基板を用意する工程、該基板に堆積阻害材料を適用する工程、ここで、該堆積阻害材料は、有機化合物又はポリマーであり、そして工程（ｂ）の後又は該堆積阻害材料を適用するのと同時に、該堆積阻害材料をパターン化して、該堆積阻害材料を事実上有さない選択された基板領域を提供する工程を含んで成るパターン付き薄膜を形成するための原子層堆積法。無機薄膜材料は、該堆積阻害材料を有さない選択された該基板領域内だけに実質的に堆積される。
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封止するOLEDデバイスの表面に薄膜材料を堆積させてそのOLEDデバイスを薄膜封止パッケージするため、一連のガス流を実質的に平行な細長い出口開口部に沿った方向に向ける操作を含む方法であって、上記一連のガス流が、順番に、少なくとも1つの第1の反応性ガス材料と、不活性なパージ・ガスと、第2の反応性ガス材料を、場合によっては繰り返して含んでおり、上記第1の反応性ガス材料は、上記第2の反応性ガス材料で処理した基板の表面と反応して封止薄膜を形成することができ、上記第1の反応性ガス材料は、揮発性の有機金属前駆体化合物である方法が開示されている。この方法は、実質的に大気圧で、または大気圧よりも大きな圧力で実施され、堆積中の上記基板の温度は250℃未満である。
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本発明は、第１、第２、および第３ガス材料を含む複数のガス材料を提供することを含む、基板上への薄膜堆積を含んで成るトランジスタに使用するための亜鉛−酸化物系薄膜半導体を製造する方法に関し、第１ガス材料は、亜鉛含有揮発性材料であり、第２ガス材料は、第１又は第２のガス材料が基板の表面にある場合に、第１又は第２のガス材料のもう一方が反応して基板上に材料の層を堆積するように、第１材料との反応性を有しており、第３ガス材料は、不活性であり、そして揮発性インジウム含有化合物が、該第１反応性ガス材料又は補足ガス材料中に導入される。
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シリコン含有膜を形成する方法であって、基板を反応チャンバーに供給すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、および前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550℃以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ることを含む方法。窒化シリコン膜を調製する方法であって、シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、シリコン含有化合物を前記反応チャンバー中に導入すること、前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および窒素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に窒化シリコンの単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入することを含む方法。
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【課題】凹部が浅く扁平であるＰＳＳ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を用いた場合であっても、ＰＳＳと窒化物半導体膜との間に空洞を確実に形成することのできる、ＰＳＳ／窒化物エピウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなる低温バッファ層を、凹部の底面上と凸部の上面上とで低温バッファ層の成長速度および／またはＡｌ組成ｘが異なるように成長させる工程と、この工程に続いて窒化物半導体膜を成長させる工程とを有し、窒化物半導体膜を成長させる工程の初期において、凹部の底面上における窒化物半導体の成長速度が、凸部の上面上における窒化物半導体の成長速度よりも小さくなるように、低温バッファ層の膜厚を設定する。 （もっと読む）

（ａ）少なくとも１つの露出された表面を有する基体を準備する工程及び（ｂ）該基体の少なくとも１つの露出表面と接触状態にある大気圧プラズマの中にガス混合物を流して、基体の上にプラズマ化学蒸着皮膜を形成する工程を含んでなる、基体の露出表面上へのフィルム皮膜の蒸着方法であって、このガス混合物が酸化ガス並びにビニルアルコキシシラン、ビニルアルキルシラン、ビニルアルキルアルコキシシラン、アリルアルコキシシラン、アリルアルキルシラン、アリルアルキルアルコキシシラン、アルケニルアルコキシシラン、アルケニルアルキルシラン及びアルケニルアルキルアルコキシシランからなる群から選択された前駆体を含み、このガス混合物の酸素含有量が、１０体積％よりも大きい蒸着方法。 （もっと読む）

熱フィラメント化学気相堆積プロセスによってダイヤモンド材料が作製され、大きい膜面積、良好な成長速度、相の純粋性、小さい平均粒径、平滑な表面、および他の有用な特性が提供される。低い基材温度を使用することができる。圧力およびフィラメント温度などのプロセス変数ならびに反応物の比を制御することによって、ダイヤモンドの特性を制御することが可能になる。用途としては、MEMS、耐摩耗低摩擦コーティング、バイオセンサー、および電子機器回路が挙げられる。

