０３が発生され、発せられた荷電粒子等薄膜構成元素１０３は、それらの運動エネルギーを制御する作用を持つ荷電粒子等エネルギー制御部１０４によってエネルギーを所要の範囲に制御され、目的とする導電薄膜を形成するための下地となる基板１０５に導入される。また、磁界発生印加部１０６により、基板１０５に形成される導電薄膜表面の近傍に、この導電薄膜の膜厚方向と交差する方向の平行磁界が、所要の磁界強度などに制御して印加可能とされている。 （もっと読む）

【課題】広範囲のラジカルフラックスを容易に制御することができる処理装置を提供する。
【解決手段】第１の処理室１０１ａは、ラジカル生成手段１０８が設けられ、ラジカルをラジカル発生領域１１１にて発生する室、第２の処理室１０１ｂは第１の処理室１０１ａに連通路１２０を介して連通され、連通路１２０をラジカルが通過して導入され、被処理基体１０２を収容しラジカル処理する室である。ガス導入手段１０５から第１の処理室１０１ａに導入され、連通路１２０を通過して第２の処理室１０１ｂに導入された処理用ガスは支持手段１０３表面近傍を通過する。ラジカルの運動エネルギー制御手段１０９はラジカルが導入される連通路１２０に設けられる （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜、樹脂膜またはＩＩＩ−Ｖ族半導体薄膜の特性を制御することができる水素脱離方法および水素脱離装置を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜、樹脂膜またはＩＩＩ−Ｖ族半導体薄膜に、少なくとも１０ｅＶよりも大きいエネルギを有する光子を含む光を照射することによって、膜中から水素を脱離させる水素脱離方法である。また、ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜または樹脂膜に、膜の温度が２００℃未満である状態で、少なくとも３ｅＶよりも大きく１０ｅＶよりも小さいエネルギを有する光子を含む光を照射することによって、膜中から水素を脱離させる水素脱離方法である。 （もっと読む）