【課題】表面処理装置の構造を複雑化させることなくローディング効果を防止する。
【解決手段】被処理物９を処理ヘッド２０に対し移動方向Ａへ相対速度ｖにて相対移動させ、噴出口２３ａから処理ガスを噴出して被処理物９に接触させて表面処理する。噴出口２３ａより移動方向Ａの上流側に離れた第１吸引口２６Ｌからガスを吸引し、噴出口２３ａより移動方向Ａの下流側に離れた第２吸引口２６Ｒからガスを吸引する。噴出口２３ａと第１吸引口との間の距離Ｌ１と、噴出口２３ａと第２吸引口２６Ｒとの間の距離Ｌ２を互いに等しくする。第１吸引口２６Ｌと第２吸引口２６Ｒの吸引圧を互いに略等しくする。噴出口２３ａと第２吸引口２６Ｒとの間の処理路２５Ｒでの処理ガスの平均流速φａｖと相対速度ｖとの比（ｖ／φａｖ）が、０．５＜ｖ／φａｖ≦３を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】リフターピンとピン挿通孔の間へのガスの回り込みによる堆積物の付着などの不具合を軽減することのできる新規の被処理体の昇降機構及びこれを備えた処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体の昇降機構は、処理容器内にて処理される被処理体を載置する載置台３８に上下方向に貫設されたピン挿通孔５０′と、該ピン挿通孔５０′に対して昇降自在に挿通されるリフターピン７２と、該リフターピン７２を駆動して前記ピン挿通孔５０′から前記リフターピン７２を出没動作させる駆動手段とを有し、前記リフターピン７２の出没動作によって前記被処理体を昇降可能とした被処理体の昇降機構において、前記リフターピン７２の外周面若しくは前記ピン挿通孔５０′の内周面に軸線方向の所定範囲に亘って伸びる表面溝７２ｘが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において、プラズマ照射部の熱を効率的に利用し、処理効率を高める。
【解決手段】プラズマ照射部１０から処理位置Ｐに向けてプラズマを照射する。被処理物９を移動手段２０によって処理位置Ｐを横切るように一方向に移動させる。処理位置Ｐを挟んでプラズマ照射部１０側とは反対側に熱授受部材３０を設ける。熱授受部材３０の受熱部３０ａは、プラズマ照射部１０と対向するよう配置され、プラズマ照射部１０からの熱を受ける。この受熱部１０から前記移動方向の少なくとも上流側に放熱部３０ｂを延出する。放熱部３０ｂは、受熱部１０から伝播された熱を放射する。熱授受部材３０の裏面に凸条３２を設ける。 （もっと読む）

【課題】形成される膜のプラズマによるダメージを低減するとともに、成膜レートを向上し、かつ、パーティクルの発生を抑制することができる原子層成長装置を提供する。
【解決手段】成膜容器内には、酸化ガスを用いてプラズマを発生するアンテナアレイと、基板が載置される基板ステージとが配設されている。アンテナアレイは、棒状のアンテナ本体が誘電体で被覆された複数のアンテナ素子が平行に配設されて構成されている。また、アンテナアレイは、基板ステージ上に基板が載置される位置よりも、成膜容器の側壁に形成された供給孔から基板ステージに向けて供給される酸化ガスのガス流方向の上流側の空間に配設されている。アンテナアレイの、酸化ガスのガス流方向の下流側の端部と、基板ステージ上に基板が載置される位置の、アンテナアレイ側の端部と、の間の成膜容器の壁に、原料ガスの供給孔が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の基板を一括的に処理し、優れたスループットを有しながらも、処理される各基板ごとに原子層蒸着工程を完璧に行うことができるバッチ型原子層蒸着装置に関するものである。
【解決手段】本発明のバッチ型原子層蒸着装置は、内部に真空を形成できるチャンバと、前記チャンバ内に位置し、多数の基板が一定の間隔で離隔して積層される基板載置台と、前記基板載置台を上下方向に移動させる基板移動手段と、前記基板載置台に積層されている基板に対して平行な方向に気体を連続的に噴射する気体噴射手段と、前記チャンバの内部のうち前記気体噴射手段と対向する一側に設けられ、前記気体噴射手段によって噴射された気体を吸入・排出する気体排出手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】水平円盤型サセプタを使用する気相成長装置において、ウェーハとその周辺部との貼り付き現象を防止し、気相成長膜形成の半導体生産性を向上することを可能とする気相成長装置および気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】気相成長装置１は、ウェーハＷを所定の回転速度で回転させる回転駆動手段６と、前記回転駆動手段６の上部に固定されるサセプタ５と、前記サセプタ５上に配設され、前記ウェーハＷ側面、もしくは前記ウェーハＷ裏面のうち少なくともいずれかに当接して前記ウェーハＷを保持するための、シリコン（Ｓｉ）より線膨張係数の低い材質を主成分とする保持部材１２とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時間を短縮して装置の稼働率を向上させ、かつ、捕集部の着脱に伴うガス漏れや捕集部の破損等の発生を抑制する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理室と、前記処理室に基板処理用のガスを供給するガス供給ラインと、前記処理室内を排気するための第１の排気ポンプ４０８と、第１の排気ポンプ４０８と前記処理室とを連通させるガス排気ライン２３１と、ガス排気ライン２３１内に配置され、前記処理室内で生成される生成物を捕集する捕集部４０４と、捕集部４０４と連通し、捕集部４０４内を、少なくとも第１の排気ポンプ４０８が排気可能な圧力よりも低い圧力に排気可能な第２の排気ポンプ４１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制し、かつ成膜密度が高く緻密な薄膜を高速で連続成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、長尺な基板を、搬送手段により所定の搬送経路で搬送しつつ、成膜部で基板に所定の膜を形成するものである。成膜部は、搬送経路に所定の隙間をあけて対向して平行に配置される第１の平板電極および第２の平板電極と、第１の平板電極に高周波電圧を印加する電源部と、第１の平板電極から第２の平板電極に向う方向で、かつ第２の平板電極の表面に対してなす角度が０°〜４５°に、膜を形成するための原料ガスを第１の平板電極および第２の平板電極の間に供給する原料ガス供給手段とを備える。また、搬送手段は、基板を第１の平板電極と第２の平板電極との間を搬送させるものである。 （もっと読む）

