【課題】 被処理物がプラズマにより損傷を受けず、同時に高い処理速度を達成でき、且つ処理特性が均一なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置は、電極ユニット１１と反応ガス供給路５２、反応ガス供給口５とを備える。電極ユニット１１は内側電極１、絶縁体２および外側電極３を含む。内側電極１にはプラズマを形成するために電源１３から電力が供給される。外側電極３は、内側電極１と絶縁体２を挟んで対向する。反応ガス供給路５２、反応ガス供給口５は、プラズマによるプラズマ処理に用いられる反応ガスを、電極ユニット１１と試料６との間の空間に供給する。試料６において電極ユニット１１と対向する表面から内側電極１までの最短距離である（距離Ａ＋距離Ｇ）が、試料６の表面から外側電極３までの最短距離である距離Ｇより大きくなるように、内側電極１および外側電極３の配置は決定されている。 （もっと読む）

【解決手段】基板加工システムは、析出チャンバ（１０２）と、析出チャンバ（１０２）内に配置される複数の管電極（１２６）を備え、管電極の間にプラズマ領域（１２８）が定められる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、高いガスバリア性を備え、基材密着性及び屈曲耐性に優れたガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】 平均表面粗さＳＲａが１〜５０ｎｍの基材上に、少なくとも１層の金属、または炭素含有率が１％未満の無機化合物を含有するガスバリア層と、少なくとも１層の炭素含有率が５％以上の無機化合物、有機ポリマーまたは無機ポリマーを含有する応力緩和層とを有し、該基材に接する第１層の平均膜厚が、該基材の平均表面粗さＳＲａより小さいことを特徴とするガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】 電極を確実に絶縁できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置の電極３１は、プラズマ化空間３０ａから基材Ｗへ向かう方向とは直交する方向に延びている。電極３１のプラズマ化空間３０ａを形成する側とは逆側に金属製のフレーム部材２２Ｌを設ける。電極３１とフレーム部材２２Ｌの間には、絶縁性のスペーサ７０，７５を電極３１の長手方向に間欠的に配置する。電極３１と基材Ｗ配置位置の間には、電気的に接地された導電部材５０を介在させ、この電極３１と導電部材５０の間にＬ形をなすスペーサ７０の第２側部７２を介在させる。隣り合うスペーサ７０，７５どうしの間には絶縁空間を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板と支持体との間からすべてのガスを追い出すことができる基板を基板支持体に移送するための方法および装置を提供する。
【解決手段】一実施形態においては、基板を移送するための方法は、基板支持体１３８の上面の上方において、基板支持体１３８を貫通して移動可能に設置された第１セット１８０のリフトピン１５０および第２セット１８２のリフトピン１５２は、第１の高さにまで突き出ており、第２セット１８２のリフトピン１５２は、第１の高さよりも低い第２の高さにまで突き出る。第２セット１８２のリフトピン１５２は、第１セット１８０のリフトピン１５０の内側に設置される。第１セット１８０のリフトピン１５０および第２セット１８２のリフトピン１５２の両方と上面との間の相対的な距離が、減少させられ、それによって、基板の中心に近い場所から基板の縁までよどみなく、かつ実質的に連続的に基板を上面に接触させる。 （もっと読む）

【課題】 基板処理において基板に皺が発生するのを防止又は抑制でき、それにより基板処理の不均一性を抑えることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の基板処理装置では、各処理室に設置されるヒータの可撓性基板との接触部の表面に所定の波形状を有する溝部を形成した。このため、表面処理時における可撓性基板の熱膨張分が吸収される。その結果、可撓性基板の熱膨張による皺の発生およびそれに伴う表面処理の不均一性を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 処理ガスなどが装置の外部へ漏洩することを防止できると共に、装置の小型化、簡略化を図ることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１を構成するチャンバ３には、出入口１５ａから出入口１５ｂまで続く流路１１が形成されている。チャンバ３において流路１１に面するように供給口１７が形成されている。供給口１７と出入口１５ａとの間において、チャンバ３には流路１１に面する排気口２３ａが形成されている。供給口１７出入口１５ｂとの間において、チャンバ３には流路１１に面する排気口２３ｂが形成されている。排気口２３ａと出入口１５ａとの間の流路のコンダクタンスは、排気口２３ａと供給口１７との間の流路のコンダクタンスより大きい。排気口２３ｂと出入口１５ｂとの間の流路のコンダクタンスは、排気口２３ｂと供給口１７との間の流路１１のコンダクタンスより大きい。 （もっと読む）

【課題】 生産性の向上及び生産コストの大幅な低減並びに品質の向上を効果的に図ることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 真空処理可能なチャンバ内でプラズマを発生させるプラズマ発生源１と、被処理基板１００をプラズマ発生源１と対向配置させた状態で搬送するローラ２とを備え、プラズマ発生源１から発生したプラズマを用いて、被処理基板１００に処理を行うプラズマ処理装置であって、プラズマ発生源１は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生器と、マイクロ波発生器から発せられたマイクロ波が伝播する導波管と、導波管の長手方向に延在して設けられ、プラズマを発生させ、チャンバ内へ導くギャップとを備える。 （もっと読む）

