【課題】高速かつ簡単なコーティング・シーケンスの監視を可能にし、それによってプラズマ・コーティングした加工品の品質を改善すること。
【解決手段】本発明はプラズマ化学蒸着法を用いて加工品をコーティングする方法を提供するものであり、この方法ではプロセス・ガスがコーティング室に導入され、プラズマが加工品に隣接しかつプロセス・ガスが存在しているコーティング室の少なくとも１つの領域において電磁エネルギを用いて点火され、このコーティング操作はプラズマの少なくとも１つの測定されたスペクトル・パラメータに基づいて監視され、パラメータの所望の範囲からずれている場合には加工品が取り出される。 （もっと読む）

基板上のアノード層と、該アノード層上の有機層と、該有機層上のカソード層とを備えた有機エレクトロルミネセント装置。一実施形態において、カソード層は、該カソードの上に保護層を堆積する前にＨ_２プラズマを受ける。別の実施形態では、有機エレクトロルミネセント装置は、カソード層上の内側カプセル化層と、該内側カプセル化層上の外側カプセル化層とでカプセル化される。内側層は、カソード層へ付着するのに最適とされる。
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下にある層上に段階的な誘電体層を形成する方法であって、シリコン-炭素含有ガスと酸素含有ガスとキャリヤガスの混合物を阻止板と面板を備えたシャワーヘッドに流して、段階的な誘電体層の酸化物を多く含む部分を形成するステップであって、シリコン-炭素含有ガスが初期流量を持つ前記ステップと、シリコン-炭素含有ガスを第１中間流量で約０.５秒以上流すステップであって、第１中間流量が初期流量より大きい前記ステップと、シリコン-炭素含有ガスを第１中間流量より大きい最大流量で流して、段階的な誘電体層の炭素を多く含む部分を形成するステップと、を含む前記方法。 （もっと読む）

成膜された膜の特性を向上させるための方法及び装置を提供する。本発明に係る方法は、プラズマ化学気相成長プロセスを用いて、基材上に低ｋ誘電体を成膜し、該低ｋ誘電体膜の成膜後にソフトプラズマプロセスによりソフトデチャックシーケンスを実行する。本発明に係る装置は、第一のＲＦ源に接続された上部電極、第二のＲＦ源に接続された基材ホルダ、さらに複数の前駆体及びプロセスガスを供給するためのシャワーヘッドを具備する。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで、アスペクト比の高い微細なホール、トレンチ等の上部でオーバーハングが発生することなく、カバレージ良くＺｒＢ_２膜等のバリア膜を形成する方法の提供。
【解決手段】基板を５０〜４５０℃に加熱し、Ｚｒ(ＢＨ_４)_４ガスを０．１〜１０秒の間、０．５〜２００ｓｃｃｍの流量で導入し、真空チャンバー内の圧力がＺｒ(ＢＨ_４)_４の導入時の圧力に比べ１／５以下になった時点で原料の吸着工程を終了し、チャンバー内へ触媒室で励起されたＨ_２ガス及び／又はＮＨ_３ガスからなる反応ガスを０．１〜１０秒の間、２０〜１０００ｓｃｃｍの流量で導入し、チャンバー内の圧力が、反応ガス導入時の圧力に比べ１／５以下になった時点で反応工程を終了させて、バリア膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 炭素源を含む原料ガスを用いて放電プラズマを生成させて薄膜を形成するのに際して、良好な品質の薄膜が得られるようにする。
【解決手段】 対向電極４、５の少なくとも一方の上に基材６を設置する。炭素源を含む原料ガスＡを含む雰囲気下で、対向電極４、５間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを生じさせ、基材６上に薄膜７を生成させる。パルス電圧として正パルスと負パルスとを印加し、かつ正パルスおよび負パルスのパルス半値幅が１０００ｎｓｅｃ以下である。 （もっと読む）

【課題】地球温暖化能（ＧＷＰ）の高いガスの使用量を削減し、クリーニング効果を損なうことなく、ガスコストの低減も図れるチャンバーのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】六フッ化プロペン、三フッ化窒素及び酸素を含み、前記三フッ化窒素量に対する前記六フッ化プロペン量を三フッ化窒素の１に対して０．２５〜２の範囲とし、前記六フッ化プロペン量に対する前記酸素量を六フッ化プロペンの１に対して３〜６の範囲とした混合ガスをチャンバー１１内に導入し、該チャンバー１１内でプラズマ化させる。 （もっと読む）

