【課題】表面処理におけるローディング効果を防止する表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１の第１ノズル部３０に、反応性ガスを噴出する第１噴出口３１と、ガスを吸引する第１吸引口３２とを左右（第１方向）に離して形成する。移動手段２０によって被処理物Ｗを第１ノズル部３０に対し第１方向に相対移動させる。被処理物Ｗの相対移動される位置を挟んで第１ノズル部３０と上下（第２方向）に対向するように、第２ノズル部４０を配置する。第２ノズル部４０には、第１ノズル部３０と第２ノズル部４０との間のガスを吸引する第２吸引口４２を形成し、この第２吸引口４２を第１噴出口３１と第２方向に対向させる。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの種類の切替え時間を短縮する。
【解決手段】基板処理装置１００は、基板２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に設けられる基板２００と対向して設けられ多数のガス供給孔２４０から処理ガスを供給するためのガス供給部２３６ａ，２３６ｂと、ガス供給部２３６ａ，２３６ｂ内に処理ガスを導入するガス導入口２３４，２３５と、処理室２０１に連通する排気口２３０と、ガス供給部２３６ａ，２３６ｂに連通する排気口３０５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理ガスが系外へ漏洩、拡散するのを防止又は抑制できる表面処理装置を提供する。
【解決手段】ノズル部の被処理物Ｗと対面する面３３に、処理ガスを噴出する噴出口３１と、吸引口３４を開口形成する。吸引口３４における噴出口３１側とは反対側の縁を、噴出口３１側の縁より上側（対面方向の逆側）に引っ込ませ、吸引口３４より外側の第２面部分３３ｂを、吸引口３４と噴出口３１の間の第１面部分３３ａより上側（対面方向の逆側）に引っ込ませる。 （もっと読む）

【課題】
処理対象の試料の異物による汚染の発生を抑制して処理の効率を向上させた真空処理装置または真空処理方法を提供する。
【解決手段】
減圧された内部で基板状の被処理物が処理される処理室と、被処理物を処理装置内に搬入または搬出する導入室と、内部が減圧されて前記処理室と導入室との間で前記被処理物を受渡しする搬送室とを備えた真空処理装置であって、前記搬送室と前記処理室との間に配置された中間室と、前記搬送室，中間室，処理室の各々の間に配置され内部に前記被処理物が搬送される開口を有した接続部と、これら接続部の各々の前記開口を気密に開閉する弁と、前記中間室の圧力を前記搬送室及び処理室とは独立に調節可能な圧力調節手段とを備えた。 （もっと読む）

【課題】処理チェンバーにワークを搬入・搬出する操作を効率化し、ワークの処理効率を向上させる処理装置および処理方法を提供する。
【解決手段】第１の給排口と第２の給排口とが設けられた処理チェンバー１０を備える処理装置であって、前記第１の給排口を介してワーク３０を給排する操作を行う第１の搬送機構と、前記第２の給排口を介してワーク３０を給排する操作を行う第２の搬送機構と、前記第１の搬送機構により搬入されて処理されたワーク３０ａを前記第２の搬送機構に受け渡し、前記第２の搬送機構により搬入されて処理されたワーク３２ａを第１の搬送機構に受け渡す交換手段と、前記第１の搬送機構と第２の搬送機構を駆動し、前記第１の給排口と前記第２の給排口から交互に未処理のワークを前記処理チェンバーに供給して処理する制御部２２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安価で排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを防止できる減圧装置を提供する。
【解決手段】本減圧装置は真空チャンバ内を減圧する排気機構を備えた減圧装置において、排気機構は一端が真空チャンバに連通し、他端が真空ポンプに連通する主排気路と、この主排気路に設けた第１の開閉弁と、一端が主排気路を介してあるいは直接真空チャンバに連通し、他端が主排気路を介してあるいは直接真空ポンプに連通するスロー排気路と、このスロー排気路にこのスロー排気路壁と間隔を設けて配され、円筒形状の無機材料質多孔体からなる無機材料質多孔体と、スロー排気路に設けた第２の開閉弁を備える。 （もっと読む）

