【課題】アルミニウム部品（１０）の表面を処理する方法及びこの種のアルミニウム部品（１０）を提供する。
【解決手段】本方法は、アルミニウム部品（１０）の表面に酸化ケイ素層（１４）を適用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶品質が良くかつ表面平坦性の優れたＡｌＮ単結晶膜の形成方法を提供する。
【解決手段】サファイア基材上に、ＡｌＮ単結晶による成長下地層をＭＯＣＶＤ法により（０００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下で、かつその表面を原子レベルで平坦となるように形成する。つづいて、前記成長下地層上に、ＨＶＰＥ法により、１１００℃以上の形成温度Ｔ（℃）に対してＡ≦０．３Ｔ−３３０なる関係を満たすように、形成速度Ａ（μｍ／ｈｒ）を制御しながらＡｌＮの単結晶膜を形成する。形成速度の制御は、例えばＡｌ原料ガスの供給量を調整することによりおこなう。 （もっと読む）

【課題】貫通転位密度が少なく、表面の粗さが小さい表面に二次元引張り歪みを内在させた歪みＳｉ層が形成された半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板上にＳｉＧｅ混晶層を形成する工程と、形成したＳｉＧｅ混晶層上にＳｉ層を形成する工程とを含む半導体ウェーハの製造方法の改良であり、その特徴ある構成は、ＳｉＧｅ混晶層を形成する工程が高温形成工程と低温形成工程の双方を含み、高温形成工程が７５０〜１１００℃の温度範囲で濃度が傾斜又は一定のＳｉＧｅ混晶層を形成し、かつ低温形成工程が高温形成工程の温度より１００〜６００℃低い５００〜７５０℃の温度範囲で濃度が傾斜又は一定のＳｉＧｅ混晶層を形成するところにある。 （もっと読む）

【課題】高ｋゲート絶縁膜上のドープされたシリコンゲート間に短絡をもたらす欠陥、トラッピングを回避する、前記高ｋゲート絶縁膜および前記高ｋゲート絶縁膜上のシリコンオキサイド膜の製造法を提供する。
【解決手段】原子層堆積プロセスを用いて基板上に高ｋゲート絶縁材料を堆積することを包含する、半導体基板上に集積回路構造を形成するための方法。シリコンオキサイドキャッピング層は、高速熱化学蒸着プロセスにおいてゲート絶縁材料上に堆積される。ゲート電極は、シリコンオキサイドキャッピング層上に形成される。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つの基板(5)上に少なくとも１層、特に半導体層を蒸着する方法及び装置を提供する。
【解決手段】反応装置(1)のプロセスチャンバ内で基板ホルダ(4)により基板(5)が保持され層が一定の化学量論的組成の２種成分からなり第１及び第２プロセスガスとして導入されエネルギー供給によって分解した生成物が層を形成する。熱活性化エネルギーの小さい第１プロセスガスは成長速度を決定し、大きい第２プロセスガスは過剰に供給され、第１プロセスガスはガス流入部品(3)の表面(18)上の多数孔から基板ホルダ(4)の方向(11)へ流れ、第２プロセスガスは前処理されて基板ホルダ(4)の周縁(19)上で入り表面(20)に平行に流れる。
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【課題】ＧaＡs(111)Ａ面基板上に形成されたＧaＮ層を有するエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】Ｇaを含む有機金属およびＨClを含む第１の原料ガスと、ＮＨ₃を含む第２の原料ガスを外部から加熱された反応管内に供給し、或いは、ＨClを含む第１の原料ガスと、ＮＨ₃を含む第２の原料ガスを外部から加熱された反応管内に供給し、前記反応管内部に配置された容器内に収納された金属Ｇaと第１の原料ガスに含まれたＨClとを反応させてＧaClを生成させて、反応管内に設置されたＧaＡs(111)Ａ面基板上に400℃以上600℃以下の温度で厚み60ｎｍ以上のバッファ層を気相成長させる。次いで、バッファ層を形成した前記基板の温度を、ＮＨ₃ガスを前記基板に供給しながら、上昇させてバッファ層の結晶性を向上させる。更に、第１および第２の原料ガスを、850℃以上1030℃以下に加熱された反応管内に供給し、バッファ層上にＧaＮ層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に均一かつ良質な薄膜を安定して形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ３内にはガス供給部７−１、７−２、７−３が設けられる。チャンバ３内の基材１３の同一表面側には電極３５−１、３５−２を有する電極ユニット１５−１、１５−２が回転可能に設けられ、電源１７から電力が供給される。
成膜時には、チャンバ３内にガス供給部７−１、７−２、７−３から成膜用ガスが供給され、電極３５−１、３５−２はプラズマを発生し、基材１３上に薄膜が形成される。
また、成膜中は、電極ユニット１５−１、１５−２の間の距離は放電インピーダンスが一定になるように調整される。 （もっと読む）

