【課題】パーティクルの発生を抑制しつつ絶縁性が高くてエッチングレートが低い等のように膜質が良好で、しかも成膜レートも高いシリコン窒化膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスとを供給して被処理体の表面にシリコン窒化膜よりなる薄膜を形成する成膜処理を行うようにした成膜方法において、シラン系ガスを供給するシラン系ガス供給工程と窒化ガスを供給する窒化ガス供給工程とを交互に繰り返し行うと共に、繰り返される複数の窒化ガス供給工程にはプラズマを立てる窒化ガス供給工程とプラズマを立てない窒化ガス供給工程とが含まれている。これによりパーティクルの発生を抑制しつつ絶縁性が高くてエッチングレートが低い、しかも成膜レートも高いシリコン窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 良好な均一性を持つ導電層を堆積する。
【解決手段】 基板表面にタングステン層を形成する方法が提供される。一態様によると、その方法は、処理チャンバ（１００）内に基板表面を位置決めするステップと、基板表面をホウ化物（１２０）に晒すステップと、を備える。交互にタングステン含有化合物（１３０）と、シラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）、ジクロルシラン（ＳｉＣｌ_２Ｈ_２）、その誘導体、更に、これらの組合せから成る群から選択された還元性ガス（１５０）を律動的に送ることにより、その後、核形成層が同一の処理チャンバ内の基板表面上に堆積される。その後、周期的堆積、化学気相堆積、又は、物理的気相堆積技術を用いて、タングステンのバルクフィルが核形成層上に堆積されてもよい。 （もっと読む）

【課題】空間的に離散され且つサイズ制御される粒子を基材表面上で成長させる方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、基材表面の化学改質、原子層堆積（ＡＬＤ）装置、基材表面への改質層の形成及びナノ粒子堆積のためのＡＬＤ材料の供給を利用する。また、Volmer-Weber成長法を用いて、基材表面上でナノ粒子を島状に形成する。改質層により基材表面上の核形成部位の数を制御し、ＡＬＤサイクルの回数を制御することにより、離散したナノ粒子に対して堆積される材料の量を制限する。改質層は、自己組織化単分子層、基材表面の改質疎水性、水素終端表面及び改質層内の種々の官能基を含み得る。水素終端表面には、熱的に付着されるアルケン、光化学的に付着されるアルケン、熱的に付着されるアルキン又は光化学的に付着されるアルキンが付着され、それによってナノ粒子の核形成部位の密度が制御される。 （もっと読む）

【課題】製造時に半導体装置に加わる熱履歴のばらつきの小さい製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板を、常圧かつ酸化雰囲気中で熱処理する工程Ｓ１０と、半導体基板を、常圧かつ不活性雰囲気中で熱処理する工程Ｓ１４と、を具備する。酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間または熱処理温度は、少なくとも大気圧の変動に基づいて変更する。不活性雰囲気中での熱処理時間を、酸化雰囲気中での熱処理時間または熱処理温度に基づいて定める。不活性雰囲気中で熱処理する工程において、熱処理温度を、酸化雰囲気中での熱処理温度と略同一にするのが好ましい。また、酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間を、少なくとも大気圧の変動に基づいて変更し、不活性雰囲気中で熱処理する工程において熱処理時間を、不活性雰囲気中での熱処理時間と酸化雰囲気中での熱処理時間の和が略一定になるように設定してもよい。 （もっと読む）

【課題】アイテム制御部がレシピ実行部のタイマ周期とは無関係にレシピ制御を行うような制御機能を備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】レシピ実行部２ｅからアイテム制御部へレシピの制御開始指示と制御時間情報（７００ｍｓ）を通知する（Ｓ１１）。アイテム制御部はレシピの制御開始指示に基づいてサフコントローラの制御を開始し、かつ短期タイマ１ｄを起動する（Ｓ１２）。短期タイマ１ｄが１００ｍｓをカウントすると、短期タイマ１ｄからアイテム制御部へタイムアップの通知が行われ、アイテム制御部からレシピ実行部２ｅへ制御終了が通知される（Ｓ１３）。レシピ実行部２ｅは、制御終了のメッセージをトリガとしてアイテム制御部へ制御停止を通知する（Ｓ１４）。アイテム制御部はサブコントローラ３の制御を停止する（Ｓ１５）。このような制御は１００ｍｓごとの周期で７００ｍｓまで繰り返される。 （もっと読む）

