【課題】同時に複数枚の基板をバッチ処理する場合において、基板間の処理の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内で複数の基板を保持する基板保持体と、処理室内へ所定の処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内からガスを排出するガス排出部と、を備え、基板保持体は、複数本の支柱と、支柱の長手方向に沿って配列するように複数設けられ、基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持される基板の外周を囲うリング形状のプレートと、を備え、プレートの表面には表面パターンが形成されており、複数のプレートのうち第１プレートに形成されている表面パターンと、複数のプレートのうち少なくとも第２プレートに形成されている表面パターンと、が異なる。 （もっと読む）

プロセスチャンバと、プロセスチャンバへの前駆体ガス入口と、送出口と、プロセスチャンバ内に配置されたプラズマ源とを備える、材料を移動する基材上に蒸着するＰＥＣＶＤ装置が提供される。プラズマ源は、１つ以上の負グロー領域と、１つ以上の陽光柱とを生成する。少なくとも１つの陽光柱は、基材に向かって配置される。プラズマ源、および前駆体ガス入り口は、互いにおよび基材に対して関連して配置され、それにより前駆体ガスは基材に隣接した陽光柱内に注入される。装置は、前駆体ガスを、負グロー領域から離れて陽光柱内に導くように提供される。
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【課題】複数の基板処理プロセスに関するデータの相互比較を容易とし、基板処理装置や基板処理プロセスにおける異常検出を容易とする。
【解決手段】群管理装置は、データを基板処理装置から受信する通信手段と、通信手段が受信したデータを読み出し可能に格納する格納手段と、データ検索条件の入力を受け付けて格納手段を検索し、読み出したデータを時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成すると共に、時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、格納手段から読み出したデータおよび特異点を基板処理プロセスと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成するグラフ作成手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、ＣＶＤによる成膜を含む複数の処理を連続的に行なう成膜装置であって、各室が、隣接する室の圧力による悪影響を受けることなく、また、反応ガスによる装置内の汚染も抑制できる成膜装置を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ成膜室と上流もしくは下流の処理室との間に排気手段を有する差圧室を設けて、この差圧室に、不活性ガスおよび／または両室に供給されるガスを導入することにより、成膜室および処理室の高圧な方よりも高い圧力とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ガスを処理室内にある複数の基板の主面全体にわたって均一に接触させ、成膜均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】インナチューブ２内に設置され、供給量の多い処理ガスを導入する処理ガス導入ノズル２２ａの水平方向の角度を、基板を複数搭載したボートの回転動作と同期させて、変動させる。また、インナチューブ２内に設置され、供給量の少ない処理ガスを導入する処理ガス導入ノズル２２ｂの水平方向の角度は、基板の中心付近に向けて固定しておく。 （もっと読む）

