【課題】 処理チャンバ内部の寸法を小さくせずに、外形寸法の拡大を抑え、かつ重量の軽減を図る。
【解決手段】 真空チャンバ１０の本体１０ａの長手方向の側壁６１ａ，６１ｂの壁厚Ｌ_１は、側壁６２ａ，６２ｂの壁厚Ｌ_２に比べて小さく形成され、蓋体１０ｂの上部側壁６３ａ，６３ｂの壁厚は、上部側壁６４ａ，６４ｂの壁厚に比べて小さく形成されている。使用時には、側壁６１ａ，６１ｂおよび上部側壁６４ａ，６４ｂの強度を補うため、補強板９０ａ〜９０ｄが着脱可能に外付けされる。 （もっと読む）

【課題】到達真空度を確保しつつ、膜生成用ガスが真空ポンプの回転軸やベアリングに与える影響を防止または抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室と、前記処理室内に所望の膜生成用ガスを供給する供給手段と、前記処理室内の雰囲気を排出する真空ポンプ２、３とを備える基板処理装置であって、複数の膜生成用ガスを互いに前記処理室内にて混合させることなく、前記処理室に対しそれぞれ交互に供給、排出している少なくとも膜堆積工程の間は、前記膜生成用ガスを使用しないその他の工程の時と比べ、前記真空ポンプ２、３の回転軸１７、１８へ供給する不活性ガスの量を増加させる。 （もっと読む）

【課題】基板に照射するレーザ光をデフォーカス光とし、基板から漏れたレーザ光を吸収するために、真空チャンバ内で基板の背後に水冷ヒートシンクを設けた、レーザによる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１内に基板２を取り付け、真空チャンバ１の外部から真空チャンバ１の窓４を通して、高出力半導体レーザ光９を直接照射または均熱板を介して基板２に照射して加熱し、基板２上に膜を形成する成膜装置において、基板２に照射するレーザ光９をデフォーカス光とし、基板２から漏れたレーザ光を吸収するために、真空チャンバ１内で基板２の背後に水冷ヒートシンク１１を設けたことを特徴とする。上記ヒートシンク１１は基板２のサイズと同等以上の穴を有している。 （もっと読む）

【課題】基板に照射するレーザ光をデフォーカス光とし、基板から漏れたレーザ光を反射し基板に照射するために、真空チャンバ内で基板の背後に曲面形状を有する全反射コーティングしたリフレクターを設けた、レーザによる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１の外部から真空チャンバ１の窓４を通して、高出力半導体レーザ光９を基板２に直接または均熱板を介して基板２に照射して加熱し、基板２上に膜を形成する成膜装置において、基板２に照射するレーザ光９をデフォーカス光とし、基板２から漏れたレーザ光９を反射し基板２に照射するために、真空チャンバ１内で基板２の背後に曲面形状を有する全反射コーティングしたリフレクター１１を設けたことを特徴とする。上記リフレクター１１の反射光が基板２の所望の位置に照射できるように、上記リフレクター１１の位置並びに曲率の調整ができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ上への微粒子などの異物の付着を防止し、半導体装置の製造歩留りを向上する。
【解決手段】 真空ポンプ８ａと接続された処理室２と、真空ポンプ８ｂおよびマスフローコントローラ９と接続された搬送室４と、処理室２−搬送室４間のゲートバルブ３ａとを備えるプラズマＣＶＤ装置１において、搬送室４の圧力をマスフローコントローラ９からの不活性ガスで制御し、処理室２の圧力より搬送室４の圧力を高くした後、ゲートバルブ３ａを開ける。 （もっと読む）

【課題】 複数の真空処理室あるいは真空処理容器とこれらに共通の搬送室を備えた真空処理装置であって、メンテナンスや機器の取り付け、取り外しといった作業が容易な真空処理装置を提供する。
【解決手段】 多角形の搬送チャンバの隣合う辺に取付けられた２つの真空容器と、前記各真空容器に接続された真空排気装置と、前記２つの真空容器及び前記真空排気装置の下方に各々配置されたステージと、前記各ステージと前記各真空容器との間に各々配置された複数の支持柱を有し、これら各支持柱のうちの１本は前記２つの真空容器間の狭隘部に配置され、前記２つの真空容器と前記２つのステージとに連結され、前記支持柱のうち他の複数の支持柱が前記真空容器の下方にそれぞれ配置されかつ前記真空排気装置を挟んで対応する側に配置された真空処理装置。 （もっと読む）

