【課題】副生成物の付着を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハを収容する処理室と、ウエハを加熱するヒータと、処理室の下部を形成するインレットフランジ１０と、インレットフランジ１０の第一ポート１２に設置されたガス供給管、棒状電極と、インレットフランジ１０の第二ポート１３に設置されたガス排気管と、を備えている基板処理装置において、インレットフランジ１０に金属成形ヒータ２０を設け、第一ポート１２および第二ポート１３にカートリッジヒータ３０を設ける。金属成形ヒータ２０およびカートリッジヒータ３０により、インレットフランジ１０、第一ポート１２周辺および第二ポート１３周辺を加熱することができるので、副生成物の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】サセプタの成長面と基板の成長面との間に生じる段差をウェハ面内の膜厚均一性に影響しないレベルに抑えることのできる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供する。
【解決手段】水平な方向にガス流路が形成される反応管２の上部壁にサセプタ用開口２ａを形成し、そのサセプタ用開口２ａに、基板３を設置した円盤状のサセプタ４を、その成長面４ａ側がガス流路に臨むように設けると共にその中心軸廻りに水平に回転自在に設け、そのサセプタ４の成長面４ａとは反対の面側にヒーター５を設けた化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置１において、サセプタ４の成長面４ａに対して基板３の成長面３ａの位置を任意に変更できるホルダ６を介して基板３を、サセプタ４に設置するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内膜厚分布均一性の低下を防止する。
【解決手段】複数枚のウエハ１を一括して収容する処理室３２と、３本の保持柱２５ｃで複数枚のウエハを積層保持するボート２５と、ボート２５を回転させる回転駆動装置２８と、処理室３２内に処理ガスを噴出する吹出口４６と、を有する基板処理装置において、コントローラ６０は回転駆動装置２８を回転速度と角度位置とをパラメータとして制御し、保持柱２５ｃの角度位置に応じてボート２５を回転させる速度を増減させる。 （もっと読む）

【課題】電源が大きくなるのを抑制しながら、成膜速度を大きくするとともに、膜厚および膜質が不均一になるのをより有効に抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理装置１は、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、上部電極３と対向するように設置され、上部電極３と対向する部分に複数の凸部４ａおよび複数の凹部４ｂが形成される下部電極４とを備えている。また、下部電極４の凸部４ａには、原料ガスを供給するためのガス供給口４ｃが形成されるとともに、下部電極４の凹部４ｂには、未反応ガスや、負イオン、悪性ラジカルおよびフレークを排出するためのガス吸引口４ｅが形成されている。 （もっと読む）

【課題】原料ガスを間欠的に供給する際に、安全性を維持しつつ多量の原料ガスを処理容器内へ供給することができ、この結果、成膜レートを向上できるのみならず、膜中における原料ガスに含まれる元素の濃度をコントロールして、例えばこの元素濃度を高くすることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内で被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜方法において、処理容器４内へ原料ガスを、間に間欠期間を挟んで複数回供給して原料ガスを被処理体Ｗの表面に吸着させる吸着工程と、処理容器４内へ反応ガスを供給して被処理体Ｗの表面に吸着している原料ガスと反応させて薄膜を形成する反応工程とを交互に複数回繰り返し行うようにする。 （もっと読む）

【課題】高品質な成膜が可能な反応性ガスを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順次基板の表面に供給するサイクルを複数回行うことにより、反応生成物を積層させて薄膜を形成する成膜装置において、真空容器内に設けられた回転テーブルと、回転テーブルの同一円周上に、基板を載置するため回転テーブルに設けられた複数の基板載置部と、第１の反応ガス供給手段と、第２の反応ガス供給手段と、第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に設けられた分離ガス供給手段と、基板載置部に設けられた基板を昇降するための昇降機構とを備え、昇降機構は回転テーブルに対し上下方向に移動すると共に、回転テーブルの半径方向にも移動することを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】載置部の載置面上にワークを正確に位置決めすることができ、プラズマ処理時には、ワークを載置部に確実に固定することにより、ワークに対して所定のプラズマ処理を行うことができ、さらには、プラズマ処理後には、載置部からワークを容易に取り外すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、載置面２２１を備える下部電極２２と、下部電極２２に設けられ、載置面２２１に開放する孔６１と、孔６１に挿入され、載置面から出没自在なピン７１と、ワーク１０を載置面２２１に固定する固定手段６とを有し、固定手段６は、孔６１の内側の空間の少なくとも一部を吸引孔として利用し、前記吸引孔を減圧することにより、ワーク１０の裏面１０２を載置面２２１に吸着し固定するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】ガス供給系の構造の簡素化、コスト削減を図ることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】各々基板載置領域を含む複数の下部材２と、これら下部材２に夫々対向して設けられ、前記基板載置領域との間に処理空間２０を形成する複数の上部材２２と、前記上部材２２及び下部材２の組により形成される複数の処理空間２０に対して共通化された処理ガス供給機構４と、この処理ガス供給機構４から共通のガス供給路を介して分岐された複数の分岐路３４と、前記共通のガス供給路の下流端に設けられ、当該ガス供給路の断面積よりも大きい断面積を有し、その下流側に前記複数の分岐路が接続された拡散室３３と、前記処理空間２０を真空排気するための真空排気手段６４と、を備えるように真空処理装置を構成することで、処理空間２０毎にガス供給機構４を設ける必要をなくし、ガス供給系の構造を簡素化し、装置の製造コストを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板の処理結果に面内分布が生じることを抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、処理室１００、第１電極１１０及び第２電極１２０からなる電極対、及び押付部材（第１開閉部材１４２と第２開閉部材１４４）を備える。電極対は処理室１００内に設けられている。そして第１電極１１０及び第２電極１２０は、互いに対向している。処理室１００内には、処理室１００の幅より長い長尺状の可撓性基板２００が搬送される。押付部材は、第１電極１１０及び第２電極１２０より外側に設けられており、可撓性基板２００を第１電極１１０に押し付ける。 （もっと読む）

