【課題】比較的安価な前駆体材料を使用して、フロートガラス製造過程中に大気圧化学気相堆積方法によって、酸化スズ膜を速い堆積速度で形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、基材上に酸化亜鉛コーティングを堆積させるための化学気相堆積方法であって、亜鉛含有化合物を含む第１の前駆体気体流と水を含む第２の前駆体気体流とを基材の表面に送達し、前記基材の表面上で前記第１及び第２の前駆体気体流を、酸化亜鉛コーティングが前記表面上に５ｎｍ／秒よりも速い堆積速度で形成されるための十分に短い時間で混合させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フロートガラス製造ラインにおいて商業的に実現可能な成長速度で熱分解性酸化亜鉛コーティングを製造するコスト効率の良い方法はこれまでに知られていない。さらに、所望の特性を結合させたコーティングを形成するために、「オンライン」で製造されたそのような酸化亜鉛コーティングを１つ又はそれ以上のドーパント化合物でドープする能力はこれまでに実現されていない。
【解決手段】１つ以上の反応気体流を加熱されたガラス基材の表面上へ送り込むことによって形成される、低い抵抗率のドープ酸化亜鉛でコーティングされたガラス物品を製造するための大気圧化学気相堆積方法を提供する。１つ以上の反応気体流とは、特に、亜鉛含有化合物、フッ含有化合物、酸素含有化合物及びボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウムのうち少なくとも１つを含有する化合物である。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体膜の成長速度を向上させることができる気相成長装置、化合物半導体膜及びその成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０は、原料ガスＧ１と原料ガスＧ２とを混合し化合物半導体を成長するための反応管１２と、反応管１２内に挿入されており、原料ガスＧ１を反応管１２内に供給するための供給管２４と、反応管１２に接続されており、原料ガスＧ２を反応管１２内に供給するための供給管１６と、供給管２４の反応管１２内に位置する端部２６に形成された供給口２８の近くに基板Ｗを保持する基板ホルダ１４とを備える。供給管２４と反応管１２とは二重管構造を形成している。供給管２４の外壁と反応管１２の内壁との間に形成される空間ＳＰは原料ガスＧ２の流路となる。供給口２８は下流側に向かうに連れて広くなっている。供給口３０は下流側に向かうに連れて狭くなっている。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子のメタル配線において、メタル配線に直接ＨＤＰ−ＣＶＤ酸化膜を形成した場合にはメタル配線が酸化されるという問題がある。またメタル配線をＳｉ_３Ｎ_４膜で酸化防止すると配線抵抗が高くなるという問題がある。
【解決手段】 ＨＤＰ-ＣＶＤ酸化膜の成膜シーケンスにおいて、Ａｒガスを反応室内に導入した後Ｓｏｕｒｃｅ Ｐｏｗｅｒ（ＲＦ Ｐｏｗｅｒ）印加によりプラズマを励起させる。その後、キャリアガス（Ｈｅ）を反応室内に導入する。Ａｒ，Ｈｅガスのプラズマで基板を加熱した後、Ａｒガスの導入を止め、ＳｉＨ_４ガスとＯ₂ガスを同時に反応室内に導入と共に、Ｂｉｓａ Ｐｏｗｅｒをランピングしながら印加する。このように、酸素雰囲気ガスを、成膜開始前に反応室内に導入しない事により、Ｗ配線の酸化を抑制する事が可能となる。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ放電による薄膜形成方法において、膜厚均一化を達成することができる薄膜形成装置、薄膜形成方法、及びこれらを用いて得られる高機能性薄膜を提供すること。
【解決手段】薄膜の厚み、および色味、または何れかを検出する検出手段と、検出手段から検出された値に基づいて所定の値になるように制御する膜厚制御手段と、膜厚制御手段の指示により膜厚を調整する膜厚調整手段と、を有することにより放電部の間隙を長手方向と横手方向とに厳密に調整することができるので品質バラツキのない安定した薄膜を有する製品を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも固体原料を用いて超臨界成膜法により膜を形成するにあたり、その固体原料を一定速度で成膜チャンバ内に導入可能な成膜装置、並びにその原料の導入方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜チャンバと、前記固体原料を超臨界二酸化炭素に溶解させた固体原料溶液を調製する調合器と、前記調合器内に超臨界二酸化炭素を供給する第一の超臨界二酸化炭素供給ラインと、前記固体原料溶液における固体原料の濃度をモニタリングする検出器と、前記検出器で得られた固体原料の濃度をフィードバックして、前記成膜チャンバ内に導入される固体原料の導入速度が一定になるように、前記調合器から排出される固体原料溶液の流速を制御する流速調整手段と、前記調合器から排出される固体原料溶液を前記成膜チャンバ内に導入する固体原料導入ラインと、を有する成膜装置を使用する。 （もっと読む）

