【課題】プラズマ化学気相成長(Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ)工程で基材上に相異なる物性の多層薄膜構造を製造する方法を提供する。
【解決手段】プラズマ生成用混合ガスの比率を変化させない状態で、印加されるプラズマ周波数を変更して当該プラズマ周波数のプラズマ組成に対応する薄膜を順次形成する過程を含む構成とした。 （もっと読む）

【課題】プロセス開始時における処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができると共に、ガス種の切り替え時の残留ガスの排気と処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理ガスで所定の処理を行う処理装置において、載置台４４が内部に設けられた処理容器４２と、処理容器内の雰囲気を排気する真空ポンプ７０、７２と圧力制御弁６８とを有する排気系６４と、処理容器内へ処理ガスを噴射するガス噴射孔を有するガス噴射手段９８と、ガス噴射手段へ流量制御しつつ処理ガスを供給するガス供給手段１００と、装置全体を制御する制御手段１１４とを備え、制御手段は、処理を開始する時に処理容器内の雰囲気を排気している状態で所定の処理時の規定流量よりも大きな流量の処理ガスを所定の短時間だけ供給した後に、規定流量の処理ガスを供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】ダメージの発生が抑制された状態で、プラズマを用いた原子層成長による成膜速度の向上が図れるようにする。
【解決手段】成膜室内にアミノシランからなる原料ガス１２１を導入するとともに、成膜室の内部のシリコン基板１０１の上方に配置された複数のモノポールアンテナに高周波電力を供給してプラズマを生成し、原料ガスを構成しているアミノシラン（有機化合物）が分解された状態とする。これらは例えば１秒間行う。このことにより、シリコン基板１０１の上に、堆積シリコン層１０２が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法による高誘電体膜の形成方法において、形成される高誘電体膜の表面荒さを最小化する。
【解決手段】最初に被処理基板表面に高誘電体膜の有機金属化合物原料を、前記有機金属化合物原料の処理容器内における滞留時間が比較的長くなるような条件で供給し、被処理基板表面に結晶核を高い面密度で形成し、次に前記有機金属化合物原料を滞留時間が比較的短くなるような条件で供給する。 （もっと読む）

【課題】 被処理物にチャージした電荷を短時間の中に除去でき、そして被処理物の損傷や搬送トラブル等が無く、かつ、安定したプラズマ処理が行われるプラズマ処理終了技術を提供することである。
【解決手段】 一対の電極間に電圧を印加して供給反応ガスのプラズマを被処理物に作用させてプラズマ処理を行った後にプラズマ処理を終了させるプラズマ処理終了方法であって、
プラズマ処理を終了させようとする時点において、プラズマ処理中の供給電力Ｗ_１よりも小さく、しかしながらプラズマ放電が安定して維持される条件を満たす電力Ｗ_２の中でも最も小さい電力Ｗ_２０に下げる電力低下ステップと、
前記電力低下ステップで低下させられた電力Ｗ_２０条件で、所定時間ｔの間、プラズマ放電を安定して行わしめる放電ステップと、
前記放電ステップの後、電力供給を停止する停止ステップ
とを具備し、
前記プラズマ処理中から前記放電ステップに掛けての間は前記反応ガスを同様に供給する。 （もっと読む）

ガス組成物で充填されている処理空間（５）に大気圧グロー放電プラズマを発生させる方法及びプラズマ発生装置。２つの電極（２、３）が、オン時間（ｔ_ｏｎ）の間に電力を供給するために電源（４）に接続されている。電源（４）は所定の時間より短いオン時間（ｔ_ｏｎ）で周期信号を供給するように構成されており、この所定の時間はガス組成物からのダスト凝集中心が処理空間（５）でクラスタとなるのに要する時間に実質的に相当する。本方法及び装置は、処理空間（５）の基板（６）に材料の層を堆積させるために使用することができる。
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トリアセチルセルロースフィルム（１０）の表面処理方法及び表面処理装置。表面処理装置は、第１と第２の電極（１６、１７）の間の処理空間（１５）内で大気圧グロー放電プラズマを発生させるための第１の電極（１６）及び第２の電極（１７）を有する。電極（１６、１７）は、処理空間（１５）に向けられた表面に誘電体障壁を備える。表面処理装置は、処理空間（１５）内の実質的に無酸素の雰囲気中に大気圧グロー放電プラズマを発生するように構成される。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの容量低下を抑え、且つ、リーク電流を低減すること。
【解決手段】本発明に係るキャパシタの製造方法は、（Ａ）半導体基板１０上にキャパシタ６０の下部電極２０を形成する工程と、（Ｂ）その半導体基板１０が設置された原子層蒸着装置の反応室７１内に、オゾンと不活性ガスを所定の期間同時に導入する工程と、（Ｃ）オゾンの導入を停止し不活性ガスのみを反応室７１に導入することにより、反応室７１内のオゾンを排気する工程と、（Ｄ）上記（Ｂ），（Ｃ）工程の後、原子層蒸着法により、下部電極２０上に容量絶縁膜４０を形成する工程と、（Ｅ）容量絶縁膜４０上にキャパシタ６０の上部電極５０を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

