反応器中に配置された基材上に結晶を成長させる方法であって、この反応器は、反応器チャンバを提供し、この基材は、この反応器チャンバの中に配置され、この方法は、この反応器チャンバの内部に反応性ガスをこの基材に向かって流す工程であって、この反応性ガスは、互いに結合してこの結晶を形成し得る成分を含有する工程；緩衝ガスを加熱する工程；およびこの加熱された緩衝ガスを、この反応性ガスとこの反応器壁との間のこの反応器チャンバ中で、この反応性ガスおよびこの緩衝ガスが相互作用し得るように、流す工程、を包含し、ここでこの流れている緩衝ガスが、この反応性ガスにより生成される第１の物質の少なくとも１つがこの反応器壁に到達するのを阻害し、そしてこの反応性ガスがこの基材に到達する前に、この反応器壁により生成される第２の物質が反応器チャンバー中のこの反応性ガスに到達するのを阻害する。
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閉成状態の複数の部品からなるマンドレル（１０，３０，４０）の内面上へのニッケル蒸着を使用して、ニッケル成形品、即ちシェルを成形するための方法と装置。閉成状態の複数の部品からなるマンドレル（１０，３０，４０）は、別の蒸着チャンバの必要性を省き、ニッケル蒸着が、中空、若しくは部分的に中空のニッケル成形品（１２，３２，３３，３４）を得るように、複数の部品からなる完全な、若しくは部分的なマンドレルの内面の形状に、ニッケルシェル（１２，３２，３３，３４）を成形する。
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高速蒸着方法は生成物流体から粉体コーティングを蒸着する工程を備えている。生成物の流れは流体中の化学反応から得られる。粉体コーティングのいくつかは適切な条件下で光学コーティングに固化する。基板は第１の光学コーティングを持つことができ、この上に粉体コーティングが設けられる。固化の後に得られる光学コーティングは下に存在する第１の光学コーティングとは大きく異なる屈折率を持つことができ、基板全体にわたって厚みおよび屈折率の均一性が高く、また等しい条件下で異なる基板上に形成されたコーティング同士で厚みおよび屈折率の均一性が高い。いくつかの実施態様では、表面積が少なくとも約２５平方センチメートルの基板を使って蒸着によりわずか約３０分で少なくとも約１００ｎｍの粉体コーティングが得られる。 （もっと読む）

ケイ素クラスターを気相中で分裂させる、炭化ケイ素層の形成方法。ケイ素クラスターは、ＶＩＩ族含有成分等のケイ素エッチングガスにより分裂させることができる。本発明の方法により形成した層を有する半導体デバイスも開示される。
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【課題】 凹部への埋め込み性が良好で、長期に亘り安定した良好な電気的特性を得ることができ、さらに作製工程を可及的に低減し得る配線構造を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ板と基板３との温度及び温度差を所定通りに制御しつつ、原料ガスであるＣｌ₂ ガスのプラズマによりＣｕ板をエッチングすることによりＣｕ成分とＣｌ₂ ガスとの前駆体であるＣｕＣｌを形成し、この前駆体が基板３に吸着され、その後Ｃｕ成分を析出させることによりＣｕの薄膜を形成する成膜反応と、この成膜反応により形成されたＣｕ膜をＣｌ₂ ガスのプラズマでエッチングするエッチング反応とを共存させるとともに、前記成膜反応の速度が前記エッチング反応の速度よりも大きくなるように制御することにより前記凹部３ａにその底部から順にＣｕ膜を積層してこの凹部３ａにＣｕを埋め込んだ。 （もっと読む）

【課題】高速性、均一性に優れ、原料ガスの使用効率を高めて成膜コストを低減することを可能とした成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】反応容器１と、該反応容器１内に設けられ、対向して設けられた少なくとも一対の基体７を支持するための支持体６と、該基体７を加熱する手段と、前記一対の基体７間に形成された空間に原料ガスを吐出するためのガス吐出口８ａと、ガスの排出口９と、前記支持体６を同一方向に回転させる手段とを具備することを特徴とし、前記加熱する手段が高周波誘導加熱であることが好ましい。 （もっと読む）

コロナ放電によって支持体上にプラズマ重合堆積を生成する方法を記載する。コロナ放電は電極と支持体を支持する対電極との間に発生される。バランスガスと作動ガスとの混合物は、電極を速やかに貫流し、コロナ放電によってプラズマ重合し、光学的に透明な被覆として支持体上に堆積する。この方法は、大気圧下又はその近くで実施するのが好ましく、表面改質、耐薬品性及び気体遮断性のような性質を支持体に与える、光学的に透明な粉体を含まない又は粉体をほとんど含まない堆積層を生成するように設計することができる。 （もっと読む）

グロー放電を用いて、基体上にプラズマ重合された付着を生成させる方法を記載する。グロー放電は電極と対電極との間に発生させる。バランスガス及びテトラアルキルオルトシリケートの混合物がグロー放電を通って基体上に流れ、基体上に、光学的に透明な被膜として、被膜を付着させるか、又は表面改質を生じさせる。この、好ましくは大気圧又はその近傍で実施する方法は光学的に透明で、粉末を含まないか又は事実上粉末を含まない被膜を生成するように設計することができる。
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