【目的】 本発明は、成長条件とを駆使し、基板上１０１への成長膜厚を均一にする方法を提供することにある。
【構成】 本発明は、チャンバ１２０内に、支持台１１０上に載置された基板１０１が収容され、この基板１０１上に成膜するためのガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続された気相成長装置を用い、基板上に半導体層を気相成長する際に、成膜するための反応ガス及びキャリアガスの流量と濃度、チャンバ内の真空度、基板温度及び基板を回転する回転速度を制御して、半導体層の膜厚を均一にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ガス供給配管から送入されるガスを受け入れて反応室内の基板面上に、ガス流の流速バラツキを抑制して供給可能な化学的気相成長装置を提供する。
【解決手段】 ガス供給配管９０，９１から送入されるガスを受け入れて反応室内１００に搬送供給するためのガス流路構造が、送入ガス流の流速を低減させる前段部１０，２０と、減速されたガス流を拡散放出する後段部４０，４１を有し、後段部が、ガス流の流線が４５度以上屈曲する屈曲個所を２個所以上有する屈曲した平板状のガス流路空間４２〜４６を有し、少なくとも１ヶ所以上の屈曲個所においてその上流側と下流側でガス流路空間のガス流の流線に垂直な断面での断面積が拡大している。 （もっと読む）

【課題】金属ストリップ表面にTiＮ膜を被覆する際、従来に比べて原料ガスの利用効率が大幅に向上した金属ストリップ表面へのTiＮ成膜方法を提供する。
【解決手段】金属ストリップの連続処理ラインにおいて、反応炉内にチタン塩化物を含む反応性のガスを供給して金属ストリップの表面にTiＮ膜を連続的に成膜するに際し、該反応炉内に、金属ストリップの進行方向に沿って複数個のガスノズルを配置し、これら複数個のガスノズルのうち、前段からチタン塩化物を含有するガスを、一方後段からはチタン塩化物を含有しないガスをそれぞれ、金属ストリップの表面に吹き付ける。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低い窒化物系半導体基板を安価かつ生産性良く製造する方法、及び低転位密度の窒化物系半導体基板、並びに当該基板を用いて形成した発光出力の高い窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に、第１のＧａＮ層を成長速度が５００μｍ／時以下で膜厚が１０μｍ以上になるように成長させた後、第１のＧａＮ層上に、第２のＧａＮ層を成長速度が６００μｍ／時以上で成長させて窒化物系半導体基板を製造し、この基板を用いて、窒化物系半導体発光素子を作製する。 （もっと読む）

本発明は、シリコンをベースとする前駆体から出発して、蒸着により基板表面にシリコン膜を製造する方法において、使用される前記前駆体が四塩化ケイ素であることを特徴とするシリコン膜の製造方法に関する。本発明は、本発明による方法により得られた薄膜太陽電池又は結晶質シリコン薄膜太陽電池にも関する。本発明は、気相から基板上に堆積された膜を製造するための四塩化ケイ素の使用にも関する。 （もっと読む）