【課題】他の処理チャンバからの汚染をもたらさず、スループットを低下させずに各処理チャンバで処理を行うことができる真空処理システムを提供すること。
【解決手段】真空処理システム１は、ウエハＷを搬送する第１の搬送室１１にＰＶＤ処理チャンバ１２〜１５を接続してなる第１の処理部２と、ウエハを搬送する第２の搬送室２１にＣＶＤ処理チャンバ２２，２３を接続してなる第２の処理部と、第１の搬送室１１および第２の搬送室１２の間にゲートバルブＧを介して設けられ、ウエハＷを収容し、かつ圧力調整可能なバッファ室５ａと、バッファ室５ａが第１の搬送室１１および第２の搬送室１２のいずれか一方に対して選択的に連通し、その内部の圧力が連通した搬送室内の圧力と適合するようにゲートバルブＧの開閉およびバッファ室５ａの圧力を制御する制御部１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板装入工程または／および基板引出工程時に、反応室内からパーティクルを有効に排除する。
【解決手段】少なくとも一枚の基板を反応室に装入する工程と、前記反応室内に反応ガスを導入し、前記反応室内を排気して、前記基板を処理する工程と、処理後の基板を前記反応室より引き出す工程とを有し、前記基板を装入する工程または／および基板を引き出す工程では、前記反応室内に不活性ガスを導入しつつ前記基板を処理する工程における排気流量よりも大きな排気流量にて前記反応室内を排気することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を、長時間に渡って安定して形成することができる堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】基体１１２が設置される減圧可能な反応容器１１１と、該反応容器内を減圧可能とする排気手段とを含み、基体１１２上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置である。上記排気手段は、排気部を介して反応容器１１１と接続されている。該排気部は、反応容器１１１の側壁の開口部を覆って取り付けられ、基体１１２の長手方向に沿って配列する複数の穴が形成された排気筒取付板１４５と、前記複数の穴にそれぞれ設けられた複数の排気筒１４６−１〜１４６−６とを有する。さらに排気部は、堆積膜形成時にそれら排気筒のコンダクタンスを調整する手段１４７を有している。 （もっと読む）

【課題】フィルムの両面に均一かつ高品質な薄膜を安定して形成できる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】搬送室３には成膜室５ａおよび５ｂが連接し、それぞれ真空ポンプ９ａないし９ｃにて減圧される。搬送室３内には巻出しドラム１３から巻取りドラム３１までのフィルム１５の搬送系が作られている。巻出しドラム１３から巻取りドラム３１の間には、フィルム１５を加熱する加熱手段１７ａないし１７ｆと、フィルム１５の片面に薄膜を形成する第１の成膜手段２５ａと、フィルム１５の他面に薄膜を形成する第２の成膜手段２５ｂが設けられている。巻出しドラム１３で巻き出され、両面に薄膜が形成されて、巻取りドラム３１で巻取られるまで、フィルム１５は減圧条件化におかれ、大気に触れることは無い。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生や排気ラインの目詰まりの発生を抑制してメンテナンスの回数を低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を収容するとともに、ウエハ２００に所望の薄膜を形成するための処理ガスが流通してウエハ２００を処理する処理管２０３と、前記処理ガスまたは処理管２０３内のクリーニング用のガスを処理管２０３内に供給するガス供給ラインと、処理管２０３の雰囲気を下流領域Ｃから排気する排気管２３１と、下流領域Ｃの温度を調節するヒータ２６０等と、排気ライン２３１の温度を調節するヒータ２６２等と、を備える。コントローラ２８０は、ヒータ２６０等とヒータ２６２等とを制御することにより、処理管２０３内に前記処理ガスが供給される時と前記クリーニング用のガスが供給される時において、下流領域Ｃおよび排気管２３１の温度を異ならせる。 （もっと読む）

【課題】排気ラインから処理室へのガスの逆流による基板処理への悪影響を抑制し、良好な基板処理を実現する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、処理室２０１と、Ｏ_３ガスを生成するＯ_３発生装置３００と、Ｏ_３発生装置３００でされたＯ_３ガスを供給するために用いられる第１ガス供給管２３２ａと、第１ガス供給管２３２ａから分岐し、Ｏ_３ガスを排気するために用いられる排気ライン３０２と、第１供給ライン２３２ａに設けられたバルブＶ２と、排気ライン３０２に設けられた逆止弁３０４と、逆止弁３０４よりも排気方向上流側の圧力を測定する圧力ＳＷ３０６と、逆止弁３０４よりも排気方向下流側の圧力計３１０と、圧力ＳＷ３０６のの検出値と圧力計３１０の検出値との差圧が、しきい値を超えたときに、基板処理を中断又は停止させるコントローラ２８０とを有する。 （もっと読む）

