【課題】低い真空雰囲気下で用いられる真空ポンプの故障を防止することが可能なレシピの作成装置を提供する。
【解決手段】被処理体を収容する処理容器と、被処理体を保持する保持手段と、ガス導入手段と、ガス導入手段に接続された複数のガス供給ラインを有するガス供給手段と、真空ポンプを有する真空排気系とを備えた処理装置を用いて処理を施すために複数の処理ステップを含むレシピの作成装置において、ガス供給ライン毎に流すガスのガス流量を仮ガス流量として入力する入力部と、各仮ガス流量を各処理ステップ毎に合算して仮の総和ガス流量を求めるガス流量合算部と、仮の総和ガス流量と予め定められた真空ポンプの許容値とを比較して仮の総和ガス流量を受け入れるか否かを判断する比較判断部と、比較判断部の結果によって受け入れた仮の総和ガス流量を含むレシピを実行可能なレシピとして記憶するレシピ記憶部とを備える。 （もっと読む）

【課題】流路壁面に固形膜が形成されるのを防止して清掃についての負担を大幅に軽減し、半導体製造装置の稼働率を向上させる。
【解決手段】弁装置の固定部に固定部用ヒータ３１を設けると共に固定部用温度センサ３２を設け、弁装置の可動部に可動部用ヒータを設けると共に可動部用温度センサを設け、前記固定部用温度センサの温度検知信号を温度制御装置に対して出力するとともに、前記固定部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電し、前記可動部用温度センサの温度検知信号を前記温度制御装置に対して出力するとともに、前記可動部用ヒータに前記温度制御装置からの制御により通電する半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】ガス種に対応した複数のガス排気ラインに対して複数の反応室から排気ガスを切り換えて排気する場合に、ガス排気ラインに対する排気ガスの誤誘導を防ぎ、ガス排気ラインの切り換えにおいて、ガス真空ポンプの背圧上昇によるポンプの停止を回避する。
【解決手段】ガス排気ライン切り換え機構は、複数の反応室の各反応室をそれぞれ排気する複数の真空ポンプを、反応室から排気される排気ガスに含まれるガス種に対応した複数のガス排気ラインに切り換えて接続する。真空ポンプと各ガス排気ラインとの間に複数の開閉バルブを接続し、開閉バルブの上流側に不活性ガスを導入自在とし、不活性ガスを導入した開閉バルブにおいて、真空ポンプ側の圧力をガス排気ライン側の圧力よりも高圧とする圧力勾配を形成する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内を真空引きする技術を提供する。
【解決手段】 真空引き装置１０は、チャンバ３０と、チャンバ３０内を脱気する真空ポンプ６０と、チャンバ３０内にマイクロ波を照射するマイクロ波照射装置５０を備えている。チャンバ３０は、半導体ウエハ２０を収容する収容部４０を備えている。また、チャンバ３０は、マイクロ波を透過するとともに、気密性、及び耐圧性に優れた素材で形成されている。この真空引き装置１０では、収容部４０を真空引きする際に、真空ポンプ６０を用いて収容部４０内を脱気するとともに、収容部４０にマイクロ波を照射する。これによって、収容部４０内の水分子が水蒸気化し、収容部４０内に存在する水蒸気が真空ポンプ６０によって脱気される。収容部４０にマイクロ波を照射することで、半導体ウエハ２０に無用な熱履歴を与えることなく、チャンバ３０内を短時間で高真空化することができる。 （もっと読む）

【課題】ロック室で被処理体に付着する異物粒子数の低減とスループットの向上を両立させる。
【解決手段】任意の開度に調整可能なバルブを設置し、制御コンピュータによって減圧速度を自動的に調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】適正に脱ガス処理を行うことができる真空処理装置の脱ガス装置、真空処理装置の脱ガス方法および真空処理装置を提供することである。
【解決手段】ワークＷを処理する真空チャンバ２が真空配管３２を介して真空吸引装置３１に接続された真空処理装置１に組み込まれ、真空吸引装置３１と協働して、真空処理装置１の装置内部に吸着した吸着ガスを除去する真空処理装置１の脱ガス装置であって、吸着ガスを除去するためのキャリアガスのキャリアガス源１６に連通し、キャリアガスを加熱して真空チャンバ２に供給する加熱ガス供給装置１２と、真空吸引装置３１の上流側近傍の真空配管３２に介設され、真空吸引装置３１に吸引されるキャリアガスを冷却するガス冷却装置３３と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置に機能に影響を及ぼすことなく、脱ガス機能を簡単に附加することができる真空処理装置の脱ガス処理装置および真空処理装置を提供することである。
【解決手段】ワークＷを処理する真空チャンバ２に接続され、真空チャンバ２の内部に吸着した吸着ガスを除去する真空処理装置１の脱ガス処理装置６であって、吸着ガスを除去するためのキャリアガスのキャリアガス源３６に連通し、キャリアガスを加熱して真空チャンバ２に供給する加熱ガス供給装置２１と、吸着ガスと反応した後のキャリアガスを、真空チャンバ２から吸引し処理するガス処理装置２２と、加熱ガス供給装置２１と真空チャンバ２とを接続するガス供給配管２３と、真空チャンバ２とガス処理装置２２とを接続するガス排気配管２４と、を備えたものである。 （もっと読む）