【課題】ワークの形態、形状、数等に係わらず、プラズマ処理によるワークの表面改質を均一かつ安定的に行う。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、電極２と、電極２の下面に形成された誘電体層３と、ワーク１００を載置すると共に電極２の対向電極としての機能を併有する金属パレット４と、金属パレット４を支持する非金属製のテーブル６と、電極２に対しワーク１００をテーブル６ごとＸ方向に移動する移動手段と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段１１とを備える。金属パレット４は、ワーク１００を挿入する複数の凹部４１を有し、金属パレット４の上面４２の凹部４１以外の箇所には、誘電体材料で構成された被覆層５が形成されている。電極２、金属パレット４間に高周波電圧を印加しつつ、ワーク１００と電極２との間にガスを供給してプラズマを発生させ、ワーク１００の被処理面１０１をプラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、アンチレフレクティブ層の堆積のための安定なプロセスを提供する。
【解決手段】 ヘリウムガスを用いてプラズマ励起シラン酸化物プロセス、プラズマ励起シランオキシナイトライドプロセス及びプラズマ励起シランナイトライドプロセスの堆積速度を下げる。また、ヘリウムはプロセスを安定化するためにも用いられ、別々の膜を堆積できるようにした。本発明はまた、プロセスパラメータを制御して、所望の光学挙動を得るための最適な屈折率、吸収率及び厚さを変化させたアンチレフレクティブ層を生成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｉｎの偏析が少なく、且つ、Ｉｎの組成比を向上させつつＩｎＧａＮ層の結晶性が高いＩｎＧａＮの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＩｎＧａＮ層の製造方法は、７００℃〜７９０℃の成長温度、３０Å／分〜９３Å／分の成長速度及び１．７６×１０^−５モル／分〜３．５３×１０^−５モル／分のトリメチルインジウムの流量の条件下でＩｎＧａＮ層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】低温でも優れたアッシング耐性を有する有機シリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】プラズマCVDにより有機シリコン酸化膜を形成する方法は、(i)基板が載置されるサセプタの温度を３００℃以下に調節する工程と、(ii)サセプタが設置されたリアクタ内に少なくともテトラエチルオルソシリケート(TEOS)及び酸素を導入する工程と、(iii)高周波RF電力及び低周波RF電力を印加する工程と、(iv)基板上に有機シリコン酸化膜を蒸着する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】上下導通タイプの窒化物系化合物半導体素子を効率的に製造することができる方法を確立する。
【解決手段】サファイア基材のＣ面からオフした主面又はサファイア基板のＲ面からｃ軸を含む面上にオフした主面を有するサファイア基板上に、少なくともＡｌを含んだ有機金属をプリフローし、少なくともＡｌを含む金属層を形成する。次いで、前記金属層上にＡｌＧａＮなる組成を有する窒化物系化合物半導体からなるバッファ層を形成し、前記バッファ層上に、窒化物系化合物半導体からなる成長基板層を形成し、前記成長基板層上に、窒化物系化合物半導体からなる機能層を形成し、前記サファイア基板と前記バッファ層とを前記金属層を介して剥離させ、少なくとも前記成長基板層及び前記機能層を含む窒化物系化合物半導体素子を得る。 （もっと読む）

【課題】 チャージアップダメージの発生を大幅に抑制することが可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器２２内に設けたプラズマ用電極３８に、プラズマ発生用電源から所定の電力を供給してプラズマを生成し、前記処理容器内に収容されている被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理方法において、前記被処理体に発生するチャージアップ電圧を抑制するために前記プラズマ処理を開始する際に、前記プラズマ用電極へ供給する電力を徐々に増加するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの降温速度を高める。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室３２と、処理室３２に水素ガスを供給する水素ガス供給装置３９と、処理室３２に窒素ガスを供給する窒素ガス供給装置８５と、処理室３２の水素ガスの濃度を検出する水素ガス濃度計４６と、排気ポンプ４２が設けられた第一排気ライン４１と、除害装置４８が設けられた第二排気ライン４７と、排気ポンプと除害装置４８を迂回したバイパス排気ライン４９とを備えたアニール装置１０において、アニール後に水素ガス濃度計４６が設定値よりも高い濃度を検出している時には第一排気ライン４１または第二排気ライン４７にて排気し、設定値以下を検出した時には第三排気ライン４９にて排気する。 （もっと読む）

【課題】比較的薄くかつ低放射率の日照調整層を物品上に生成する方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ方法は、酸化ルテニウム若しくは金属様ルテニウムコーティングを物品上に形成する方法と定義される。前記物品は、建築用ガラスとして使用することが好ましく、低放射率及び日照調整特性を有していることが好ましい。本発明に係る方法は、前記コーティングが蒸着される表面を有する加熱されたガラス基板を提供するステップを含む。ルテニウム含有前駆体、酸素含有化合物、及び随意的に水蒸気が、不活性搬送ガスと共に、前記コーティングされる表面に向けてかつその表面に沿って導き、前記ガラス基板の前記表面又はその付近で前記ルテニウム含有前駆体及び前記酸素含有化合物を反応させて酸化ルテニウムコーティングを形成する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性を犠牲にすることなく、製造コストを下げ、歩留まりよく安定して電子写真感光体を製造する。
【解決手段】反応容器100内には、複数の円筒状基体107が同一円周上に等間隔に配置されている。反応容器100内に、原料ガス導入管106から原料ガスを導入し、高周波電源109から放電電極を介して高周波電力を供給して、原料ガスを分解し、円筒状基体107上に堆積膜を形成する。成膜中、原料ガス導入管106によって囲まれる空間内に配置された非成膜ガス導入管111から、成膜に寄与しない非成膜ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】 プロセスの反応条件に拘わらず、真空ポンプの過負荷を起こすことなくプロセス容器の圧力を短時間で目標圧力に到達させることができる圧力制御を行う真空排気装置を提供する。
【解決手段】プロセスガスＧ１を導入しプロセス反応を行うプロセス容器２１のガスＧ２を排出し、プロセス容器の圧力を真空にする真空ポンプ４、５と、真空ポンプの回転速度を調整し、前記プロセス反応時のプロセス容器の圧力状態が前記プロセス反応に適した圧力状態になるよう制御する第１の制御を行う制御手段６とを備え、制御手段が、前記プロセス反応のプロセス情報に基づいて、真空ポンプの所定の回転速度を算出し、前記第１の制御の前に、真空ポンプを前記所定の回転速度にする第２の制御を行う真空排気装置２とする。 （もっと読む）