【課題】 有機物の基板への付着を防いだ良質な薄膜を提供する。
【解決手段】 基板１を処理室１２に導入し処理する際，２段のロードロック室１０，１１を介して導入する。１段目のロードロック室１０は大気圧のまま不活性ガス雰囲気に置換する。２段目のロードロック室１１は，ベーキングヒータ２０を有している。内壁に有機物５が付着した状態で減圧すると，内壁の有機物５が脱離し基板１を汚染するが，有機物５の付着していない２段目のロードロック室１１内で減圧することにより，基板１への有機物５の付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】 膜厚等の再現性に優れ、かつ欠陥や転位の存在しない薄膜を、高い成膜速度を確保しつつ基板に形成可能な真空成膜装置および薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 真空成膜装置１１０は、内部を減圧可能な真空チャンバー４と、真空チャンバー４の内部に配置され基板６ａを保持するサセプター１と、所定のギャップ９を隔ててサセプター１の基板６ａを保持する面に対向して、真空チャンバー４の内部に配置される対向部材２と、サセプター１を誘導加熱する加熱手段３と、真空チャンバー４の内部への原料ガス供給用のガス供給口７と、真空チャンバー４の内部のガスを排気するためのガス排気口４ｃと、を備え、サセプター１から基板６ａに熱伝導に基づく熱が伝熱され、ガス供給口７を通過した原料ガスは、サセプター１の周囲からその中心部に向かってギャップ９を流れる。 （もっと読む）

【課題】 欠陥や転位の存在しない薄膜を基板に安定して形成可能な真空成膜装置および薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 真空成膜装置１１０は、減圧状態の内部を有する真空チャンバー４と、真空チャンバー４の内部に配置され、基板を保持するサセプター１と、基板を挟み所定のギャップＰを隔ててサセプター１に対向して、真空チャンバー４の内部に配置される対向部材２と、サセプター１を誘導加熱する加熱手段３と、真空チャンバーの内部に原料ガスを供給するためのガス供給口４ｃと、真空チャンバーの内部のガスを排気するためのガス排気口と、を備え、サセプター１の基板を保持する面が下方を向いており、対向部材２が所定のギャップＰを隔ててサセプター１の下方に配置されている。 （もっと読む）

【課題】排気時間を短縮することで成膜速度が向上できるようにする。
【解決手段】原料ガスの供給を停止し、排気機構１０４及び成膜室排気機構１１０を動作させた状態で、ガス供給機構１０８により例えばＡｒや窒素などのパージガスが成膜部１０２の内部に供給された状態とする。このことにより、成膜部１０２の内部と、この外部の真空チャンバー１０１内との間に大きな圧力差を発生させ、成膜部１０２の内部の圧力が外部の圧力より大きい状態とし、蓋１０５より成膜部１０２が離間して成膜部１０２の内部が真空チャンバー１０１の内部と連通した状態とする。 （もっと読む）

【課題】ゲートバルブを用いることなく簡素な構造により、固定空間を複数の処理を行える個別空間に区分する機能を備えると共に、ダストや付着物のメンテナンスを大気開放することなく行える真空薄膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０５を搬送するトレー１０４に、トレー仕切り板２０１と、容器側仕切り板２０２とトレー防着板３０１を備え、搬送により真空容器１０１を個別空間に区分することにより、各処理源１０２の付近の空間を容易な構造で処理空間２０３を形成することが可能となる。 （もっと読む）

サセプタに装着された多数の基板上に薄膜を形成するための反応チャンバを有する薄膜蒸着装置及びこれを用いる薄膜蒸着方法を開示する。この装置は、外部から反応チャンバの内部に、反応ガスを含む多数のガスを供給するガス供給手段、ガス供給手段から供給されるガスを工程目的に合うように分配して噴射するガス分配手段、ガス分配手段から分配されたそれぞれのガスを区画して収容し、ガスを滞留させる多数の反応セルを備えるガス滞留手段、ガス滞留手段を回転駆動させることにより、それぞれの反応セルで滞留するガスを基板に順次接触させる回転駆動手段、及び前記ガス滞留手段により滞留するガスを反応チャンバの外部に吸引するガス排出手段を含む。

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本発明は両立できないガスを収容する多数の真空処理室を真空化するための装置及び方法である。ガスはプレコンディショニング装置を収容する大気中より低い除去室へ導かれる。ガスは除去室において両立できるように処理される。次いで、両立できるようになったガスは単一のストリーム６として除去室から支援ポンプを通して引き出される。 （もっと読む）

【課題】真空容器１全体としての材料コストの低減を図る。
【解決手段】 容器本体３は、内部が真空ポンプ５に接続可能であって、容器本体３の一側に開口部７が形成され、容器本体３に開口部７を開閉する蓋部材９が着脱可能に設けられ、蓋部材９に、真空ポンプ５の排気作動によって容器本体３の内部を真空状態にしたときに、大気圧による外力を容器本体３の内側から受けるサポート部材１７が設けられたこと。 （もっと読む）