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酸化シリコン膜の堆積におけるパターンローディングを改良するための方法が説明されている。上記方法は、堆積基板を堆積チャンバに提供するステップと、上記堆積基板の温度を約２５０℃〜約３２５℃の温度に調整するステップとを含んでもよい。オゾン含有ガスが、約１．５ｓｌｍ〜約３ｓｌｍの第１の流量で上記堆積チャンバに導入されてもよく、この場合、上記ガスにおけるオゾン濃度は約６重量％〜約１２重量％である。ＴＥＯＳもまた、約２５００ｍｇｍ〜約４５００ｍｇｍの第２の流量で上記堆積チャンバに導入されてもよい。上記酸化シリコン膜の堆積レートは、上記基板の堆積表面での上記オゾンおよびＴＥＯＳの反応の反応レートによってコントロールされる。 （もっと読む）

【課題】アモルファス炭素膜の成膜方法及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】液状の単一の二重結合を有する鎖状の炭化水素化合物を気化させて供給し且つイオン化させて基板上にアモルファス炭素膜を成膜し、これをハードマスク膜として用いる。前記アモルファス炭素膜は、蒸着率、エッチング選択比、屈折率（ｎ）、光吸収係数（ｋ）及びストレスなどの特性をユーザーの要求に応じて容易に調節することができ、特に、屈折率（ｎ）及び光吸収係数（ｋ）を下げることができて、下部材料層の乱反射を防ぐための反射防止膜を成膜することなく、フォトリソグラフィ工程を行うことが可能になる。また、蒸着工程時における反応副産物の発生が少なく、しかも、チャンバー内部に付着した反応副産物も除去し易くて、チャンバーのクリーニング工程周期を延ばすことができ、チャンバー付属品の交換周期も遅らせることができて時間及びコストを節減することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 付着確率の異なる粒子の混入割合を、たとえば、製膜作業と関連してリアルタイムで計測できる膜質評価装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 それぞれ第一取入口部５５あるいは第二取入口部６７を通って進入して第一水晶振動子５１あるいは第二水晶振動子６７に付着する粒子の付着量を計測する第一製膜速度計測部４５および第二製膜速度計測部４７と、第一製膜速度計測部４５の第一取入口部５５にそれを覆うように設置され、第一取入口部５５を通過する粒子の一部を付着させるフィルタ部５３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発熱体４と基板ホルダー５間を遮蔽及び開口するためのシャッター７を備えた化学蒸着装置において、シャッター７の開閉制御を最適化して成膜開始初期の膜質の劣悪性を解消する。
【解決手段】前記シャッター７が遮蔽位置にある状態で前記発熱体４への通電を開始し、前記発熱体４を所定温度まで発熱させた後、原料ガスの供給を開始すると共に、排気速度を制御して、処理容器１内を所定の圧力とし、その後前記シャッター７を開口位置へ移動させる制御部８を設ける。 （もっと読む）

【課題】薄膜を成膜するときの膜厚の均一性を良好にする。
【解決手段】水平方向で多段に積載される複数の基板７を収容する反応室６と、基板を回転させる回転機構２０と、第１と第２の処理用ガス（ＮＨ_３とＤＣＳ）を基板７の周縁部から基板７へ交互に複数回繰り返して供給するガス供給部材５１、５２であって、基板の積載方向に延在するガスノズル４２を含むガス供給部材と、反応室内を排気するガス排気部材４０とを有し、第１の処理用ガス（ＤＣＳ）が基板７に対し、先に供給される時の基板７の周縁箇所と、その次に第１の処理用ガスが供給される時の基板７の周縁箇所とが、異なる箇所になるように、処理用ガスの供給タイミング又は回転機構２０の回転速度を制御する。 （もっと読む）

有機成分を気化し、および該蒸気をマニホールド中の開口部を通じて該マニホールドから間隔をあけられた基板表面へ供給して、少なくとも二つの有機成分から構成された膜を形成する方法であって：単一の第１有機成分の第1の量を気化デバイスに供給し、そこでは該成分が気化され及び第1の所定速度で該マニホールドへ供給され；該第1有機成分を含む所定比率の有機成分混合物の或る量を輸送装置へ供給し；該輸送装置が該有機成分混合物を第2の所定速度で急速加熱領域に供給し、そこでは該混合物が気化され及び該マニホールドへ供給され；および、該有機成分を該マニホールド中で混合し、該混合気化成分が該開口部を通って該基板表面に堆積されることを可能にして、該膜を形成すること、を含んでなる方法。 （もっと読む）

【課題】異物の発生を抑制し処理の歩溜りを向上するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器とこの真空容器内の処理室下方に配置され、この処理室内を排気して減圧する排気装置とを備えて、前記処理室内に配置したウエハをこの処理室内で生成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記排気装置と前記処理室とを連通する開口の内側に配置され、所定の軸回りに回転する複数の板部材及び板部材の両端に取り付けられ、前記開口の内側壁と微小な隙間をあけて配置された複数の円板を有して、前記板部材の回転により前記排気を調節する調節器とを備えている。 （もっと読む）