本発明は、金属基板への気相における化学的蒸着による、炭化クロム、チッ化クロム、または炭チッ化クロムあるいは化学的特性がクロムの化学的特性に近い金属元素を基材とする非酸化物セラミックタイプの被覆の蒸着方法であって、主として、ａ） ビス（アレン）群に属し分解温度が３００℃から５５０℃の間に含まれる、蒸着すべき金属の前駆分子化合物であって酸素原子のない溶媒に溶解された化合物を含む溶液を用意するステップと、ｂ） エアロゾルの形態の前記前駆体溶液を、溶媒の沸騰温度と前駆体の分解温度との間に含まれる温度に熱せられた蒸発装置（３）内に投入するステップと、ｃ）蒸発装置（３）およびＣＶＤ反応装置（１０）に大気圧がかかっている状態で、蒸発装置（３）の中性ガス束により、前駆体および気化エアロゾルを、被覆すべき基板を支持し前駆体の分解温度より高い温度であって最高でも５５０℃までの温度に熱せされたサセプタ（１３）を備える冷壁ＣＶＤ反応装置（１０）側に移動させるステップとを含むことを特徴とする方法を対象とする。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体エピタキシャル成長条件としての、サファイア基板のＲ面からのオフ角αとＶ／III比ρの調整
【解決手段】サファイア基板にIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させる際、Ｖ族元素の供給量とIII族元素の供給量の比であるＶ／III比を適正な値よりも小さいρ₁と大きいρ₂とで交互に行う。Ｖ／III比を適正な値よりも小さいρ₁のみで行うと、ｃ軸方向の不連続（ｍ軸方向に延びた凹部等の非平滑部）が表面に表れる（５．Ａ〜５．Ｄ）。エピタキシャル膜のＡ面内でｍ軸指向の成長が生じるからである。Ｖ／III比ρを適正な値よりも大きいρ₂のみで行うと、ｍ軸方向の不連続（ｃ軸方向に延びた凹部等の非平滑部）が表面に表れる（５．Ｅ〜５．Ｈ）。エピタキシャル膜のＡ面内でｃ軸指向の成長が生じるからである。そこでＶ／III比を当該ρ₁とρ₂とで交互に切り替える。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体エピタキシャル成長条件としての、サファイア基板のＲ面からのオフ角αとＶ／III比ρの最適化
【解決手段】サファイア基板にIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させるIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、Ｖ族元素の供給量とIII族元素の供給量の比であるＶ／III比ρと、サファイア基板のｒ軸から、オフ面の法線がｃ軸に近づく側を正として単位を度としたオフ角αとを次の式（１）の関係を満たすようにする。
【数１】
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【課題】本発明は、プラスチック製品について、被膜で表面を被覆することで、優れたガスバリア性、耐摩耗性、耐衝撃性及び耐傷性に加えて、優れた耐変形性を付与することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る被覆プラスチック製品は、プラスチック成形体の表面上に炭素原子と水素原子とを主構成原子として含む被膜が形成された被覆プラスチック製品である。被膜は、例えば、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ法の陰イオン解析において、単原子炭素のピークに対する３原子炭素のピークの強度比率（Ｃ３／Ｃ１）が０．０７以上であり、かつ、ＤＳＣ法の解析において、１４０〜１５０℃の間に発熱ピークの頂点が出現し、７０〜８０℃の間に吸熱ピークの頂点が出現する。 （もっと読む）

【課題】小型で処理効率の高いプラズマ装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ装置１は、長尺状のワーク１００を長手方向に走行させつつ、ワーク１００の被処理面１００１をプラズマにより処理するプラズマ装置であって、ワーク１００が被処理面１００１を外周側にして巻き付けられるドラム４と、ドラム４の外周面と対向して設けられた電極７と、電極７とドラム４との間に電圧を印加する高周波電源８と、電極７とドラム４との間にガスを供給するガス供給手段９とを備え、電極７とドラム４との間にガスを供給しつつ、電極７とドラム４との間に電圧を印加することにより、当該ガスを活性化してプラズマを生成させ、該プラズマによりドラム４に巻き付けられたワーク１００の被処理面１００１が処理されるよう構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハにエピタキシャル膜を成膜する成膜反応装置おいて膜厚分布を一層均一化する。
【解決手段】
反応室のガス流入口４０Bに、複数本のガス流路３６Aからそれぞれのガス流量で反応ガスが供給される。ガス流路３６Aの本数は、ガス流入口４０Bを中心で二分した片側範囲で５本以上、好ましくは、ウェハ２８の直径２００ｍｍの場合は８本程度、３００ｍｍの場合は１２本程度である。隣り合うガス流路３６A間のピッチは１０ｍｍ以上であり、好ましくは１２ｍｍから１８ｍｍ程度である。複数本のガス流路３６Aの上流には、各ガス流路３６A内のガス流速分布を均一にするための複数のスリット穴３８Aをもつバッフル３８が配置される。 （もっと読む）