本発明はＩｎリッチ（Ｉｎ−ｒｉｃｈ）ＩｎＧａＮ量子井戸層を成長させる方法及びこれを利用する窒化物半導体発光素子に関するが、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1−x−yＮ（０≦ｘ≦１、０＜ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）層上に第１窒化物半導体層を成長させる第１段階と、成長停止により第１窒化物半導体層の厚さを減少させる第２段階と、厚さが減少された第１窒化物半導体層上に第１窒化物半導体層より高いバンドギャップエネルギーを有する第２窒化物半導体層を成長させる第３段階と、を含むことを特徴とする窒化物半導体層を成長させる方法及びこの窒化物半導体層を含む窒化物半導体発光素子を提供し、これにより局所キャリア準位の形成、高いキャリア閉込め効果及びエネルギーバンド構造での単一エネルギーレベルの形成による高効率の短波長紫外線光源の製作が可能になる。
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【課題】 高い結晶性及び安定した組成を有する窒化金属膜を作製する方法及び装置を提供する。
【解決手段】 ノズル１２から塩素ガスを含む原料ガス及び窒素ガスを供給すると共にプラズマアンテナ９から電磁波を作用させることにより、チャンバ１内に塩素ガスプラズマ及び窒素ガスプラズマを発生させ、これらのガスプラズマで被エッチング部材７をエッチングし、Ｔｉ（チタン）成分と塩素ガスとからなる第１の前駆体及びＴｉ成分と窒素ガスとからなる第２の前駆体を形成し、被エッチング部材７と基板３との間に温度差を設けることにより、第２の前駆体であるＴｉＮを成膜すると共に、窒素ガスプラズマにより第１の前駆体であるＴｉＣｌ₄を窒化してＴｉＮとした後に成膜するか、第１の前駆体であるＴｉＣｌ₄が基板３に吸着した後にこれを窒化してＴｉＮとするか、第１の前駆体のＴｉ成分が成膜された後にこれを窒化してＴｉＮとすることで、基板３にＴｉＮ薄膜１６を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置において、ガス分散板に形成された複数のガス穴の拡大を均一化させることによって、プロセス特性の均一性を向上させる。また、各ガス穴の拡大を平均化することによって、プロセス特性の均一性を所定の誤差範囲内に維持できる期間を長期化させ、ガス分散板の寿命を延長させる。
【解決手段】 プラズマ処理装置の構成を、減圧自在な処理室１と、複数の開孔９を有するガス分散板３と、ガス分散板３の複数の開孔９を通して処理室１にプロセスガスを供給するガス供給路２と、処理室１で発生するガスを処理室１から排出するガス排出路７と、ガス分散板３と対向して設けられ、処理室１の内部にプロセスガスのプラズマ放電を発生させるコイル４とを含み、ガス分散板３の複数の開孔９とコイル４との相対位置が移動自在である構成とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板上に形成された膜の特性に関して面間均一性を向上させる。
【解決手段】縦型ＣＶＤ装置は、処理室８内に処理ガスを供給する供給系４２、４４と、装置の動作を制御する制御部５とを含む。供給系４２、４４は、第１反応ガスを供給する第１反応ガスライン６０に接続された複数の第１供給孔５３と、第２反応ガスを供給する第２反応ガスライン６２に接続された複数の第２供給孔５３とを含む。第１供給孔５３のセット及び第２供給孔５３のセットの夫々は、積重ねられた被処理基板の全体に亘るように被処理基板Ｗのエッジの横で垂直方向に配列される。制御部５は、第１及び第２反応ガスを交互に供給するように供給系４２、４４を制御することにより、第１及び第２反応ガスに由来する薄膜を被処理基板Ｗ上に形成する。 （もっと読む）

【課題】高速原子層堆積装置及び使用方法
【解決手段】処理チャンバ（１００）と、前記処理チャンバ内に設けられた基板ホルダ（１２０）と、前記処理チャンバ（１００）に、第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを供給するように構成されたガス注入装置（１４０）とを含む、原子層堆積（ＡＬＤ）を実行する処理システム（１００）。前記ガス注入装置（１４０）は、前記第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを、前記処理チャンバ（１００）の第１の位置及び第２の位置から導入するように構成されており、前記第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスの少なくとも一方は、前記第１の位置と第２の位置とから、交互にかつ連続に導入される。 （もっと読む）

【課題】 マイクロリアクターや毛管の流路など、微細な空隙の内壁に均等に薄膜を形成する。
【解決手段】 電極６２と電極６３とを、流路１２，２１の外部に、流路１２，２１の長手方向に沿って配置して電源６１を駆動し、流路１２，２１内の気体に対して電圧を印加する。また、電源制御部６４が、電源６の電力波形を制御し、原料ガスが流路１２，２１内に充満する毎に、流路１２，２１内の原料ガスに対して電圧を印加し、流路１２，２１内にプラズマを発生させる。 （もっと読む）

