【課題】従来の膜種を改質することで、従来の膜質よりも優れた膜質を実現する。
【解決手段】第１元素を含むガスを供給して基板上に第１元素を含む第１の層を形成する工程と、第２元素を含むガスを供給して第１の層を改質して第１元素および第２元素を含む第２の層を形成する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを１回以上行い、所定膜厚の薄膜を形成する工程を有し、一方の工程における圧力、または、圧力およびガス供給時間を、化学量論的な組成を持つ薄膜を形成する場合の一方の工程における圧力、または、圧力およびガス供給時間よりも大きく、または、長くするか、他方の工程における圧力、または、圧力およびガス供給時間を、化学量論的な組成を持つ薄膜を形成する場合の他方の工程における圧力、または、圧力およびガス供給時間よりも小さく、または、短くする。 （もっと読む）

低誘電率及び優れた電気特性等の改良されたバリア誘電体特性を有する、ケイ素、炭素、酸素及び水素を有する前駆体を含む誘電体バリアフィルムを堆積させるための方法を与える。この方法は、相互接続構造のためのダマシン又は二重ダマシン集積で、又は他の誘電体バリア用途で用いられるバリア層に関して重要となるであろう。この例では、バリア性能を改良する特定の構造特性が注目される。
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【課題】 ４００℃未満の温度で誘電体上に半導体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ジボランを使用するゲルマニウム膜の低温成長をうまく実現する。最初に、ジボランガスが４００℃未満の温度で反応炉内に供給される。ジボランは、所与の温度でそれ自体が分解し、分解後のホウ素が、誘電体、例えばＳｉＯ_２の表面に析出して核形成部位および／またはシード層を形成する。次に、半導体膜を形成するためのソースガス、例えばＳｉＨ_４、ＧｅＨ_４などが反応炉に供給されて半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める装置と方法を提供する。
【解決手段】処理ガスをウエハ１に供給してウエハ１の上に膜をＣＶＤ法によって形成する成膜装置は、複数のウエハ１を互いに上下方向に離間して保持するボート２と、ウエハ１およびボート２を収容する処理室１２と、ウエハ１を加熱するホットウオール形構造のヒータ１４と、処理室１２内に処理ガスを供給するガス供給管２１と、処理室１２内の雰囲気を排気する排気管１６と、ウエハ１の処理中にウエハを回転させるためにボート２を回転させる回転軸１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】成長面内における膜質および内部応力などが均一にして、完全性の高い、直径１インチ（２.５４ｃｍ）以上の大面積の単結晶膜を得ることができるエピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】排気系５１、マスフローコントローラ５２を備え、装置中央部には、水冷台５３上部に設置された下地基板４０の上方に、直流電源５６が接続された平板型陰極５５が配置され、さらに、接地と浮動電位との切り替えが可能に構成された可動式のＭo製シャッタ５７を備えた平行平板型対向電極直流プラズマＣＶＤ装置５０において、平行平板型対向電極５５間に発生する直流プラズマを用いて、エピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】 レーザＣＶＤ法による加工品質を保ちつつ、加工時間を短縮することができるレーザ加工方法及装置を提供すること。
【解決手段】 あらかじめ種々の欠陥形状に合わせたスリット形状を複数用意しておき、その形状で一括してレーザー光を照射して導電膜を形成する。断線部を修正する工程は、レーザ出力及び加工時間についての第１の条件で実行する工程および第２の条件で実行する工程からなり、第２の条件におけるレーザ出力は第１の条件におけるレーザ出力よりも低く、第２の条件における加工時間は第１の条件における加工時間よりも長い。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ膜を誘電体膜上に成膜する際に、インキュベーション時間を短縮し、高い密度で核生成を生じさせることにより、高品質のルテニウム膜の成膜を可能とする。