【課題】昇降ピンごとに位置調整を行って挿通孔と昇降ピンとの位置合わせを正確に行うことができ、昇降ピンと挿通孔内面のこすれ等によるパーティクルの発生を抑制することができる基板載置台を提供すること。
【解決手段】基板載置台は、載置台本体と、載置台本体に対して基板を昇降する基板昇降機構とを有する。基板昇降機構は、挿通孔に挿通された昇降ピン５２と、昇降ピン５２を支持する昇降アーム５９と、昇降アーム５９を介して昇降ピンを昇降させるアクチュエータと、昇降ピン５２を昇降アーム５９に取り付ける昇降ピン取り付け部６０とを有し、昇降ピン取り付け部６０は、昇降アーム５９に設けられた凹所と、昇降ピン５２がねじ止めされ、昇降アーム５９の上面と面接触する底面と底面から下方へ突出して凹所に遊嵌される突出部とを有するベース部材６３と、ベース部材６３をクランプするクランプ部材６４とを有する。 （もっと読む）

【課題】結晶化しており、かつリーク電流も小さいジルコニア系膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態とし、処理容器内にジルコニウム原料と酸化剤とを交互的に複数回供給して基板上にＺｒＯ_２膜を成膜する工程と、処理容器内にシリコン原料と酸化剤とを交互的に１回または複数回供給して基板上にＳｉＯ_２膜を成膜する工程とを、膜中のＳｉ濃度が１〜４ａｔｍ％になるように供給回数を調整して行い、これら供給回数のＺｒＯ_２膜成膜とＳｉＯ_２膜成膜とを１サイクルとし、このサイクルを１以上行い所定膜厚のジルコニア系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 バイパス配管の下流側に専用の真空ポンプを設けることなく、バイパス配管からガス排気系へと排気された処理ガスの処理室内への逆拡散を抑制する。
【解決手段】 基板を収容する処理室と、基板を処理する処理ガスを処理ガス源から処理室内へ供給するガス供給系と、処理室内の雰囲気を排気するガス排気系と、ガス排気系に直列に設けられた少なくとも２つの真空ポンプと、ガス供給系とガス排気系とを処理室を介さずに接続するバイパス配管と、を含み、真空ポンプの内、ガス排気系を流れるガスの最上流側に位置する真空ポンプはメカニカルブースタポンプであって、バイパス配管は、メカニカルブースタポンプとその下流に位置する真空ポンプとの間の位置に接続される。 （もっと読む）

静止する基板上または連続する基板上に薄膜材料を高速蒸着するための方法および装置を提供する。この方法は、あらかじめ選択された前駆体中間生成物を蒸着チャンバへと供給することと、中間生成物から薄膜材料を形成することと、を含む。中間生成物は、蒸着チャンバの外部で形成され、自由ラジカル等の準安定化学種を含む。中間生成物は、低い欠陥濃度を有する薄膜材料の形成に貢献する準安定化学種を含むよう、あらかじめ選択される。低欠陥濃度の材料を形成することにより、蒸着速度と材料品質の関係は分断され、先例のない蒸着速度が達成される。１つの実施形態において、好適な前駆体中間生成物はＳｉＨ３である。この方法は、あらかじめ選択された中間生成物とキャリアガスとを、好ましくは不活性化状態において、混合することを含む。キャリアガスは、薄膜材料を蒸着するために、好適な中間生成物の基板への送給を導く。 （もっと読む）