【課題】低温での選択成長が可能な半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】少なくともシリコン面と絶縁膜面とを表面に有する基板を処理室内に載置し、前記処理室の外側に配置された加熱手段により前記処理室内の雰囲気および前記基板を加熱する基板処理装置を用いて、前記シリコン面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法であって、前記処理室内に前記基板を搬入する基板搬入工程と、前記処理室内にジクロロシランガスと水素ガスとを供給して、前記シリコン表面にシリコン単結晶膜を選択的に形成する第一のエピタキシャル成長工程と、前記第一のエピタキシャル成長工程の後に、前記処理室内に前記ジクロロシランガスと前記水素ガスと塩素系ガスとを供給して前記シリコン単結晶膜の上にシリコン単結晶膜を形成する第二のエピタキシャル成長工程と、前記処理室外へ前記基板を搬出する基板搬出工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置において、各処理室の処理タクトに影響を及ぼすことなく各処理室に付設する機構の個数を低減する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、ロードロック室、成膜室、アンロード室の各処理室を備え、各処理室内に複数個の基板カートを収納可能とし、アンロード室は、基板カートを成膜室から搬入する搬入口と、基板カートを帰還路に搬出する搬出口と、複数の基板カートを保持するカート保持部と、基板カートを搬送するカート搬送機構と、搬入口および搬出口間で昇降するカート昇降機構とを備える。カート昇降機構は、基板カートを搬入口と搬出口との間で移動させ、アンロード室内外への複数個の基板カートの搬出入を可能とする。カート昇降機構は、基板カートの搬入口、搬出口への移動を、他の基板カートをアンロード室内に保持した状態のままで行い、他の基板カートの干渉によって動作が停滞するといった処理タクトへの影響を回避する。 （もっと読む）

本発明は反応空間を提供するチャンバと、前記チャンバ内部に設けられるステージと、前記ステージに対向して前記チャンバ内部に設けられるプラズマ遮蔽部と、前記ステージと前記プラズマ遮蔽部の間に基板を支持する支持台と、前記ステージに備えられ、前記基板の一面に反応ガス又は非反応ガスを供給する第１供給口と、前記プラズマ遮蔽部に備えられ、前記基板の他面に反応ガスを供給する第２供給口及び非反応ガスを供給する第３供給口と、を含む基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
このような本発明は単一チャンバ内で基板のエッジ領域及び背面領域にプラズマ処理を個別的に行うことができる。従って、装置の設置空間が減り、生産ラインの空間活用性を高めることができる。そして、チャンバ移動による大気露出がないので基板汚染が少なく、チャンバ移動による待機時間がないので全体的な工程時間を節約できる。 （もっと読む）

