【課題】弁開度を実用領域で使用する際に処理空間の雰囲気を載置台の周囲に均等に分散させて排気することができる処理装置を提供する。
【解決手段】底部に排気口５０を有して真空引き可能になされた処理容器４２と、被処理体Ｗを載置するために処理容器内に設けられた載置台４４と、排気口に連結されると共にスライド式の弁体９４により弁口９８の開口領域の面積を変えることができる圧力制御弁８８と、圧力制御弁に接続された排気系９０と、を備えて被処理体に対して所定のプロセス圧力下にて所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、圧力制御弁の弁開度の実用領域によって形成される開口領域内に前記載置台の中心軸が位置するように圧力制御弁を偏心させて設ける。 （もっと読む）

少なくとも１つの処理すべきウエハ(5)を受け入れるように構成されたプロセスチャンバ(2)を備えたプロセスアセンブリ(1)において、このプロセスアセンブリ(1)がさらに、処理中にプロセスチャンバ(2)内の圧力を低圧範囲内に維持するための、上記プロセスチャンバ(2)に流体接続可能なポンプ(3)を設けられ、上記プロセスアセンブリ(1)は、上記圧力を比較的高圧、例えば大気圧から上記低圧範囲まで低下させるための、上記プロセスチャンバ(2)に流体接続可能な第２ポンプ(4)を設けられ、上記プロセスチャンバ(2)内のガス流量は、上記圧力の低下中に一定値を有する。本発明はさらに、こうしたプロセスアセンブリ(1)内でウエハ(5)を処理する方法に関するものである。
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【課題】加熱チャンバーにより加熱された基板の温度を均一に保持しつつ大気圧から真空に移行させることができるロードロックチャンバーを備えた真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置１におけるロードロックチャンバー２０は、その内部空間を所定温度に保持するための保熱手段２３を備える。この保熱手段２３は、基板が収容される内部空間を形成し且つ該内部空間における対流の発生を実質的に防止又は抑制するように配置された複数のヒータパネル２３ａ〜２３ｃからなる。このような構成により、上記の内部空間Ｓにおいて対流が発生しにくくなるので、ロードロックチャンバー２０内に搬入されてきた基板２の温度を均一に保持しつつ大気圧から真空に移行させることができる。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、高性能半導体素子を安定して且つ高い歩留まりで作製することが可能な真空排気装置、半導体製造装置及び真空処理方法を提供することを目的とする。
【構成】 ターボ分子ポンプ１０３と該ターボ分子ポンプの排気側に接続された補助ポンプ１０５とから構成され、ターボ分子ポンプ１０３と前記補助ポンプ１０５との間に所定のガスを導入するためのガス導入部１１４を設け、該導入部から所定のガスを導入しながら、真空室１０１の内部を排気する構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、プロセスガスがプロセス室内に導入され且つ真空加工システムの排気路を通して排出される、真空加工システムに関する。排気ガスによって形成される堆積物は、堆積物の影響を受ける装置の上流にて反応性気体を導入することにより減少し又は解消する。影響を受けた装置の上流及び下流にて排出された気体成分の気相濃度を測定し、また、これらの測定値から、影響を受けた装置上の堆積物にて成分が消費されているかどうかを決定することにより導入された反応性気体の量が制御される。 （もっと読む）

本発明は、ＡＬＤ反応器のための装填装置に関し、ＡＬＤ反応器は、第１の端壁部（６）と、後部フランジを備える第２の端壁部（２０）と、第１の端壁部と第２の端壁部とを連結する側壁部／ケーシング（２２）とを有する真空チャンバ（２）、ならびに真空チャンバ（２）の内部に提供される反応チャンバ（４）を備える。本発明によれば、装填装置は、真空チャンバ（２）の側壁部／ケーシング（２２）内に提供され、その場合、１つまたはそれ以上の基板（１０）が、真空チャンバ（２）の側壁部（２２）を介して、反応チャンバ（４）内に案内され得る、およびそこから除去され得る。 （もっと読む）

本発明はプロセス流量及びターボ分子ポンプにより真空化される真空プロセス室内の圧力を制御するための装置及び方法である。ポンプとプロセス室との間のスロットル弁は圧力及び流量を規制するように制御される。ポンプの下流側の支援弁はまた好ましい安定した作動範囲内でのスロットル弁の設定を維持するように制御される。 （もっと読む）