【解決手段】ルテニウム膜の成膜方法は、誘電体膜を担持する被処理基板表面近傍にプラズマを発生させ、前記誘電体膜表面を前記プラズマで改質する工程と、前記改質された誘電体膜表面に、ルテニウムの有機金属錯体を不活性キャリアガスとともに供給し、前記有機金属錯体を分解させることにより、前記誘電体膜上にルテニウム膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン窒化膜などの面内均一性の向上、ステップカバレッジの向上及びＩ−Ｖ耐圧特性などの膜質の向上を図ることができるとともに、単位層ごとに成膜後、表面処理して薄膜を積層形成することができる単位層ポスト処理を用いた触媒化学蒸着法による成膜方法を提供する。
【解決手段】 反応容器２内にシランガスとアンモニアガスを含む混合ガスを原料ガスとして矩形パルス状に導入し、触媒体８により原料ガスを接触熱分解して基板５にシリコン窒化膜を成膜する成膜工程と、アンモニアガスを触媒体８に接触させた後に基板５上のシリコン窒化膜表面に晒す一の表面処理工程と、水素ガスを触媒体８に接触させた後に基板５上のシリコン窒化膜表面に晒す他の表面処理工程とを１サイクルとして、この一サイクルの工程を繰り返して単位層ごとにポスト処理した薄膜を積層する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、原子層堆積（ＡＬＤ）または化学気相堆積（ＣＶＤ）などの気相堆積プロセス中に、プロセッシングチャンバの内面を処理し、材料を堆積させる方法を提供する。一実施形態では、前処理プロセス中に、プロセッシングチャンバの内面および基板を、水素化配位子化合物などの試薬にさらすことができる。この水素化配位子化合物は、次の堆積プロセス中に使用される有機金属前駆体から形成される遊離配位子と同じ配位子とすることができる。この遊離配位子は、堆積プロセス中に、通常、水素化または熱分解によって形成される。一例では、プロセッシングチャンバおよび基板は、ペンタキス（ジメチルアミノ）タンタル（ＰＤＭＡＴ）などのアルキルアミノ配位子を有する有機金属化学前駆体を利用した気相堆積プロセスを行う前に、前処理プロセス中に、アルキルアミン化合物（例えば、ジメチルアミン）にさらされる。
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本発明の実施形態は、障壁層上にコバルト層を堆積させた後、コバルト層上に銅または銅合金などの導電材料を堆積させるプロセスを提供する。一実施形態では、基板表面上に材料を堆積させる方法であって、基板上に障壁層を形成するステップと、気相成長プロセス（たとえば、ＣＶＤまたはＡＬＤ）中に基板をジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン（ＣＣＴＢＡ）および水素に露出させて障壁層上にコバルト層を形成するステップと、コバルト層を覆うように導電材料を堆積させるステップとを含む方法が提供される。いくつかの例では、障壁層および／またはコバルト層は、熱プロセス、インサイチュプラズマプロセス、または遠隔プラズマプロセスなどの処理プロセス中にガスまたは試薬に露出させることができる。
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【課題】簡便な手法により、ウェハに対する微細パーティクルの発生及び／又は付着を低減させることを目的とする。
【解決手段】反応炉を昇温する工程と、前記昇温された反応炉内に１又は複数のウェハを搬入する工程と、該ウェハを熱処理する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記ウェハの搬入に際して、前記ウェハの搬入方向前方に遮熱板を配置し、該遮熱板とともにウェハを前記反応炉へ搬入することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】特に光学積層膜を設計どおりに再現性よく得ることができる堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】反応容器内に原料ガスを導入する工程と、高周波電力を印加する工程を複数回繰り返す事により、基板上に複数の堆積膜を積層する堆積膜形成方法であって、（１）反応容器体積とガス圧力とガス流量から計算されるガス滞留時間の５倍以上の時間、一定流量のガスを流しつづけ、反応容器内のガス分布を安定化させる安定化工程２１１と、安定化工程２１１後に高周波電源から電力を印加して放電を開始し、基板上に堆積膜を形成する膜堆積工程２１２と、を有し、（２）膜堆積工程２１２は、電力の立ち上がり工程２０１と、インピーダンス整合工程２０３と、安定放電工程２０５と、電力をオフする立ち下がり工程２０４と、からなり、立ち上がり工程２０１とインピーダンス整合工程２０３と立ち下がり工程２０４の合計時間が、１秒以上、１０秒以下である。 （もっと読む）