本発明は、シリコンをベースとする前駆体から出発して、蒸着により基板表面にシリコン膜を製造する方法において、使用される前記前駆体が四塩化ケイ素であることを特徴とするシリコン膜の製造方法に関する。本発明は、本発明による方法により得られた薄膜太陽電池又は結晶質シリコン薄膜太陽電池にも関する。本発明は、気相から基板上に堆積された膜を製造するための四塩化ケイ素の使用にも関する。 （もっと読む）

【課題】リモートプラズマ処理方法において、プラズマ処理効率を向上させることである。
【解決手段】相対向する一対の電極４Ａ、４Ｂ、および一対の電極のうち少なくとも一方の電極の対向面に設置された固体誘電体層５もしくは６を備えているプラズマ処理装置を使用する。放電空間８中に大気圧以上の圧力の処理ガス９を導入し、一対の電極へのパルス電圧の印加による放電を用いて処理ガス９を活性化し、活性化した処理ガスを被処理物１１に照射する。放電空間のギャップ間隔ｄが０．３ｍｍ以下であり、電極間の平均電界強度が１０ｋＶ／ｃｍ以上であり、パルス電圧のパルス幅が５マイクロ秒以下である。 （もっと読む）

【課題】薬剤用パッケージ上への高分子抑止表面の作製方法。
【解決手段】含有されるタンパク質溶液の活性に影響することなく、薬剤用パッケージ上へのタンパク質の吸着を低減させる１つ又は複数のコーティングを直接、薬剤用パッケージング上に施すことにより、薬剤用パッケージ上にタンパク質抑止表面を作製する方法。 （もっと読む）

電気又は電子装置を式(Ｉ) [式中R¹、R²及びR³は独立に水素、アルキル、ハロアルキル又は場合によりハロ置換されたアリールより選択され、またR⁴はX-R⁵基であり、式中R⁵はアルキル又はハロアルキル基であり、またXは結合、式-C(O)O(CH₂)_nY-で示される基(式中nは1ないし10の整数であり、Yは結合又はスルホンアミド基である)、又は-(O)_pR⁶(O)_q(CH₂)_t-基(式中R⁶は場合によりハロ置換されたアリールであり、pは0又は1、qは0又は1であり、またtは0であるか又は1ないし10の整数であり、ただしqが1ならばtは0以外である)である。] で示される化合物を含んでなるパルスプラズマに、該装置の表面上に高分子層を堆積させるに足る時間にわたり暴露することによって形成されることを特徴とする高分子被膜を有する電気又は電子装置。この種の装置は液体特に環境液体による損傷から保護される。
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【課題】相変化物質薄膜の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】反応チャンバ内でＧｅを含む第１前駆体とＴｅを含む第２前駆体とを同時に供給してＧｅＴｅ膜を形成する第１工程と、Ｔｅを含む第２前駆体とＳｂを含む第３前駆体とを同時に供給してＳｂＴｅ膜を形成する第２工程と、第１工程及び第２工程を反復的に行ってＧｅＳｂＴｅ膜を形成する第３工程と、を含む相変化物質薄膜の形成方法である。本発明によれば、相変化半導体メモリの製造時に前記形成方法で相変化層を形成すれば、メモリ特性が向上し、また、製造工程が簡単でコストが低減できる。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＣＶＤ法によるＰＭＯ／ＣＭＯ超格子構造を有するＰｒ_ｘＣａ_１−ｘＭｎＯ_３薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 ＭＯＣＶＤ法によるＰＭＯ／ＣＭＯ超格子構造を有するＰｒ_ｘＣａ_１−ｘＭｎＯ_３薄膜の形成方法は、有機金属化合物と溶媒を準備する工程と、有機金属化合物と溶媒を混合してＰＭＯ前駆体及びＣＭＯ前駆体を形成する工程を備え、ＰＭＯ前駆体及びＣＭＯ前駆体は、ＭＯＣＶＤ反応室の気化器に注入される。ＰＭＯ前駆体とＣＭＯ前駆体を交互にＭＯＣＶＤ反応室の気化器に注入することによりナノサイズのＰＣＭＯ薄膜または結晶質のＰＣＭＯ薄膜を形成するために堆積パラメータが選択される。選択された堆積パラメータは、ＰＣＭＯ薄膜の特定部分において所望のＰｒ：Ｃａ濃度比を有するＰＣＭＯ薄膜種を堆積するために維持される。得られたＰＣＭＯ薄膜は選択された温度で選択された時間アニーリングされる。 （もっと読む）