【課題】水分量が１ＰＰＢ以下というこれまで実現しえなかった環境下での脱水を行うことができ、これにより、脱水時間を顕著に短縮し、残留水分を低減化する顕著な効果が得られ、また、極めて水の少ない環境下で半導体装置の製造を行い、半導体装置に不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる処理システムを提供する。
【解決手段】酸素分子排出時に電圧印加をＯＮにし、酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備えるガス中の水分量を１ＰＰＢ以下に生成する極低水分ガス生成装置と、その極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が１ＰＰＢ以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と、を備える処理システムとした。 （もっと読む）

【課題】ウエハの品質歩留まりの向上を図ることができる薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供することを目的としている。
【解決手段】成膜ガスのガス流をよぎる方向の搬送路に沿ってウエハを搬送しつつ、前記搬送路の両側方から前記ガス流を吸い込むこと。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス等の製造に用いるCVD装置の真空系におけるドライポンプとメカニカルブースターポンプの間に反応性生物がたまり、それが急激にドライポンプに移動することによって起こるドライポンプの運転のトラブルを回避することによって、半導体集積回路装置の製造プロセスの安定化を図る。
【解決手段】半導体デバイス等の製造に用いるCVD装置の真空系におけるドライポンプとメカニカルブースターポンプの間に反応性生物をその下部内面にトラップする中間室を設けるとともに、ドライポンプのインレット・パイプの上端を中間室内の高い位置まで挿入する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの処理室内への侵入を防止することができる排気ポンプ、連通管及び排気システムを提供する。
【解決手段】基板処理装置１０はチャンバ１１を備え、チャンバ１１にはＴＭＰ１８が接続され、ＴＭＰ１８は、複数の回転翼群と、円筒状の本体３７の上側、すなわち最上の回転翼群よりもチャンバ１１側に配置される円筒状の吸気部４０と、該吸気部４０内に配置され、チャンバ１１側から吸気部４０を眺めたときに、上記最上の回転翼群を遮蔽する遮蔽装置４１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 シール部材の長寿命化を達成することができる開閉バルブを提供すること。
【解決手段】内部を真空に保持可能なチャンバー１１と、排気装置５３、５４との間に設けられる開閉バルブ１００であって、チャンバー１１側と排気装置５３、５４側とを連通する開口１１１を備えた弁本体１１０と、弁本体１１０内にあって開口１１１に接離して開口を開閉する弁体１２０と、弁体１２０に設けられ弁体１２０が開口１１１を閉じた際に開口１１１をシールするシール部材１２０ｂと、弁体を進退させる直進移動手段１４０と、開口１１１から離隔した位置に設けられ、開口１１１から離反した弁体１２０が退避する弁退避部１１３ｂと、弁体１２０を、開口１１１に対応する位置と弁退避部１１３ｂに対応する位置との間で回動させる回動手段１５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】異物の発生を抑制し処理の歩溜りを向上するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器とこの真空容器内の処理室下方に配置され、この処理室内を排気して減圧する排気装置とを備えて、前記処理室内に配置したウエハをこの処理室内で生成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記排気装置と前記処理室とを連通する開口の内側に配置され、所定の軸回りに回転する複数の板部材及び板部材の両端に取り付けられ、前記開口の内側壁と微小な隙間をあけて配置された複数の円板を有して、前記板部材の回転により前記排気を調節する調節器とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 大面積の機能性堆積膜を均一に形成することが可能な装置を提供できる。特に、良好な特性の電子写真感光体を安価に生産性よく製造する装置を提供する。
【解決手段】 真空気密可能な反応容器に、少なくとも原料ガス導入手段と、高周波電力導入手段と、基体と、該反応室を排気する排気手段に接続された排気口と、を有する堆積膜形成装置において、前記排気口と排気手段とを接続する排気配管が金属材料からなり、該排気配管の排気口側に第１の絶縁部材を設け、かつ、排気配管の排気手段側に第2の絶縁部材を設け、前記第1及び第2の絶縁部材で挟まれた排気配管が、電気的に非接地であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 機能性堆積膜の形成といった基体処理において、未反応ガスや副生成物等を含んだ排気ガスを排気する際の排気配管の閉塞が大幅に低減され、かつ、エッチングの際に効果的に除去され、効率良く本来の処理を行うことができる堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】 真空気密可能な反応容器に第１の絶縁部材を介して金属材料からなる排気配管を接続し、該排気配管を第２の絶縁部材を介して排気手段に接続する。そして、反応容器内で成膜を行う場合には、該排気配管を電気的に非接地とした状態で行い、反応容器内をドライエッチングする際には、該排気配管を電気的に接地した状態で行うことを特徴とする。 （もっと読む）