本発明は、装置チャージ−ディスチャージロック内の圧力を大気圧から大気圧より低い移送圧力に下げるための方法に関し、前記ロックは、少なくとも１つの基板が大気圧で配置されるチャンバを備え、前記方法は、ポンピングレートが限定されている一次ポンプを使用して、前記チャンバのターボ分子ポンピングを隔離しながら大気圧から第１の特性閾値への第１の一次ポンピングが実行される第１のステップ１０１と、ターボ分子ポンピングの隔離を維持しながら前記第１のステップの場合より速く第２の特性閾値への第２の一次ポンピングが実行される、前記第１のステップ１０１に続く第２のステップ１０２と、第１のポンピングから上流で前記ターボ分子ポンピングを使用して第２のポンピングが実行され、一次ポンプチャンバが隔離される、前記第２のステップ１０２に続く第３のステップ１０３とを備える。本発明はまた、本方法を実装するための装置に関する。
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【課題】排気配管内等で原料ガス同士が反応して、その生成物が排気配管の内壁等に付着するのを確実に、装置コストやメンテナンスの負荷を増大させることなく防止する。
【解決手段】反応容器１０１内に配置された基板Ｗに対して第１の原料ガスと第２の原料ガスとを交互に供給して基板Ｗ表面に第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応生成物の膜を形成する成膜装置であって、ガス供給口１０２、１０３及びガス排出口１０８、１０９を有し、内部に基板Ｗが配置される反応容器１０１と、ガス供給口１０２、１０３に接続され、反応容器１０１内に第１及び第２の原料ガスを供給するガス供給系と、ガス排出口１０８、１０９に接続され、反応容器１０１内から第１及び第２の原料ガスを排出するガス排出系と、ガス排出口１０９近傍に設けられた、第１の原料ガス及び第２の原料ガスの少なくとも一方を分解するガス分解部１１４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板に製膜される膜の厚さを効果的かつ効率的に均一にすることができる製膜装置の膜厚調整方法を提供することを目的とする。
【解決手段】コンベア７によって搬送される基板３に製膜される膜の原料ガスを吹き付けるノズル３９を有するインジェクタ３５と、外側に形成される前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７に案内されて吹き付けられた原料ガスを基板３とインジェクタ３５との間から排気する前後一対の排気流路３７と、前後一対の排気流路３７を流れる流体間のバランスを測定する圧力差測定部５３と、圧力差測定部５３が測定したバランスが所定の範囲に収まるように前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量を調整する制御部４９と、が備えられている。 （もっと読む）

【課題】パージ・システムを有する化学物質デリバリー・システムを提供する。
【解決手段】中レベル真空源、ハード真空源および／または液体フラッシュ・システム（５０６）の種々の組合せを用いるパージ技術を用いた化学物質デリバリー・システム（５００）。また、化学物質デリバリー・システムを加熱するヒータ・システムを備え得る化学物質デリバリー・システムも開示される。 （もっと読む）

【課題】一つの排気路（主排気路）のみ有する減圧装置にも適用でき、排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを抑制できる減圧排気弁及びこの減圧排気弁を含む減圧排気機構を用いた減圧装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる減圧排気弁１０は、一端が真空チャンバ２に連通し、他端が真空ポンプ３に連通する排気路５中に取付けられる減圧排気弁１０において、前記減圧排気弁１０が、前記排気路５に接続される管部１１と、前記管部内に収容された、前記排気路５を開閉する開閉弁１２と、前記開閉弁１２に設けられた、通気孔を有する多孔質体部１３と、前記開閉弁１２の上流側または下流側の排気路中に設けられ、排気路５の遮蔽面積が可変となされた遮蔽量調整部１０Ｂとを備える （もっと読む）

【課題】一つの排気路（主排気路）のみ有する減圧装置にも適用でき、排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを抑制できる減圧排気弁及びこの減圧排気弁を含む減圧排気機構を用いた減圧装置を提供する。
【解決手段】一端が真空チャンバ２に連通し、他端が真空ポンプ４に連通する排気路５中に取付けられる減圧排気弁１０において、前記排気路５に接続された管部１１と、前記管部１１内に対し進退自在に設けられ、前記排気路５を開閉する開閉弁２０と、前記開閉弁２０に設けられ、通気孔を有する多孔質体部２２とを備え、前記開閉弁２０の進退動作による前記排気路５の開状態と閉状態との間に、前記多孔質体部２２を介して前記真空チャンバ２と前記真空ポンプ４とが連通する状態を有する。 （もっと読む）

