【課題】被処理物の大型化に対応して吹出ノズルが長大化しても、吹出ノズルのメンテナンスを容易に行うことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１の吹出ノズル２は、吹出口２ｃを有して巾方向Ｗに延びている。吹出ノズル２は、巾方向Ｗの第１側の第１分割ノズル１０と、巾方向Ｗの第２側の第２分割ノズル２０とに分割されている。分割ノズル１０，２０どうしの接合面３０が、巾方向Ｗに互いにずれた一対の当接面３１，３２を有し、これら当接面３１，３２間に段差３３が形成されている。分割ノズル１０，２０が、それぞれ吹出口２ｃを挟んで搬送方向Ｙの両側の一対の分割ノズル部材１１，１２，２３，２４に分割されている。 （もっと読む）

【課題】原料収率の向上を図るとともに、超電導用基材の表面への超電導層の成膜を安定して行うことができるＣＶＤ装置、及び、超電導線材の製造方法を提供すること。
【解決手段】原料ガスを噴出する原料ガス噴出部４１と、テープ状基材Ｔを支持するとともに伝熱によりテープ状基材Ｔを加熱するサセプタ３３と、サセプタ３３を加熱するヒータ３５と、原料ガス噴出部４１から噴出された原料ガスをテープ状基材Ｔの表面に案内する延長ノズル４３とを備え、テープ状基材Ｔの幅方向における両側にダミーテープＳが配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】粒状基板の表面全体に均一に膜を形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜処理対象の粒状基板が搭載される主面を有し、粒状基板の粒径よりも狭い幅で主面と平行に延伸する複数の溝が主面に形成されたプレートと、粒状基板の一部分が溝に嵌ることによって粒状基板が主面上で転動を開始するように、プレートを主面と平行方向に振動させる振動機構と、主面上の粒状基板の露出した表面に薄膜を形成する薄膜形成機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】機械的な設計の観点及び電気的な設計の観点の両方を満足し、可撓性基板を連続的に搬送しつつ、電極の近傍にて可撓性基板とコンパクトチャンバとの間の電気的な接続を確保することが可能な薄膜製造装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、アノード電極４とカソード電極３との間にフィルム状の可撓性基板１を搬送させながら成膜室１０内でプラズマＣＶＤ法により可撓性基板１上に薄膜を成膜する薄膜製造装置において、可撓性基板１の一方の側に臨んで、成膜室１０の半分を内部に区画形成するカソード電極側シールドボックス５と、可撓性基板１の他方の側に臨んで、成膜室１０の半分を内部に区画形成するアノード電極側シールドボックス６と、カソード電極側シールドボックス５に可撓性基板１を押し付けて接触させる押圧部材２０，２１，２２とを備えている。 （もっと読む）

膜を連続的に堆積させるための電子層堆積装置。本装置は、搬送方向に延在して少なくとも第１および第２の壁によって囲まれたプロセストンネルを備える。これらの壁は互いに平行であり、平坦な基板をその間に収容可能である。装置は、１列に連なった基板群またはテープ状の連続基板をトンネル内で移動させるための搬送システムをさらに備える。プロセストンネルの少なくとも第１の壁に複数のガス注入路が設けられ、これらのガス注入路は、使用時に、第１の前駆体ガス、パージガス、第２の前駆体ガス、およびパージガスをそれぞれ収容する連続する複数のゾーンを備えたトンネルセグメントを作成するように、搬送方向に見て、それぞれ第１の前駆体ガスソース、パージガスソース、第２の前駆体ガスソース、およびパージガスソースに連続的に接続される。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを用いた光源や照明装置のコストを低減する。
【解決手段】基板３０と、基板３０上に設けられた第１電極３１と、第１電極３１の上にランダムに散布された複数の粒子状発光ダイオード２０と、複数の粒子状発光ダイオード２０を覆う第２電極３２とを備え、複数の粒子状発光ダイオード２０の各々は、ＩＩＩ族−Ｖ族窒化物からなる結晶性半導体からなると共に、第１導電型の第１半導体２１ｎ、活性層２１ｉ、および第２導電型の第２半導体２１ｐからなり、活性層２１ｉは第１半導体２１ｎの周囲の一部に形成されており、第２半導体２１ｐは活性層２１ｉの周囲を覆っており、第１半導体２１ｎは第２電極３２と電気的に接続されており、第２半導体２１ｐは、第１電極３１と電気的に接続されており、結晶性半導体は、外周面が複数の平坦な結晶格子面からなる多面体形状を有している、発光装置。 （もっと読む）

