【課題】複数のシャワー電極が設けられたプラズマ処理装置において、生産性を高めるとともに、プラズマ処理の均一性を維持できるようにする。
【解決手段】プラズマチャンバ２１，２２に、複数のシャワー電極６が隙間８をあけて設けられる。複数の基板４が等間隔に並べられたトレイ５が、シャワー電極６と下部電極７との間に搬送される。成膜開始時、隣り合うシャワー電極６間の隙間８の真下に基板４がくるように、トレイ５が位置決めされる。成膜中、トレイ５は隙間８の大きさに応じた搬送速度で進行方向に移動する。トレイ５は、基板４の長さよりも短い距離だけ移動する。この間に、基板４上に薄膜が形成されるが、シャワー電極７間の隙間８の真下に発生した強いプラズマ放電の影響を受ける領域が基板４上を移動するので、膜厚のばらつきが低減する。 （もっと読む）

【課題】 真空成膜装置によりコーティング膜上に無機膜を成膜する際に、無機膜の割れ／抜け等の欠陥を引き起こすコーティング膜の平滑性悪化を防止し、生産性の高い機能性フィルムの製造方法、及び製造装置を提供する。
【解決手段】
フィルムロール４０から連続的に支持体Ｂを送り出し、支持体Ｂ上にコーティング膜を成膜し、支持体Ｂをフィルムロール４２に巻き取る。次いで、フィルムロール４２を真空成膜装置２２の供給室５０にセットし、常圧から１００Ｐａまでの減圧時間が７分以上となる減圧速度で減圧し、さらに所定の真空度まで減圧する。フィルムロール４２から支持体Ｂを、供給室５０の減圧速度より速い減圧速度で所定の真空度まで減圧された真空成膜装置２２の成膜室５２に供給し、コーティング膜上に無機膜を成膜し、無機膜が成膜された支持体Ｂを、真空成膜装置２２の巻取り室５４でフィルムロール４８に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体上にＧａＮ層が形成された積層体の製造時において、ＧａＮ層の形成直後から、その表面が平滑にされたIII族窒化物積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＡｌＧａＩｎＮ層１５とＧａＮ層１６とを有し、ＡｌＧａＩｎＮ層を組成式Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮで表した場合に、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０である関係を満足するIII族窒化物積層体を製造する方法であって、ＡｌＧａＩｎＮ層１５上にＧａＮ層１６を形成する工程を有し、ＧａＮ層を形成する工程において、ＧａＮ層の成長速度が０．２〜０．６μｍ／ｈ、III族原料に対するＶ族原料のモル比を示すＶ／III比が４０００以上である。このようにすることで、Ａｌ含有率が高いＡｌＧａＩｎＮ層１５上において、ＳＫモードではなく、疑似ＦＭモードでＧａＮ層１６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易に光取出効率を向上することができる発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法を用いて、ｎ型導電性基板１上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型クラッド層４を有する発光部６と、ｐ型ＧａＰ電流分散層５と、を積層形成するＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法であって、ＧａＰ電流分散層５を形成する際に、ＧａＰ電流分散層５の表面側部で成長速度を高めることで、ＧａＰ電流分散層５の表面５ｃに凹凸を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの跳ね現象を抑え、ウェーハ上に均一に成膜を行うとともに、歩留り、生産性の低下を抑え、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造方法は、反応炉内に成膜処理されるウェーハｗを導入し、ウェーハｗが前記成膜処理時に載置される支持部材と離間するように、ウェーハを支持し、ウェーハが支持部材と離間した状態で、支持部材を所定の回転速度で回転させながら、ウェーハを予備加熱し、ウェーハを支持部材上に載置し、ウェーハを所定温度で加熱するとともに、回転させながら前記ウェーハ上にプロセスガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、接地電位に接続された真空槽１２の内壁が陽極とされ、被処理物１６が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Ｅｐが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたＣＶＤ法によって、被処理物１６の表面にＤＬＣ膜が生成される。ただし、ＤＬＣ膜が陽極としての真空槽１２の内壁に付着することで、当該真空槽１２の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽１２の内壁に代わって、アノード電極４０が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽１２内に磁界Ｅが印加されることで、プラズマ密度が増大し、ＤＬＣ膜の成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇を招くことなく、反応室内の急激な圧力変動が抑制できるようにする。
【解決手段】原料ガス供給開閉弁１０５，酸化ガス供給開閉弁１０６，およびパージガス供給開閉弁１０７は、例えば、開閉の速度を０．０１秒程度で行う高速の開閉弁である。開閉弁制御部１０９は、原料ガス供給開閉弁１０５および酸化ガス供給開閉弁１０６の開速度を、閉速度より遅くなるように制御する。原料ガス供給開閉弁１０５および酸化ガス供給開閉弁１０６は、例えば、空気圧により弁体を駆動（開）することで弁の開閉を行う。また、空気圧の制御は、電磁弁により行う。開閉弁制御部１０９は、この電磁弁に対する信号（電圧）を制御することで、各開閉弁の開速度を制御する。 （もっと読む）

