【課題】粒子汚染測定装置と欠陥検出装置の全体の動作範囲をカバーすることを可能にする新しいノイズ標準を提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁薄膜（１０２、２０２）と、前記絶縁薄膜上に形成された半球状の複数のナノ構造体（１１４、１１６、２１４、２１６）と、をそれぞれ有するヘイズノイズ標準の製造方法に関し、前記それぞれの標準は、第１半導体材料のための第１前駆体ガス（１０４）を用いた化学蒸着によって、前記第１半導体材料からなるシード（１０６、１０７）の少なくとも１つの絶縁膜（１０２、２０２）への形成と、第２半導体材料のための第２前駆体ガス（１１９）を用いた化学蒸着によって、前記第２半導体材料からなる安定なシードから、前記第２半導体材料に配置され、半球状に形成されたナノ構造体（１１４、１１６、２１４_１、２１４_２、２１４_３、２１４_４）の前記絶縁層（１０２、２０２）への形成と、によって製造される。 （もっと読む）

【課題】均一かつ細密に充填したＳＡＭを大面積の基板に形成することを可能とする装置及び方法を提供する。
【解決手段】自己組織化分子を含有する液体原料を気化し、基板上に自己組織化単分子膜を形成する装置であって、前記基板を内部に保持する成膜室と、前記液体原料を前記成膜室内に直接噴射する噴射弁を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ工程による非晶質ＮｉＯ薄膜の製造方法及び、該非晶質ＮｉＯ薄膜を利用した不揮発性メモリ素子を提供する。
【解決手段】漏れ電流が少なく、かつ抵抗特性が改善され、スイッチング特性が向上した非晶質ＮｉＯ薄膜の製造方法は、真空チャンバ内に基板を準備する段階、ニッケル前駆体物質を準備する段階、ニッケル前駆体物質を気化させてソースガスを準備する段階、Ｏ_３とＨ_２Ｏガスのうち少なくとも一つを含む反応ガスを準備する段階、パージガスを準備する段階、及び真空チャンバ内にソースガス、パージガス、反応ガス及びパージガスを順次に吹き込む１サイクルの工程を実施し、基板上に単原子層のＮｉＯ薄膜を形成する段階を含む。 （もっと読む）

ナノ構造体、例えばナノワイヤのドーピング方法を開示する。該方法は、現行のナノ構造体のドーピング方法を改良する様々な手法を提供する。実施形態としては、ナノ構造体合成後のドーピング中における、ナノ構造体内の均一なドーパントの分布を促進するための犠牲層の使用が挙げられる。別の実施形態では、高エネルギーイオン注入が使用される場合に、ナノ構造体の損傷をアニーリングするために高温環境が使用される。別の実施形態では、ナノ構造体上のドーパント層からドーパントをナノ構造体に送り込むために、高速熱アニーリングが使用される。別の実施形態では、ナノワイヤをプラスチック基板上にドーピングする方法が提供され、該方法は、プラスチック基板をドーピング処理の間の損傷から保護するために、プラスチック基板上に誘電体スタックを蒸着する工程を含む。
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【課題】良好な局所的平坦度を備えたエピタキシャルシリコンウェハの歩留まりを高め、将来の世代の要求を満足するウェハを提供する。
【解決手段】所定数のエピタキシコーティングが終了するたびにサセプタのエッチング処理を行い、このエッチング処理後にサセプタを親水化する。 （もっと読む）

【課題】 Ａｌの薄膜を確実に作製する。
【解決手段】 塩素を含有する作用ガス１７をチャンバ１内に供給し、チャンバ１内の圧力を高くして滞留時間を長くし、塩素ラジカルによりＡｌ製の被エッチング部材１１をエッチングして被エッチング部材に含まれるＡｌ成分とハロゲンＣｌとからなる前駆体ＡｌＣｌ_３を生成し、塩素ラジカルによる還元が容易なＡｌＣｌ_２及びＡｌＣｌの中間体を介して前駆体ＡｌＣｌ_３のＡｌ成分を基板３側に成膜させ、Ａｌの薄膜を確実に作製する。 （もっと読む）

【課題】 酸化Ａｌの薄膜を低温の環境下で確実に作製する。
【解決手段】 塩素を含有する作用ガス１７をチャンバ１内に供給すると共に酸素及び水素をチャンバ内に供給し、チャンバ１内の圧力を高くして滞留時間を長くし、塩素ラジカルによりＡｌ製の被エッチング部材１１をエッチングして被エッチング部材に含まれるＡｌ成分とハロゲンＣｌとからなる前駆体ＡｌＣｌ_３を生成し、前駆体ＡｌＸ_３からＡｌＸ_２の中間体を生成する一方、酸素及び水素とＡｌＸ_２の反応により生じたＡｌ_２Ｏ_３成分を基板３側に成膜させ、酸化Ａｌの薄膜を低温の環境下で確実に作製する。 （もっと読む）

