【課題】１パスカル以下の低ガス圧でも放電開始や放電維持が容易で、基材表面へのプラズマダメージを最小限にするプラズマ処理装置を提供する。また、大面積プラズマ生成装置及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理容器内に低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体を装着したプラズマ処理装置において、前記低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体に高周波電力を給電する高周波電源として、放電プラズマを持続するための第１の高周波電源と、該第1の高周波電源の周波数より大きな周波数の高周波電力を給電する第２の高周波電源で構成する。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造用原料に有効に使用できる三ハロゲン化アルミニウムガスを製造する方法を提供する。
【解決手段】固体アルミニウムとハロゲン系ガスとを接触させて三ハロゲン化アルミニウムガスを製造する方法において、固体アルミニウムとハロゲン系ガスとの接触温度を１８３℃以上３００℃未満とし、固体アルミニウムの全表面積（Ｓ；ｃｍ^２）と、ハロゲン系ガスと固体アルミニウムとの平均接触時間（ｔ；秒）との積（Ｓ×ｔ；ｃｍ^２・秒）が７５０ｃｍ^２・秒以上２５００００ｃｍ^２・秒以下となるようにハロゲン系ガスガスとアルミニウムとを接触させることを特徴とする三ハロゲン化アルミニウムガスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスの精度をさらに改善でき、進展するコンタクトホールやラインなどの微細化に対応可能なアモルファスシリコンを成膜できる成膜装置を提供すること。
【解決手段】下地を有した被処理体１を収容する処理室１０１と、処理に使用するガスを供給する処理ガス供給機構１１４と、加熱装置１３３と、排気機構１３２と、コントローラ１５０とを具備し、処理室１０１に、被処理体１を複数収容するとともに、コントローラ１５０が、下地を加熱し、加熱した下地にアミノシラン系ガスを流し、下地の表面にシード層を形成する工程と、下地を加熱し、加熱した下地の表面のシード層にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、アミノ基を含まないシラン系ガスを熱分解させることで、シード層上にアモルファスシリコン膜を形成する工程とが実施されるように処理ガス供給機構１１４、加熱装置１３３及び排気機構１３２を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおける層間絶縁膜の経時変化を抑制し、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】成膜終了時にモノマー分解生成物が膜表面に付着することを防ぐために気体分子のチャンバー内滞在時間を短くする。また不活性ガスのプラズマにより表面を処理することで表面に付着したモノマー分解生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】再成長層表面の結晶性に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層上に前記第一ｎ型半導体層の再成長層と第二ｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とを順次積層する第二工程とを具備し、前記第二工程において、前記再成長層を第一の成長温度Ｔ１で成長させた後に、前記第一の成長温度Ｔ１よりも高温の第二の成長温度Ｔ２に昇温して前記再成長層の成長を続けることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】プロセス開始時における処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができると共に、ガス種の切り替え時の残留ガスの排気と処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理ガスで所定の処理を行う処理装置において、処理容器４２と、処理容器内を排気する真空ポンプ７０、７２と圧力制御弁６８とを有する排気系６４と、処理ガスを噴射するガス噴射孔を有するガス噴射手段９８と、ガス噴射手段へ流量制御しつつ処理ガスを供給するガス供給手段１００と、装置全体を制御する制御手段１１４とを備え、制御手段は、処理を開始する時に処理容器内の雰囲気を排気している状態で所定の処理時の規定流量よりも大きな流量の処理ガスを所定の短時間だけ供給した後に、規定流量の処理ガスを供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】真空中において長尺な基材フィルムを長手方向に搬送しつつ、基材フィルムへの無機膜の成膜、無機膜を保護するための保護フィルムの積層、積層体の巻取りを行う機能性フィルムの製造において、無機膜と保護フィルムとの間に存在する気泡に起因する無機膜の損傷を防止することを目的とする。
【解決手段】保護フィルムの積層に先立ち、無機膜の加熱処理を行うことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】第２半導体材料と絶縁材料とを含む基板上に、第１半導体材料を選択的に堆積する方法の提供。
【解決手段】第１半導体材料が第２半導体材料上に選択的に堆積され、この方法は、ａ）炭素および／またはハロゲン含有ガスから形成されたプラズマを用いて基板を前処理する工程と、ｂ）化学気相堆積により、基板上に第１半導体材料を堆積する工程とを含む。
【効果】特に、半導体デバイス機構の製造のための改良された方法に関する。 （もっと読む）

【課題】薄膜と被成膜基材との密着性を十分に確保できる被成膜基材への薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、プラスチック又はプラスチックにＳｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の少なくとも一方を分散させた材料からなる被成膜基材２の表面に酸素プラズマ処理、オゾン処理及び紫外線照射処理のいずれかの処理を施した後に、前記被成膜基材２の表面上に、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法及び蒸着法のいずれかの方法により薄膜を成膜することを特徴とする被成膜基材への薄膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にＳｉＣＮ膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記窒化ガスと前記炭化水素ガスとをそれぞれ一定の供給期間でパルス状に供給する供給工程と供給を停止する停止工程とよりなる１サイクルを複数回繰り返し実行してプラズマを用いることなく前記薄膜を形成する。これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板に含まれる基底面転位がエピタキシャル膜に引き継がれるのを抑制して、高品質のエピタキシャル膜を成膜することができるエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供し、また、これにより得られたエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を提供する。