本発明は、チューブの中を圧気輸送されている粒子にコーティングを堆積するための方を提供する。本方法は、入口及び出口を有するチューブを用意する段階、チューブの入口において又はその近くにおいて、粒子を運んでいるキャリアガスをチューブの中へと供給して、チューブを通る粒子の流れを作る段階、及び該粒子の流れの中の粒子との反応のために、チューブの入口から下流で少なくとも１の注入点を介してチューブの中へと自己停止する第一の反応物を注入する段階を含む。本方法は、原子層堆積及び分子層堆積に適切である。本方法を実施するための装置もまた開示されている。 （もっと読む）

【課題】表層がＴｉからなる金属配線の表面に形成される絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法
により形成された窒化ケイ素膜を用いても、金属配線と導電部材との間の接触抵抗が抑制
された電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも表層がＴｉからなる金属配線１７、１８の表面に、プラズマＣＶ
Ｄ法によって、第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを形成した後に窒化ケイ素からなる第２
の絶縁膜３７ｂないし３８ｂを形成し、第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂ及び第１の絶縁
膜３７ａないし３８ａにプラズマエッチング法によってコンタクトホール５１、５２を形
成して前記Ｔｉからなる金属配線１７、１８の表面を露出させる工程を備える電気光学装
置の製造方法であって、前記第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを、前記窒化ケイ素からな
る第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂの形成時にボール状窒化ケイ素が形成しない材料で形
成する。 （もっと読む）

ガラス製造工程中に大気化学気相堆積法によって導電性酸化チタンコーティングをガラス基板上に堆積させる方法を提供する。該方法は、加熱されたガラスリボンをフロート槽において提供するステップと、ハロゲン化された無機チタン化合物、有機酸素含有化合物、当該前駆体ガス状混合物の１０モル％以下を構成する還元ガス及び１以上の不活性キャリアガスを含む均一な前駆体ガス状混合物を準備するステップと、前記前駆体ガス状混合物を、前記前駆体ガス状混合の熱分解温度よりも低い温度で、前記加熱されたガラスリボンの近傍位置まで搬送するステップとを含む。被覆されたガラス物品は、１×１０^−２Ｓ／ｃｍを超える導電率を示す。 （もっと読む）

【課題】ロック室で被処理体に付着する異物粒子数の低減とスループットの向上を両立させる。
【解決手段】任意の開度に調整可能なバルブを設置し、制御コンピュータによって減圧速度を自動的に調整できるようにした。 （もっと読む）

本発明は、プラズマチャンバシステム内で基材上に微結晶シリコンを堆積するための方法であって、プラズマチャンバシステムが、プラズマ開始前には、少なくとも１種の反応性のシリコン含有ガスと水素を、または水素だけを含むステップ、プラズマを開始するステップ、プラズマ開始後、チャンバシステムに連続的に反応性のシリコン含有ガスだけを供給するか、またはプラズマ開始後、チャンバシステムに連続的に反応性のシリコン含有ガスおよび水素を含む少なくとも１種の混合物を供給し、その際、チャンバ内に供給する際の反応性のシリコン含有ガスの濃度を０．５％超に調整するステップ、およびプラズマ出力を、０．１〜２．５Ｗ／ｃｍ^２電極面の間に調整するステップ、０．５ｎｍ／ｓ超の堆積速度を選択し、かつ微結晶層を基材上に１０００ナノメートル未満の厚さで堆積するステップ、を含む方法に関する。 （もっと読む）