【課題】製膜される膜の高品質化を図るとともに、大面積化および製膜速度の高速化を図ることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに対向して配置され、間にプラズマを生成するリッジ電極を有するリッジ導波管からなる放電室２と、放電室２に隣接して配置され、リッジ電極に向かってプラズマの形成に用いられる母ガスを供給するガス供給部１０と、放電室２との間にガス供給部１０を挟む位置に配置され、プラズマによる処理が施される基板Ｓと、少なくとも放電室２、ガス供給部１０および基板Ｓを内部に収納する減圧容器７と、減圧容器７におけるガス供給部１０との間に放電室２を挟む位置に連通され、減圧容器７内部の圧力を低減させる排気部９と、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属化合物膜の組成を容易に制御し、用途に応じた高品位の膜を形成し、さらに下地との結合の形成によりコンタクト抵抗の低い高性能な膜を形成する。
【解決手段】ＴｉＣｌ_４と、このＴｉＣｌ_４と反応するＮＨ_３をウエハに供給し、ＴｉＣｌ_４の一部に、置換反応を起こさせないままの結合枝を所定の濃度で残すよう処理条件を制御してウエハにＴｉＮ中間膜を形成する第１の工程と、Ｈ_２をこのウエハに供給し、ＴｉＮ中間膜に含まれる結合枝を置換する第２の工程と、を有し、前記第１の工程と前記第２の工程を順に行うことにより、ＴｉＮ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸素を含む高品質な薄膜の形成が可能で、水分発生器やオゾン発生器を必要とせず、低コスト化を実現する。
【解決手段】複数の基板を積層して収容する反応管２０３と、第１の原料ガスを供給する第１のガス供給手段２３２ａと、Ｏ含有ガスとＨ含有ガスとを含む第２の原料ガスを供給する第２のガス供給手段２３２ｂと、反応管内を排気する排気手段２４６と、を有し、第１のガス供給手段は、反応管の下部に接続され第１の原料ガスを供給する第１のガス供給配管と、反応管内に立設され複数のガス供給口２４８ａを有するガスノズル２３３と、を備え、第２のガス供給手段は、反応管の頂部に接続され第２の原料ガスを供給する第２のガス供給管を備え、第１の原料ガスと第２の原料ガスとを互いに混合することなく交互に供給して基板上に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】排気の偏りが無く、かつ、メンテナンスが容易となるように基板支持台を支持するプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１０において、対向する真空チャンバ１１の側壁１１ａを貫通する貫通孔１２ｃを内部に有し、真空チャンバ１１の中心を通って横断する支持梁１２を真空チャンバ１１と一体に形成し、支持梁１２の上面の中央部に、基板支持台１３を取り付ける上面開口部１２ａを設け、真空側と大気側とをシールする第１シール部材を介して、上面開口部１２ａに円筒状の基板支持台１３を取り付けた。 （もっと読む）

【課題】クリーニングを原因とする腐食を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室内に複数の原料を供給して基板の表面に膜を形成する膜形成工程と、前記処理室内にフッ素を含むクリーニングガスを供給して前記処理室内をクリーニングするクリーニング工程と、を有し、前記クリーニング工程は、前記処理室内を第１の温度で所定時間加熱する第１の加熱工程と、前記第１の温度から第２の温度まで昇温する昇温工程と、前記処理室内を前記第２の温度で所定時間加熱する第２の加熱工程と、を含み、前記第１の温度及び前記第２の温度は５００℃から７００℃のそれぞれ所定温度である。 （もっと読む）

【課題】多数枚の基板に、均一な膜厚で成膜することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１０は、ウエハ１４にＳｉＣ膜を成長させることを可能とする処理室４４と、ウエハ１４を縦方向に複数略水平に支持し、処理室４４内でウエハ１４を支持するボート３０と、処理室４４内に設けられた発熱体と、反応ガスを供給するガス供給ノズル６０と、を有し、発熱体は、処理室４４内でボート３０の少なくとも一部を覆うサセプタ４８と、このサセプタ４８とボート３０との間に設けられたサセプタウォール１６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】ベローズの腐食、ベローズからの発塵を抑制すると共に、被駆動部分の体積、重量を小さくした基板支持台の構造及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０において、円筒状の内筒１２、ベローズ１３、外筒１４及び覆設部材１５を、順次、内側から同心円状に配置すると共に、駆動機構２４により駆動される駆動部材２１を、開口部１１ｂ及び内筒１２の内部を通って、載置台１６の裏面に取り付けた基板支持台の構造とした。 （もっと読む）

【課題】膜ストレスを制御することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ２００を処理する空間を成す処理室２０１に対し、塩素を含むガスと、アンモニアガスとを交互に供給、排出して、ウエハ２００に所望の薄膜を形成する基板処理方法であって、アンモニアガスの供給時間を、塩素を含むガスを供給する時間の２倍より長く供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつエッチング耐性に優れた窒化シリコン系絶縁膜を形成する。
【解決手段】基材上にシラン系ガス（ＤＣＳ）、窒化性ガス（ＮＨ３）及びホウ素含有ガス（ＢＣｌ３）を、Ｎ２パージを逐次行いながらこの順で供給してホウ素含有窒化シリコン層を形成する工程と、このホウ素含有窒化シリコン層に、プラズマにより活性化された窒化性ガス（活性化ＮＨ３）を供給する工程とを含み、これらの工程をこの順で繰り返し行う成膜方法。 （もっと読む）

