【課題】誘導加熱を用いて分解温度の高い成膜ガスを安定に分解し、成膜を行うことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】減圧空間とされる内部に成膜ガスが供給される処理容器と、前記減圧空間に設置される、被処理基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を誘導加熱することで前記成膜ガスによる成膜を前記被処理基板上に生じさせる、複数の領域に分割されたコイルと、前記コイルを、前記複数の領域ごとに制御するコイル制御手段と、を有することを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】冷陰極材料に用いた場合にその冷陰極のＩＶ特性を改善できる炭素膜を成膜することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空成膜室６と、この真空成膜室６内に配置され内部に直流プラズマを発生し当該内部に配置した基板（導電性ワイヤ）１０表面に成膜するための筒状陰極８とを備え、上記直流プラズマによりガスが分解して成膜が行われる過程で筒状陰極８に周期的にパルス状正電圧Ｖ２を印加する。 （もっと読む）

【課題】脱水素処理時間が短いアモルファスシリコン薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気中で基板４表面にＣＶＤ法によってアモルファスシリコン薄膜を形成した後、その基板４を真空雰囲気中に置いたまま、アモルファスシリコン薄膜を形成したときの温度以上に昇温させ、脱水素処理を行う。基板温度が低下しないうちに真空雰囲気で脱水素処理がされるので、処理時間が短くて済む。その場合、基板４を移動させながら赤外線２２を照射して脱水素処理を行うようにすると、アモルファスシリコン形成装置１を小型化できる。 （もっと読む）

医薬品パッケージ手段のような容器内の製品残留物の排出し易さを改善するために、本発明は、対応する基体に疎水性コーティングを設けるために提供される。この目的のために、基体と、コーティングされた状態で基体の表面の少なくとも一部を形成する、当該基体の上に堆積されるコーティングとを備える複合材が提供される。ここで、コーティングは、元素Ｃ、Ｏ及びＨを含有する化合物を含み、さらにＳｉ、Ｃ、Ｈ以外の元素は１０％未満、好ましくは５％未満の含量を有し、化合物はＳｉＯ_ｘＣ_ｙＨ_ｚ（式中、ｘが最大１．２である）の組成を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマ化学気相堆積時の基板の加熱を低減する目的に基づいている。
【解決手段】そのために、プラズマ気相堆積を用いて基板をコーティングするための方法および装置が提供されるが、その方法および装置では、コーティングしようとする基板の基板表面の周囲の少なくとも一部が排気され、コーティングのための開始物質をもつプロセス・ガスが入れられ、コーティングが、プロセス・ガスで満たされた基板表面の周囲で電磁エネルギーを放射することによって点火されるプラズマにより堆積される。電磁エネルギーは、好ましくはマイクロ波または無線周波のパルスの、多数のパルス・シーケンスの形態で放射され、そのパルス・シーケンスは第１の間隔で時間的に間隔をあけられた多数のパルスをもち、放射された電磁エネルギーはその間隔で停止され、パルス・シーケンス間の間隔は、パルス・シーケンス内のパルス間の第１の間隔より少なくとも３倍、好ましくは少なくとも５倍長い。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛の透明導電膜と薄膜光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することによって変換効率の高い薄膜光電変換装置を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛の透明導電膜（３）上に、ｐ型半導体層（４１−４３）、ｉ型半導体層（４４）、およびｎ型半導体層（４５）が順次積層された薄膜光電変換ユニット（４）の少なくとも１つを含む薄膜光電変換装置（１）の製造方法において、透明導電膜に接する薄膜光電変換ユニット中のｐ型半導体層は透明導電膜上に第１のｐ型結晶質半導体層（４１）、第２のｐ型結晶質半導体層（４２）、及びｐ型非晶質半導体層（４３）をプラズマＣＶＤによって順次積層することによって形成され、第１ｐ型結晶質半導体層の形成と第２ｐ型結晶質半導体層の形成との間においてプラズマＣＶＤの放電が所定時間だけ停止されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明の切り屑形成機械加工用の被膜切削工具は、被膜が微細な等軸粒によって特徴付けられた少なくとも１層のアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）層を含む。
【解決手段】本発明にしたがって、少なくとも１層がα−Ａｌ_２Ｏ_３から実質的になり、一つまたは複数の耐熱層で少なくとも部分的に被覆されたボディを提供する。前記Ａｌ_２Ｏ_３の層は、平均粒径が１μｍ以下の実質的に等軸の粒からなり、且つ０．５〜１μｍの平均粒径の粗い粒と０．５μｍ以下の微細粒とからなる双峰粒径分布を有する。さらに、前記Ａｌ_２Ｏ_３の層は、チタン(５ａｔ％以上)を含むが窒素または炭素を含まない溝状の領域含む。この特別な顕微鏡組織は、Ａｌ_２Ｏ_３の層の成長に必要なガスを一時的に停止し、かつＴｉＣｌ₄を導入することによって達成される。 （もっと読む）

