【課題】長時間に亘って使用しても清掃などの手間をかけることなく安定した成膜条件を維持しつつ一度に多数の成膜を行う、簡単な構造のプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ２内を真空排気する真空排気手段３と、成膜対象である基材を自転状態で保持する複数の自転保持部４と、複数の自転保持部４を自転保持部４の回転軸と軸心平行な公転軸Ｑ回りに公転させる公転機構と、真空チャンバ２内に原料ガスを供給するガス供給部９と、真空チャンバ２内にプラズマを発生させるプラズマ発生電源１０とを備える。公転テーブル５は、プラズマ発生電源１０の一方極に接続された公転テーブル５Ａと、プラズマ発生電源１０の他方極に接続される公転テーブル５Ｂとであって、互いに異なる極性とされた公転テーブル５Ａ上の基材と、公転テーブル５Ｂ上の基材との間にプラズマが発生可能とされている。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が低いＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を有するＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層に存在する、チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が０．５個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜上に付着し又は膜中に埋没したＳｉＣパーティクル等が低減されたＳｉＣエピタキシャル膜を作製することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＶＤ装置は、ウェハを水平に載置するウェハ載置部材と、該ウェハ載置部材に対向してその上方に配置する加熱部材と、該加熱部材の材料よりも膜材料の付着性が高い材料からなり、前記加熱部材と前記ウェハ載置部材との間に前記加熱部材に近接して配置して気相中から前記加熱部材へのガスの堆積を遮る遮蔽部材と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持する基板ホルダー、該基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、原料ガスを供給する原料ガス導入部、反応ガス排出部、及び基板ホルダー回転駆動器を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、サセプタの脱着が容易でメンテナンス性に優れ、基板ホルダー回転駆動器及び基板ホルダー回転駆動軸に対するヒータからの熱伝導を抑制できる構造を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供することである。
【解決手段】 基板を保持する複数の基板ホルダーが、基板ホルダー回転駆動器から、基板ホルダー回転駆動軸、該基板ホルダー回転駆動軸に設けられた複数本のツメ、及び反応炉の中心部に設けられ該ツメと脱着可能に噛み合わされた基板ホルダー回転板を介して伝達される回転駆動力により回転する構成とする。 （もっと読む）

【課題】パージガスの量を従来と比較して減らすことが可能となり、原料ガスの流れへの影響を減らしたり、絞り穴を大きくして観察部の視野を広くしたりすることができるガス処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体３を処理用ガスで処理するガス処理装置１であって、ガス処理室２と、処理中の前記被処理体３を観察可能な観察窓が形成されたパージガス室３０と、前記観察窓からの観察方向上で、前記観察窓と前記被処理体３の載置位置との間に絞り穴が形成された絞り部材と、前記パージガス室３０内にパージガスを導入するパージガス導入口と、を備え、前記パージガスの導入方向が、前記観察方向からみて前記絞り穴の重心線からずれるように前記パージガス導入口が配置される。 （もっと読む）

【課題】サセプタとテーパ状の管フローブロックとを含むテーパ状の水平成長チャンバを有する、堆積を実行するためのシステム及び技術である。
【解決手段】テーパ状のチャンバは、サセプタとテーパ状の管フローブロックの間に形成される。導入されたガス種は、テーパ状の管ブロックによってサセプタに向かって流れることを強いられ、ガス種とサセプタ上のウエハとの間の反応効率を高める。 （もっと読む）

【課題】凸状または凹状の温度プロファイルを基板ホルダの表面に生じさせる。
【解決手段】基板ホルダキャリア（１）は支持面（４‘）を備え、複数のガス供給ライン（７、８）が支持面（４‘）に開く。基板ホルダキャリア（１）の上には基板ホルダ（２）が配置されており、その裏面は支持面（４‘）に面し、支持面（４‘）と基板ホルダ（２）の裏面との間の空間にガス供給ライン（７、８）を通って供給されるガスが、基板ホルダ（２）を支持するガスクッション（１９）を形成する。ガスクッション（１９）は、ガス供給ライン（７、８）を通ってガスを供給される複数のゾーン（Ａ、Ｃ）を備える。ゾーン（Ａ、Ｃ）は、それらの間でガスの交換を防ぐ手段によってお互いから分離されている。ゾーン（Ａ、Ｃ）はガス排出ライン（１３、１４）を通ってガスを排出することができる。異なる熱伝導特性を持つガスがそれらのゾーン（Ａ、Ｃ）に供給される。 （もっと読む）