一実施形態において、形態的に安定していられる誘電材料を形成する為の方法であって、化学気相堆積（ＣＶＤ）処理中にハフニウムシリケート材料を形成する為に基板をハフニウム前駆物質、シリコン前駆物質、酸化ガスに晒し、後に、任意的に、基板を堆積後アニール、窒化処理、熱アニール処理を施す方法が提供されている。一部の例において、金属有機ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ）処理中に使用されるハフニウム及びシリコン前駆物質は、テトラキス（ジエチルアミド）ハフニウム（ＥＤＥＡＨ）及びトリス（ジメチルアミド）シラン（トリス−ＤＭＡＳ）のようなアルキルアミノ化合物である。他の実施形態において、タンタラム、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、ランタナム、それらの組合せを含む様々な金属シリケートを形成する為に、他の金属前駆物質が使用されてもよい。
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均一な表面及び安定した組成を有する大面積のバナジウム酸化物薄膜の製造方法である。これにより、バナジウム−有機金属化合物ガスをチャンバに注入し、バナジウム−有機金属化合物ガス分子が基板の表面に飽和吸着された吸着物を形成する。次いで、チャンバに酸素−前駆体を注入し、吸着物と表面飽和反応させてバナジウム酸化物薄膜を製造する。
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【課題】 結晶質炭素材料又は非晶質炭素材料等の炭素材料からなる基材上に酸化膜又は窒化膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】 単結晶ダイヤモンド基材上にダイヤモンド薄膜が形成されたダイヤモンド基板等の炭素材料からなる基板の表面に、プラズマ処理、ラジカル処理、薬液処理又はこれらを組み合わせた処理を施すことにより、酸素及び／又は窒素を吸着させる。その後、この酸素及び／又は窒素を吸着させたダイヤモンド基板の表面上に、有機金属化合物と酸化剤又は窒素剤とを交互に供給する原子層堆積法により、酸化膜又は窒素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 結晶構造をコントロールすることによって，従来以上に低い抵抗を有する金属系膜を形成する。
【解決手段】 金属系原料ガスとして例えばＷＦ_６ガスを供給するステップと水素化合物ガスとして例えばＳｉＨ_４ガスを供給するステップとを，不活性ガス例えばＡｒガス，Ｎ_２ガスを供給するパージステップを介在させて，交互に繰り返し実行することによって，非晶質を含む第１タングステン膜を成膜する第１タングステン膜成膜ステップと，第１タングステン膜上に，上記ＷＦ_６ガスと還元性ガスとして例えばＨ_２ガスを同時に供給することによって，第２タングステン膜を成膜する第２タングステン膜成膜ステップとを含む。ＳｉＨ_４ガスを供給するステップ後のパージステップの実行時間を変えることにより第１タングステン膜が含む非晶質の割合をコントロールする。 （もっと読む）

半導体基材の表面の少なくとも一部を不動態化する方法であって、基材（１）を処理チャンバー（５）中に配置し、前記処理チャンバー（５）中の圧力を比較的低い値に保持し、前記基材（１）を特定の基材処理温度に保持し、前記処理チャンバー（５）上で、前記基材表面から特定の距離（Ｌ）のところに取り付けた少なくとも一個のプラズマ供給源（３）によりプラズマ（Ｐ）を発生させ、各供給源（３）により発生した前記プラズマ（Ｐ）の少なくとも一部を前記基材表面の少なくとも一部と接触させ、そして、ＳｉＯ_ｘ形成に好適な少なくとも一種の前駆物質を前記プラズマ（Ｐ）の少なくとも一部に供給することにより、少なくとも一つのＳｉＯ_ｘ層を含んでなる少なくとも一つの層を前記基材表面の少なくとも一部に形成し、少なくとも基材（１）上に形成された少なくとも一つの層にガス環境中で温度処理を行う、方法。 （もっと読む）

一実施形態では、誘電材料を形成する方法が提供され、この方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス中に酸化金属を形成しながら、基板を金属含有前駆物質および酸化ガスに連続的に露出させるステップと、次に、基板を不活性プラズマプロセスおよび熱アニーリングプロセスに連続的に露出させるステップとを含む。一般的に、酸化金属はハフニウム、タンタラム、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、ランタン、またはこれらの組合せを含有する。一例では、基板は、窒素を含まない、または実質的に窒素を含まない不活性プラズマガスに露出される。次に、熱アニーリングプロセス中に、基板が酸素の環境に露出される。別の例では、ＡＬＤプロセス中に、基板を金属前駆物質と、水蒸気を含有した酸化ガスとに連続的に露出することで、酸化金属材料が形成される。水蒸気は、水素源および酸素源を消費する触媒水蒸気生成器によって形成されてもよい。 （もっと読む）