フロートガラスの製造プロセスの間に、気相がジアルキル亜鉛前駆体と少なくとも１種の酸素含有有機化合物、好ましくは酢酸エチルとを含む化学気相成長法を用いて、連続したガラスリボンの表面上に酸化亜鉛コーティングを蒸着する。フッ素やアルミニウム等のドーパントを導入して、該コーティングの導電率を上昇させてもよい。被覆ガラスは、太陽光調整低放射率窓ガラスにおいて有用である。
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断続的堆積処理において基板においてＳｉ含有膜を選択的に形成する方法を提供する。その方法は、成長表面及び非成長表面を備える段階と、塩素化シランガスのパルスに基板を同時に晒しながら、基板をＨＸガスに晒すことにより、成長表面においてＳｉ含有膜を選択的に形成する段階とを有する。Ｓｉ含有膜は、酸化物、窒化物又は酸窒化物非成長表面でなく、Ｓｉ又はＳｉＧｅ成長表面に選択的に形成されるＳｉ膜又はＳｉＧｅ膜である。
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【課題】 ＣＶＤ装置において、薄膜を形成する対象物の表面上に均一な膜厚の薄膜を形成できるようにする。
【解決手段】 センサの検出により反応ガス噴射装置の下に半導体ウェハが差し掛かった時点から反応ガス噴射装置の下から半導体ウェハが抜ける予定の時点までの間に、半導体ウェハの搬送速度を検出前より漸次高めて（符号ａ）最高速度に達して（符号ｂ）後、当該最高速度より漸次減速して（符号ｃ）、元の速度に戻る速度制御を行う。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により、長時間にわたって安定して酸化バナジウム膜を大きな成膜速度で形成する調光ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】塩素を含むバナジウム化合物と水蒸気とを含む原料ガスを基体上に供給し、バナジウム化合物（例えば塩化バナジウム、オキシ塩化バナジウム）と水蒸気とを反応させ、基体上に酸化バナジウムを主成分とする薄膜１を形成するに際し、原料ガスに塩化水素を添加する。塩化水素は、バナジウム化合物と水蒸気との反応を抑制する。基体は、例えば、ガラス板７と、ガラス板上に形成した酸化錫を主成分とする薄膜２とから構成するとよい。 （もっと読む）

半導体基材の表面の少なくとも一部を不動態化する方法であって、基材（１）を処理チャンバー（５）中に配置し、前記処理チャンバー（５）中の圧力を比較的低い値に保持し、前記基材（１）を特定の基材処理温度に保持し、前記処理チャンバー（５）上で、前記基材表面から特定の距離（Ｌ）のところに取り付けた少なくとも一個のプラズマ供給源（３）によりプラズマ（Ｐ）を発生させ、各供給源（３）により発生した前記プラズマ（Ｐ）の少なくとも一部を前記基材表面の少なくとも一部と接触させ、そして、ＳｉＯ_ｘ形成に好適な少なくとも一種の前駆物質を前記プラズマ（Ｐ）の少なくとも一部に供給することにより、少なくとも一つのＳｉＯ_ｘ層を含んでなる少なくとも一つの層を前記基材表面の少なくとも一部に形成し、少なくとも基材（１）上に形成された少なくとも一つの層にガス環境中で温度処理を行う、方法。 （もっと読む）