【課題】比較的に大面積でかつ欠陥の少ない薄膜を、パルス電圧印加によって生成するプラズマから形成する方法を提供することである。
【解決手段】炭素源を含む原料ガスを含む雰囲気下で１００〜１６００Ｔｏｒｒの圧力下において基盤電極５とこの基盤電極５に対向する対向電極７との間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを生じさせ、薄膜６を生成させる。パルス電圧のパルス継続時間が１０〜１０００ｎｓｅｃである。パルス電圧の印加方向Ｗと交差する方向Ｅへと向かって、対向電極５を基盤電極５に対して相対的に移動させながら薄膜６を生成させる。 （もっと読む）

処理空間に気体状の薄膜前駆体を導入し、処理空間の容積を第１の大きさから第２の大きさまで拡大して拡大処理空間を形成し、拡大処理空間に還元ガスを導入し、且つ還元ガスから還元プラズマを形成する、基板上での気相堆積のための方法、コンピュータ読み取り可能媒体、及びシステムが開示される。気相堆積用システムは処理チャンバーを含んでおり、処理チャンバーは、第１の容積を有する第１の処理空間を含み、更に、第１の処理空間を含み且つ第１の容積より大きい第２の容積を有する第２の処理空間を含む。第１の処理空間は原子層堆積用に構成され、第２の処理空間は第１の処理空間で堆積された層のプラズマ還元用に構成される。
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【課題】光の吸収係数が小さく高い透明度を有すると共に、充分な導電性を確保することができる窒化物系半導体基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板上１１にＧａＮ膜１２及びＴｉ膜１３を形成後、水素ガスとアンモニアガスとの混合雰囲気で加熱して、多孔質ＴｉＮ薄膜１４に変換後、多孔質ＴｉＮ薄膜１４上にファセット成長ＧａＮ１５を形成し、ｃ面以外のファセット面を形成しながら成長する成長初期段階のＧａＮ層の厚さが最終的に成長させたＧａＮ層の全厚の３０％以下となるように、ＧａＮ結晶を成長させてＧａＮ厚膜１７とし、ボイド１６を介してサファイア基板１１から剥離して、ＧａＮ自立基板とする。 （もっと読む）

本発明は、工具又は工具部品、特にブレードのような切削要素を被覆するための方法に関し、当該方法においては、基体が与えられ、１つ又は複数の層が当該基体に塗布され、少なくとも１つの層は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオビウム、タンタル及び／又はクロムの金属のうちの１つ又は複数の金属炭窒化物から形成され、メタン、窒素及び１つ又は複数の金属化合物を含むガスを用いて堆積される。強い接着力によってさらなる層を上に堆積することができると共に高い耐磨耗性を有する金属炭窒化物層を得るために、本発明によれば、金属炭窒化物から成る層の堆積は、８５０℃〜９５０℃の基体の温度で開始し、その後、基体の温度は少なくとも４０℃だけ上昇し、堆積は、少なくとも一時的にその上昇温度において続くことが提案される。さらに本発明は、物体に塗布される金属炭窒化物層と、１つ又は複数の層が塗布される基体を備える、工具又は工具部品、特にブレードのような切削要素であって、少なくとも１つの層は、ナノコンポジット構造を有する金属炭窒化物層である、工具又は工具部品、特にブレードのような切削要素とを対象とする。 （もっと読む）

【課題】 堆積膜表面に生じる微小異物を抑制する。
【解決手段】 ２周波励起プラズマＣＶＤ装置において、膜の形成を行う工程の成膜終焉時において、高周波ＲＦ電源を低周波ＲＦ電源よりも実効的に先に停止する。 （もっと読む）

【課題】粒子汚染測定装置と欠陥検出装置の全体の動作範囲をカバーすることを可能にする新しいノイズ標準を提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁薄膜（１０２、２０２）と、前記絶縁薄膜上に形成された半球状の複数のナノ構造体（１１４、１１６、２１４、２１６）と、をそれぞれ有するヘイズノイズ標準の製造方法に関し、前記それぞれの標準は、第１半導体材料のための第１前駆体ガス（１０４）を用いた化学蒸着によって、前記第１半導体材料からなるシード（１０６、１０７）の少なくとも１つの絶縁膜（１０２、２０２）への形成と、第２半導体材料のための第２前駆体ガス（１１９）を用いた化学蒸着によって、前記第２半導体材料からなる安定なシードから、前記第２半導体材料に配置され、半球状に形成されたナノ構造体（１１４、１１６、２１４_１、２１４_２、２１４_３、２１４_４）の前記絶縁層（１０２、２０２）への形成と、によって製造される。 （もっと読む）