【課題】 圧力の制御性を低下させることなく圧力差の大きく異なる複数の処理を行なうことを可能とする真空装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバーと該真空チャンバーにガスを供給する手段と該真空チャンバーを排気する排気手段とを有する真空装置において、前記排気手段は、第一の圧力で処理を行なうための第一の排気手段１２４と第二の圧力で処理を行なうための第二の排気手段１２６とを有し、第二の圧力で処理を行なう際には第一の排気手段１２４は停止させ、かつ第一の排気手段１２４を通して真空チャンバーを排気することが可能なように第二の排気手段１２６が第一の排気手段１２４より下流に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

基板処理装置はチャンバと、処理モジュールの略リニアなアレイと、基板移送部と、駆動システムとを有している。該チャンバは外部雰囲気から分離されることが可能である。該アレイの各処理モジュールはチャンバに連絡自在に結合されており、よって基板がチャンバと処理モジュールとの間で移送されることを可能にする。該基板移送はチャンバ内に位置しており、移動自在にそれに支持されている。移送部はチャンバによって画定されるリニア経路に沿って移動可能であり、基板を処理モジュール群の間で移送する。駆動システムはチャンバに結合されており、移送部を駆動してリニア経路に沿って移動せしめる。チャンバは順に当接する選択可能な数量のチャンバモジュールからなり、よってチャンバを画定する。各モジュールは駆動システムの一体部分を有している。
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【課題】真空ポンプが故障しても処理室の汚染を防止または抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１と、処理室２０１にガスを供給するガス供給手段２３２ａ，２３２ｂと、処理室２０１に連通する排気配管２３１と、排気配管２３１に設けられた開閉バルブ２４３ｄと、開閉バルブ２４３ｄより下流側にて排気配管２４３ｄに連通するポンプ２４６と、少なくとも開閉バルブ２４３ｄ、ポンプ２４６を制御するコントローラー３２１とを有し、ポンプ２４６に異常な状態が発生した場合は、ポンプ２４６の停止に先立ち、開閉バルブ２４３ｄを閉じるようにする。 （もっと読む）

【課題】 生産性を向上させるとともに、省スペース化した真空処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を真空処理する真空処理室１３０と、基板を載置して搬送する基板キャリア１２と、基板を大気側と真空側間とで搬入、搬出する予備室１２０Ａ、１２０Ｂとを具備した真空処理装置において、予備室１２０Ａ、１２０Ｂと真空処理室１３０間に、基板キャリア１２を搬出入させる基板キャリアスライド室３０を設けるとともに、この基板キャリアスライド室３０は、基板キャリア１２を滞在させる最小限の２対のレール３２Ａ、３２Ｂを有し、これらのレール３２Ａ、３２Ｂを予備室１２０Ａ、１２０Ｂ、又は、真空処理室１３０に基板キャリア１２を搬出入する位置に制御する位置制御機構を備える構成とした。
この場合位置制御機構は、ボールネジ３４Ａ、３４Ｂと直動ガイド４０とで構成すると良い。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンス時には十分なスペースを確保してメンテナンス作業を容易に行えるとともに、小スペース内に設置することを可能とするスリムな基板処理装置を提供する。
【解決手段】 粗引きポンプ１５、第１の処理室１２Ａ、第２の処理室１２Ｂ等を搭載した第１のキャビネット１０と、電源部や制御部等を搭載した第２のキャビネット２０とが電源ケーブルおよび信号ケーブルを介して連結されている。第２のキャビネット２０の空きスペースＳ内に第１のキャビネット１０を収納した収納状態に設定すると基板処理装置１をスリム化することができる。また第１のキャビネット１０と第２のキャビネット２０とを分離させた分離状態に設定すると、十分なスペースを確保することが可能となるため第１のキャビネット１０に搭載された各種機器のメンテナンス作業を容易とすることができる。 （もっと読む）

プロセスツールからの排気流体流を処理するための低コストの装置を開示する。一実施形態では、装置は、緩和装置(12)と、緩和装置(12)を少なくとも部分的に排気する液体リングポンプ(14)とを有している。使用中、緩和装置(12)は、排気流体流の１つ以上の成分、例えばＦ₄又はＰＦＣを、環境に対する有害性の低い１つ以上の液体溶解性成分、例えばＨＦに変換する。液体リングポンプ(14)は、排気流体流及び液体を受入れ、液体と排気ガス流の液体溶解性成分とからなる溶液を排出する。かくして、液体リングポンプ(14)は、ウェットスクラバ及び大気圧真空圧送段の両方の作用を行う。
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