【解決手段】半導体ウエハ（４６）を処理するためのプラズマチャンバ（４０）内において印加される電位（６８）を検出および制御する装置ならびに方法が提供される。プラズマチャンバは、プラズマチャンバ内においてチャック（６６）に印加されるパルスＲＦバイアス電圧信号（６８）を監視および調整するための回路構成（８２）を含み、チャックは、処理のためにウエハを載置するように構成される。さらには、チャックに印加されるパルスＲＦバイアス電圧信号の電圧をフィードバック信号とＲＦバイアス電圧信号の所望の電圧値との間の差にしたがって調整するためのフィードバック回路が含まれる。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができ、且つエッチングストッパ膜や層間絶縁膜等の絶縁膜として十分機能する絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にＳｉＢＣＮ膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記ボロン含有ガス及び炭化水素ガスよりなる群から選択されたいずれか一方のガスと前記シラン系ガスとの同時供給を行う同時供給工程と、前記同時供給工程で選択されなかった他方のガスを供給する非選択ガス供給工程と、前記窒化ガスを供給する窒化ガス供給工程とを、前記順序で繰り返し行うようにする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板上に、結晶性や配向性が良好で、電気的特性や光学的特性等に優れたＧａＮ薄膜を、低コストで効率良く製造することが可能なＳｉ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。 （もっと読む）

【課題】目的は、製品の品質のバッチ毎のばらつきが抑制される薄膜製造方法及び薄膜製造システムを提供すること。
【解決手段】薄膜製造装置１を用いた薄膜製造方法は、（ａ）製膜バッチ処理Ｌを実行して基板８上に薄膜１１３を形成する工程を具備する。（ａ）工程は、（ａ１）基板８を対向電極２に保持する工程と、（ａ２）製膜室６内に薄膜１１３の原料を含むガスＬを導入する工程と、（ａ３）ガスＬを導入しながら、放電電極３と対向電極２との間に高周波電力１０５を印加して基板８上に薄膜１１３を形成する工程とを含む。（ａ）工程は、薄膜製造装置１についてのセルフクリーニングＮの後、その次のセルフクリーニングＮ’の前に実行される。（ａ３）工程において、セルフクリーニングＮから製膜バッチ処理Ｌまでに薄膜製造装置１が実行する製膜バッチ処理の回数Ｌに基づいて高周波電力１０５が制御される。 （もっと読む）

