【課題】 高誘電率及び高温状態で安定したキャパシタ絶縁膜の形成を実現する。
【解決手段】 基板上に形成された下電極の上に、キャパシタの絶縁膜としてルチル型のチタン酸化膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、チタン酸化膜の結晶格子の大きさとほぼ等しい大きさの結晶格子を有する絶縁膜をチタン酸化膜の下地膜として形成する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの利用効率及び置換効率を高めると共に、処理対象物以外に付着した薄膜の処理を容易にする真空成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】複数の原料ガスを交互にパルス的に反応室に供給し、昇降自在の支持ステージ上に載置される処理対象物Ｓ上に成膜する真空成膜装置１であって、開閉自在の天板１１ａを備えた外チャンバー１１と、外チャンバー１１内の下方部分に設置され、開閉自在の天板１２ａを備えた内チャンバー１２との二重構造チャンバーにより構成されており、内チャンバー１２内に原料ガスを供給するガスノズル１５が処理対象物Ｓの表面に対して平行になるように内チャンバー１２内に設けられており、内チャンバー１２内のガスの排出径路に、成膜に寄与しなかった原料ガスを導入するトラップが設けられており、その下流側に真空成膜装置１内の圧力を調整するための圧力調整用バルブ及び排気系が設けられている。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスを用いて縦型反応炉内をクリーニングする際あるいは成膜中に粉末状の粒子が発生することを防止する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、モータ６の回転軸に固定される下部接続部５と、下部接続部５上に固定される上部接続部４と、上部接続部４上に固定されて被処理基板１０を支持するボート２とを有する上下移動可能な回転構造と、回転構造を収容する反応室を形成する反応管１と、を備え、上部接続部４を下部接続部５の熱膨張率とボート２の熱膨張率との中間の熱膨張率を有する材料で構成する半導体製造装置である。上部接続部４は、反応室で使用するクリーニングガスおよび反応ガスに対し耐腐食性を有するコーティング膜によってコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】リリースエッチング後の大気暴露の問題を解決するための、例えばＭＥＭＳデバイス作製用の真空一貫基板処理装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】多角形の搬送室１１、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたリリースエッチング装置１２、ＡＬＤ装置１３及びロードロック室１８等を備えた真空一貫基板処理装置である。リリースエッチングとＡＬＤ成膜とを真空一貫で行うことにより、最終的に得られたデバイスにおける電気的特性・光学的特性が改善されると共にディスプレイの生産歩留まりが改善され得る。 （もっと読む）

【課題】基板支持体のために耐久性があり、かつ、寸法的に正確な支持体アームを提供する。
【解決手段】基板支持組立体１００であって、基板のためのポケット１２４を画し、複数のアパーチャ１２２を画すプラットフォーム１２０と、複数の上方延伸アーム１１４を有し、前記アーム１１４のそれぞれは、前記アパーチャ１２２の対応する一つに位置合わせされ、貫通して可動である基板キャリア１１０と、複数のスリーブ１３０が、対応する前記アーム１１４の各々に固定され、前記アーム１１４の各々が、中央に位置するハブ１０４に接続され、前記スリーブ１３０の各々が、前記ハブ１０４に向いている第１の側と、前記ハブ１０４から離れるように向いている第２の側と、前記第１の側に隣接する棚と前記第２の側に隣接する上方延伸部分を有する頂部端とを有し、前記棚は、前記第１の側に向かって傾斜している。 （もっと読む）

【課題】天井断熱材のクラックの発生を少なくし、天井断熱材の破損、落下のおそれを低減することができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び天井断熱材を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する反応容器の外側に設けられたヒータ２０６を有する。このヒータ２０６は、環状の側壁断熱材１２と、側壁断熱材１２に載置される天井断熱材１６と、側壁断熱材１２の内側に設けられる発熱体１４とを有する。ヒータ２０６の天井断熱材１６には、応力緩和部が天井断熱材１６の中心側から周縁側に向かって複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルのガス供給口を閉塞させること無く、歩留まりを良くする。
【解決手段】複数積層されたウェーハ１４を処理（熱処理）する反応管４２（マニホールド３６）と、反応管４２内を加熱する加熱体４８と、反応管４２内に設けられ、各ウェーハ１４の積層方向に延びる第１ガス供給ノズル６０と、第１ガス供給ノズル６０の基端部６０ａから先端部６０ｂに向けて複数並んで設けられ、各ウェーハ１４に向けてＳｉ原子含有ガス（成膜ガス）およびＣｌ原子含有ガス（エッチングガス）を供給する第１ガス供給口６８と、第１ガス供給ノズル６０の先端部６０ｂに設けられ、ガス供給方向に向けて延びる整流板６１とを備えている。これにより、最上段の第１ガス供給口６８の周辺におけるエッチングガスの濃度低下を抑えることができ、第１ガス供給口６８を閉塞させることが無いので、歩留まりを良くすることができる。 （もっと読む）