例えば、光学用途に適している、ハイカラーを有するＣＶＤダイヤモンド層を形成する方法。この方法は、第１の種類の不純物原子がＣＶＤ合成雰囲気中に存在することにより引き起こされるカラーに対する悪影響に対抗するために第２の種類の不純物原子種を含む気体源を加えることを含む。説明される方法は、単結晶ダイヤモンド及び多結晶ダイヤモンドの両方の生成に適用される。 （もっと読む）

【課題】適正な膜厚制御を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜用の炉と、炉内に配置された被処理体を炉の炉壁を通して加熱するヒーターと、を含んだ成膜装置を用意する工程と、成膜装置を用いて堆積される堆積膜の膜厚に関する第１の情報値と、炉壁に付着した付着膜に基づく第２の情報値との相関を、堆積膜の種類毎に取得する工程（Ｓ２）と、相関に基づいて、被処理体上に堆積される堆積膜の堆積条件を調整する工程（Ｓ４）と、調整された堆積条件で被処理体上に堆積膜を堆積する工程（Ｓ５）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法において、５００℃未満の低い成膜温度でも異常成長のない良質の金属窒化膜を成膜することが可能な成膜方法を提供すること。
【解決手段】成膜温度に加熱された被処理基板に金属化合物ガスおよび窒素含有還元ガスを供給してＣＶＤにより被処理基板上に金属窒化膜を直接堆積させる期間を含む第１段階と、同様に金属化合物ガスおよび窒素含有還元ガスを供給してＣＶＤにより前記第１段階で堆積された初期の金属窒化膜の上にさらに金属窒化膜を堆積させて所定の膜厚とする第２段階とを含み、前記第１段階および前記第２段階ともに、前記金属化合物ガスおよび窒素含有還元ガスを供給する第１ステップと、前記金属化合物ガスを停止して前記窒素含有還元ガスを供給する第２ステップとからなるサイクルを１サイクル以上繰り返す。 （もっと読む）

【課題】溶媒中に溶解している低揮発性固体ＡＬＤ前躯体の使用を可能にする溶液安定化技術及びデリバリ技術と特定のＡＬＤ操作モードとの新規な組み合わせを提供する。
【解決手段】ＴＨＦなどの溶媒中に溶解している広範囲の低揮発性固体ＡＬＤ前駆体を用いる。不安定な溶質は溶液中で安定化されてもよく、溶液の全量が室温でデリバリされてもよい。溶液が気化された後、気相前駆体溶液及び反応溶液はは交互に堆積室内にパルス状に供給し、所定厚のＡＬＤ膜を成長をする。 （もっと読む）

【課題】 低いサーマルバジェットで良好な膜質を有する薄膜堆積を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】 目的とする薄膜の成分元素を含む化合物を含む第１ガスの反応室１１への導入及び停止を行う第１ガス導入系１７と、酸化剤又は還元剤を含む第２ガスの反応室１１への導入及び停止を行う第２ガス導入系２７と、０．１〜１００ミリ秒の投入時間で反応室１１に配置した基板１０の表面に加熱エネルギーを逐次、繰り返し投入する加熱手段１６と、反応室１１を排気する排気系１８と、第１ガスの導入、第１ガスの停止、未反応の第１ガスの排気、第２ガスの導入、加熱エネルギーの投入、第２ガスの停止、及び未反応の第２ガスの排気とからなる一連の手順を１サイクルとし、このサイクルを逐次繰り返し実行する制御手段３０とから薄膜堆積装置を構成する。 （もっと読む）

多結晶Ｓｉ含有膜の粒子構造を制御するための方法は、最初の段階で堆積される第１の膜層のモフォロジーが、後の段階で堆積される第２の膜層のモフォロジーに有利に作用するような、膜を段階的に堆積するステップを含む。例示する実施形態では、最初の段階は、アニーリングするステップを含む。別の実施形態では、後の段階は、第１の層用とは異なる堆積条件下で第２の層を堆積するステップを含む。
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【課題】 常圧プロセスのプラズマ通路での流れ方向のプロファイルを利用し、より良好な膜を作成する。
【解決手段】 高圧電極１１，１２と接地電極２１により助走用プラズマ通路部５１ａ，５１ｂを形成し、高圧電極１１，１２とステージ状接地電極２２により選択領域用プラズマ通路部５２ａ，５２ｂを形成する。これら通路部にプラズマ電界を印加するとともに、これら通路部のうち選択領域用プラズマ通路部にのみ基材Ｗを配置する。プロセスガスを、助走用プラズマ通路部を経て選択領域用プラズマ通路部へ流す。助走用プラズマ通路部が、プロセスガスの流れ方向の処理プロファイルが所定の範囲になるまでの路長を有し、前記選択領域用プラズマ通路部が、前記所定部分（選択領域）に対応する路長を有するように、電極１１，２１，１２を寸法設定する。 （もっと読む）