【課題】複数のシャワー電極が設けられたプラズマ処理装置において、生産性を高めるとともに、プラズマ処理の均一性を維持できるようにする。
【解決手段】プラズマチャンバ２１，２２に、複数のシャワー電極６が隙間８をあけて設けられる。複数の基板４が等間隔に並べられたトレイ５が、シャワー電極６と下部電極７との間に搬送される。成膜開始時、隣り合うシャワー電極６間の隙間８の真下に基板４がくるように、トレイ５が位置決めされる。成膜中、トレイ５は隙間８の大きさに応じた搬送速度で進行方向に移動する。トレイ５は、基板４の長さよりも短い距離だけ移動する。この間に、基板４上に薄膜が形成されるが、シャワー電極７間の隙間８の真下に発生した強いプラズマ放電の影響を受ける領域が基板４上を移動するので、膜厚のばらつきが低減する。 （もっと読む）

【課題】反応炉内圧力の制御を正確に行うことを可能とする半導体製造装置を提供する。
【解決手段】排気管８６のマニホールドとの接続側と反対側である下流側には、処理室から排気されたガスを冷却するガス冷却体９０および圧力調整装置９２を介して真空ポンプ等の真空排気装置９４が接続されている。また、圧力センサ９６は、ガス冷却体９０の上流側に設けられている。このようにして、処理室内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気するように構成されている。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、光パルスの持続時間、形状、および繰返し率の独立した制御を提供する光源を組み込む基板処理機器および方法に関する。実施形態は、照度の急速な増大および低減をさらに提供する。
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【課題】電源が大きくなるのを抑制しながら、成膜速度を大きくするとともに、膜厚およ
び膜質が不均一になるのをより有効に抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理装置１は、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、上部電極３と対向するように設置され、上部電極３と対向する部分に複数の凸部４ａおよび複数の凹部４ｂが形成される下部電極４とを備えている。また、下部電極４の凹部４ｂに絶縁部材１４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】高速で薄膜を連続的に堆積させることができ、成膜速度を大きくしてスループットを向上させることが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して処理ガスにより成膜処理を施すための処理装置２２において、排気可能になされた処理容器２４と、被処理体Ｗを載置するための載置台２６と、被処理体Ｗを加熱するための加熱手段２８と、載置台２６の上方とその外側を通って回転移動することによって処理ガスを被処理体Ｗに向けて供給するガス噴射ノズル部７８を有するガス供給手段７６と、載置台２６とガス供給手段７６の内のいずれか一方を移動させてガス供給手段７６と載置台２６とを相対的に接近及び離間させるように移動させる移動手段６４とを備える。これによって、開閉弁を用いることなく処理ガスを間欠的に被処理体Ｗの上方に供給させることができ、高速で薄膜を連続的に堆積させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板への熱ダメージやサーマルバジェットの増大を防止しつつ基板と薄膜との間に低酸素・炭素密度で高品質な界面を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板を反応炉内に搬入するステップと、前記反応炉内に前処理ガスを供給して前記基板に対して前処理を行うステップと、前記反応炉内に処理ガスを供給して前記前処理がなされた前記基板に対して本処理を行うステップと、前記本処理後の前記基板を前記反応炉より搬出するステップとを有し、前記前処理ステップでは、前記反応炉内に前記前処理ガスとしてシラン系ガスを供給し、前記反応炉内の温度を２００℃以上４３０℃以下の温度に設定し、前記反応炉内の圧力を１Ｐａ以上１０Ｐａ以下の圧力に設定する。 （もっと読む）