【課題】ポリシリコン膜のシート抵抗のバッチごとの増加を防止すること。
【解決手段】減圧した反応管３内で気相成長法により基板上にポリシリコン膜を成膜するポリシリコン膜製造方法であって、水分供給手段によって水分を供給しつつ、上記成膜を行うことを特徴とする。このポリシリコン膜製造方法によれば、水分供給手段によって水分を供給しているので、成膜されるポリシリコン膜のシート抵抗のバッチごとの増加を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法によるＲｕ膜の成膜の際のインキュベーション時間を短縮し、膜質を向上させる。
【解決手段】Ｒｕ膜の成膜方法は、（Ａ）前記被処理基板表面にＲｕの有機金属錯体を不活性キャリアガスとともに供給し、プラズマを励起して前記Ｒｕの有機金属錯体を分解させることにより、前記被処理基板表面にＲｕ膜を堆積する工程と、（Ｂ）前記被処理基板表面から前記Ｒｕの有機金属錯体をパージする工程と、（Ｃ）前記Ｒｕ膜を、窒素あるいは水素を含む雰囲気により改質する工程と、（Ｄ）前記被処理基板表面から、前記窒素あるいは水素を含む雰囲気をパージする工程と、を含む。 （もっと読む）

単結晶ＳｉＣ基板上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させるための方法が記載される。この方法は、チャンバ内において単結晶ＳｉＣ基板を少なくとも１４００℃の第１温度まで加熱する工程と、キャリアガス、シリコン含有ガス、及び、炭素含有ガスをチャンバに取り入れる工程と、及び、ＳｉＣ基板の表面上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる工程とを備える。ＳｉＣ基板は少なくとも３０℃／分の速度で第１温度まで加熱される。ＳｉＣ基板の表面は、基板材料の底面に対して１°から３°の角度で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】連続運転不要な気相合成法により得られる、高品質で大面積のダイヤモンド多結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンドと異なる成膜用種基板を用意し、気相合成法により厚さ５００μｍ未満のダイヤモンド多結晶を成膜した後、ダイヤモンド多結晶と種基板を分離してダイヤモンド多結晶自立板とし、ダイヤモンド多結晶自立板上に、さらに気相合成法によりダイヤモンド多結晶を追加成長して、板厚５００μｍ以上のダイヤモンド多結晶基板とすることにより、基板両面研磨後、波長４００ｎｍの光透過率が３５％以上であるダイヤモンド多結晶基板が得られる。 （もっと読む）

基板上に非晶質炭素層を堆積させる方法は、チャンバ内に基板を位置決めするステップと、処理チャンバ内に炭化水素源を導入するステップと、処理チャンバ内に重希ガスを導入するステップと、処理チャンバ内でプラズマを生成するステップとを含む。重希ガスは、アルゴン、クリプトン、キセノン、およびこれらの組合せからなる群から選択され、希ガスのモル流量は炭化水素源のモル流量より大きい。堆積後の終了ステップを含むことができ、炭化水素源および希ガスの流れを止め、ある期間にわたってチャンバ内でプラズマを維持してチャンバから粒子を除去する。
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【課題】２つの基材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができるとともに、使用後にはこれら基材同士を効率よく剥離することができる接合体の形成方法、および、２つの基材同士が高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接合体の形成方法は、第１の基板（基材）２１および第２の基板（基材）２２上に、それぞれ、化学的気相成膜法を用いて、銅と有機成分とで構成され、前記銅の含有率が９０ａｔ．％以上でかつ９９ａｔ．％未満である接合膜３１、３２を形成する工程と、接合膜３１、３２同士が対向するようにして、第１の基板２１および第２の基板２２同士を接触させた状態で、第１の基板２１および第２の基板２２間に圧縮力を付与して、接合膜３１、３２同士を結着させることにより接合体を得る工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた結晶性が得られるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を積層し、該中間層１２上に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成膜する方法であり、基板１１の温度を２５℃〜１０００℃の範囲とするとともに、処理時間を３０秒〜３６００秒の範囲として、基板１１に対してプラズマ処理を行う前処理工程と、次いで、基板１１上に中間層１２をスパッタ法によって成膜するスパッタ工程が備えられている。 （もっと読む）