【課題】従来のガスノズルの固定構造においては、ガス供給ポートへの接続に際し、ガスノズルの破損のリスクがあり、ノズルの位置、方向の調整に時間を要していたため、ガスノズルの破損のリスクの低減、ノズルの調整の簡略化という課題があった。
【解決手段】
マニホールドの上面の処理室内側に設けられ、前記ノズル固定プレートを介し、マニホールドを貫通して前記処理室外に延在するガス供給ポートとを有し、前記ガス供給ノズルは前記ノズル固定プレートに嵌合して支持されるガス供給ノズル構造。 （もっと読む）

【課題】炉口部を構成する部材の熱劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】処理ガスの供給により複数の基板を処理する処理部と、前記処理部で前記複数の基板を水平に保持するボートと、前記ボートを下方から支持する熱交換体を有し、該熱交換体の外周にガス流通経路が形成されている熱交換部と、前記処理部から前記熱交換部の前記ガス流通経路を介して高温の前記処理ガスが排気される炉口部と、前記ガス流通経路を通って前記処理部に延在されるノズルであって、前記処理部に延在されるノズル上部に前記処理ガスを供給する供給部を有するノズルと、前記ガス流通経路を通るノズル下部と前記熱交換体との間に設けられ、前記ガス流通経路を狭めるためのガス流通経路制限部とを有し、前記ガス流通経路制限部と前記熱交換体との間隙は、前記ノズル上部から前記複数の基板までの距離より小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】所望の膜厚分布を有する薄膜を堆積可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第１の原料ガスおよび第２の原料ガスを基板に対して交互に供給することにより、第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応により生じる反応生成物質の薄膜を基板に堆積する成膜方法が開示される。この方法は、基板が収容される処理容器内にガスを供給することなく処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に不活性ガスを所定の圧力まで供給するステップと、処理容器内の真空排気を停止した状態で、不活性ガスが所定の圧力に満たされた処理容器内に第１の原料ガスを供給するステップと、第１の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に第２の原料ガスを供給するステップと、第２の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、弧状の銅管３からなるコイルが、石英ブロック４の周囲に配置され、弧状の銅管３の弧が途切れた部分にプラズマ噴出口８が設けられる。筒状チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅管３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 原料と酸化剤とを用い、金属薄膜が形成された基板上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、酸化による結晶粒の異常成長が起こらない温度であって、かつ、アモルファス状態となる第１温度で形成するステップと、原料と酸化剤とを用い、アモルファス状態の金属酸化膜上に、アモルファス状態を維持しつつ、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、第１温度を超える第２温度で形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】アレイアンテナユニット３０を保持して真空チャンバ１内を移動可能なアンテナ搬送体は、複数本の電極棒５１、５２を垂下させた状態でアレイアンテナユニット３０を保持する一対の支柱７５ａ、７５ｂと、この一対の支柱７５ａ、７５ｂに懸架され、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に長手方向を沿わせて位置する調整部材７８と、を備える。調整部材７８は、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に延在する一対の延在部７８ａ、および、延在部７８ａから当該延在部７８ａの長手方向に交差する方向に突出し、隣り合う電極棒５１、５２の対向面に臨む移動制限部７８ｂを有する。調整部材７８は、電極棒５１、５２の長手方向に降下して、電極棒５１、５２の対向面から退避可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内に基板を搬送する際の衝撃を低減する。
【解決手段】駆動モータ２０の出力軸に接続された駆動ピニオン２１を真空チャンバ１内に備え、駆動ピニオン２１を、基板搬送体６０に設けられたラック６４に噛合させて回転させることにより、基板搬送体６０を真空チャンバ１内に搬入するアレイアンテナ式プラズマＣＶＤ装置において、駆動モータ２０を真空用ダイレクトドライブモータで構成し、駆動ピニオン２１を所定の位相に停止させる。 （もっと読む）

