【課題】 高品質なシリコン膜を高速で結晶成長させる技術を提供する。
【解決手段】 １２００℃〜１４００℃に加熱されているとともに１５００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで回転している基板６に向けて、基板の表面に直交する方向から、塩化シランガス１８を供給する。このときの塩化シランガス１８の供給量を、基板６の表面１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上とする。 （もっと読む）

【課題】反応生成物や分解物がノズル内壁に堆積するのを抑えるとともに、異物が処理室内に飛散するのを抑える。
【解決手段】
処理室と、加熱ユニットと、原料ガス供給ユニットと、原料ガスノズルと、排気ユニットと、少なくとも加熱ユニット、原料ガス供給ユニット、排気ユニットを制御する制御部と、を有し、原料ガスノズルは、処理室内の温度が原料ガスの熱分解温度よりも高い場合であっても内部で原料ガスが分解しないような処理室内の所定位置に配設され、制御部は、異なる流速で互いに混合させないよう処理室内に原料ガスを供給する処理を含むサイクルを所定回数実施させる。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーと、平行ないしほぼ平行に対向して配置され、内部に磁場発生部材６１，６２を備えている一対の成膜ロール３１，３２と、極性が反転するプラズマ電源とを備えるプラズマＣＶＤ成膜装置を用いて行われる積層体の製造方法であって、真空チャンバー内で、長尺の基材の表面の第一の部分と、基材の表面の第二の部分とが対向するように基材を成膜ロールに巻き掛けた状態で基材を搬送しながら、成膜ロールの間の成膜空間に有機珪素化合物のガスと酸素ガスを含む成膜ガスを供給し、磁場発生部材により成膜空間に磁場を発生させ、成膜ロール間にプラズマ電源により放電プラズマを発生させ、基材上に連続的に薄膜層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、膜厚分布の偏りを解消し、均一な膜厚のエピタキシャル膜を形成させることができるエピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】 基板載置台と該基板載置台に載置された基板とを回転させ、前記基板の主面上に原料ガスを流通させることにより、前記基板主面上にエピタキシャル膜を形成させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記基板載置台の回転方向の位置に応じて、膜厚制御パラメータを変化させて前記エピタキシャル膜を形成させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜よりなる薄膜と、金属含有膜との界面に存在することになる金属酸化膜の厚さを抑制することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体を収容する処理容器２２と、原料ガスを供給する原料ガス供給系５４と、反応ガスを供給する反応ガス供給系５６と、処理容器内を真空引きする真空排気系とを備えた成膜装置２０を用いて表面に金属含有膜が形成された被処理体にシリコン酸化膜の薄膜を形成する成膜方法において、真空排気系の開閉弁を閉じた状態で原料ガス供給系の開閉弁を最初は開状態にして原料ガスを一時的に供給した後に直ちに閉状態にして閉状態を所定の期間維持して原料ガスを被処理体に吸着させる吸着工程と、反応ガス供給系の開閉弁を開状態にして反応ガスを処理容器内へ供給して反応ガスを原料ガスと反応させて薄膜を形成する反応工程とを、間に間欠期間を挟んで交互に複数回繰り返すようにする。 （もっと読む）

【課題】成長条件とを駆使し、基板上への成長膜厚を均一にする方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１２０内に、支持台１１０上に載置された基板１０１が収容され、この基板１０１上に成膜するためのガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続された気相成長装置を用い、基板上に半導体層を気相成長する際に、成膜するための反応ガス及びキャリアガスの流量と濃度、チャンバ内の真空度、基板温度及び基板を回転する回転速度を制御して、半導体層の膜厚を均一にする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、高温領域において、膜中の水素濃度が極めて低く、膜厚均一性が良好な絶縁膜を形成することにある。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素含有ガスを供給することで所定元素含有層を窒化層に変化させる工程とを、その間に処理容器内に不活性ガスを供給して処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する工程を有し、所定元素含有層を形成する工程では、原料ガスを基板の側方に設けられたノズルを介して供給し、その際、そのノズルを介して原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを供給することで、基板の表面と平行方向に流れる原料ガスの流速を、処理容器内をパージする工程において基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、見た目に美しい金色の外観を有するコーティングされたガラス製品を提供することである。
【解決手段】 本発明は、ガラス製品上に酸化鉄コーティングを施す方法を定める。製品は、建築用グレイジングとして用いられるのが好ましい。上記方法には、コーティングが蒸着される表面を有する加熱ガラス基材を供給する過程が含まれる。コーティングされる表面に向けてかつその表面に沿って、フェロセン及びオキシダントが送り出され、フェロセン及びオキシダントはガラス基材の表面またはその付近で反応して酸化鉄コーティングを形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ビーム誘起堆積を用いて、極低温で基板上に材料を堆積するように改善した方法を供することである。
【解決手段】 ビーム誘起堆積を用いることによって、極低温にて基板上に材料を堆積する方法。前駆体気体が、前記基板の極低温よりも低い融点を有する化合物の群から選ばれる。好適には、前記前駆体気体は、所望の極低温にて0.5〜0.8の付着係数を有する化合物の群から選ばれる。この結果、前記前駆体気体は、前記所望の極低温にて、前記基板表面に吸着する前駆体分子と前記基板表面から脱離する前駆体気体分子との間で平衡に到達する。適切な前駆体気体は、アルカン、アルケン、又はアルキンを有して良い。-50℃〜-85℃の極低温では、ヘキサンが材料を堆積する前駆体気体として用いられて良い。-50℃〜-180℃の極低温では、プロパンが前駆体気体として用いられて良い。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロセス結果に悪影響を及ぼす処理ガス供給周期パターンを予め変更しておき、基板に対する適切な処理を行う。
【解決手段】設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板回転機構の回転周期、処理ガスの供給周期、処理ガスの供給時間及び処理ガスの供給回数を含む処理ガス供給周期パターン演算結果が、パターン演算部４２において求められる。設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板上に供給される処理ガスの供給領域の形状がシミュレータ４９によりシミュレーションされ、その結果がディスプレイ５０に表示される。比較部４３において、パターン演算部４２からの処理ガス供給周期パターンの演算結果と、記憶部４５からのプロセス結果に悪影響を与える処理ガス供給周期パターンの参照結果とが比較される。比較部４３において、処理ガス供給周期パターンの演算結果と、プロセス結果に悪影響を与える参照結果が一致した場合、アラーム部４４からアラームが発せられる。 （もっと読む）

