【課題】縦型ウエハ処理装置において、反応管のフランジの厚みが薬液洗浄により減少した場合であっても、追加で緩衝材を挿入することなく、反応管とマニホールドの気密性を確保する。
【解決手段】反応管１のフランジ１ａの上面を金属管７側に付勢するために金属管７に着脱可能に取り付けられた金属製のフランジ押え部２９を備えている。フランジ押え部２９は、金属管７の上方に配置される金属管側フランジ押え部材３１と、突起部３３ａでフランジ１ａの上面を付勢するするフランジ側フランジ押え部材３３と、金属管側フランジ押え部材３１及びフランジ側フランジ押え部材３３の互いに対向する面に取り付けられた金属製バネ３５とを備えている。フランジ押え部２９の高さは可変になっている。フランジ押え部２９は、フランジ側フランジ押え部材３３が取付けネジの締め付けによって金属管７に固定されることによって金属管７に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合、上下左右方向でのＣＶＤ薄膜の堆積厚さを可及的に均一化することができるレーザＣＶＤによる薄膜形成方法及び同方法に好適なガスウィンドウを提供する。
【解決手段】薄膜形成対象物の表面とガスウィンドウとの間におけるＣＶＤガス雰囲気の形成は、照射スポット１１６予定位置を取り巻くようにその周囲に配置された３個以上の複数個のガス吹出し口１１０ａ，１１１ａ，１１２ａ，１１３ａから、照射スポット予定位置に向けて集中するように、薄膜形成対象物の表面と平行に、ＣＶＤ原料ガスを吹き出すことにより行われる。 （もっと読む）

【課題】酸素を含む高品質な薄膜の形成が可能で、水分発生器やオゾン発生器を必要とせず、低コスト化を実現する。
【解決手段】複数枚の基板を収容する処理室と、処理室内で複数枚の基板を加熱する加熱手段と、処理室内で複数枚の基板を多段に保持する基板保持手段と、第１の原料ガスを基板保持手段に沿って立設されたノズルを介して処理室内へ供給する第１のガス供給手段と、第１の原料ガスとは異なる酸化性ガスと還元性ガスとを含む第２の原料ガスを処理室内へ供給する第２のガス供給手段と、処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、複数枚の基板を基板保持手段により多段に保持した状態で収容した減圧下の処理室内に、第１の原料ガスと第２の原料ガスとを交互に供給することで複数枚の各基板上に酸化膜を形成するよう制御する制御手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないクリーニング方法を提供する。
【解決手段】内部に耐熱性非金属部材を有する処理室内で基板に対して成膜を行う工程と、成膜後の基板を取り出した後の処理室内を第１の処理条件とし、耐熱性非金属部材に付着した付着物を除去する第１の除去工程であるＳＩＮ膜のクリーニング工程と、第１の処理条件よりも耐熱性非金属部材のエッチングレートが大きくなる第２の処理条件とし、第１の除去工程において、耐熱性非金属部材が付着物と一緒に剥がれることでパウダー状となった耐熱性非金属部材を除去する第２の除去工程であるＳＩＮ膜と石英パウダーのクリーニング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】従来の蒸着方法では不十分であった無機酸化物蒸着層の密着強度を改善し、かつ高いガスバリア性能が得られるガスバリアフィルム、該ガスバリアフィルムを高い生産効率で製造可能な製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】基材となる高分子フィルム１の片面もしくは両面に、前記高分子フィルム１と同等もしくはそれ以上に平滑である下地層２、第一無機酸化物蒸着層３、前記高分子フィルム１と同等もしくはそれ以上に平滑である中間層４および第二無機酸化物蒸着層５をこの順で有するガスバリアフィルム、その製造方法および製造装置。 （もっと読む）