【課題】 表面ラフネスの精度をさらに改善でき、進展するコンタクトホールやラインなどの微細化に対応可能なアモルファスシリコンの成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地２を加熱し、加熱した下地２にアミノシラン系ガスを流し、下地２の表面にシード層３を形成する工程と、下地２を加熱し、加熱した下地２の表面のシード層３にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、アミノ基を含まないシラン系ガスを熱分解させることで、シード層３上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、を備え、アミノシラン系ガスのアミノシランは熱分解させないで、下地上に吸着させる。 （もっと読む）

【課題】基板（特にＳｉＣエピタキシャル膜が形成された基板）の生産効率を向上させると共にガス供給口への膜の形成を抑制する。
【解決手段】複数の基板１４が縦方向に並んで配置される反応室と、反応室を覆うように設けられ、処理室を加熱する加熱部と、反応室内に複数の基板１４に沿うように設けられ、複数の基板１４が配置される方向に向けて第１ガスを噴出する第１ガス供給口６８を有する第１ガス供給管６０と、反応室内に複数の基板１４に沿うように設けられ、複数の基板１４が配置される方向に向けて第２ガスを噴出する第２ガス供給口７２を有する第２ガス供給管７０と、少なくとも第２ガスが第１ガス供給口へ向かう流れを抑制する第１遮蔽部と、を具備する熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】処理ガスを基板面内に十分拡散させて、面内均一性、面間均一性を向上させることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板２００を積層して収容する処理室２０１と、該処理室内へ原料ガスを供給する原料ガス供給部２４０ｃと、前記処理室内へ改質ガスを供給する改質ガス供給部２４０ｂと、前記処理室内へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給部２４０ａ、２４０ｄと、前記処理室内を排気する排気部２４６と、を備えた基板処理装置において、前記原料ガスと前記改質ガスを互いに混合しないように交互に複数回供給して基板上に膜を形成する際に、前記排気を停止した状態で前記原料ガスを供給する原料ガス供給工程を行い、その後、前記処理室内を調圧しつつ前記排気を再開し、かつ、前記原料ガスの供給を停止した状態で前記不活性ガスを供給する膜厚分布制御工程を行い、さらにその後、前記改質ガスを供給する改質ガス供給工程を行う。 （もっと読む）

【課題】低温下で、面間方向での膜厚均一性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して反応管２内をロード温度に加熱した後に反応管２内に半導体ウエハＷを収容する。次に、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して半導体ウエハＷを収容した反応管２内を成膜温度に加熱した後、処理ガス導入管１７から反応管２内に成膜用ガスを供給して半導体ウエハＷに薄膜を形成する。また、制御部１００は、ロード温度を成膜温度よりも高い温度に設定する。 （もっと読む）

【課題】 表面ラフネスの精度をさらに改善でき、コンタクトホールやラインなどの微細化の進展に対応可能なアモルファスシリコン膜を成膜できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置内部のコンタクトホール５及び／又はラインが形成された層間絶縁膜である下地２を加熱し、加熱した下地２にアミノシラン系ガスを流し、下地２の表面にシード層３を形成する工程と、下地２を加熱し、加熱した下地２の表面のシード層３にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、アミノ基を含まないシラン系ガスを熱分解させることで、シード層３上にアモルファスシリコン膜４を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電圧印加手段から電圧が印加される給電部材の弾性の劣化やヘタリを評価することができる。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口と搬出口を有するチャンバ８５と、チャンバ内にガスを供給するガス供給手段１２と、ガスをプラズマにするためのプラズマ発生手段と、基板を保持する基板ホルダ２０と、搬入口から搬入され、搬出口へと基板ホルダを保持しながら搬送するキャリア２と、基板ホルダ２０に電圧を印加するための電圧印加手段１６と、給電部材１３を可動して、該給電部材を基板ホルダ２０に接触又は非接触させることにより、電圧印加手段１６からの電圧を供給するための駆動手段１８と、給電部材１３に流れる電流を測定する電流測定手段１７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）