【課題】ガスをポンピングする方法、特に、水素のような軽量ガス及び凝縮性化学種を含むガス流をポンピングする方法を提供する。
【解決手段】凝縮性化学種と軽量ガスとを含有するガス流をポンピングする方法及びそのための装置。本方法は、吸気段と吸気段の下流側の排気段とを含む多段真空ポンプにガス流を搬送する段階、及び軽量ガスよりも重いパージガスを吸気段の上流側又は吸気段でガス流に付加して、排気段から吸気段に向って軽量ガスが移動するのを抑制すると共に、ポンプ内の凝縮性化学種の凝縮を抑制する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 プロセスの反応条件に拘わらず、真空ポンプの過負荷を起こすことなくプロセス容器の圧力を短時間で目標圧力に到達させることができる圧力制御を行う真空排気装置を提供する。
【解決手段】プロセスガスＧ１を導入しプロセス反応を行うプロセス容器２１のガスＧ２を排出し、プロセス容器の圧力を真空にする真空ポンプ４、５と、真空ポンプの回転速度を調整し、前記プロセス反応時のプロセス容器の圧力状態が前記プロセス反応に適した圧力状態になるよう制御する第１の制御を行う制御手段６とを備え、制御手段が、前記プロセス反応のプロセス情報に基づいて、真空ポンプの所定の回転速度を算出し、前記第１の制御の前に、真空ポンプを前記所定の回転速度にする第２の制御を行う真空排気装置２とする。 （もっと読む）

【課題】 真空処理室への水分の混入を確実に防止することが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】 真空処理室１０とロードロック室２０との間には、それぞれ弁体３１ａ，３１ｂを有するゲートバルブ３０ａ，３０ｂが二重に配備されている。また、ロードロック室２０には、コンダクタンスの異なる３本の排気管２１，２２，２３が接続されており、それぞれ開閉弁６２，６３，６４を介して真空ポンプ６０に接続されている。また、ロードロック室２０の内部にＮ_２ガスを導入するＮ_２ガス供給源２６も接続されている。 （もっと読む）

【課題】 圧力を支配している排気速度を小さくしてオイルバック防止ガスの流量を節減できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】 ＣＶＤ装置に用いられる真空チャンバ１０に真空配管１１を接続し、その真空配管１１に二段油回転ポンプ１２を接続し、その二段油回転ポンプ１２の吸込側の真空配管１１に不活性ガスを供給するオイルバック防止ガス供給配管１５を接続し、上記二段油回転ポンプ１２をインバータ装置１６で駆動し、スタンバイ状態のとき、オイルバック防止ガス供給配管１５から不活性ガスを供給しつつインバータ装置１６で二段油回転ポンプ１２の能力を下げて運転する。 （もっと読む）

【課題】待機運転中の異物の処理室への逆流を防止する。
【解決手段】 ウエハにＣＶＤ膜を形成する工程は、大気圧状態でウエハ２０が処理室４に搬入される搬入ステップと、処理室４がシールキャップ１０で閉じられて処理室４に原料ガスが導入管９から供給されてウエハ２０に成膜される成膜処理ステップと、大気圧下でシールキャップ１０が開かれ処理済みウエハ２０が処理室４から搬出される搬出ステップと、処理室４がシャッタ３２で気密に閉じられ処理室４が排気口７、排気管１２、１４、真空ポンプ１１で減圧排気されつつ窒素ガスが導入管９から供給される待機ステップとを備えている。待機ステップにおいて処理室を減圧排気しつつ窒素ガスを供給することで、排気口や排気管に付着ないし吸着した異物が処理室に逆流するのを防止できるため、逆流した異物のウエハへの再付着等の弊害を未然に防止できる。
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【課題】待機室内に設置された昇降台の気密室の気密シールを維持する。
【解決手段】ウエハ１群をボート１３に保持して処理する処理室１９と、処理室１９の真下でボート１３が待機する待機室１２と、待機室１２の外部に設置されボート１３を処理室１９に搬入搬出するボートエレベータ２４と、待機室１２内に配されボート１３を支持する昇降台３７と、待機室１２に挿通され昇降台３７とボートエレベータ２４とを連結する昇降シャフト３２とを具備したバッチ式熱処理装置１０において、ヘリウムガス供給ライン５５に接続されたチューブ５４を昇降シャフト３２から昇降台３７の気密室３７ｄに挿入し、待機室１２を排気する排気管５７にヘリウムガスディテクタ５８を設置する。昇降台の気密室内に供給した時の排気管を流通するヘリウムガスをヘリウムガスディテクタによって検出することにより、昇降台の気密室のリークをチェックする。 （もっと読む）