【課題】基板に樹脂フィルムを用いた場合、この樹脂フィルムに変質、変形などが生じることなく、無機膜を熱処理することができる熱処理方法、成膜装置およびバリアフィルムを提供する。
【解決手段】本発明の熱処理方法は、樹脂フィルム製の基板の表面に無機膜が形成されたシート材の無機膜に熱処理を行う工程を有し、無機膜に熱処理を行う際に、樹脂フィルム製の基板をガラス転移温度未満の温度に保持する。 （もっと読む）

本発明は、水素化非晶質炭素コーティングおよびその生成方法に関する。本発明はまた、そのようなコーティングを有するデバイスに関する。本発明の方法は、水素化非晶質炭素の少なくとも２つの層を備える水素化非晶質炭素コーティングを生成することであり、前記層のそれぞれは、同一の化学組成ならびに物理的および機械的特性と、同一または異なる厚さとを有する。本発明のコーティングは、多くの用途、特に機械分野において著しい磨耗および摩擦の問題を被りやすい部品への用途が見出される。また、特に、手術用インプラントの分野およびＭＥＭＳ（マイクロエレクトロメカニカルシステム）分野に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】シリルテルル前駆体がゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜のためのテルル源として用いられ、堆積プロセスの際にアルコールと反応する、原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率を有するタングステン膜の均一性および接着性を高める方法を提供する。
【解決手段】低抵抗率のタングステン膜は、タングステンのバルク層を形成する前に、タングステンの核生成層を一連のパルス状還元剤にさらすことにより形成される。さまざまな実施形態によれば、方法は、異なる流量、異なるパルス時間、および、異なるインターバル時間を有する還元剤パルスを含む。 （もっと読む）

【課題】分流される流体流量を瞬時に管理し、所定の分流比で流体を素早く出力することができる流体分流供給ユニット及び分流制御プログラムを提供すること。
【解決手段】流体を分流して供給する流体分流供給ユニット１において、流体の流量を制御する流量制御機器８と、前記流量制御機器８の二次側に接続される複数の開閉弁１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃと、を有し、前記複数の開閉弁１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃは、前記開閉弁１０の動作周期を１サイクルとして、分流比に応じて１サイクルを時分割して前記複数の開閉弁１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの弁開閉動作をデューティ制御されるものである。 （もっと読む）

【課題】プロセスガスの前反応を減じる層析出装置を提供する。
【解決手段】チャンバ（１０）が設けられており、該チャンバ（１０）が、被覆したい少なくとも１つの基板（１３）を受容するための基板キャリア（１２）と、隔壁（２３）を備えるプロセスガス室（１１）とを有しており、前記隔壁（２３）が、プロセスガス室（１１）の第１のセグメント（２１）をプロセスガス室（１１）の第２のセグメント（２２）から仕切っており、かつ前記少なくとも１つの基板（１３）を前記隔壁（２３）に対して相対的に運動させる装置（４４）が設けられているようにした。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのＴｉ_1-xＡｌ_xＮ硬質物質層を含有する多層膜系を有する、硬質物質で被覆された物体、およびそれを製造するための多段ＣＶＤ法に関する。本発明の基礎をなしている課題は、少なくとも１つのＴｉ_1-xＡｌ_xＮ硬質物質層を含有する多層膜系を有する、硬質物質で被覆された物体にて、Ｔｉ_1-xＡｌ_xＮ硬質物質層の非常に良好な付着と共に高い耐摩耗性を達成することである。少なくとも１つのＴｉ_1-xＡｌ_xＮ硬質物質層を含有する多層膜系を有する、本発明による硬質物質で被覆された物体は、前記膜系がａ）前記物体に施与されたＴｉＮ、Ｔｉ（Ｃ、Ｎ）またはＴｉＣからの接合層、ｂ）前記接合層に施与された相勾配層およびｃ）前記相勾配層に施与された単相または多相のＴｉ_1-xＡｌ_xＮ硬質物質層から成り、その際、前記相勾配層が、前記接合層の方に向いた側でＴｉＮ／ｈ−ＡｌＮ相混合物から成り、且つＴｉ_1-xＡｌ_xＮ硬質物質層の方向へ層厚が増大するにつれて＞５０％の割合を有するｆｃｃ−ＴｉＡｌＮの増大する相割合およびそれに伴って同時にＴｉＮおよびｈ−ＡｌＮの相割合の減少を有することを特徴とする硬質物質で被覆された物体。本発明による被覆は、殊に鋼、超硬合金、サーメットおよびセラミックスからの工具および構成部材にて、例えばドリル、フライスおよびリバーシブルカッティングチップにて使用することができる。
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【課題】エピタキシャル層にエピ欠陥が形成されることがなく、かつバルク部に高密度のＢＭＤが形成されることによって強力なゲッタリング能力を備えたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって、抵抗制御用ドーパントを除いては炭素のみをドープしてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置を用いて熱処理を行い、その後、該単結晶ウェーハ表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

