【課題】シリコン系ガスとアミン系ガスとを使用してＳｉＣ等のＳｉＣ系の膜を低温で成膜できる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板２００を処理室２０１内に収容する工程と、加熱された処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して基板２００上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込める工程と、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室２０１内を排気する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】熱フィラメントＣＶＤ法によって、有効成膜面積を大面積化することのできる熱フィラメントＣＶＤ装置及びその装置を用いた薄膜の形成方法を得る。
【解決手段】薄膜を形成するための熱フィラメントＣＶＤ装置であって、フィラメントを固定するための少なくとも一対のフィラメント固定部と、フィラメント固定部の間の距離を変えるためのフィラメント固定部移動機構と、フィラメントの伸縮状態の変化を検出するためのフィラメントの伸縮状態検出手段と、を含み、フィラメントの伸縮状態検出手段が、少なくとも一対のフィラメント固定部の間の略中央の検出位置において、フィラメントからの少なくとも一つの波長の電磁波の強度変化を測定するための、又はフィラメントからの電磁波の波長、強度若しくはそれらの組み合せを測定するための、電磁波測定機構を含む、熱フィラメントＣＶＤ装置である。 （もっと読む）

【課題】温度測定部が挿入され、反応管の内面に沿って延びる保護管が反応管の内面に張り付くのを避ける。
【解決手段】複数の基板が間隔をおいて重なるように当該複数の基板を保持する基板保持具と、基板保持具を収容する反応管と、反応管に収容される基板保持具に保持される複数の基板に対し、複数の基板上に成膜される薄膜の原料ガスを供給する原料ガス供給管と、反応管を支持する支持部と、反応管の外側に配置され、複数の基板を加熱する加熱部と、支持部に一端部で固定され、基板保持具と反応管との間において複数の基板の配列方向に沿って延び、内部に温度測定部が挿入される保護管と、保護管の外面と反応管の内面との少なくとも一方に設けられ、保護管の外面と反応管の内面との間に空隙を形成する突起部とを備える成膜装置により上記の課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】成膜最適温度にフィルム基板を予備加熱して、成膜室での薄膜形成を安定して行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】フィルム基板１０の巻出し及び／又は巻取りを行う少なくとも一対のロール１１，２１と、該少なくとも一対のロール１１，２１の間に配設された薄膜形成用の成膜室３と、一対のロールのうち巻出し側となる少なくとも一方のロール１１と成膜室３との間に配置された少なくとも一つのアイドラローラ１３と、該アイドラローラ１３と成膜室３との間に配置された加熱ローラ１４とを備え、フィルム基板１０が加熱ローラ１４に接触して昇温された後、成膜室３に導入されるように構成された薄膜形成装置において、アイドラローラ１３の位置を変更して加熱ローラ１４に対する抱き角αを変更する抱き角調整装置１５，１６を設けた薄膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】大気圧センサ４１が誤動作した場合にも処理室２０４外の大気が処理室２０４内に逆流することを抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内の圧力を検出する圧力センサと、前記処理室内の圧力が前記処理室外の大気圧と同圧になると、大気圧検出信号を出力する大気圧センサと、前記処理室内を前記処理室外の大気と連通する大気排気管と、前記大気排気管に設けられた排気バルブと、前記大気圧センサが前記大気圧検出信号を出力し、かつ、前記圧力センサの検出値が所定値以上となった場合に、前記排気バルブを開けて前記処理室内を前記処理室外と連通させる制御部とから、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】減圧下の処理室内で比較的高温となる処理が行われるような場合でも伝熱の影響を受けずに、処理室内に配置される部品を精度よく移動でき、構成部品組付の作業性が良い移動装置を提供する。
【解決手段】移動装置ＳＭは、Ｚ軸方向に所定間隔を存して配置された固定プレート５と可動枠６とを備える。固定プレートの開口５１に嵌着された真空フランジ５２を介して、処理室１１を画成する外壁面に固定プレートが着脱自在に装着される。可動枠にアクチュエータ７_１〜７_４が設けられ、各アクチュエータのＺ軸方向にのびる連結ロッド７７で固定プレートと可動枠とが連結され、各アクチュエータの作動によりＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向の少なくとも一方向に、固定プレートに対して可動枠が相対移動自在である。可動プレートに立設された複数本の保持ロッド８が、上記外壁面の透孔１５に設けたシール部品１６を介して処理室内に突出してマスクＭを保持する。 （もっと読む）