【課題】低ｋ材料上にタンタル−窒化物（ＴａＮ）拡散バリア領域を堆積する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、チャンバにおいてタンタル系前駆物質および窒素プラズマからプラズマ増強原子層堆積（ＰＥ−ＡＬＤ）を実行することによって、低ｋ材料基板（１０２）上に保護層（１０４）を形成することを含む。保護層（１０４）は、そのタンタル含有量よりも大きい窒素含有量を有する。次いで、タンタル系前駆物質ならびに水素および窒素を含むプラズマからＰＥ−ＡＬＤを実行することによって、次の実質的化学量論的タンタル−窒化物層を形成する。また、本発明は、このように形成したタンタル−窒化物拡散バリア領域（１０８）も含む。一実施形態において、金属前駆物質は、五塩化タンタル（ＴａＣｌ₅）を含む。本発明は、低ｋ材料とライナ材料との間に鮮鋭な界面を生成する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、原子層堆積（ＡＬＤ）等の気相堆積プロセス中に基板上に材料を堆積する装置と方法を提供する。一実施形態では、チャンバが、チャンバ蓋内に直接またはその上に取り付けられた漏斗状ライナー内に形成された断熱材料内に形成された膨張チャネルを収容している。チャンバは、膨張チャネル内でガス入口に結合され、渦、螺旋、渦巻等の円方向にガス流を提供するように位置決めされた少なくとも１個の導管をさらに含んでいる。チャンバは、保持リング、上プロセスライナー、下プロセスライナーまたはスリップ弁ライナーを収容することができる。ライナーは、通例、研磨表面仕上げを有しており、石英ガラスまたはセラミック等の断熱材料を含有している。代替的な実施形態では、堆積システムがＡＬＤチャンバに接続された触媒水蒸気発生器を収容する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜を基板上に堆積し、その膜を後処理する方法を提供する。
【解決手段】後処理には、低誘電率膜を所望の高温まで急速に加熱し、その所望の高温に膜が露出される時間が約５秒以内になるように急速に冷却することを含む。一態様において、後処理は低誘電率膜を電子ビーム処理及び/又は紫外線処理に露出することも含む。

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【課題】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するシステム及び方法を提供することである。
【解決手段】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するためのシステム及び方法は、提供される。ドライクリーニングプロセスは、カーボンおよび酸素を含んでいるプロセスガスをプラズマ処理システムの処理チャンバに導入することと、プロセスガスからプラズマを生成することと、揮発性の反応生成物を形成するためにチャンバ残渣をドライクリーニングプロセスのプラズマにさらすことと、処理チャンバから反応生成物を排気することとを含む。 （もっと読む）

形態が向上した金属層を基材の上に形成する方法および処理ツールが提供される。本方法は、プラズマの中で励起された化学種に基材を曝すことによって基材を前処理するステップと、金属カルボニル前駆物質を含有するプロセスガスに前処理された基材を曝すステップと、金属層を前処理された基材の上に化学蒸着法で形成するステップとを含む。金属カルボニル前駆物質は、Ｗ（ＣＯ）_６、Ｎｉ（ＣＯ）_４、Ｍｏ（ＣＯ）_６、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０、Ｃｒ（ＣＯ）_６、またはＲｕ_３（ＣＯ）_１２、もしくはこれらの任意の組合せを含み、金属層は、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃｒ、またはＲｕ、もしくはこれらの任意の組合せをそれぞれ含み得る。
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本発明は、低温プロセスを用いてｈｉｇｈ−ｋ誘電体膜内に窒素の取り込み（例えば窒化物形成）を促進する。更に、本発明は、原位置法、すなわちｈｉｇｈ−ｋ誘電体膜の形成及び膜の窒化物形成が従来の後処理技術とは対照的に膜の堆積中に同じプロセスチャンバ内で実施される方法を提供する。別の態様では、半導体デバイス内のゲート誘電体層として用いるための多層材料の堆積方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 基板上に材料を堆積させる方法を提供することである。
【解決手段】 プラズマ増強化学蒸着プロセスを使用して基板上に調整可能な光学的およびエッチング耐性特性を有するＴＥＲＡ膜を堆積させるための方法および装置であって、ＴＥＲＡ膜の堆積の少なくとも一部に対して、プラズマ増強化学蒸着プロセスは、フォトレジストを有する反応を低下させるプリカーサを使用する。この装置は、第１のＲＦ電源に結合された上部電極および第２のＲＦ電源に結合された基板ホルダを有するチャンバと、複数のプロセスおよびプリカーサガスを供給するシャワーヘッドとを含む。 （もっと読む）