【課題】 基板に製膜される膜の厚さを効果的かつ効率的に均一にすることができる製膜装置の膜厚調整方法を提供する。
【解決手段】 コンベア７によって搬送される基板３に製膜される膜の原料ガスを吹き付けるノズル３９を有するインジェクタ３５と、吹き付けられた原料ガスを基板３とインジェクタ３５との間から排気する前後一対の排気部３７と、各排気部３７の外側に形成され、原料ガスを排気部３７へ案内する前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７と、を有する大気圧熱ＣＶＤ装置１の膜厚調整方法であって、コンベア７を停止した状態で試験基板５１に膜を製膜する停止製膜工程と、膜について、コンベア７の搬送方向Ｌにおけるノズル３９の中央位置の前後の均一性を判定する判定工程と、均一性が所定の範囲に収まるように各不活性ガス流の流量を調整する調整工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの種類の切替え時間を短縮する。
【解決手段】基板処理装置１００は、基板２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に設けられる基板２００と対向して設けられ多数のガス供給孔２４０から処理ガスを供給するためのガス供給部２３６ａ，２３６ｂと、ガス供給部２３６ａ，２３６ｂ内に処理ガスを導入するガス導入口２３４，２３５と、処理室２０１に連通する排気口２３０と、ガス供給部２３６ａ，２３６ｂに連通する排気口３０５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】回転電極と基板との間の間隙を従来に比べて広く設定しても、パーティクルの発生を抑制することができ、しかも、パーティクルの混入がほとんどない高品質の薄膜を、高い成膜速度で成膜することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】成膜対象基板に対して回転中心軸が平行な円筒状の回転電極に電力を供給することで、この回転電極と成膜対象基板との間隙にプラズマを生成し、生成したプラズマを用いて、供給された反応ガスの化学反応により成膜対象基板に薄膜を形成する薄膜形成装置において、回転電極の回転により回転電極の表面に引きずられて、間隙のプラズマ生成領域を、回転電極の表面に沿って移動する不活性ガスの流れを形成するために、回転電極の表面に前記不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、不活性ガスの流れと成膜対象基板との間に反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】表面処理におけるローディング効果を防止する表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１の第１ノズル部３０に、反応性ガスを噴出する第１噴出口３１と、ガスを吸引する第１吸引口３２とを左右（第１方向）に離して形成する。移動手段２０によって被処理物Ｗを第１ノズル部３０に対し第１方向に相対移動させる。被処理物Ｗの相対移動される位置を挟んで第１ノズル部３０と上下（第２方向）に対向するように、第２ノズル部４０を配置する。第２ノズル部４０には、第１ノズル部３０と第２ノズル部４０との間のガスを吸引する第２吸引口４２を形成し、この第２吸引口４２を第１噴出口３１と第２方向に対向させる。 （もっと読む）

【課題】基板不良が発生するのを未然に回避する。
【解決手段】基板処理装置１００は、反応容器２０３、ガス供給管韓３１２、排気管２３１、圧力計器４２０，５２０、排気装置２４６、コントローラ２４０を備える。コントローラ２４０は、ウエハ２００の処理に先立ち、反応容器２０３内を排気させ、反応容器２０３内の圧力を所定の設定圧力値とした際に計測される第１の圧力値を基準値とし、前記基準値より小さい所定の第１の圧力範囲と前記基準値より大きい所定の第２の圧力範囲とを予め設定する。コントローラ２４０は、ウエハ２００の処理後に、再度反応容器２０３内を排気させ、反応容器２０３内の圧力を前記設定圧力値とした際に測定される第２の圧力値が前記第１の圧力範囲より低い圧力値となった場合と前記第２の圧力範囲より大きい圧力値となった場合とで、互いに異なる是正処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】 隣接する基板間へのガスの供給を促進させるとともに、一括して処理することの出来る基板の枚数を増やす。
【解決手段】 基板支持部材に支持される基板の周縁と処理室の内壁とに挟まれる空間に、基板の周方向に延在されるとともに、基板を積層する方向に亘って延在され、ガス供給部のガス供給口と対向する位置に複数の排気口を備えた隔離壁と、基板支持部材に支持される各基板の周縁と隔離壁との間に、基板の周方向に延在された整流板と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 処理室内に設けられた金属部材の腐食を抑制する。
【解決手段】 基板上に高誘電率膜を形成する処理を行う処理室と、高誘電率膜を形成するための処理ガスを処理室内に供給する処理ガス供給系と、処理室内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を除去するフッ素系ガス以外のハロゲン系ガスを含むクリーニングガスを処理室内に供給するクリーニングガス供給系と、を有し、処理室内には金属部材が設けられ、金属部材の少なくともクリーニングガスが接触する表面にはＤＬＣ膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 熱のみによって励起したクリーニングガスを用い、処理室内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を高速に除去する。
【解決手段】 処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に処理ガスを供給して基板上に高誘電率膜を形成する処理を行う工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、処理室内にハロゲン系ガスと酸素系ガスとを供給して処理室内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を除去し処理室内をクリーニングする工程と、を有し、処理室内をクリーニングする工程では、ハロゲン系ガス及び酸素系ガスに対する酸素系ガスの濃度を７％未満とする。 （もっと読む）

【課題】酸化性ガスと還元性ガスとを用いることによって、設備コストの大幅な上昇を招来することなく、石英製の構成部材の表面から不純物金属、特に銅を除去することが可能なクリーニング方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４と、処理容器内で被処理体を支持するための支持手段６と、被処理体を加熱する加熱手段２４と、処理容器内へ所定のガスを供給するガス供給手段２８とを有すると共に、各構成部材の内の少なくとも１つが石英製になされて被処理体に対して所定の処理を施すようにした処理装置のクリーニング方法において、処理容器内に酸化性ガスと還元性ガスとを供給して両ガスを反応させることによって石英製の構成部材をクリーニングする。 （もっと読む）