基板上に酸化シリコン層を堆積する方法が記載される。方法には、堆積チャンバに基板を準備するステップと、堆積チャンバの外部で原子酸素前駆物質を生成させるステップと、原子酸素前駆物質をチャンバへ導入するステップとが含まれ得る。方法には、堆積チャンバにシリコン前駆物質を導入するステップであって、シリコン前駆物質と原子酸素前駆物質が最初にチャンバ内で混合される前記ステップが含まれ得る。シリコン前駆物質と原子酸素前駆物質が反応して、基板上に酸化シリコン層を形成する。基板上に酸化シリコン層を堆積させるシステムも記載される。 （もっと読む）

本発明は、基板上への薄膜堆積のための堆積プロセスであって、少なくとも第一、第二および第三の気相材料を含む複数の気相材料を提供する段階を有するものに関する。第一および第二の気相材料は互いと反応性があって、第一または第二の気相材料の一方が基板表面上にあるとき、第一または第二の気相材料の他方が反応して基板上に少なくとも材料の層を堆積させ、第三の気相材料は第一または第二の気相材料との反応に関しては不活性である。本プロセスは、気相材料を、基板表面に近接してその表面を横切るように、複数の細長いチャネルの長さ方向に沿って流す段階を有する。

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【課題】回転体ユニットの回転数をモニタするエンコーダの誤動作を防止することを可能とする気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】処理炉１０２と、この処理炉１０２に形成され、処理炉１０２内部に成膜用ガスを導入するガス導入口１０４と、処理炉１０２に形成され、成膜用ガスを排出するガス排気口１０６と、処理炉１０２内にありウェーハを載置するホルダー１１０と、このホルダー１１０を上面に配置する回転体ユニット１１２と、処理炉１０２下部にあり回転体ユニット１１２を回転させる回転機構部１２０と、この回転機構部１２０内にあり、回転体ユニット１１２の回転数をモニタするエンコーダ１２６と、このエンコーダ１２６内をパージするためのパージガス導入管１３２と、パージガス導入管１３２によって導入されたガスを排出するパージガス排出管１３４を備える。 （もっと読む）

【課題】より高い熱伝導率を有するＧａＮ系材料の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）法によって窒化ガリウム系材料を成長させる。この成長は、Ｈ_２ガスを含むキャリアガスＧ１と、ＧａＣｌガスＧ２と、ＮＨ_３ガスＧ３とを反応室１０に供給し、成長温度を９００（℃）以上かつ１２００（℃）以下とし、成長圧力を８．０８×１０^４（Ｐａ）以上かつ１．２１×１０^５（Ｐａ）以下とし、ＧａＣｌガスＧ２の分圧を１．０×１０^２（Ｐａ）以上かつ１．０×１０^４（Ｐａ）以下とし、ＮＨ_３ガスＧ３の分圧を９．１×１０^２（Ｐａ）以上かつ２．０×１０^４（Ｐａ）以下として実施する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されるエピタキシャル膜にパーティクルが付着することを防止する。
【解決手段】成長容器１内に配置された複数の基板７の表面に結晶を成長させるＣＶＤ装置において、原料ガスが通過する第１ガス経路９ｅと、キャリアガスが通過する第２ガス経路９ｆとを有するガス導入管９を設け、第１ガス経路９ｅには、複数の基板７のそれぞれに向かって開口している第１開口部９ａを設け、第２ガス経路９ｆには、複数の基板７における隣り合う基板７の間に向かって開口している第２開口部９ｂを設ける。第２開口部９ｂは、隣り合う基板７の間における中心位置に向かって開口させる。 （もっと読む）

【課題】Ｇａの収率を向上することができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびその方法により得られるＧａＮ結晶を提供する。
【解決手段】基板６を設置するためのサセプタ７の一主面２と、サセプタ７の一主面２と間隔をあけて対向している対向面３と、サセプタ７の一主面２と対抗面３との間の空間を仕切る側面４と、で取り囲まれた成長室１にアンモニアガスを導入するとともにＩＩＩ族塩化物ガスの噴出口８からＩＩＩ族塩化物ガスを導入することによってサセプタ７の一主面２上に設置された基板６上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる際に、サセプタ７の一主面２の面積をＳｃｍ²とし、サセプタ７の一主面２とＩＩＩ族塩化物ガスの噴出口８との距離をＬｃｍとし、成長室１に導入されるガスの標準状態での総量をＶｃｍ³／ｓとしたとき、Ｓ／Ｌ／Ｖの値を０．１ｓ／ｃｍ²以上としてＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送るためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、成長条件とを駆使し、基板上１０１への成長膜厚を均一にする方法を提供することにある。
【構成】 本発明は、チャンバ１２０内に、支持台１１０上に載置された基板１０１が収容され、この基板１０１上に成膜するためのガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続された気相成長装置を用い、基板上に半導体層を気相成長する際に、成膜するための反応ガス及びキャリアガスの流量と濃度、チャンバ内の真空度、基板温度及び基板を回転する回転速度を制御して、半導体層の膜厚を均一にすることを特徴とする。 （もっと読む）