【課題】石英部品を床置きした場合、床の汚れがシール面に付着して炉内に持ち込まれることによる炉内の汚染を防止できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】石英からなるアウタチューブ１４とインナチューブからなる反応管と、前記アウタチューブと石英からなるマニホールド５０との間を気密に接合する第1の接合面と、前記マニホールドと石英からなるシールカバー３１との間を気密に接合する第２の接合面と、前記シールカバーとシールキャップ３０との間を気密に接合する第３の接合面と、を有する熱処理装置であって、前記第１または第２または第３の接合面の少なくとも１つの接合面にはＯリング５３が設けられており、前記接合面のＯリング部より外側に突起を設ける構成としたことを特徴とする熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】密閉部材がシール面に固着してしまうという問題を解決し、安全にメンテナンスを行うことができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】反応管と該反応管に密閉部材を介して当接するマニホールドとで画成され、内部で基板を処理する反応容器と、前記反応管と前記マニホールドとを切り離す際に、前記密閉部材の剥離を補助する剥離補助手段とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成する薄膜の膜厚の均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板１０１が収容されるインナチューブ２０４と、インナチューブ２０４を取り囲むアウタチューブ２０３と、インナチューブ２０４内に配設されたガスノズル２３３ａ，ｂと、ガスノズル２３３ａ，ｂに開設されたガス噴出口２４８ａ，ｂと、ガスノズル２３３ａ，ｂを介してインナチューブ２０４内にガスを供給するガス供給ユニットと、インナチューブ２０４の側壁に開設されたガス排気口２０４ａ，ｂと、アウタチューブ２０３とインナチューブ２０４とに挟まれる空間を排気してガス噴出口２４８ａ，ｂからガス排気口２０４ａ，ｂへと向かうガス流をインナチューブ２０４内に生成する排気ユニットとを備え、基板の外縁とガス排気口２０４ａ，ｂとの間の距離が、ガス噴出口２４８ａ，ｂとの間の距離よりも長くなるようにインナチューブ２０４の側壁が構成されている。 （もっと読む）

原子層を基板（６）の表面（４）に堆積させるための装置（２）。装置（２）は前駆体注入ヘッド（１０）を含み、前駆体注入ヘッド（１０）は前駆体供給部（１２）と、使用時に前駆体注入ヘッド（１０）と基板表面（４）とに界接する堆積空間（１４）とを備える。前駆体注入ヘッド（１０）は、基板表面（４）に接触させる前駆体ガスを前駆体供給部（１２）から堆積空間（１４）に注入するように構成される。装置（２）は、堆積空間（１４）と基板（６）との間の相対運動を基板表面（４）の平面で行うように構成される。装置（２）には、注入された前駆体ガスを基板表面（４）に隣接した堆積空間（１４）に閉じ込めるように構成された閉じ込め構造（２６）が設けられる。 （もっと読む）

基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイスは、第１の放電部分を含む第１の電極および第２の放電部分を含む第２の電極と、第１および第２の電極間に高電圧差を発生させる高電圧源と、第１の電極を基板に対して位置決めする位置決め手段とを含み、位置決め手段は、第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を助長するのに十分に小さい第１の位置、および第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を防止するのに十分に大きい第２の位置に、第１の電極を第２の電極に対して選択的に位置決めするように構成される。
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【課題】固体原料を使用する基板処理装置において、原料供給用タンクを装置から外すことなく原料供給用タンクに原料を補充することができる基板処理装置および原料補充方法を提供する。
【解決手段】固体原料を保持する第１の原料容器２７０と、該第１の原料容器と第１の配管を介して接続され固体原料が補充される第２の原料容器２６０と、該第２の原料容器と処理室を接続する第２の配管２３０と、少なくとも第１の原料容器及び第１の配管を加熱可能な加熱手段２８３と、少なくとも第１の原料容器及び第２の原料容器の内部の圧力を調整可能な圧力調整手段とを設け、第１の原料容器から第２の原料容器へ固体原料を補充する際には、固体原料を気体原料へ変態させて補充するように加熱手段及び圧力調整手段を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】品質に優れ、平坦で厚い化合物半導体を成長させるための方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥを利用し、ナノ構造層を使用して高品質の平坦かつ厚い化合物半導体（１５）を異種基板（１０）上に成長させる。半導体材料のナノ構造（１２）は、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）によって基板（１０）上に成長させることができる。化合物半導体の厚膜（１５）又はウェハは、ＨＶＰＥを使用したエピタキシャル横方向成長によってナノ構造（１２）上に成長させることができる。 （もっと読む）