イオン衝撃条件下でのプラズマ蒸着によって適用された非金属コーティングを有する医薬品吸入装置。
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【課題】自公転機構を有する気相成長装置において、原料ガスやパージガスが他方に漏れ出すことを簡単な構造で防止できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】自公転機構を有する気相成長装置において、チャンバー外周の排気通路１８に、下流側が排気手段に接続された外管２１と、該外管の上流部に挿入された短内管２２とを有する二重管構造の排気管２３を設け、該排気管の短内管内の通路と、短内管と外管との間の通路とのいずれか一方を原料ガス排気通路２８とし、いずれか他方をパージガス排気通路２９とし、かつ、ガス流量の少ない通路の通路断面積をガス流量の多い通路の通路断面積より小さく形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板の両面に成膜可能な成膜装置であって、設置面積が小さいと共に成膜工程が短く、しかも異常放電が生じない成膜装置の提供。
【解決手段】ガス導入手段及び排気手段を有した成膜チャンバー５と、基板Ｓを保持する基板ホルダー１０１と、基板ホルダー１０１を搬送する搬送手段と、前記基板ホルダー１０１を反転させる反転手段とを備えた縦型化学気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】シビアな精度を要求されることなく、処理ムラが出来るのを回避できるプラズマ処理装置の電極兼ステージ構造を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｍの接地電極を兼ねる主ステージ部２１の平面視外側に近接するように昇降部材３０を配置する。この昇降部材３０を昇降機構５０によって主ステージ部２１から上に突出する上位置に位置させ、載置面３１ａに被処理物Ｗの外周部Ｗｂを載置し、次いで載置面３１ａが主ステージ部２１の上面２１ａから突出しない高さの下位置に位置させ、被処理物Ｗを主ステージ部２１上に外周部を突出させて設置する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム部品（１０）の表面を処理する方法及びこの種のアルミニウム部品（１０）を提供する。
【解決手段】本方法は、アルミニウム部品（１０）の表面に酸化ケイ素層（１４）を適用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンスの負担を低減する。
【解決手段】 プラズマガン１８内で発生したプラズマ３４は、真空槽１２内に供給され、反射電極４０に向かって流れる。さらに、プラズマ３４は、１対の電磁コイル５０および５２によるミラー磁場によって、ビーム状に閉じ込められる。そして、材料ガス供給口８２からＴＭＳガスおよびアセチレンガスが真空槽１２内に導入されることで、シリコン含有ＤＬＣ膜の成膜処理が行われる。なお、この成膜処理時に、アセチレンガスに含まれる炭素が、反射電極４０に付着する。従って、この反射電極４０に付着した炭素が剥離して、被処理物５４，５４，…の表面に再付着することが、懸念される。そこで、反射電極４０の上面部分を金属製ウール４４によって形成する。このようにすれば、当該炭素の剥離を防止できることが、確認された。その分、メンテナンスの負担も低減される。 （もっと読む）

【課題】自転サセプタに一体に設けられる小歯車の位置を変更することにより、一回の工程で生産される、表面に半導体結晶の薄膜が成長された半導体ウエハの数を増やす。
【解決手段】原料ガス導入口、半導体ウエハを加熱するヒータ及びガス排出口を有すると共に、各々半導体ウエハを保持する複数個の自転サセプタ及びこれら自転サセプタを夫々ベアリングを介して回転自在に設置した円板状の公転サセプタを有し、前記複数個の自転サセプタを前記円板状の公転サセプタの周辺部にリング状に並べて配置すると共に、前記複数個の自転サセプタの外周部に夫々形成された小歯車をこれら小歯車の外側に位置する共通の内歯車と噛み合わせてなる気相成長装置において、前記小歯車を前記ベアリングの上部に位置するように前記自転サセプタに一体に形成する。 （もっと読む）