【課題】低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成工程を有する半導体デバイスの製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室５２内にシリコン原子を含む第１の原料ガスを供給し、ウエハ２００上に数原子層のアモルファスシリコン膜を形成する工程と、第１の原料ガスの供給を停止し、第１の原料ガスを処理室５２内から排出する工程と、処理室５２内に酸素原子を含む第２の原料ガスを供給し、ウエハ１上に形成されたアモルファスシリコン膜と反応させてシリコン酸化膜を形成する工程と、第２の原料ガスの供給を停止し、処理室５２内から第２の原料ガスを排出する工程と、を繰り返して各基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】
低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
減圧可能な処理室に載置された基板の表面にシリコン酸化膜を形成する方法であって、処理室に、シランガスと酸素原子を含むガスを交互に繰り返し供給し、基板の表面にシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】被処理物が落電等で損傷するのを防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】電極３１にて処理ガスをプラズマ化する。この処理ガスを被処理物９に接触させる。処理容器１０が閉状態のときは、押さえ具２７が支持部２１及び被処理物９上に載り、引っ掛け部２７ａが係止部２６から離れる。このとき、押さえ具２７は、支持部２１と被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。支持部２１は、押さえ具２７と、絶縁保持部と、絶縁性の連結部材２５と、被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。したがって、支持部２１及び押さえ具２７は、電気的に浮いている。ひいては、被処理物９が電気的に浮いた状態（電気的フロート）になっている。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置において、被処理物の表面上での処理ガスの流れを調節する。
【解決手段】被処理物９を支持部２１にて処理領域に配置して支持する。第１処理ガス供給系６０Ａにて、処理ガスを被処理物９の相対的に内側の部分に供給する。第２処理ガス供給系６０Ｂにて、処理ガスを被処理物９の相対的に外周側の部分に供給する。第１処理ガス供給系６０Ａの処理ガスの供給流量と第２処理ガス供給系６０Ｂの処理ガスの供給流量を互いに連関させて調節する。好ましくは、第１処理ガス供給系６０Ａの供給流量を第２処理ガス供給系６０Ｂの供給流量より大きくする。 （もっと読む）

【課題】基板に成膜された膜質を均一化し、膜の効率を向上させることが可能な成膜装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、成膜ガス６が導入される反応容器２の反応室２１内に２つの電極３１，３２を対向して配置し、２つの電極３１，３２に高周波電力を供給することによってプラズマ４０を生成し、成膜ガス６を分解して２つの電極３１，３２の間に搬送される基板１の表面に薄膜を形成するようにした成膜装置において、２つの電極３１，３２のうち、一方の電極３１の電極板３１ａには、成膜ガス６を放出するガス吹出部５が設けられ、電極板３１ａは、ガス吹出部５の領域よりも広く形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板に成膜された膜厚を均一化し、膜の効率を向上させることが可能な成膜装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、成膜ガス６が導入される反応容器２の反応室２１内に２つの電極３１，３２を対向して配置し、２つの電極３１，３２の一方に高周波電力を供給することによってプラズマ４０を生成し、成膜ガス６を分解して２つの電極３１，３２の間に搬送される基板１の表面に薄膜を形成するようにした成膜装置において、２つの電極３１，３２のうち、一方の電極３１の電極板３１ａには、成膜ガス６を放出する複数のガス吹出口５が設けられ、ガス吹出口５は、千鳥状に配置され、電極板３１ａの端部には、成膜ガス６をプラズマ４０の生成部から排気するガス排気部８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板に成膜されずに残った残渣の反応室内壁面などへの付着を最小限とすることにより、連続稼動時間を延ばし、生産性の向上を図り、低コスト化を実現することが可能な成膜装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、成膜ガス６が導入される反応容器２の反応室２１内に２つの電極３１，３２を対向して配置し、２つの電極３１，３２に高周波電力を供給することによってプラズマ４０を生成し、成膜ガス６を分解して２つの電極３１，３２の間に搬送される基板１の表面に薄膜を形成するようにした成膜装置において、基板１に成膜されずに残った成膜ガス６をプラズマ４０の生成部から垂直方向へ直進させて排気するガス排気流路８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】真空中で迅速に基板を反転させる技術を提供する。
【解決手段】本発明の基板反転装置２０は、真空槽であるチャンバー２１内において、基板５０を昇降させる昇降機構６０と、基板５０を挟んで保持する把持部４１ａ、４２ａを有する基板保持機構４Ａ〜４Ｄと、基板保持機構４Ａ〜４Ｄの把持部４１ａ、４２ａを回転させて基板５０の上下関係を反転させる基板回転機構３０とを有する。本発明においては、基板５０を保持した状態で、水平方向に延びる直線を回転軸として基板回転機構３０を１８０°回転させる。 （もっと読む）