【課題】大気圧下のプラズマ処理装置での吸着ガスを除去することができるプラズマ処理装置を得ること。
【解決手段】ガス配管１１、ガス配管１１のガス吐出口１１１付近に高周波電圧が印加される一対の電極１３ａ，１３ｂ、およびガス吐出口１１１付近のガス配管１１を支持する配管支持部材１７を有するガス吐出部１０と、ガス吐出部１０のガス吐出口１１１付近に付着した吸着ガスを脱離させる吸着ガス脱離部３０と、ガス吐出部１０から吐出されるプラズマガスを用いてプラズマ処理する加工対象を保持するステージ５１と、を備え、吸着ガス脱離部３０は、配管支持部材１７に対して接触することでガス吐出口１１１周囲に密閉した空間を形成するチャンバ３１と、チャンバ３１内を排気する排気部３４と、チャンバ３１内の吸着ガスの濃度を測定するガス分析部３８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ガスの拡散を妨げることなく処理空間の容積を小さくすることができ、排気コンダクタンスの設定が容易な成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを収容し、基板Ｗの成膜処理が行われる処理容器１と、処理容器１内で基板を載置する載置台２と、処理容器１内に形成された、基板Ｗに成膜処理を行う処理空間Ｓと、処理空間Ｓに、少なくとも第１の処理ガスと、第２の処理ガスと、パージガスとを供給するガス供給部２０と、処理空間Ｓを排気する排気部７１，３０，３１，３２と
を具備し、第１の処理ガスと第２の処理ガスとをパージガスによる処理空間Ｓのパージを挟んで交互に供給して所定の膜を成膜する成膜装置であって、ガス供給部２０は処理空間Ｓの外周からガスを供給し、ガス排気部は処理空間Ｓの中央上部から上方へ排気する。 （もっと読む）

【課題】緻密で原料起因の不純物濃度が低く抵抗率が低い導電性膜を、速い成膜速度で形成する半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】２種類以上の原料を処理室内に同時に供給し、前記処理室内に載置された基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法であって、前記処理室内に基板を収容する工程と、少なくとも１種の原料を２つの異なる流量を有する複数の連続的パルスで前記処理室内に供給する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及び装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が、シリコンを表面にコーティングした石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】 材料の利用効率を向上させるとともに、安定して均一な膜厚の成膜が可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜原料を流し、基板上に成膜する成膜装置であって、前記基板に対して略垂直方向に前記成膜原料を流す第１成膜部と、前記第１成膜部において前記略垂直方向に流された前記成膜原料を、前記基板に対して略平行方向に流して成膜する第２成膜部と、前記基板を移動させる移動部と、前記基板を加熱する加熱部とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理ガスをプラズマ生成空間及び吹出路に通して吹出し、被処理物を表面処理する際、吹出路からの電界の漏洩を防止する。
【解決手段】プラズマ生成部１０の一対の電極１１，１２を対向方向に対向させ、これらの間にプラズマ生成空間１９を形成する。ノズル部２０を電気的に接地された金属製の角材２１，２２にて構成し、これをプラズマ生成部１０の処理位置Ｐを向く面に配置する。連結部材３１，３２にてノズル部２０をプラズマ生成部１０に連結して支持する。吹出路２９の吹出方向の長さをノズル部２０の吹出路２９を画成する面から上記対向方向の外側面までの寸法より大きくか略等しくする。 （もっと読む）

【課題】地震等による破損の発生を防止する。
【解決手段】ボート２１７を支持する断熱筒２１８を有する基板処理装置において、断熱筒２１８をボート２１７の下に締結される上筒１０と、上筒１０の下に締結される下筒２０とから構成する。上筒１０はボート２１７と同質の炭化珪素で同径の円筒形状に形成し、ボートの下側端板２１７ａに炭化珪素のボルト１８によって締結する。下筒２０は石英で上筒１０と同径の円筒形状に形成し、上筒１０の上に印籠結合するとともに、ボルト２６によって締結する。ボルト２６は石英で形成し、基端部にねじ部２７、先端部にねじ部の無い接触部２８を形成する。ボルト２６は下筒２０に等間隔に突設された固定片２４のねじ孔２５にねじ部２７をねじ込み、接触部２８を上筒１０の側壁１１の熱通し孔１３の内周面に接触させる。 （もっと読む）

