【課題】高品質な成膜が可能な反応性ガスを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置において、回転テーブルを回転させるための駆動部を備え、基板が第１の処理領域に存在しているときには、第２の処理領域に基板は存在しておらず、基板が第２の処理領域に存在しているときには、第１の処理領域に基板が存在していない場合であって、駆動部は、基板が前記第１の処理領域を通過する際の回転テーブルの角速度と、第２の処理領域を通過する際の回転テーブルの角速度とが異なる角速度となるよう回転させるものであることを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

静止する基板上または連続する基板上に薄膜材料を高速蒸着するための方法および装置を提供する。この方法は、あらかじめ選択された前駆体中間生成物を蒸着チャンバへと供給することと、中間生成物から薄膜材料を形成することと、を含む。中間生成物は、蒸着チャンバの外部で形成され、自由ラジカル等の準安定化学種を含む。中間生成物は、低い欠陥濃度を有する薄膜材料の形成に貢献する準安定化学種を含むよう、あらかじめ選択される。低欠陥濃度の材料を形成することにより、蒸着速度と材料品質の関係は分断され、先例のない蒸着速度が達成される。１つの実施形態において、好適な前駆体中間生成物はＳｉＨ３である。この方法は、あらかじめ選択された中間生成物とキャリアガスとを、好ましくは不活性化状態において、混合することを含む。キャリアガスは、薄膜材料を蒸着するために、好適な中間生成物の基板への送給を導く。 （もっと読む）

【課題】導電性ダイヤモンド皮膜を基材金属の表面に密着性良く形成することができ、導電性ダイヤモンド皮膜が電極基材から剥離することが抑制されたダイヤモンド電極とその製造方法、ダイヤモンド電極を陽極として用いることで、長期間、高濃度のオゾンを発生できるオゾン発生装置を提供する。
【解決手段】純Ｔｉ、Ｔｉ合金、純Ｎｂ、純Ｔａから選ばれる基材金属からなる電極基材と、電極基材の表面にボロンをドープして形成された導電性ダイヤモンド皮膜よりなり、電極基材と導電性ダイヤモンド皮膜との界面には基材金属種の水素化物が形成されており、Ｘ線回析測定で得られる水素化物の主ピ−クと基材金属の主ピ−クとの強度比が、０．１以上、３．０以下である。 （もっと読む）

本発明は、薄膜被覆技術に有用な新しいプラズマ源を提供し、更にプラズマ源の使用方法を提供する。より具体的には、本発明は、プラズマ強化化学蒸着に有用な線状及び二次元のプラズマをそれぞれ生成する、新しい線状及び二次元のプラズマ源を提供する。また、本発明は、薄膜被覆を形成する方法及びそのような方法による被覆効率を向上させる方法を提供する。
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【課題】気相成長装置のサセプタの凹部においてシリコンウェーハの移動を防止し、ウェーハの周縁部が凹部の内周面に接触することを防止してそのウェーハの割れを回避する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法は、サセプタ２０の凹部２１にシリコンウェーハ１０を収容してサセプタを回転させるとともに昇温させた後にシリコンウェーハの主面にエピタキシャル層を形成する。シリコンウェーハの凹部への収納はシリコンウェーハの周縁部１１が凹部の内周面に接触しないように凹部の中央に設置する。昇温はサセプタを回転させないか或いは０．５ｒｐｍ以下の一定速度で回転させつつ行われ、シリコンウェーハが昇温されて８００〜１１００℃の一定温度に達した後にサセプタの回転速度を増加る。サセプタの回転速度が４〜８ｒｐｍの一定速度に達した後に反応炉にシリコン原料含有ガスを供給してシリコンウェーハの主面にエピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）