封止するOLEDデバイスの表面に薄膜材料を堆積させてそのOLEDデバイスを薄膜封止パッケージするため、一連のガス流を実質的に平行な細長い出口開口部に沿った方向に向ける操作を含む方法であって、上記一連のガス流が、順番に、少なくとも1つの第1の反応性ガス材料と、不活性なパージ・ガスと、第2の反応性ガス材料を、場合によっては繰り返して含んでおり、上記第1の反応性ガス材料は、上記第2の反応性ガス材料で処理した基板の表面と反応して封止薄膜を形成することができ、上記第1の反応性ガス材料は、揮発性の有機金属前駆体化合物である方法が開示されている。この方法は、実質的に大気圧で、または大気圧よりも大きな圧力で実施され、堆積中の上記基板の温度は250℃未満である。
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本発明は、第１、第２、および第３ガス材料を含む複数のガス材料を提供することを含む、基板上への薄膜堆積を含んで成るトランジスタに使用するための亜鉛−酸化物系薄膜半導体を製造する方法に関し、第１ガス材料は、亜鉛含有揮発性材料であり、第２ガス材料は、第１又は第２のガス材料が基板の表面にある場合に、第１又は第２のガス材料のもう一方が反応して基板上に材料の層を堆積するように、第１材料との反応性を有しており、第３ガス材料は、不活性であり、そして揮発性インジウム含有化合物が、該第１反応性ガス材料又は補足ガス材料中に導入される。
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【課題】マイクロクラックやピンホールが形成されることなく、樹脂含有物成形品にＤＬＣ膜を形成できる方法及び製膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ４を減圧して原料ガスを導入した後、電極２，３間に高周波電圧を印加して目標膜厚より薄い膜厚のＤＬＣ膜１０を形成する製膜工程と、高周波電圧の印加を停止して電極２，３に蓄積された熱を逃がす放熱工程を交互に行うことにより、目標膜厚に達するまで段階的にＤＬＣ膜を製膜する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤプロセスを使用して、均一性が良好で、ほとんどまたは全く汚染がなく、かつ導電率が高いつまり抵抗率が低いタングステン含有材料を堆積するための改良されたプロセスを提供する。
【解決手段】一実施形態では、プロセスチャンバ内に基板を位置決めするステップであって、該基板がこの上に配置されている下地層を含有するステップと、該基板をタングステン前駆体および還元ガスに順次曝してＡＬＤプロセス時に該下地層上にタングステン核形成層を堆積するステップであって、該還元ガスが約４０：１、１００：１、５００：１、８００：１、１，０００：１以上の水素／ハイドライド流量比を含有するステップと、該タングステン核形成層上にタングステンバルク層を堆積するステップとを含む、基板上にタングステン含有材料を形成するための方法が提供される。該還元ガスはジボラン、シランまたはジシランなどのハイドライド化合物を含有している。 （もっと読む）

【課題】高温下の還元性ガス（特に、アンモニア、水素、炭化水素ガスなど）に対して、優れた耐食性および耐熱衝撃性を有する炭化タンタル被覆炭素材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】炭素基材１と、前記炭素基材１上に形成されかつ（２２０）面に配向した炭化タンタルの結晶から実質的になる被覆膜２とを有する、炭化タンタル被覆炭素材料１０。被覆膜２のＸ線回折パターンにおいて、好ましくは、炭化タンタルの（２２０）面に基く回折強度が最大の強度を示しかつ２番目に大きな強度の回折強度の４倍以上の強度を示し、また、好ましくは、炭化タンタルの（２２０）面に基く回折強度の半価幅が０．２°以下である。
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