【解決手段】実施形態では、原子層蒸着（ＡＬＤ）を用いた処理およびシステムの提供することによって、相互接続構造上に共形の薄膜を蒸着する装置および方法を提供している。より具体的には、それらのＡＬＤシステムの各々は、基板表面（４１０）の活性処理領域の真上に小さい反応空間を有する近接ヘッド（４３０）を備える。近接ヘッドは、比較的短時間で、近接ヘッドと基板との間の小さい反応空間に少量の反応物質およびパージガスを供給して、そこからポンプ除去することで、スループットを向上させる。実施形態の一例では、原子層蒸着（ＡＬＤ）によって薄膜を蒸着させるために反応物質およびパージガスを供給する近接ヘッドが提供されている。近接ヘッドは、反応ガス（４４５、４４３）およびパージガス（４４１）を順次供給して、近接ヘッドの下でＡＬＤ薄膜を蒸着させるよう構成されている。近接ヘッドは、基板表面の活性処理領域を覆う。近接ヘッドは、さらに、基板に対向する近接ヘッドの表面と基板との間の反応空間（４５０）から、余分な反応ガス、パージガス、または、蒸着副生成物を吸引するための少なくとも１つの真空チャネル（４６５）を備える。近接ヘッドは、複数のヘッド面を備えており、各ヘッド面は、近接ヘッドの下の基板表面上に反応ガスまたはパージガスのいずれかを供給するよう構成されている。各ヘッド面は、少なくとも１つの真空チャネルを有する。 （もっと読む）

本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。
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【課題】薄膜を成膜するときの膜厚の均一性を良好にする。
【解決手段】水平方向で多段に積載される複数の基板７を収容する反応室６と、基板を回転させる回転機構２０と、第１と第２の処理用ガス（ＮＨ_３とＤＣＳ）を基板７の周縁部から基板７へ交互に複数回繰り返して供給するガス供給部材５１、５２であって、基板の積載方向に延在するガスノズル４２を含むガス供給部材と、反応室内を排気するガス排気部材４０とを有し、第１の処理用ガス（ＤＣＳ）が基板７に対し、先に供給される時の基板７の周縁箇所と、その次に第１の処理用ガスが供給される時の基板７の周縁箇所とが、異なる箇所になるように、処理用ガスの供給タイミング又は回転機構２０の回転速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、触媒を用いずに、ＤＬＣを作製することで、触媒の不均一な堆積に影響されない、より表面平滑な膜を作製するダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明によれば、サファイア単結晶を含む基体を、炭化水素ガス含有雰囲気中で１０００℃以上に加熱することにより、基体の表面上に炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成することができるので、触媒の不均一な堆積に影響されない、より表面平滑な膜を作製することができる。 （もっと読む）

high-k膜を堆積させるための方法および組成物がここに記載される。一般に、開示された方法はTaまたはNbを含む前駆体化合物を利用する。より具体的には、開示された前駆体化合物は、揮発性を増大させるために、1-メトキシ-2-メチル-2-プロパノラート (mmp)のようなTaおよび/またはNbに結合される幾つかの配位子を利用する。さらに、TaドープHfまたはNbドープHfおよび/またはTaドープZrまたはNbドープZrを堆積させるために、Hfおよび/またはZr前駆体の使用とともに、TaまたはNb化合物を堆積させる方法が開示される。本方法および組成物はCVD、ALD、またはパルスCVD堆積プロセスにおいて使用され得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は原料ガスを交互に供給することにより成膜を行なう薄膜の形成方法に関し、インキュベーションタイムを短くしてスループットの向上を図ることを課題とする。
【解決手段】半導体ウエハＷをチャンバ３０内に載置する工程と、チャンバ３０に設けられたシャワーヘッド２０を介し、金属含有ガスと反応ガスとを交互にチャンバ３０内に複数回供給し、ＡＬＤ法により薄膜を形成するＡＬＤ工程とを有する薄膜の形成方法であって、前記ＡＬＤ工程に先立って、シャワーヘッド２０を介して金属含有ガスと反応ガスとをチャンバ３０内に同時に供給する前処理工程を行なう。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスと酸化性ガスを交互に複数回供給して、基板上に例えば高誘電率膜などの酸化膜例えばＺｒＯ2膜を成膜するにあたり、ガスを基板の表面から均等に排気すると共に、大量のガスが供給された場合でも、ガスの流れの乱れを抑えて速やかに排気すること。
【解決手段】基板に対向するように設けられたシャワーヘッドから、処理ガスや処理容器内の処理雰囲気を置換するためのパージガスを供給して、このガスを載置台を囲むように形成されたリング状の排気空間を介して、処理容器の下面に周方向に等間隔に４カ所以上設けられた排気口から排気する。 （もっと読む）