【課題】膜厚の正確な予測が可能な成膜形状シミュレーション及びこれを用いた電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基体の表面に堆積種を供給することにより形成される薄膜の厚みを計算する成膜形状シミュレーション方法であって、計算に用いるパラメータを、堆積された薄膜の厚みに応じて変更することを特徴とする成膜形状シミュレーション方法が提供される。また、本発明の他の一態様によれば、上記の成膜形状シミュレーション方法により薄膜の堆積条件を求め、前記求められた条件により薄膜を堆積することを特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

本発明は、内部容器区画を形成するように構成された取外し可能な上壁部材２０、側壁部材２２、及び底壁部材２６を備えた容器４０であって、前記側壁部材２２は上壁部材２０に隣接して内部容器区画内に延びる突出部２４を有し、前記上壁部２０及び前記側壁部材２２は平らな対向表面を有し、平らな対向表面は互いに接触しておらず、平らな対向表面の少なくとも一部３０は硬化されている容器４０と、前記上壁部材２０及び前記突出部２４の硬化された平らな対向表面３０と位置合わせされ接触している金属シール１０とを備えた気相又は液相試薬分配装置に関する。この分配装置は、半導体材料及びデバイスの製造での材料の蒸着のために前駆体などの試薬の分配のために使用することができる。
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プラズマからの蒸着により基板（１４）上に非晶質材料、例えば、アモルファスシリコンの膜を形成する方法を開示している。基板は定義された容量を有する容器内に配置して、前駆ガス、例えばシラン、を各管（２０）を通じて容器内に導入している。未反応および解離ガスを容器から出口（２２）を通じて抽出し、これにより容器内を低圧にする。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴により容器内のガスにマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。前駆ガス流動速度を分散したプラズマソースの面積で割ったものとして定義している正規化した前駆ガスの流動速度は700sccm/m²以上であり、反応装置の容量を有効前駆ガスポンピング速度で割ったものとして定義しているガス滞留時間は30ms以下である。 （もっと読む）

【課題】ガスの流速を抑えるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は、スロットアンテナ３０を介してマイクロ波を透過する複数の誘電体パーツ３１０から構成された誘電体窓と、梁２６の下面に固定された複数のガスノズル２７と、所定のガスを供給するガス供給部と、誘電体窓を透過したマイクロ波により所定のガスをプラズマ化して被処理体を処理する処理室Ｕとを備えている。各誘電体パーツ３１は、第１の気孔率を有する第１のポーラス材３１Ｐｈと第１のポーラス材３１Ｐｈに連結し、第１の気孔率より低い第２の気孔率を有する第２のポーラス材３１Ｐｌと、を含んで構成される。ガス供給部は、第１のポーラス材３１Ｐｈを介して第２のポーラス材３１Ｐｌからアルゴンガスを処理室内Ｕに導入し、ガスノズル２７からシランガスを処理室内Ｕに導入する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハ中心部と周辺部の温度差を抑えながら昇温、降温し、ウェーハの反りによる欠陥の発生を抑えることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造方法は、反応室内に被処理ウェーハを保持する工程と、被処理ウェーハを所定温度に昇温する工程と、被処理ウェーハを所定温度に保持し、被処理ウェーハを回転させ、被処理ウェーハ上に反応ガスを供給して、被処理ウェーハ上に被膜を形成する工程と、被処理ウェーハを所定温度から降温する工程を備え、昇温する工程と、降温する工程において、被処理ウェーハの中心部、周辺部と、その中間部の温度を測定し、中心部と中間部との温度差に基づいて、中心部の温度を制御し、周辺部と中間部との温度差に基づいて、周辺部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】フロートガラス製造過程中に大気圧化学気相堆積（ＡＰＣＶＤ）によって高堆積速度でガリウムまたはアルミニウムドープ酸化亜鉛膜を作り、比較的安価な前駆体物質を利用し、望ましい低抵抗率特性を有する被覆ガラス物品を生産する。
【解決手段】コーティングがその上に堆積されることになる基材表面を有し、その表面が少なくとも４００℃の温度にあるような高温ガラス基材を提供することによって、低抵抗率のドープされた酸化亜鉛被覆ガラス物品が形成される。基材表面に、亜鉛含有化合物、酸素含有化合物及びアルミニウムまたはガリウム含有化合物が方向付けられる。亜鉛含有化合物と、酸素含有化合物と、アルミニウムまたはガリウム含有化合物とが、アルミニウムドープ酸化亜鉛コーティングまたはガリウムドープ酸化亜鉛コーティングが５ｎｍ／秒超の堆積速度で基材表面上に形成されるのに十分な時間の間、混合される。 （もっと読む）