【課題】低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。
【解決手段】一部の実施形態において、基板は、約２００℃未満の温度で、トリメチルアルミニウムなどの金属前駆体、およびＴＰＳなどのシラノールと交互におよび連続して接触される。この方法は、種々の状況において二酸化ケイ素の薄膜を形成するために使用され得る。一部の実施形態において、この方法は、反応物のチャンバ内に金属前駆体を含む気相反応物パルスを与えて、基板上に金属前駆体のほぼ単一分子層のみを形成する工程と、必要な場合、反応物のチャンバから過剰な反応物を除去する工程と、反応物のチャンバにＴＰＳを含む気相反応物パルスを与える工程と、反応物のチャンバから過剰なＴＰＳおよび任意の反応副産物を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】
ＳｉＯ₂膜の常温での高速成膜手法を確立し、屈折率が１．２０〜１．４０と非常に小さいＳｉＯ₂膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
不活性ガスからなるキャリアガス、Ｓｉ元素を含むＳｉ原料ガスおよびＯ元素を含むＯ原料ガスの混合物であるプロセスガス中のＳｉ原料ガスとＯ原料ガスとの合計濃度を０．１０〜５０．０体積％とし、該プロセスガスを、相対する一対の電極間に導入し、該電極に１０ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、前記一対の電極の一方の電極表面に成膜速度１７０〜５００ｎｍ／ｓでＳｉＯ₂を堆積することにより、屈折率１．２０〜１．４０のＳｉＯ₂薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に各種薄膜を連続的に高速で形成することのできる連続薄膜の形成方法、形成装置、薄膜付きガラス基板及び半導体装置素子を提供する。
【解決手段】断面の厚さｄと幅ｂからなるｄｂ／（２（ｄ＋ｂ））が０．０１５以上０．１５以下の範囲の薄い帯状の基板１０を導入口１１４から隔離部１１０に連続的に導入するとともに、供給口１１６から反応ガス１１を加圧して供給し、基板１０および反応ガス１１を第１隔離ゾーン１１１内を通過させて所定の温度まで急速加熱し、続く第２隔離ゾーン１１２内でさらに加熱して反応ガス１１を基板１０上で分解し、続く第３隔離ゾーン１１３内を通過させて基板１０を所定の温度勾配で急速冷却することにより、基板１０上に反応ガス１１の所定の成分からなる薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】大きな表面積を覆い、薄く、一様な厚さの重合パラキシリレンの膜を堆積させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、固体または液体の出発原料を蒸発させるための蒸発器（１）を備える。搬送ガスのためのガスライン（１１）が蒸発器（１）に延びる。搬送ガスは、蒸発した出発原料を分解チャンバー（２）に運び、その中で出発原料が分解される。この堆積装置は、更に、プロセスチャンバー（８）を備える。プロセスチャンバー（８）は、搬送ガスによって運ばれる分解生成物が入るガス注入部（３）と、重合させられる分解生成物で覆われることになる基板（７）を支持するためにガス注入部（３）に対向して支持面（４’）を持つサセプタ（４）と、ガス排出口（５）とを有する。ガス注入部（３）は、支持面（４’）と平行に広がるガス放出面（３’）を有する平面ガス分配器を形成し、ガス放出面（３’）全体に渡って複数のガス放出ポート（６）が分布する。 （もっと読む）

【課題】ヒートマスの大きなヒータを有する大型の真空装置のヒータの昇温時間、降温時間を短縮して、メンテナンス前後の非生産時間を短縮し、生産効率を向上させることが可能な真空装置の動作方法を提供する。
【解決手段】被処理体２２を載置していない複数の搬送部１１〜１ｎを順次加熱する。主加熱部１ａ，１ｂよりも高温に加熱された各搬送部１１〜１ｎは、処理室１内に順次搬送される。搬送部１１〜１ｎが、順次、主加熱部１ａ，１ｂに熱量を順次与えるので、熱エネルギーの移動により、主加熱部１ａ，１ｂにおける加熱が促進され、主加熱部１ａ，１ｂの設定温度までの昇温時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有し、積層欠陥が低下した炭化珪素膜を提供する。
【解決手段】高熱伝導率を有し、積層欠陥が減少した、化学蒸着β相多結晶炭化珪素。炭化珪素は水素ガスおよびメチルトリクロロシランを反応物質として用いる特定の条件下で合成される。炭化珪素の熱伝導率は、高い熱負荷が発生する電子デバイスの装置の一部および部品として用いることができるほど十分高い。このような部品としては、アクティブ熱電クーラー、ヒートシンクおよびファンが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】減圧下でウォールデポを生じさせることなくサセプタを大径化できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】水平な円板状のサセプタ１１と、サセプタ１１を内部空間１３ａに収容する反応容器１３と、内部空間１３ａにガス流を形成するガス給排手段と、サセプタ１１に載置された半導体ウェーハ１２を加熱する加熱手段１７と、反応容器１３を外部から空冷する冷却手段とを備え、反応容器１３は中央が上方に膨出してサセプタ１１を覆う窓部１４ａを有する。サセプタ１１の外径Ｗが４９０ｍｍ以上７００ｍｍ以下であり、窓部１４ａの厚みｔが４ｍｍ以上７ｍｍ以下であり、窓部１４ａの曲率半径Ｒが５８０ｍｍ以上６２０ｍｍ以下であり、サセプタ１１の上面から窓部１４ａ内面までの高さの最大値Ｈが２００ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】温度変更を迅速に行なうことが可能な気相成長装置および当該気相成長装置を用いた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、処理室４と、サセプタ２と、ヒータ５と、壁部冷却部材５２と、反応ガス供給部材９とを備える。サセプタ２は、処理室４の内部に表面が露出し、当該表面に基板８を搭載する。ヒータ５は、サセプタ２を加熱する。壁部冷却部材５２は、処理室４の壁面を冷却する。反応ガス供給部材９は、処理室４の内部に反応ガスを供給する。ヒータ５の昇温速度は１００℃／分以上であり、かつ、投入可能最大熱量は１０ｋＷ以上である。壁部冷却部材５２の冷却能力はヒータ５の投入可能最大熱量より大きい。反応ガス供給部材９は、水素ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれか一方を含むガスを処理室４の内部に１００ｓｃｃｍ以上の流量で供給可能である。サセプタ２の熱容量は５０Ｊ／Ｋ以上５００Ｊ／Ｋ以下である。ヒータ５の熱容量は１０Ｊ／Ｋ以上１００Ｊ／Ｋ以下である。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成された孔に対するタングステン膜の埋め込み性を向上させ、タングステン膜の結晶粒を大きくすることができ、かつ生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に孔を成膜する（Ｓ１０）。次いで、半導体基板を３３０℃以上４００℃以下に加熱して（Ｓ２０）、Ｂ₂Ｈ₆ガス及びＳｉＨ₄ガスの少なくとも一方、並びにタングステン含有ガスを反応室内に導入することにより、第１のタングステン膜を成膜する（Ｓ３０）。次いで、反応室内にＨ₂ガス及び不活性ガスの少なくとも一方を導入し、かつ３０秒以上の時間をかけて半導体基板を３７０℃以上４１０℃以下に昇温して（Ｓ４０）、タングステン含有ガスを反応室内に導入することにより、第１のタングステン膜上に第２のタングステン膜を成膜する（Ｓ５０）。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の構造を複雑化させることなくローディング効果を防止する。
【解決手段】被処理物９を処理ヘッド２０に対し移動方向Ａへ相対速度ｖにて相対移動させ、噴出口２３ａから処理ガスを噴出して被処理物９に接触させて表面処理する。噴出口２３ａより移動方向Ａの上流側に離れた第１吸引口２６Ｌからガスを吸引し、噴出口２３ａより移動方向Ａの下流側に離れた第２吸引口２６Ｒからガスを吸引する。噴出口２３ａと第１吸引口との間の距離Ｌ１と、噴出口２３ａと第２吸引口２６Ｒとの間の距離Ｌ２を互いに等しくする。第１吸引口２６Ｌと第２吸引口２６Ｒの吸引圧を互いに略等しくする。噴出口２３ａと第２吸引口２６Ｒとの間の処理路２５Ｒでの処理ガスの平均流速φａｖと相対速度ｖとの比（ｖ／φａｖ）が、０．５＜ｖ／φａｖ≦３を満たすようにする。 （もっと読む）