【課題】極めて薄い層であっても層の傾斜が経済的で、手早く正確に調整できる方法を提供する。
【解決手段】層を製造するプラズマＣＶＤ法、ここで、該層の傾斜が被覆プロセス中に少なくとも１つのプラズマ出力パラメーターを変化させることにより該層の成長方向に作られる、において、プラズマパルスＣＶＤ法で出力パルス列としてプラズマ出力を供給し、ここで、該パルス列はパルス振幅、パルス幅およびパルス間隔のパラメーターを有する；さらに該パルス振幅、パルス幅およびパルス間隔の少なくとも１つを変化させることにより、該層の傾斜を調整するステップ。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にＳｉＣＮ膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記窒化ガスと前記炭化水素ガスとをそれぞれ一定の供給期間でパルス状に供給する供給工程と供給を停止する停止工程とよりなる１サイクルを複数回繰り返し実行してプラズマを用いることなく前記薄膜を形成する。これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置を使用することにより形成される半導体装置の品質向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】ウェハを搬入した後（Ｓ１０１〜Ｓ１０４）、チャンバ内に酸素ガスを供給する（Ｓ１０５）。続いて、チャンバに巻きつけられているコイルに高周波電圧を印加して酸素ガスからプラズマガスを生成する（Ｓ１０６）。そして、このプラズマガスの発光強度の測定を開始する（Ｓ１０７）。次に、チャンバ内にシランガスを供給するとともに、ウェハにＲＦバイアスを印加する（Ｓ１０８）。その後、シランガスをプラズマ化することにより生成されるシリコンイオンの発光強度の上昇より成膜開始時刻を特定する（Ｓ１０９）。同様に、酸素イオンの発光強度の上昇よりＲＦバイアスを印加した時刻を特定する（Ｓ１１０）。そして、成膜開始時刻とＲＦバイアスを印加した時刻のずれを検出する（Ｓ１１１）。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、低誘電率ホウ素炭素窒
素薄膜を成膜することができる成膜方法を提供することを日的とすること。
【解決手段】前記課題を解決するための本発明の成膜方法は、成膜室内にプラズ
マを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素
炭素窒素膜を成膜した後、光照射を行う工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

薄膜材料を基体上に堆積させる方法であって、供給ヘッドの出力面から基体表面に向けて一連のガス流を同時に案内することを含み、一連のガス流が、少なくとも、第１反応性ガス状材料と、不活性パージガスと、第２反応性ガス状材料とを含み、第１反応性ガス状材料が、第２反応性ガス状材料で処理された基体表面と反応することができる方法を開示する。かかる方法を実施することのできるシステムも開示する。
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【課題】瞬時電力の設定値と比べて、マグネトロンにより照射されたマイクロ波の瞬時電力の正確さを改善し最適化する。
【解決手段】マグネトロンへの電力供給をマイクロ波の瞬時電力の設定値の関数として以下のように調整する。マグネトロンの電気効率の値を予め決めてメモリに記憶する。マイクロ波の平均電力の設定値を入力し、それを変換して電力信号の瞬時値の設定値を得る。マグネトロンに供給されたアノード電流と高電圧の瞬時値を測定してサンプリングする。サンプリング時におけるアノード電流の瞬時値に高電圧の瞬時値を乗算し、マグネトロンの電気効率の所定値を乗算して、サンプリング時におけるマイクロ波の瞬時電力を得る。連続したサンプリング時において有効な所定の調整関係の関数として修正された、連続したサンプリング時におけるマイクロ波の瞬時電力を決定する。それを修正されたマイクロ波の瞬時電力を表すアナログ信号に変換する。 （もっと読む）

薄膜材料を基体上に堆積させる方法であって、薄膜堆積システムの供給ヘッドの出力面から基体表面に向けて一連のガス流を同時に案内することを含み、一連のガス流が、少なくとも、第１反応性ガス状材料と、不活性パージガスと、第２反応性ガス状材料とを含み、第１反応性ガス状材料が、第２反応性ガス状材料で処理された基体表面と反応することができ、ガス流のうちの１つまたは２つ以上が、供給ヘッドの面からの基体の表面の分離に少なくとも寄与する圧力を提供する方法を開示する。かかる方法を実施することのできるシステムも開示する。
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【課題】バッチ式基板処理装置において、処理すべきウェーハの枚数に制限を設けることなく、ダミーウェーハの使用量を削減することができる基板処理方法、および基板処理システムを提供する。
【解決手段】バッチ式基板処理装置のボート１２に搭載される被処理基板の数が、ボート１２に搭載可能な基板の最大数よりも少ない場合、プロセスガス流の上流側に被処理基板１５〜１７を詰めて搭載する。このとき、ボート１２の下流側の基板搭載位置には、ダミー基板等の基板は搭載しない。当該状態で被処理基板１５〜１７が搭載されたボート１２をインナーチューブ９内に収容し、インナーチューブ９内にプロセスガス流を形成した状態で基板処理を行う。この場合、処理時間は、予め取得された被処理基板１５〜１７の数と成膜速度との対応関係と、被処理基板上に形成すべき膜厚とから算出することができる。 （もっと読む）