【課題】真空処理遊星システム工作物キャリヤを発展させる。
【解決手段】真空処理遊星システム工作物キャリヤは、駆動装置１と連結可能で太陽システム軸７の周りを回転可能な、太陽車９を有する太陽システム９，９′と、その周りを回転するよう回転可能に連結され、遊星軸１１の周りを回転可能な遊星システム１７，１７′とを含み、前記遊星システム１７，１７′は、駆動連結部１５，１３を有する。前記キャリヤはさらに、太陽システム７，９，９′への駆動接続を有し、少なくとも一つの月システム２９，３１を含むキャリヤであって、前記月システムは、前記月軸１９に沿って重なって互い違いに配置される少なくとも２つの月車２９を有し、前記月車２９の各々は少なくとも１つの工作物のための受容部を有し、前記太陽システムへの前記月システムの駆動接続は、少なくとも操作中は中断されることなく成立する。 （もっと読む）

【課題】内周側仕切板（基板対向面部）の取り外しを容易にすると共に基板取り出しの効率化を図り、作業性に優れた気相成長装置の提供。
【解決手段】気相成長装置１は、チャンバー本体３と、チャンバー本体３に設けられてチャンバー本体３を開閉するチャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、対向面部材１３をサセプタ１１に載置された基板９に対向配置される基板対向面部３７と、基板対向面部３７の周縁部を支持する基板対向面部支持部３９を備えて構成すると共に、対向面部材１３に設けられて該対向面部材１３をチャンバー本体３側に載置する脚部３１と、チャンバー蓋５に設けられて対向面部材１３に対して係脱自在でかつ対向面部材１３を保持できる係合保持機構１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、面内均一性高く成膜処理を行える成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】夫々複数の反応ガスが供給される複数の処理領域９１、９２と、これらの処理領域９１、９２の間に設けられ、分離ガスが供給される分離領域Ｄと、を基板が順番に位置するように、夫々複数の反応ガスを供給するための複数の反応ガス供給手段３１、３２及び分離ガスを供給するための分離ガス供給手段４１、４２と、基板を載置する回転テーブルと、を鉛直軸回りに相対的に回転させて基板上に反応生成物の層を積層した後、回転テーブル上の基板を鉛直軸回りに自転させ、次いで再び基板が各領域９１、９２、Ｄを順番に位置させることによって反応生成物の層からなる薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェハの生産性の向上が図れる半導体気相成長装置を提供する。
【解決手段】円板形状のサセプタ５０１と、サセプタ５０１の同心円周上に複数配置され、それぞれ回転自在に設けられ、基板Ｗを保持するリング形状の基板トレイ５０２と、サセプタ５０１を、該サセプタ５０１の中心軸５０１ｒの周りに回転させることにより基板トレイ５０２を公転させるサセプタ駆動部５０４Ａと、サセプタ５０１の回転駆動に伴って基板トレイ５０２を自転させる基板トレイ駆動部５０６Ａと、基板トレイ５０２を回転自在に支持する回転支持部材（回転治具）５０７と、を有し、回転支持部材５０７は、各基板トレイ５０２の外周部の複数箇所に独立に配置され、サセプタ５０１にそれぞれ回転自在に設けられている。 （もっと読む）

【課題】球状体の温度を正確に把握しつつ、表面の全域に対して表面処理を実施することを可能とする球状体の表面処理用治具、球状体の表面処理方法および球状部品の製造方法を提供する。
【解決手段】球状体の表面処理用治具である治具１は、球状体が固定されて保持される第１固定部１１Ａおよび第２固定部１１Ｂと、球状体が案内されつつ転動することが可能な転がり案内部１２とを備えている。そして、第１固定部１１Ａと第２固定部１１Ｂとは転がり案内部１２により接続されている。 （もっと読む）

【課題】単純な機器構成、単純な信号処理によって基板の温度を確実に測定することができる気相成長装置の基板温度測定方法を提供する。
【解決手段】サセプタが１回転したことを検出するためのトリガを設けるとともに、サセプタ及び基板の温度を連続的に測定するための温度計を設け、トリガによって検出したサセプタの回転状態と、サセプタと基板とトリガとの関係に応じてあらかじめ設定された設定値と、温度計の測定温度とに基づいて、基板部分の温度を測定した測定温度を選別して基板温度とする。 （もっと読む）

【課題】複数の膜を積層した素子を形成するにあたり、効率よく膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】原料ガスを構成する材料ガスの種類、比率および流量のうち少なくとも一つを変化させながら気相成長させることにより、複数層を積層させる。反応炉において、供給する原料ガス毎に、基板を保持する基板保持部の半径方向の膜厚分布のピーク位置が基板位置と重ならないよう、基板保持部と反応炉の基板保持部に対向する面との間隔を変化させる。また、基板を基板保持部に対して回転させるとともに基板保持部も回転させる。 （もっと読む）