【課題】 気相成長技術において、半導体膜の成長速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 １２００〜１４００℃に加熱されている基板の表面に、その表面に直交する方向から、塩化シランガスとキャリアガスとを含む混合原料ガスを供給する工程を有している。塩化シランガスの供給量は、基板の表面の１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上である。キャリアガスは、アルゴン、キセノン、クリプトン及びネオンから選択される少なくとも１種類以上のガスと、水素ガスとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発光の変動の影響を受け難く、信号対ノイズ比が充分で、広い波長範囲での測定を可能にするプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。
【解決手段】高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプを用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。フラッシュランプとウエハで反射された光を検出するために使用される分光器との間の光路は、スペクトルの紫外領域を実質的に伝達可能である。膜厚とエッチング速度および堆積速度とは、ソフトウェアアルゴリズムによって計算される。 （もっと読む）

【課題】均一性の高いＳｉ又はＳｉＧｅを基板表面上に堆積する方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長プロセスにおいて、輸送量制限領域又はその近傍で、薄膜の堆積を行うことを可能にする化学前駆体を利用する。このプロセスによれば、堆積速度が大きく、さらに組成的にも厚み的にも、通常の化学前駆体を用いて調整した膜より均一な膜を生成することができる。好ましい実施の形態では、トリシランを使用して、トランジスタゲート電極などの様々な用途で半導体産業において有用なＳｉ含有薄膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】成膜した膜の膜厚の面内均一性の低下を抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに膜を形成する成膜装置２において、処理容器４と、ガスを噴射するガス噴射口３４Ａ，３６Ａを有するガス供給手段２８，３０と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段１２と、保持手段をガス噴射口に対して相対的に回転又は周期的に移動させる駆動機構２１と、少なくとも１種類以上のガスの供給を行う供給期間と供給の停止を行う供給停止期間とを１回行うサイクルを複数回繰り返す時に、サイクルの繰り返し数をＰ（Ｐは２以上の自然数）として被処理体の中心から見て、Ｐ回の各サイクル毎におけるガス供給開始位置を、被処理体の１周分の周囲を任意の分割数Ｋ（Ｋ＝Ｐ）個に分割した１つ分ずつだけ被処理体の周方向へ順次移動する様に制御する制御手段４８とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化処理の面内均一性を向上させる。
【解決手段】 基板の側方に設けられたノズルから酸素含有ガスを第１の流量にて基板に向けて供給し、その際、そのノズルと同じノズルから、酸素含有ガスと一緒に不活性ガスを第１の流量よりも大きな第２の流量にて供給することで、基板の表面と平行方向に流れる酸素含有ガスの流速を、酸素含有ガスを第１の流量にて単独で流す場合における基板の表面と平行方向に流れる酸素含有ガスの流速よりも大きくする （もっと読む）

【課題】再成長層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板１１上に第一ｎ型半導体層１２ａを積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層１２ａ上に前記第一ｎ型半導体層１２ａの再成長層１２ｄと第二ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第二工程とを具備し、前記第二工程において、前記再成長層１２ｄを形成する際の基板温度を、６００℃〜９００℃の範囲とすることを特徴とする半導体発光素子１の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体基板と対向する石英ガラス管内壁面に堆積物を付着し難くすることのできる気相成長方法の提供。
【解決手段】一端部に原料ガスの供給口を備え、他端部に反応ガスの排出口を備えた管状の反応容器を水平方向に設置し、該反応容器の内部に、半導体結晶基板を主表面が水平になるように配置し、前記反応容器の外周部に配置されたランプにより加熱しながら原料ガスを水平に一方向に流して前記半導体結晶基板の主表面に所望の半導体結晶を成長させる気相成長方法において、前記原料ガスの流速を１１８ｃｍ／秒以上とする。 （もっと読む）

【課題】処理管からボートを搬出する初期段階で発生する蓋の振動を抑制する。
【解決手段】基板を載置するボートと、ボートを収納する処理管と、ボートが載置され処理管の下端に設けられた炉口を開閉する蓋と、蓋を昇降させる昇降機構と、昇降機構を駆動するモータと、処理管の下端面と蓋との間を密封する密封部材と、処理管の下端面もしくは蓋の表面から密封部材を引き離す時に生じる蓋の変形の回復期に基板がボート内の載置位置に留まるようにモータのトルクを制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）