【解決手段】化学気相堆積法によって、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる結晶成長工程において、エピタキシャル成長の主たる時間を占める結晶成長主工程での成長温度Ｔ₁に対し、低い設定温度Ｔ₀と高い設定温度Ｔ₂との間で、成長温度を上下に変化させる温度切り替え操作を伴う結晶成長副工程を含むエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法であり、また、この方法を用いて得られたエピタキシャル炭化珪素単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】原料ガスと反応ガスとの反応が低下するのを抑制しつつ、成膜速度を向上させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板の上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、内部が真空に維持される成膜室と、薄膜の原料である原料ガスを成膜室に供給する原料ガス供給部と、加熱触媒体を備える容器と、容器の圧力を計測する圧力計と、原料ガスと反応して薄膜を形成するための反応ガスを容器に供給する反応ガス供給部と、圧力計が計測した圧力に基づいて、反応ガス供給部が反応ガスを供給するタイミングを制御する制御部と、を備えることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】 気相成長した半導体膜の面内の特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】 気相成長装置１００は、基板４４の表面に半導体膜を成長させる。気相成長装置１００は、気相成長室３８と、攪拌室２と、連通路１４と、調整装置１を有する。気相成長室３８は、基板４４が載置される載置台３４を有する。攪拌室２は、複数の原料ガスを攪拌して混合原料ガス１０を生成する。連通路１４は、気相成長室３８と攪拌室２を連通する。調整装置１は、混合原料ガス１０を気相成長室３８内に対して導入する導入量を調整する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤプロセスは、次世代半導体デバイスの作製において重要な技法であると考えられるが、ウェハスループットが低い。この点を改良する方法を提供する。
【解決手段】ウェハを、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに充分に至らない量の、第１の化学的に反応する前駆体ドーズ量で被覆し、次に、第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量で被覆され、前駆体は、ほぼ均一な膜堆積を実現するように分散されるプロセス。第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量は、同様に、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに充分に至らない量の、または、別法として、ウェハ上で不足状態の飽和堆積をもたらすのに充分であってもよい。プロセスは、前駆体ドーズ量の被覆と被覆の間で、または、被覆の１つのセットと別のセットの間でパージを含んでも含まなくてもよい。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において照射領域を絞るマスクを用いないで、微小な領域のプラズマ処理を行うプラズマ処理技術を提供する。
【解決手段】プラズマ生成用細管６から試料１１にプラズマ流１５を照射し、照射されるプラズマ照射領域内に加熱用レーザ発振器３０がレーザ光３３を照射する。これにより、レーザ光３３により局所的に加熱された被加工物上で反応させることで、限られた領域に薄膜を形成すること、または限られた領域をエッチングすることが可能となる。ガス供給口１４からは反応性ガスが供給される。温度測定器３１によりレーザ照射領域の温度を測定する。 （もっと読む）

モル送出のシステムおよび方法は、各パルスの持続時間の関数として既知のモル量のパルスを供給し、各パルスの持続時間は、理想気体の法則の関数として導出される。このシステムの一実施形態では、同システムは、既知の温度に制御された既知の容量のチャンバと、チャンバ内の圧力を測定するための圧力センサと、処理手段への出口弁と、チャンバに送出ガスを充填するための入口弁と、出口弁の動作を制御して、処理手段への弁のタイミングを制御することにより、各パルス状ガスの量を制御するように構成して配置された制御システムとを備える。
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【課題】大型基板上に堆積されるオルガノ珪酸塩膜の厚さ均一性を制御する方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、急速加熱処理などにより、処理チャンバ内に大型基板を提供するステップと、前記大型基板の表面周囲領域と前記周囲領域の内側表面領域とを含むように、前記大型基板上の識別可能な少なくとも２か所の温度を制御するステップと、前記大型基板の表面周囲領域の温度を、前記周囲領域の内側表面領域の温度より約１０℃低い温度から、前記周囲領域の内側表面領域の温度より約２０℃高い温度までの範囲内に維持するステップと、オルガノ珪酸塩膜を堆積するステップを備え、堆積された前記オルガノ珪酸塩膜は約１０％以下の膜均一性を提供する方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰあるいはＡｌ合金等の難削材の高速切削加工において、すぐれた耐摩耗性を長期にわたって発揮するダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣと少なくともＣｏを含有するＷＣ基超硬合金からなる工具基体の表面に、５〜３０μｍの膜厚のダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆切削工具であって、ダイヤモンド皮膜の膜厚方向に平行な断面で見た場合、工具基体の表面から５〜２００μｍの幅で膜厚方向にグラファイト相が成長して形成され、好ましくは、工具基体の表面で５０〜３００μｍのピッチで格子状に形成され、かつ、膜厚方向に成長させたグラファイト相の形成長さは、ダイヤモンド皮膜の膜厚より短く、ダイヤモンド皮膜の表面は全てダイヤモンド相で構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰあるいはＡｌ合金等の難削材の高速切削加工において、すぐれた耐摩耗性を長期にわたって発揮するダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣと少なくともＣｏを含有するＷＣ基超硬合金からなる工具基体の表面に、１〜１５μｍの膜厚のダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆切削工具において、工具基体の表面からダイヤモンド皮膜の表面にまで、幅５〜２００μｍのグラファイト相が膜厚方向に形成され、好ましくは、ダイヤモンド皮膜表面で５０〜３００μｍのピッチで格子状に形成されてダイヤモンド被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】層厚さが厚くてもＳｉＣ結晶中にある炭素空孔を低減できるＳｉＣ結晶成長層の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３を成長させる工程内に、シリコン原料ガスであるシランと炭素原料ガスであるプロパンのうちのプロパンのみを結晶成長表面に供給する第２の期間を設けている。このことで、結晶成長表面の炭素の過飽和度を上げ、成長途中の表面に過剰な格子間炭素を発生させる。これにより、成長後のＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３の表面から離れている比較的深い箇所での炭素空孔を減少させることができる。 （もっと読む）