多結晶Ｓｉ含有膜の粒子構造を制御するための方法は、最初の段階で堆積される第１の膜層のモフォロジーが、後の段階で堆積される第２の膜層のモフォロジーに有利に作用するような、膜を段階的に堆積するステップを含む。例示する実施形態では、最初の段階は、アニーリングするステップを含む。別の実施形態では、後の段階は、第１の層用とは異なる堆積条件下で第２の層を堆積するステップを含む。
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【課題】 高速かつ安価に成長することが可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 加熱された金属シリコン（Ｓｉ溜７）に吹き付けた塩化水素ガスを、炭化水素ガスと同時に加熱した炭化珪素基板５上に供給し、熱分解反応させて化合物半導体結晶を成長させるＨＶＰＥ法にて炭化珪素単結晶を成長する。 （もっと読む）

【課題】高圧力下において高速成長を可能にした非極性ａ面窒化ガリウム単結晶の製造方
法を提供すること。
【解決手段】上面がｒ面である基板を設ける工程と、前記基板上に低温窒化物核成長層を
形成する工程と、前記窒化物核成長層上に非極性ａ面窒化ガリウムを成長させる工程と、
を含み、前記非極性ａ面窒化ガリウムを成長させる工程は約１９０〜３９０μｍｏｌ／ｍ
ｉｎのガリウムソース供給量と、約７７０〜２３１０のＶ／ＩＩＩ比を有するように窒素
ソース供給量とが設定された条件において行われることを特徴とする非極性ａ面窒化ガリ
ウム単結晶の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造に用いられるＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）基板を提供する。
【解決手段】
基材として、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、Ｇａ_２Ｏ_３のいずれかを用いて、基材上にＭＯＣＶＤ法により、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）層を形成し、その後、基材を除去してＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）基板を製造する。その際、成長速度を５μｍ／時間以上、原料のＶ／ＩＩＩ比を１０００以下、成膜温度を１２００℃以上とする。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつ機械的強度が高い絶縁膜の形成方法を与える。
【解決手段】反応室と、反応室内部に設置された上部電極及び下部電極を含むプラズマＣＶＤ装置を使って、半導体基板上に薄膜を形成する方法は、下部電極上に半導体基板を載置する工程と、シリコン系炭化水素化合物の材料ガス、添加ガス、および不活性ガスから成る反応ガスを上部電極と下部電極との間に導入する工程と、上部電極と半導体基板との距離が半導体基板の中心付近の方が外周付近よりも短い状態で、上部電極または下部電極にRF電力を印加し、プラズマを生成する工程と、成膜速度を７９０nm/min未満に制御し、半導体基板上に低誘電率膜を成膜する工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】 コストの増加を抑えつつ、ＺｎＯ系化合物結晶の酸素欠陥を低減することにより残留電子濃度を低減できるＺｎＯ系化合物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】 基板３が収容されたリアクタ２内へ、亜鉛原子を含む原料と輸送ガスとを含む第１の原料ガス、及び酸素原子を含む第２の原料ガスを供給し、亜鉛原子及び酸素原子を互いに反応させることにより基板３上にＺｎＯ系化合物結晶をエピタキシャル成長させる成長工程を備え、酸素原子を亜鉛原子よりも多く供給するとともに、ＺｎＯ系化合物結晶の成長速度を３［ｎｍ／時］以上３００［ｎｍ／時］以下とする。 （もっと読む）

【課題】 機械的特性を改善するために内部に埋め込まれたナノ層を有する低ｋ誘電体ＣＶＤ膜の形成方法を提供すること
【解決手段】 約１×１０^−１０ｍ／秒又はそれ以上の亀裂速度を有する１つ又は複数の膜（１４）と、この１つ又は複数の膜（１４）内にあるか又はそれに直接接触した少なくとも１つのナノ層（１６）を含む材料スタック（１２）が提供され、ここで少なくとも１つのナノ層（１６）は、材料スタック（１２）の亀裂速度を１×１０^−１０ｍ／秒より小さな値に減少させる。１つ又は複数の膜（１４）は、低ｋ誘電体に限定されず、金属のような材料を含むことができる。好ましい実施形態においては、約３．０又はそれ以下の有効誘電率ｋを有する低ｋ誘電体スタック（１２）が提供されるが、そのスタック（１２）の機械的特性は、少なくとも１つのナノ層（１６）を誘電体スタック（１２）内に導入することによって改善される。機械的特性の改善は、スタック（１２）内の膜の誘電率を著しく増大させることなく、また本発明の誘電体スタック（１２）に何らかの後処理ステップを施すことを必要とせずに、達成される。 （もっと読む）

