【課題】 真空圧力センサの異常、反応炉のリーク、配管のつまり等のシステムにおける異常を早期に検知することができる真空圧力制御システムを提供すること。
【解決手段】 ポテンショメータ１８を介して取得される真空比例開閉弁１６のバルブ開度が予め設定された設定値Ｘ１に到達したときに（Ｓ２２：ＹＥＳ）、圧力センサ１４，１５を介して取得される反応室１０の真空圧力が予め設定された設定値Ｘ２よりも大きい場合（Ｓ２４：ＮＯ）、真空圧力センサの異常、反応炉のリーク、配管のつまり等のシステムにおける異常が発生していると判断し異常時処理を行う（Ｓ２５）。そして、設定値Ｘ１，Ｘ２は、真空圧力センサの異常、反応炉のリーク、配管のつまり等の各異常を適切に検出することができるように実験などにより予め求めておく。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中に浮遊するダストが基体に付着して形成される構造欠陥を低減し、プラズマ処理による製造物の歩留まりの向上を図ること。
【解決手段】少なくとも一部が誘電体で形成された減圧可能な反応容器と、反応容器内に円筒状基体を設置する複数の基体支持体と、円筒状基体を加熱する基体加熱手段と、反応容器内にガスを供給するガス供給手段と、反応容器内を排気する排気手段と、反応容器の外側に設置された複数の高周波電極によって反応容器内に供給したガスのプラズマを生成するための高周波電力供給手段を備えたプラズマ処理装置において、反応容器の底面に前記排気手段を接続する排気口を設け、少なくとも排気口の周囲を冷却する冷却手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバの高さを一定に保つための手段を提案すること。
【解決手段】リアクタ筐体（１）内に配置されたプロセスチャンバ（２）を備え、プロセスチャンバ（２）が、プロセスチャンバステージ（７）と、プロセスチャンバステージ（７）から距離（ｈ）離れて配置されたプロセスチャンバデッキ（６）とを有し、リアクタ筐体（１）が、少なくとも、リアクタ筐体（１）内の圧力の変化によって僅かに弾性的に変形可能なリアクタ壁（３、４）を有し、リアクタ壁（３、４）が、機能エレメント（９、１０）が突き出る同心円状の開口（１７、１８）を有し、機能エレメント（９、１０）が、第１の部分（９’、１０’）でプロセスチャンバ壁（６、７）に強固に連結され、リアクタ筐体（１）の外の第２の部分（９’’、１０’’）を有し、機能エレメント（９、１０）が、弾性的な隙間を形成可能にリアクタ壁（３、４）に連結されるように構成される。 （もっと読む）

反応炉が基板処理用の反応チャンバを画定する。反応炉には第１反応物質を反応チャンバへ提供するための第１取込口および第２反応物質を反応チャンバへ提供するための第２取込口が含まれる。第１排気口はガスを反応チャンバから取り除く。第２排気口もガスを反応チャンバから取り除く。流れ制御装置が第１および第２排気口を通じて流れを交互に閉塞するように構成される。反応チャンバはこの反応チャンバ内の拡散障壁用に構成される。
（もっと読む）

【課題】 マイクロ波の放射特性をより精密に制御することにより、被処理体の半径方向及び周方向における処理の制御性を高める。
【解決手段】 マイクロ波を放射する為の複数のスロット３３が設けられた面２３を有する環状導波路１３を有するマイクロ波供給器及びそれを用いたプラズマ処理装置において、環状導波路１３の中心Ｃ１に対してスロット３の中心Ｃ２、Ｃ５が前記面に沿った方向に偏って配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 減圧処理室から未反応の原料ガスや反応副生成物ガスを排気するための真空ポンプの安定稼動を保証するとともに、反応副生成物を効率良く回収して資源の有効利用およびランニングコストの低減をはかること。
【解決手段】 この減圧ＣＶＤ装置は、減圧ＣＶＤ法によって銅の成膜を行うための処理室１０と、この処理室１０に原料ガスとして有機銅化合物たとえばＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳを供給するための原料ガス供給部１２と、処理室１０を真空引きして排気するための真空排気部１４とで構成されている。真空排気部１４は、真空ポンプ２６と、その前段および後段にそれぞれ設けられた高温トラップ装置２８および低温トラップ装置３０とで構成されている。高温トラップ装置２８では処理室１０からの排気ガスに含まれている未反応のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳが分解して金属銅がトラップされ、低温トラップ装置３０では反応副生成物のＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2がトラップされる。 （もっと読む）