【課題】 被膜形成処理を連続的に実施可能な技術を提供する。
【解決手段】 被膜形成装置は、半導体ウエハを保持するウエハホルダと、搬入口から加熱管内に順次搬入される複数のウエハホルダを一連に支持しながら搬出口へと搬送する搬送手段と、加熱管内にガスを供給する第１ガス供給手段と、加熱管内のガスを外部に排出するガス排出手段を備えている。各々のウエハホルダは、保持した半導体ウエハを取り囲む枠体を有しており、搬送手段によって一連に支持された複数のウエハホルダは、それらの枠体が連なって搬入口から搬出口まで伸びる反応空間を形成する。第１ガス供給手段は、熱分解すると単独でも被膜を形成し得る第１種類のガスを、枠体の内側に形成される反応空間に供給し、ガス排出手段は、枠体の内側に形成される反応空間のガスを外部に排出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を抑制可能とするプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応室αを有するように、絶縁フランジ８１を挟んでチャンバ２と電極フランジ４から構成される処理室内に、被処理体１０を載置する支持手段１５と、これを上下移動する昇降機構と、被処理体に向けてプロセスガスを供給するシャワープレート５を収容する。チャンバの側壁に、反応室に被処理体の搬出入口１２を設けると共に、支持手段に一端が接続され、チャンバに他端が接続されるプレート部材４０を設ける。該プレート部材は、支持手段の外周縁部に設けた第一部位と、チャンバの側壁部に設けた第二部位、及び支持手段の移動に伴い、第一部位と第二部位とに電気的に接続する導電性の弾性部材からなる第三部位から構成されている。シャワープレートに配置されたガス噴出口６を通して導出されたプロセスガスがプラズマ化するように印加する電圧印加手段３３を備える。 （もっと読む）

【課題】基板配列領域における全領域で低ＷＥＲを確保するとともに、良好なＷＩＷを得る。
【解決手段】炭素が添加された窒化シリコン膜を形成する工程では、処理容器内にシリコンを含むガスを供給して基板上に１原子層から数原子層のシリコン膜を形成する第１工程と、処理容器内に窒素を含むガスを熱で活性化して供給することで、シリコン膜を熱窒化して窒化シリコン膜に改質する第２工程と、処理容器内にシリコンを含むガスを供給して窒化シリコン膜上に１原子層から数原子層のシリコン膜を形成する第３工程と、処理容器内に炭素を含むガスを熱で活性化して供給することで、窒化シリコン膜上に形成された前記シリコン膜または窒化シリコン膜に炭素を添加する第４工程と、を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行う。 （もっと読む）

【課題】処理室内の高温領域に配置されたノズルの内壁において、Ｂ化合物の膜の形成を抑えるようにする。
【解決手段】処理室２０１内に設けられた同一のガス供給ノズル１６６に、少なくとも構成元素としてＢを含むガスと構成元素としてＣｌを含むガスとを同時供給し、ガス供給ノズル１６６内のＣｌの濃度がＢの濃度よりも高くなすように供給してＢドープシリコン膜を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】面内膜厚均一性および面間膜厚均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚のウエハを積層して保持するボート３０を処理室に収容し、各ウエハ間に処理ガスを流して、各ウエハ上に成膜する基板処理装置において、ボート３０に複数個の支持部６７と複数の保持溝６８とを交互に配置し、各支持部６７と各保持溝６８とにウエハとリング５８とをそれぞれ保持する。複数個のリング５８は円形孔５８ａの内径がボート３０の下端から上端へ向かって漸増するようにそれぞれセットする。成膜中に、各段のリングに付着する膜の付着量を次第に漸減させることで、各段のリングの下側にそれぞれ位置したウエハに付着する膜の付着量を次第に漸減できるので、ウエハ相互間膜厚均一性がボートの下端から上端にかけて連続的に悪化する場合についてのウエハ相互間膜厚均一性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】サセプタの成長面と基板の成長面との間に生じる段差をウェハ面内の膜厚均一性に影響しないレベルに抑えることのできる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供する。
【解決手段】水平な方向にガス流路が形成される反応管２の上部壁にサセプタ用開口２ａを形成し、そのサセプタ用開口２ａに、基板３を設置した円盤状のサセプタ４を、その成長面４ａ側がガス流路に臨むように設けると共にその中心軸廻りに水平に回転自在に設け、そのサセプタ４の成長面４ａとは反対の面側にヒーター５を設けた化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置１において、サセプタ４の成長面４ａに対して基板３の成長面３ａの位置を任意に変更できるホルダ６を介して基板３を、サセプタ４に設置するようにしたものである。 （もっと読む）

化学気相成長反応器１０用の流入口要素２２は、反応器の上流から下流への方向に対して横切る面において互いに並んで延在する、複数の細長い管状の要素６４、６５から形成される。管状の要素は、ガスを下流方向に放出する入口を有する。ウェハキャリア１４は、上流から下流への軸を中心に回転する。ガス分配要素は、軸を通って延在する中央面１０８に対して非対称であるガス分布パターンを提供することができる。 （もっと読む）