【課題】プラズマを発生させない場合であってもクリーニングの終点を検出することができる基板処理装置、基板処理装置のクリーニングの終点検出方法を提供する。
【解決手段】 成膜装置１は、チャンバ２内を排気するターボ分子ポンプ６３を備えている。ターボ分子ポンプ６３のケーシング６４の近傍には、ケーシング６４から発生する音波の強度を測定するマイクロフォン８１が配設されている。マイクロフォン８１には、アンプ８２及びバンドパスフィルタ８３を介して終点検出器８４が電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理チャンバーのアイソレーションバルブの周囲のプラズマ漏洩を防止する方法及び装置を提供する。
【解決手段】このバルブを接地するための方法及び装置が提供される。一般に、この方法は、導電性エラストマー部材を使用してチャンバーアイソレーションバルブ及び／又はアイソレーションバルブドアを効果的に接地しながら、処理システムの可動部品間の金属対金属接触を回避する。一実施形態では、エラストマー部材は、このバルブのドアに取り付けられて電気的に連通する。エラストマー部材は、ドアが閉位置にあるときにプラズマ処理システムの接地された要素に接触させられる。別の実施形態では、導電性エラストマー部材は、アイソレーションバルブの突っ張り部材に取り付けられ、この突っ張り部材が基板処理中にアイソレーションバルブドアを位置保持するように配置されたときにプラズマ処理システムの接地された要素に接触させられる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、新規な構造の電力導入機構を開発し、摺動部を介して電力を安定して供給できる真空処理装置を提供することを目的とする。また、長寿命の電力導入機構を備えた真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 真空室の内部に回転可能に設けられた基板ホルダと、該基板ホルダと回転軸を同じくする回転体の外周に設けられた、該回転体の回転機構と、電力導入用電源から前記回転体を介して前記基板ホルダに電力を導入する電力導入機構と、を備えた真空処理装置であって、前記電力導入機構は、前記回転体外周に取り付けられた第１の環状部材と、前記電力導入用電源と接続され、端面が前記第１の環状部材の端面と摺動するように配置された第２の環状部材と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

メッシュ反応部（３８）を有する二次反応室（３１）及び加熱アセンブリ（３４）が、ＣＶＤ反応室（１４）と真空ポンプ（１６）との間のフォアライン（１２）に配置され、すべての未反応前駆反応物を混合し且つ反応させることによって、未反応前駆反応物が、真空ポンプに到達して損傷を与える前に排出流体から除去される。 （もっと読む）

【課題】 構造自体を簡単化して小型化及び低コスト化を実現でき、しかも、動作の信頼性を高く維持することが可能なゲートバルブ装置を提供する。
【解決手段】 被処理体Ｗに対して所定の処理を施すための処理チャンバ４Ａ〜４Ｄの搬出入口３７に取り付けられて、真空状態の搬送室６側から前記被処理体を通過させると共に前記搬出入口を開閉するゲートバルブ装置１２Ａ〜１２Ｄにおいて、搬出入口を開閉するように着座可能になされた弁体５２と、弁体の両端部に、搬出入口に対する弁体の押圧方向に沿って設けられる弁体支持ロッド５４と、弁体支持ロッドに連結されて弁体支持ロッドに対して直交する方向への駆動力を弁体支持ロッドの弁体の押圧方向への推進力と弁体を回転する方向への回転力とに時系列的に変換するためのカム機構５６とにより構成する。 （もっと読む）

【課題】 ゲートバルブにおいて弁座と弁体の接触にもとづく発塵を防止する。
【解決手段】 開口部１０の周囲に形成された弁座３との間にＯリング５を挟み込むことで開口部１０を塞ぐことが可能な弁体４と、弁座３と弁体４との接触を防止する接触防止手段とを備える。接触防止手段は、弁座３と弁体４とにそれぞれ設けられて互いに反発力を作用させるマグネット６ａ、６ｂであることが好適であり、あるいは、弁体４における弁座３に面する側の角部において傾斜面が弁座に向かうように形成された傾斜部２０であることが好適であり、あるいは、弁体４を弁座３から遠ざかる方向に押圧する弾性体２０であることが好適である。 （もっと読む）

【課題】 処理チャンバ内部の寸法を小さくせずに、外形寸法の拡大を抑え、かつ重量の軽減を図る。
【解決手段】 真空チャンバ１０の本体１０ａの長手方向の側壁６１ａ，６１ｂの壁厚Ｌ_１は、側壁６２ａ，６２ｂの壁厚Ｌ_２に比べて小さく形成され、蓋体１０ｂの上部側壁６３ａ，６３ｂの壁厚は、上部側壁６４ａ，６４ｂの壁厚に比べて小さく形成されている。使用時には、側壁６１ａ，６１ｂおよび上部側壁６４ａ，６４ｂの強度を補うため、補強板９０ａ〜９０ｄが着脱可能に外付けされる。 （もっと読む）