【課題】ウエハの表面での層厚の均一性が向上し、トレンチの深みに沿って堆積された層の厚みに関しても、その上端領域における層厚の増大を抑方法を提供する。
【解決手段】所定の低温度において、基板に、前駆体を用いて層を堆積し、その後、上記基板の温度を所定の高温度まで上昇させ、次に、上記所定の高温度において、上記堆積層の酸化を行う、原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）を実施する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる窒化物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体層の形成方法は、窒化物系半導体層の形成前にサファイア基板の一主面を８００℃から１２００℃の範囲の温度で窒化処理し、その窒化処理されたサファイア基板面上に有機金属気相成長法により窒化物半導体層を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】 コールドプラズマを用いた殺菌及びバリア層の堆積により短時間でプラスチックボトルを処理する方法を提供すること。
【解決手段】 非殺菌性ガスによるコールドプラズマ殺菌のための操作、及び／又は拡散バリアの堆積の操作を含むポリマーボトルを処理する方法において、コールドプラズマが調整可能な非熱エネルギーをボトルの全内面に放出し、このコールドプラズマは、ボトル表面の直近において最大強度を有する非パルス状マイクロ波のボトルの内面への分布された伝播により、又はパルス状ＤＣ又はラジオ波電圧が供給される、ボトルに適合された中空カソードシステムにより発生することを特徴とするプラスチックボトルを処理する方法。 （もっと読む）

【課題】その欠点を矯正し、多孔性の基材が、制御された微細構造の物質で高密度化されることを可能とする化学気相浸透方法の提供。
【解決手段】浸透条件を、化学蒸着浸透プロセスの開始および終わりにおいて、少なくとも１つの浸透パラメーター、すなわち、ガス相の滞留時間、圧力、温度、ガス相の前駆体含有量、およびガス相の任意のドーパントの濃度を変化させることによって修飾し、変化させ、それにより、浸透条件を、基材内に沈積した物質の微細構造を制御するための基材の孔サイズの変化に適合させることができ、特に一定の微細構造を維持することができる。 （もっと読む）

【課題】同一のプラズマ反応室内において、少なくとも２のプラズマ処理工程を行う場合、その装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】少なくとも２のプラズマ処理工程を同一のプラズマ反応室内で行う場合に、各工程においてプラズマ処理用の電力としてＣＷ交流電力またはパルス変調された交流電力を適宜選択する。これにより、装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置。 （もっと読む）

プロセスツールのプロセスチャンバにおいて原子層堆積（ALD）法を用いる材料層の形成方法を開示する。一実施形態例では、本方法は、材料層の標的特性を特定するステップと、材料層に標的特性を作り出すために、ALD法の最中にプロセスチャンバに前駆体ガスを導入するための前駆体パルス時間を決定するステップと、決定された前駆体パルス時間にわたってチャンバに前駆体ガスを導入し、その結果材料層を形成する複数のステップを含むALD法を行うステップと、を含む。
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処理空間（５）内で大気圧グロー放電プラズマを使用して化合物又は化学元素を堆積させる方法及び装置であって、オン時間（ｔ_ｏｎ）中に電力を供給する電力供給装置（４）に接続された２つの５電極（２、３）を含み、処理空間が、堆積させるべき化合物又は化学元素の前駆物質を含む活性ガスと不活性ガスの混合物からなるガス組成物で満たされる。ガス組成物中に窒素を使用し、短いパルスを加え、処理空間内のガス組成物１０の所定の残留時間を用いることによって、粉塵の形成が防止される。安定化したプラズマを使用した場合に最良の結果が得られる。
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厚い傾斜バッファ層中の貫通転位のパイル−アップは、転位映進を促進することにより低減される。傾斜ＳｉＧｅバッファ層の形成中に、シリコン前駆体及びゲルマニウム前駆体からのＳｉＧｅ堆積は、１つ以上の期間において中断される。該期間においては、基板へのゲルマニウム前駆体のフローが維持されているが、基板へのシリコン前駆体のフローが止められている。 （もっと読む）

【課題】相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。
【解決手段】相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。本発明によれば、相変化物質層を選択的に形成することによって、ボイド及びシームなしにホールを満たす相変化パターンを実現することができる。これによって、相変化記憶素子の特性低下を防止し、高集積化及び低消費電力化の少なくともいずれか一方に最適化された相変化記憶素子を実現することができる。 （もっと読む）