【課題】基板を安定して高速回転させられる成膜装置を提供する。また、基板を安定して高速回転させながら基板表面に所定の結晶膜を成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、シリコンウェハ１０１を浮上させて保持する保持部１０４と、浮上させたシリコンウェハ１０１を回転させる回転部１０３とを有する。保持部１０４には、ベルヌーイ効果を生じさせる保持ガス流１１０を形成する保持ガス吹き出し口１０５が設けられており、回転リング１０３ａに設けられた伝達部１０７ａを用いて、シリコンウェハ１０１を浮上させた状態で安定して高速回転させることができる。 （もっと読む）

【課題】自公転する複数の基板の温度差を簡単に解消することができ、均一な薄膜を形成することができる気相成長方法を提供する。
【解決手段】サセプタ１２の周方向に複数個が回転可能に設けられたプレート受け台１３と、プレート受け台１３にそれぞれ保持される載置プレート１４と、サセプタ裏面側の加熱手段と、サセプタ１２の回転により載置プレート１４を自公転させる構造とを備え、自公転構造にて載置プレート１４及び載置プレート１４上に載置した基板を自公転させるとともに、加熱手段により載置プレート１４を介して基板を加熱しながら成膜室内に原料ガスを導入し薄膜形成する気相成長方法において、載置プレート１４を、上部の大径部と下部の小径部とを有し、大径部と小径部との間の下向き段部を有する形状とし、下向き段部をプレート受け台１３の内周に設けた上向き段部の上に着脱可能に載置するとともに、基板の温度に応じて小径部の厚さを調節する。 （もっと読む）

【課題】微粒子の表面全体に薄膜を均一に成膜した微粒子を提供する。
【解決手段】本発明に係る微粒子は、表面全体に薄膜３５が成膜された微粒子２３において、前記微粒子の粒径は１０μｍ以下であり、前記薄膜は、真空チャンバー内にアース電極を配置し、前記真空チャンバー内に前記微粒子を収容し、前記真空チャンバー内に原料ガスを供給し、前記真空チャンバーを回転させることにより前記真空チャンバー内の前記微粒子を動かし、前記真空チャンバーに電力を供給し、前記アース電極と前記真空チャンバーの間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、前記微粒子の表面全体にＣＶＤ法により成膜されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反応室内の熱環境を一定に保ち、パーティクルの混入を防止して安定した成膜を行うことができる気相成長方法及びこの方法を実施することが可能な構造を有する自公転方式の気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタを回転させるとともに基板を加熱した状態でガス導入管から原料ガスを導入して基板表面に薄膜を成長させる成膜操作を基板を交換して繰り返し行う気相成長方法であって、成膜操作を終了したときに仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内から取り外し、清浄な状態の仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内に配置してから次の成膜操作を開始する。 （もっと読む）

【課題】パージガスにより原料ガスの流れが乱されるのを抑制して、半導体ウエハ特性の面内均一性及び半導体ウエハ間の特性のばらつきを改善することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】容器状の装置本体２に、原料ガス導入口１５、半導体ウエハ３を加熱するヒータ１７及び原料ガス排出口１６を有すると共に、各半導体ウエハを保持する複数個の自転サセプタ８及びこれら自転サセプタ８を夫々ベアリング９を介して回転自在に設置した円板状の公転サセプタ４を有する。自転サセプタ８を公転サセプタ４の周辺部に環状に並べて配置すると共に、自転サセプタ８の外周部に夫々形成された小歯車１２を公転サセプタ４の外側に位置する共通の内歯車１３と噛み合わせる。原料ガスの半導体ウエハ裏面側への流入を防ぐためにウエハ裏面側にパージガスを流すようにし、内歯車１３の外側に、パージガスの排出口２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制することができるとともに、設備の稼動ロスを低減できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】ディスク２に載置された基板３の被成膜面と対向する位置に、ディスク２の中心部を中心とする同心円状に配置された複数の冷却タンク７ａ〜７ｃを備える。複数の冷却タンク７ａ〜７ｃと、ディスク２との間には、対向板８が設けられる。また、ディスク２に載置された基板３を、冷却タンク７ａ〜７ｃと対向する側から加熱するヒータ１を備える。各冷却タンク７ａ〜７ｃと対向板８との間の距離を、それぞれ独立に変更する冷却タンク駆動手段１１ａ〜１１ｃを備える。本構成により、対向板８に温度分布の温度勾配を容易に小さくすることができ、対向板８に付着した膜の剥離を抑制できる。 （もっと読む）