【課題】基板上に酸化ガスを供給して酸化膜を形成する際に、処理時間を短縮し、面内膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内に原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、処理室内に残留する原料ガスおよび原料ガスの中間体を除去する原料ガス除去工程と、処理室内の雰囲気の排気を実質的に止めた状態で、処理室内にオゾンを供給するオゾン供給工程と、処理室内に残留するオゾンおよびオゾンの中間体を除去するオゾン除去工程と、を複数回繰り返して原料ガスとオゾンとを互いに混合しないよう交互に供給し、基板の表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

高い化学的純度、すなわち低い窒素含量と、高い同位体純度、すなわち低い¹³C含量とを有する単結晶ダイヤモンド、その製造方法及び該単結晶ダイヤモンドを含むソリッドステートシステムを開示する。 （もっと読む）

タービン、特にガスタービンの燃料伝導が可能なコンポーネント（３、２０）の表面（２３）をコーティングするためのプロセスであって、前記表面（２３）は、開示されているように、化学気相堆積により、最初に窒化チタン層（２１）でコートされ、続いてα−酸化アルミニウム層（２２）でコートされる。さらに、タービンコンポーネント（３、２０）、例えばガスタービンのコンポーネントは、ベース材料及び燃料伝導が可能な表面（２３）を備えることが記載されている。前記表面（２３）は、窒化チタンを含む中間層（２１）及びα−酸化アルミニウムを含む被覆層（２２）を有する。
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【課題】より急峻且つより安定したＳＲプロファイルを有するエピタキシャルウェーハを製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】不純物を含有するシリコン単結晶の基板Ｓの直上に、基板Ｓよりも不純物濃度が低い第１層を気相成長させる第１成長工程（１ｓｔ Ｇｒｏｗｔｈ工程）と、第１層よりも上に第２層を気相成長させる第２成長工程（２ｎｄ Ｇｒｏｗｔｈ工程）とを有するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、第１成長工程において、強制的に排気を行って常圧ＡＰ以下の第１圧力ＲＰの下で気相成長させ、第２成長工程において、第１圧力ＲＰより高い第２圧力ＡＰの下で気相成長させるようにする。 （もっと読む）

【課題】ヒートマスの大きなヒータを有する大型の真空装置のヒータの昇温時間、降温時間を短縮して、メンテナンス前後の非生産時間を短縮し、生産効率を向上させることが可能な真空装置の動作方法を提供する。
【解決手段】被処理体２２を載置していない複数の搬送部１１〜１ｎを順次加熱する。主加熱部１ａ，１ｂよりも高温に加熱された各搬送部１１〜１ｎは、処理室１内に順次搬送される。搬送部１１〜１ｎが、順次、主加熱部１ａ，１ｂに熱量を順次与えるので、熱エネルギーの移動により、主加熱部１ａ，１ｂにおける加熱が促進され、主加熱部１ａ，１ｂの設定温度までの昇温時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】ＨＦ系溶液に対するエッチングレートが小さいシリコン窒化膜を、成膜温度を上げることなく形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室内に収容された基板上に薄膜を形成する基板処理方法であって、Ｃｌ元素を含有する第１の処理ガスを処理室内に供給する第１の工程と、不活性ガスを処理室内に供給して処理室内から第１の処理ガスを排出させる第２の工程と、第２の処理ガスを処理室内に供給して基板上に薄膜を生成する第３の工程と、不活性ガスを処理室内に供給して処理室内から第２の処理ガスを排出させる第４の工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返し、第２の工程では、処理室内から第１の処理ガスを排出させた後も不活性ガスを処理室内に引き続き供給する。 （もっと読む）

【課題】小型の装置で複数枚の板状基材に同時に良好な特性を持つＤＬＣ膜を生成する。
【解決手段】ＤＬＣ膜量産装置１０は、チャンバ１２がアースに接地されている。このチャンバ１２内に各板状基材６０に対向する対向電極を配置することなく、複数枚の板状基材６０を平行に等間隔に並べて配置する。そして、プラズマ放電によるスパッタリングクリーニングや下地密着層を各板状基材６０に形成したあと、チャンバ１２の内圧が０．１〜１０Ｐａになるようにチャンバ１２内に炭素源ガスを導入すると共に各板状基材６０に一斉にパルス半値幅が０．１〜３μｓｅｃの直流パルスの負電圧を印加することにより、プラズマを発生させて各板状基材６０上にＤＬＣ膜を生成させる。 （もっと読む）

【課題】反応ガス供給周期と基板の回転周期が同期することを防止または抑制して、成膜した膜の膜厚の基板面内均一性が悪化することを防ぐ。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、ウエハ２００を回転させるボート回転機構２６７と、ウエハ２００に対しガスを供給するガス供給部と、を有し、少なくとも２種のガスＡ、Ｂを交互に複数回供給し、ウエハ２００上に所望の膜を形成する基板処理装置であって、ガスＡを流してから次にガスＡを流すまでの時間で規定されるガス供給周期Ｔと、基板の回転周期Ｐとが、次の数式（１）を満たすように回転周期Ｐまたはガス供給周期Ｔを制御するコントローラ３２１を備える。
｜ｍＰ−ｎＴ｜＞≠０（ｎ、ｍは任意の自然数） （１）
（＞≠０は真に０より大きいということを表し、｜｜は絶対値を表す。） （もっと読む）