【課題】 微粒子又は粉体の表面に薄膜又は超微粒子を均一性よく被覆できるＣＶＤ装置及びＣＶＤ成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＣＶＤ装置は、微粒子１を載置する容器２と、前記容器２を収容するチャンバー３と、前記容器２に載置された微粒子１を加熱するヒーター４と、前記チャンバー３内に原料ガスを導入するガス導入機構と、を具備し、サーマルＣＶＤ法を用いることにより、前記微粒子１の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 吸着及び反応工程のプロセス条件を独立して設定でき、膜質のよい薄膜を得ることができ、成膜プロセスのサイクルタイムを早くできるように構成され、その上、製作コストの低い成膜装置の提供。
【解決手段】 基板ステージと、ベルジャー形容器と、成膜対象物搬送手段と、ガス導入手段とを備え、成膜プロセス実施時に、基板ステージと容器とで真空チャンバーを形成し、真空チャンバーの空間内にガス導入手段を介して原料ガス、反応ガスが導入され、成膜対象物上に原料ガスを吸着させる吸着工程及び吸着された原料ガスと反応ガスとを反応させる反応工程のいずれかを行うことができるように構成してなる。 （もっと読む）

【課題】被処理体を均一にプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、板状をなす被処理体Ｗに向けて処理ガスＧ１を噴出する開口２３、２４を有するガス供給管４、５と、処理ガスＧ１を活性化させてプラズマが発生するように電界を発生させる上部電極２および下部電極３と、浮上用ガスＧＳを供給することにより、被処理体Ｗを浮上させるエアギャップ生成部１５、１６とを備えている。このプラズマ処理装置１では、被処理体Ｗをプラズマ処理するとき、被処理体Ｗを浮上用ガスＧＳの作用によって浮上させて、被処理体Ｗを非接触で処理する。 （もっと読む）

非平面状物品は、実質的に均一な厚さ及び実質的に均一な耐摩耗性を有し、ほぼ平均値の±０．２５の間の範囲にある△曇り（％）を有する、プラズマ蒸着した耐摩耗性被覆を含む。
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【課題】 本発明は、溶液配管等における目詰まりを抑制して連続使用時間を長くしたＣＶＤ用気化器、溶液気化式ＣＶＤ装置及びＣＶＤ用気化方法に関する。【解決手段】 本発明に係るＣＶＤ用気化器は、複数の原料溶液を互いに分離して供給する複数の原料溶液用配管１，２と、複数の原料溶液用配管１，２の外側を包むように配置され、加圧されたキャリアガスが複数の原料溶液用配管１，２それぞれの外側に流されるキャリアガス用配管３と、キャリアガス用配管３の先端に設けられ、原料溶液用配管１，２の先端から離隔された細孔と、キャリアガス用配管３の先端に接続され、
前記細孔によってキャリアガス用配管３の内部に繋げられた気化管１３と、キャリアガス用配管３の先端、前記細孔及び前記気化部１３のうち少なくとも一つを洗浄する洗浄機構と、気化管１３を加熱する加熱手段であるヒーターと、を具備する。
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【課題】 基板上に構造体をパターン加工するための装置及び方法を提供すること。
【解決手段】 走査先端部を有するイメージング装置と、発光装置と、走査先端部の周りにあって、分解されたときに基板上での化学気相堆積法に適したものとなる材料の蒸気を有する空間とを含む、基板上に構造体をパターン加工するための装置であり、この発光装置は、蒸気を分解できない強度を有する光ビームを、走査先端部付近の光ビームが引き起こす電磁場が蒸気を分解するのに十分な程強くなるように、走査先端部上に射出するように適合される。 （もっと読む）

【課題】均一な層の厚さが実際に得られるような方法および装置を提供する。
【解決手段】基板を被覆するための方法および装置において、基板と向かい合うよう、当該基板に被覆を行う少なくとも２つの熱膨張プラズマ源が設けられており、前記基板は処理室内に配置されるようになっており、この処理室内の圧力は、前記プラズマ源を介して当該処理室に導入され膨張プラズマを形成するような前記プラズマ源内におけるキャリアガスの圧力よりも低くなっており、各プラズマ源により行われる被覆は、特定の成膜分布、例えば成膜ガウス分布に基づく層の厚さを有しており、被覆処理の後において成膜分布の参照を行うことにより基板の要部の被覆の層の厚さが実質的に均一となるよう、様々な処理パラメータが選択されるようになっている。プラズマプルームを同時に発生させる複数のプラズマ源間の距離は、複数の膨張プラズマが実質的に互いに影響を与えないよう、選択および／または設定されることが好ましい。
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グロー放電を用いて、基体上にプラズマ重合された付着を生成させる方法を記載する。グロー放電は電極と対電極との間に発生させる。バランスガス及びテトラアルキルオルトシリケートの混合物がグロー放電を通って基体上に流れ、基体上に、光学的に透明な被膜として、被膜を付着させるか、又は表面改質を生じさせる。この、好ましくは大気圧又はその近傍で実施する方法は光学的に透明で、粉末を含まないか又は事実上粉末を含まない被膜を生成するように設計することができる。
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