【課題】一つの排気路（主排気路）のみ有する減圧装置にも適用でき、排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを抑制できる減圧排気弁及びこの減圧排気弁を含む減圧排気機構を用いた減圧装置を提供する。
【解決手段】減圧排気弁１０は、一端が真空チャンバに連通し、他端が真空ポンプに連通する排気路中に取付けられる。この減圧排気弁１０は、バルブ本体１１と、前記バルブ本体１１内に回動可能に収容され、内部に形成された連通孔が少なくとも３つに分岐されると共に、その一つの連通孔に通気孔を有する多孔質体１３が配置されたボール弁体１２とにより構成されている。前記バルブ本体内におけるボール弁体の回動位置に応じて、前記減圧排気弁１０は、閉弁状態、前記多孔質体を介した開弁状態、前記多孔質体を介さない開弁状態が選択できるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】大気雰囲気中におけるプラズマ処理において、大気と混合すると有害な気体を反応ガスとして使用した場合においても、該反応ガスを外部雰囲気である大気と混合させることなく排気可能な、安全性に優れた大気圧プラズマ処理装置を得ること。
【解決手段】大気圧雰囲気中において被処理部材を保持する保持部と電極との間隙に電界を発生させた状態で該間隙に反応ガスを供給してプラズマ流を生成する大気圧プラズマ処理装置であって、電極の外周に電極を囲って設けられた排気流路を有し、該排気流路を介して、電極と被処理面との間隙のガスを排気する排気部と、排気流路の外周に電極を囲って設けられた不活性ガスの供給路を有し、該不活性ガスの供給路を介して、保持部における被処理面側に向けて不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を有し、排気部における排気流量が反応ガスの供給流量より大であり、不活性ガスの供給流量が排気流量よりも大である。 （もっと読む）

【課題】反応生成物の付着を抑制し得る真空ポンプの運転方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】吸気口３０と排気口３４とを有するケーシング２２と、吸気口と排気口との間のケーシングの内部空間３６内に設けられたロータ３８と、ロータを回転させるモータ４４とを有する真空ポンプ２２の運転方法であって、加熱されたパージガスを、内部空間に達する孔４６を介して内部空間内に導入しながら運転を行う。 （もっと読む）

【課題】ガス供給系の構造の簡素化、コスト削減を図ることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】各々基板載置領域を含む複数の下部材２と、これら下部材２に夫々対向して設けられ、前記基板載置領域との間に処理空間２０を形成する複数の上部材２２と、前記上部材２２及び下部材２の組により形成される複数の処理空間２０に対して共通化された処理ガス供給機構４と、この処理ガス供給機構４から共通のガス供給路を介して分岐された複数の分岐路３４と、前記共通のガス供給路の下流端に設けられ、当該ガス供給路の断面積よりも大きい断面積を有し、その下流側に前記複数の分岐路が接続された拡散室３３と、前記処理空間２０を真空排気するための真空排気手段６４と、を備えるように真空処理装置を構成することで、処理空間２０毎にガス供給機構４を設ける必要をなくし、ガス供給系の構造を簡素化し、装置の製造コストを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】真空容器内の回転テーブルに基板を回転方向に並べて載置し、また互いに反応する複数の反応ガスの処理領域をこの基板の回転方向に沿って形成し、回転テーブルを回転させてこれらの複数の処理領域に基板を順番に通過させて反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板へのガス流を一定化して面内及び面間において膜厚が均一及び膜質が均質且つ良好な薄膜を得ること。
【解決手段】夫々の反応ガスの処理領域から各々の反応ガスを排気する排気路を個別に設けると共にこれらの処理領域の間に分離領域を設けて、基板へのガス流が一定化するように、これらの排気路から排気するガス流量比及び真空容器内の圧力を調整する。 （もっと読む）

【課題】 バイパス配管の下流側に専用の真空ポンプを設けることなく、バイパス配管からガス排気系へと排気された処理ガスの処理室内への逆拡散を抑制する。
【解決手段】 基板を収容する処理室と、基板を処理する処理ガスを処理ガス源から処理室内へ供給するガス供給系と、処理室内の雰囲気を排気するガス排気系と、ガス排気系に直列に設けられた少なくとも２つの真空ポンプと、ガス供給系とガス排気系とを処理室を介さずに接続するバイパス配管と、を含み、真空ポンプの内、ガス排気系を流れるガスの最上流側に位置する真空ポンプはメカニカルブースタポンプであって、バイパス配管は、メカニカルブースタポンプとその下流に位置する真空ポンプとの間の位置に接続される。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の製造において反応容器内の圧力を、１つで調整することができ、圧力の調整範囲が広く、かつ反応容器内における異物の舞い上がりを防止することのできる半導体素子製造用の圧力調整弁およびこれを備える半導体素子製造装置を提供することである。
【解決手段】 半導体素子製造用の圧力制御弁２１は、筒体３３と、弁体３４と、弁体駆動部３７とを含んで構成される。筒体３３は、内部に筒体３３内空間が形成され、開口部３６と弁座３５とを有する。開口部３６は、外部空間に開口する。弁体３４の変位方向Ｚに垂直な断面の形状は、円形に形成され、弁体３４は、筒体３３内空間から弁座３５に向かって先細状に形成される。弁体３４の弁座３５側の先端における直径は、弁座３５に形成される弁口の内径よりも小さく設定される。弁体駆動部３７は、弁体３４を変位方向Ｚに変位させる。 （もっと読む）