【課題】 新規素子の開発リードタイムを短縮するとともに、さまざまな種類の材料を用いて開発・製造コストを低減し、かつ、素子の小型化・微細化を図ることができる素子製造装置を提供する。
【解決手段】 基板２を内部に収容する容器３と、基板２上に成膜される所定膜種の膜の材料となる原料ガスＧを、容器３内に供給するガス供給手段１１と、基板２に励起線Ｅを照射する複数の励起線源４と、基板２と励起線Ｅとを相対移動させる移動手段６と、所定膜種の膜の成膜位置および成膜状態を検出する成膜検出手段１２と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ワークに対するＣＶＤコーティングの生産性を向上させると共に、ワークの特定な箇所に支持部材の支持に伴う痕跡を残すという問題を解消することができるＣＶＤコーティング方法およびＣＶＤコーティング装置を提供すること。
【解決手段】 ＣＶＤ炉４内には、ＣＶＤコーティングを施すワークＷの一部に係止して、ワークをＣＶＤ炉内において吊り下げる形態で支持するワーク支持部材１１が配置されている。このワーク支持部材１１は連結部材１２および回転軸１３によって、水平方向に回転可能となるように保持されて、回転駆動機構１６により間欠的に回転駆動動作が付与されるように構成されている。ＣＶＤ処理中において、前記回転軸１３には回転駆動機構１６により間欠的に回転駆動動作が付与され、ワーク支持部材１１を介してワークＷにも回転動作が伝達される。これにより、前記ワークＷに作用する遠心力の働きが変化し、前記ワークＷは揺動動作を受けてワークＷに対するワーク支持部材１１の接触位置が変更されるようになされる。 （もっと読む）

【課題】 除去加工を行うプラズマＣＶＭ法又は成膜を行うプラズマＣＶＤ法に使用するプラズマ処理方法及びその装置であって、プラズマＣＶＭの場合には最小加工痕が、プラズマＣＶＤの場合には最小成膜部が軸対称となるようにした回転電極を用いたプラズマ処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 反応ガス及び不活性ガスを含むガス雰囲気中に回転電極２００とワーク２０１とを配設し、ワークと回転電極をＸＹ軸方向へ相対的に走査するとともに、Ｚ軸方向の回転軸２０２を有する回転電極とワークとの間に所定のギャップ２０３を形成するように回転電極とワークをＺ軸方向へ相対的に変位させ、回転電極を回転させてギャップ近傍に渦流を形成するとともに、回転電極に高周波電圧を印加してギャップでプラズマを発生し、反応ガスに基づいて生成した中性ラジカルを用いてワーク表面を加工又はワーク表面に成膜する。 （もっと読む）

基盤及び／又はウェーハを処理することが出来る種類の装置用の支持システム（１）が説明され、前記システムは、実質的に平坦な底部を有する実質的に円柱形の座（１１）が中に形成される実質的に平坦な面を有する固定ベース要素（１０）と、そして実質的にデイスク形の形を有し、該座（１１）内部に収容され、該座（１１）の軸線の周りに回転出来て、そして基盤又はウェーハ用の少なくとも１つのキャビテイ（２１）を有した実質的に平坦な上側部と実質的に平坦な基底側部とを備えた可動支持要素（２０）とを具備しており、１つ以上のガス流れ用に１つ以上の通路（１２）が提供され、該通路（１２）は、該支持要素（２０）をリフトし回転させる様な仕方で、その軸線に対し傾斜し、好ましくはスキューするのがよい方向で該座（１１）内部に現れる。

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