【課題】金属および金属化合物のターゲットを主原料とすることで、有機金属ガス等の有害なガスを使用する必要がなくなり、大気圧プラズマを反応場として利用すると共に、熱源としても利用することで高融点材であるシリコンやセラミックス等の基板上へ密着性の良好な金属またはその酸化物若しくは窒化物等の金属化合物薄膜の形成方法及びその形成装置を提供する。
【解決手段】マイクロプラズマ法による薄膜作製方法において、全体に亘って内径が均一である細管１内に薄膜形成用の原料ワイヤー３を設置し、細管１に不活性ガスを導入すると共に高周波電圧を印加して細管１内部に高周波プラズマを発生させ、１又は複数の細管１内部のプラズマガスの流速及びプラズマガス温度を高温に維持しながら原料を加熱・蒸発させ、蒸発した材料を細管１から噴出させて基板上に照射し、プラズマガスにより基板を加熱すると共に、照射した材料を大気圧下で基板上に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜との積層数を増やしても、これらの膜を積層した積層構造が形成される基板の反りの増大を抑制することが可能なシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法を提供すること。
【解決手段】 基板Ｗ上に、シリコン酸化物膜１−１とシリコン窒化物膜２−１とを積層するシリコン酸化物膜１−１及びシリコン窒化物膜２−１の積層方法であって、シリコン窒化物膜２を成膜するガス中に、ボロンを添加する。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭキャパシタの誘電体膜に求められる高誘電率化および低リーク電流化を両立させることができる、酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】 酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜を成膜する成膜方法は、シクロペンタジエニル環を構造中に含むＺｒ化合物からなるジルコニウム原料と酸化剤とを供給して被処理基板上に酸化ジルコニウム膜を成膜する工程と、シクロペンタジエニル環を構造中に含むチタン化合物からなるチタン原料と酸化剤とを供給して前記酸化ジルコニウム膜の上に酸化チタン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロールによる成膜であっても、多層膜の形成を効率的に行うことができ、ＡＬＤによる成膜では単位時間当たりのサイクル数を増やすことができ、多層化や多サイクル化に伴う設備の大型化や占有面積の増大を抑制することのできる成膜方法を提供すること。
【解決手段】連続的または断続的に基板を搬送しながら、気相状態にある材料を用いて該基板上に薄膜の形成を行う成膜方法であって、回転ドラムの周囲に基板を配置する工程と、該回転ドラムを第一の速度で回転させる工程と、該回転ドラムに少なくとも２つの材料をそれぞれ供給する工程と、上記基板を第二の速度で搬送する工程と、を含み、上記第一の速度と該第二の速度とが異なることを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】大径基板に対応した搬送系を構成する基板収容器（フープ）に、サイズダウンした基板を格納できるようにする。
【解決手段】８インチウェーハを支持し得る第１支持溝１６ｅに支持される上部板４０１および下部板４０２と、上部板４０１および下部板４０２に設けられ、２インチウェーハであるウェーハ１４（必要に応じて、ウェーハホルダ１００およびホルダ部材４０５を介して）を支持し得る第２支持溝４０４を有する各保持柱４０３ａ〜４０３ｃとを備える。８インチウェーハに対応したポッド１６に、２インチウェーハであるウェーハ１４を格納でき、搬送系であるポッド１６を共通化して半導体製造装置のコストを削減できる。各ガス供給ノズルから各ウェーハ１４までを遠ざけて、各ウェーハ１４に到達する前に反応ガスを充分に混合させることができ、各ウェーハ１４への成膜精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長のような１５００℃から１７００℃といった超高温での処理を行う場合に、成膜ガスをマニホールドの耐熱温度まで低下させると共に、膜質均一性を向上させ得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板１４の処理を行う反応室４４と、複数の基板１４を保持する基板保持具１５と、反応室４４内に設けられ、反応室４４内の成膜ガスが流れる流路より狭い流路を形成する熱交換部３４と、を備え、基板保持具１５の最下部に保持された基板よりも下方に空間３４０を有する基板処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】長期間使用しても均一な薄膜の形成を維持することができ、さらに、形成される薄膜に薄膜の特性を低下するような不純物が含まれ難い薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、成膜容器と、前記成膜容器の成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間内の基板を載置する載置台の上部に、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向くプラズマ生成用電極板が設けられ、前記成膜空間内の前記ガスを用いて前記成膜空間内でプラズマを生成させるプラズマ電極部と、前記成膜空間に向く前記電極板の面の一部を遮蔽する第１の誘電体板と、前記電極板の面の残りの部分を遮蔽する交換可能な第２の誘電体板と、を含む電極板遮蔽部と、を有する。前記第２の誘電体板は、前記電極板の電流が流れる端面間の経路長の中央の位置に対して少なくとも上流側に位置する領域に設けられる。 （もっと読む）