反応器チャンバを名目上一定圧力に維持しながら、異なるパージ流と、場合によっては異なるポンピング能力を用いて、ＡＬＤサイクルの異なる段階を実行する。パージ流は、場合によっては、異なるガスを利用することができ、かつ／または異なる流路を通じて供給することができる。これらの動作は、ＡＬＤサイクル時間の改善、および消耗品の使用に関する経済的な動作をもたらす。いくつかの実施形態において、環状絞り弁の使用は、反応器チャンバからのガス流路における下流の流量制限コンダクタンスを制御する手段を提供する。
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【課題】 ＭＯＣＶＤ法による窒化ガリウム単結晶の成長速度を高め、従来より量産性に優れた窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 ＭＯＣＶＤ法により、加熱した基板上にIII族原料ガスとＶ族原料ガスをキャリアガスと同時に供給し、熱分解反応させて窒化ガリウム単結晶を成長させるに際し、III族原料ガスの導入量を１０〜１００ｓｃｃｍとし、キャリアガスとＶ族原料ガスの導入量の和がIII族原料ガスの導入量の１０００倍以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】１時間当たり約１マイクロメートルより大きい成長速度で単結晶ダイヤモンドを製造すること。
【解決手段】ダイヤモンドを製造する方法は、前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をするように、ホルダー内にダイヤモンドを配置するステップと、前記ダイヤモンドの前記成長面の温度を測定して温度計測値をもたらすステップと、前記温度測定値に基づいて前記成長面の温度を制御するステップと、マイクロ波プラズマ化学蒸着により、前記成長面に単結晶ダイヤモンドを成長させるステップとを含む。ダイヤモンドの成長速度が１時間当たり１マイクロメートルより大きい。 （もっと読む）

【課題】一方においては層成長の方向において殆ど均一な微結晶構造を有し、即ち均一な構造特性を有し、そしてもう一方においては僅かな量の水素しか使用されない、微結晶珪素層の製造方法の提供。
【解決手段】この課題は、プラズマ室中で基体上に珪素を析出される方法において、プラズマ室に反応性の珪素含有ガスおよび水素を用意し、プラズマ発生を開始し、プラズマ発生開始後プラズマ室に少なくとも反応性の珪素含有ガスを連続的に供給し、そして同時に該プラズマ室中に存在するガス混合物の少なくとも一部を該室から排除し、その際にプラズマ室中に導入されたガス全体流[sccm]が、被覆すべき基体表面積[100 cm²]を基準として析出速度 [A/s] との関係で１０[sccm*s/100*cm²*A]を超えず、好ましくは６[sccm*s/100*cm²*A]を超えず、水素の存在下に均一な微結晶珪素を基体上に析出させる
各段階を含む、上記方法によって解決される。 （もっと読む）

高純度の半導体グレードの顆粒状シリコン、及びそのような顆粒状シリコンを製造する方法を開示する。第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置内で、シリコン・シードにシリコンをデポジットさせ、それによってシードをより大きな二次シードに成長させて、商業的品質の顆粒状シリコンを製造することができる。第２の化学気相蒸着反応装置内で、二次シードに追加のシリコンをデポジットさせる。この明細書に記載する方法を用いて、常套の方法よりも高いスループット及びより良い収率を達成することができる。
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【課題】 表面に凹凸パターンを有する基板上に均一な膜を所定の膜厚で成膜する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表面に凹凸パターンを有する基板上に第１の材料からなる第１の膜厚の薄膜を堆積する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、表面に凹凸パターンを有しないモニタ基板上に前記第１の材料からなる薄膜を形成してその薄膜の膜厚を測定することにより前記第１の膜厚の薄膜を堆積する第１の条件を算出し、前記凹凸パターンを有する基板上に、前記第１の条件よりも厚い薄膜が堆積される第２の条件で前記第１の材料を堆積することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）