本発明は、６００℃より低い基板温度において高密度プラズマ化学気相堆積技術を使用して基板上に低ウェットエッチング速度の窒化シリコン膜を堆積する方法に関する。この方法は、更に、プラズマ中の窒素対シリコンの比を比較的高く、且つ処理圧力を低く維持することを含む。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板を巻回してなる供給ロールから基板を送り出して、基板を搬送しつつプラズマＣＶＤによって成膜を行い、成膜済の基板をロール上に巻回する成膜において、成膜を停止することなく、基板への成膜中に電極のクリーニングを行なうことができる成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤによって成膜を行なう成膜部を、基板の搬送方向に、複数、配列して設けると共に、各成膜部に電極のクリーニング手段を設け、所定のタイミングで少なくとも１つの成膜部による成膜を停止して気密に閉塞してクリーニングを行なうと共に、この成膜部の停止時には、他の成膜中の成膜部で成膜条件を変更して停止分を補完して所定の成膜レートを確保することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、電子部品、光学部品、切削・耐磨工具などに用いられる大面積で高品質なダイヤモンド単結晶基板を高速に製造する方法を提供する。
【解決手段】種基板１として、主面の面方位が略＜１００＞方向に揃った複数個のダイヤモンド単結晶基板を並べて配置し、気相合成法により種基板１上にダイヤモンド単結晶を成長させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法であって、種基板１の主面の面方位が｛１００｝面に対する傾きが５度以下であり、第一の段階における成長パラメータαが２．０以上３．０未満であり、第二の段階におけるαが３．０以上である。 （もっと読む）

【課題】所望のバンドギャップエネルギーを容易に実現できるアモルファスカーボン製造装置及びアモルファスカーボン製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンＣを成長させるための基材Ｂをチャンバ１１内に収容し、そのチャンバ１１内に原料ガスＧを供給し、供給した原料ガスＧのプラズマＰを生成し、生成されたプラズマＰの基材Ｂに到達する際の速度を制御してアモルファスカーボンＣの製造を行う。これにより、プラズマＰの到達速度に対応させてカーボンの結晶化及び選択的エッチング効果を生じさせることができる。このため、カーボンのｓｐ２／ｓｐ３結合比を調整することができ、所望のバンドギャップを有するアモルファスカーボンＣを容易に製造することができる。 （もっと読む）

本発明は、マイクロストリップタイプまたは中空導体ラインタイプの細長い導体を有する電場アプリケータにより発生された超高周波プラズマにより補助されることを特徴とする、大気圧下での基板上のＣＶＤのための方法に関する。本発明は、また、自動車車体部品、特にフェンダーに導電性無機膜を適用するための該方法の使用に関する。
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