原子層成膜（ＡＬＤ）法を用いて、二酸化チタンのような金属酸化物の薄膜バリア層（１００）を基板（１１０）上に成膜する。チタン酸化物バリアをＡＬＤにより約１００℃未満の温度で成膜する場合に、優れたバリア層特性を達成することができる。１００オングストローム未満の厚さで、約０．０１ｇ／ｍ^２／日未満の水蒸気透過速度を有するバリアおよびかかるバリアの製造方法が開示されている。 （もっと読む）

水素化シリコン系半導体合金は、１０^１６ｃｍ^−３未満の欠陥密度を有する。その合金は、水素化シリコン合金または水素化シリコンゲルマニウム合金を含み得る。合金の水素含有量は、一般に１５％未満であり、或る例では１１％未満である。その合金を組入れたタンデム光発電装置は、低いレベルの光劣化を示す。或る例では、その材料は高速ＶＨＦ堆積プロセスで作製される。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良く、抵抗率が十分に低く、Ｍｇのドーピング効率が０．３％より大きいｐ型窒化物半導体層を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板上に、ＩＩＩ族原料として有機金属化合物、Ｖ族原料としてアンモニアとヒドラジン誘導体、及びｐ型不純物原料としてＭｇ原料ガスを用いて、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型窒化物半導体層）を形成する。この際に、ＩＩＩ族原料、Ｖ族原料及びｐ型不純物原料を含む原料ガスの流速を０．２ｍ／ｓｅｃより大きくする。これにより、結晶性が良く、抵抗率が十分に低く、Ｍｇのドーピング効率が０．３％より大きいｐ型窒化物半導体層を有する窒化物半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】複数の反応ガスの混合を防止し、基板の搬入出を確実に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内で第１及び第２の反応ガスを供給して薄膜を成膜する成膜装置において、回転テーブル２と、回転テーブル２の周縁から回転中心に向け設けられる第１の反応ガス供給部３１及び第２の反応ガス供給部３２と、その間に設けられる第１の分離ガス供給部４１、４２と、第１の反応ガス供給部３１を含み第１の高さＨ１を有する第１の空間Ｐ１と、第２の反応ガス供給部３２を含み第２の高さＨ２を有する第２の空間Ｐ２と、第１の分離ガス供給部４１を含みＨ１及びＨ２より低く設けられる第３の空間Ｄと、回転テーブル２の回転位置を検知する位置検知手段８と、回転テーブル２の周縁に設けられ、位置検知手段８によって検知される被検知部２５とを備えることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】有機材料の表面にプラズマＣＶＤによってガスバリア膜を形成する際に、目的とするガスバリア性を有するガスバリア膜を、安定して形成することを可能にする。
【解決手段】第１のプラズマ放電圧力でガスバリア膜を形成し、その後、前記第１のプラズマ放電圧力よりも低圧力の第２のプラズマ放電圧力でガスバリア膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）２５０℃〜４５０℃の範囲内の第１の低成長温度及び１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）上記第１の低成長温度よりも高い第２の低成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、（ｃ）高成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第２の単結晶層上に第３の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）低成長温度かつ１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）高成長温度かつ上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法において、成膜原料として用いるシラン化合物として、反応性基として水素原子又はアルコキシ基を有すると共に、分子中には２個以上のケイ素原子を含有し、かつ２個以上のケイ素原子は飽和炭化水素基を介して結合され、かつ、アルコキシ基に含まれる炭素原子を除いた炭素原子数［Ｃ］とＳｉ原子数［Ｓｉ］の比［Ｃ］／［Ｓｉ］が３以上であり、全てのケイ素原子は２以上の炭素原子と直接の結合を有するシラン化合物を用いるプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法。
【効果】有効な成膜速度が得られると共に、膜の疎水性の確保と、ケイ素原子の求核反応に対する反応性の抑制を同時に達成することができ、膜の化学的安定性を確保することができる。 （もっと読む）