【課題】基板の裏面に凹部を有する場合においても、ドライエッチング加工における面内のエッチングレートを制御し、パターン精度に優れたテンプレートの製造装置及びテンプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、真空容器と、電極と、調整体と、を含むテンプレートの製造装置が提供される。前記真空容器は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能とされている。前記真空容器は、反応性ガスの導入口と排気口とを有する。前記電極は、前記真空容器の内部に設けられ、高周波電圧が印加される。前記調整体は、絶縁体を主成分とする。前記調整体は、前記電極の上に載置される基板の前記電極の側の面に設けられた凹部に挿入される。 （もっと読む）

【課題】固体表面に存在する数１０ｎｍ〜１００μｍ程度の周期の表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減する。
【解決手段】固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす角度を照射角度とし、固体とこの固体に衝突したクラスターとが相互作用する距離が飛躍的な増大に転じる照射角度を臨界角として、予め固体表面の形状データを取得する過程と、臨界角以上の照射角度で固体表面に対して、形状データに含まれる８００ｎｍ以上１．１μｍ以下の範囲の周期をもつ表面の凹凸のうねりの方向と照射方向とを一致させてガスクラスターイオンビームを照射する照射過程とを有する固体表面の平坦化方法とする。この臨界角は７０°である。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】基準面からの凹面の厚さを均一化する加工方法を提供する。
【解決手段】ラジカル反応による無歪精密加工方法は、複数の凹面が形成された被加工物２０と加工電極４とを相対的に走査させて、被加工物をラジカル反応により加工する方法であって、被加工物２０の複数の凹面３１〜３６の基準面２２からの厚さを被加工面のほぼ中央の座標位置でそれぞれ個別に測定する工程と、これらの測定値を複数の凹面毎に加工電極４の走査方向に連続する近似曲線Ｃを作成する工程と、この近似曲線Ｃから厚さの最小値を算出する工程と、近似曲線Ｃに基づき任意の座標位置の基準面から厚さを算出し、任意の座標位置の基準面から厚さと最小値との差を加工量として算出する工程と、加工量に基づき、加工電極４の走査速度を算出する工程と、を有し、走査速度に基づき加工時間を制御する。このような加工方法によれば、複数の凹面の基準面２２からの厚さを均一化できる。 （もっと読む）

【課題】ＴＳＶ(Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ ｈｏｌｅ)加工用の薄化Ｓｉ基板の支持ガラスの熱伝導効率を上げることで、加工処理速度や、成膜速度、膜質を向上させる。
【解決手段】凹部１６と凸部１７からなる凹凸パターン１５を裏面１２側に形成した、再利用可能な支持ガラス基板１１の表面１３側に接着剤２４で貼り合わせた薄化半導体基板１９をＥＳＣ電極２上に載置することによって前記半導体基板１９の冷却を促進し、ＴＳＶ加工速度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜除去後の基板のダメージが少なく、再研磨の工程負荷も少ないことにより、基板の再生コストを低減できる基板の再生方法を提供する。
【解決手段】ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクまたは該マスクブランクを用いて作製された転写用マスクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法であって、マスクブランクまたは転写用マスクの薄膜を、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、およびキセノン（Ｘｅ）のうちのいずれかの元素とフッ素（Ｆ）との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することにより、基板を再生する。 （もっと読む）

【課題】局所加工ツールによる加工時間と加工量の相関が一意に定まらない場合でも、高精度で高速な加工が可能な形状加工方法を提供する。
【解決手段】各加工点Ｐ_ｉにおける局所加工ツールによる加工量を加工中に逐次測定し、加工量の時間変化を推定して、加工点間の移動時に加工される加工量Ｖ_{ｉ，ｉ＋１，ｉ}およびＶ_{ｉ，ｉ＋１，ｉ＋１}を計算する。このように計算により求めた移動中の加工量と、現加工点における加工量Ｖ_ｉとの和が、現加工点Ｐ_ｉの所望加工量Ｖ_ｉ，ｆ以上となった時に、次の加工点Ｐ_ｉ＋１への局所加工ツールの移動を開始する。 （もっと読む）

マスクパターンを基板上に形成した後にエッチングプロセスによって所望のパターンを形成するように前記基板を処理する方法は、前記基板上に2つの層を形成する工程、前記マスクパターン又は前記2つの層のうちの1層のエッチングパターンの幅を測定する工程、並びに、前記の測定された幅に基づいて、前記エッチングプロセスにおいて用いられるHBr及び他の気体のうちのいずれか1つの流速を調節する工程を有する。前記2つの層は、シリコン窒化物層及び有機誘電層を有して良い。
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【課題】物質や化学反応の情報を設定すること無しに、多くの波長における波形から、代表的な少数の波長を選定することができ、大きな工数のかかるエッチングデータの解析を削減して、効率的にエッチングのモニタ・監視の設定を行うことができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置において、複数のエッチング処理時間軸に沿った発光強度波形を取得するロット・ウェハ・ステップ別ＯＥＳデータ検索・取得機能５１１と、複数の発光強度波形において変化の有無を判定する波形変化有無判定機能５２１と、発光強度波形間の相関行列を算出する波形相関行列算出機能５２２と、発光強度波形をグループに分類する波形分類機能５２３と、グループより代表的な発光強度波形を選定する代表波形選定機能５２４とを備えた。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアを中に導入することができる少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバと、プラズマ発生モジュールと、少なくとも１つのガス供給部と、少なくとも１つのガス排出部とを備える基板処理装置に関する。さらに、本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアが少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバに導入され、プロセス・チャンバ内で、プラズマ・プロセスにおいてプラズマ発生モジュールによってガスまたはガス混合物中でプラズマが発生され、基板のコーティング、エッチング、表面改質、および／または洗浄が行われる基板処理方法に関する。本発明の目的は、十分に表面テクスチャ加工された基板でさえ高いスループットおよび高品質で等方性エッチングすることができる、上記の一般的なタイプの基板処理装置および基板処理方法を提供することである。この目的は、まず、上記の一般的なタイプの基板処理装置であって、気相エッチング・モジュールがプロセス・チャンバ内に組み込まれた基板処理装置によって実現される。さらに、この目的は、上記の一般的なタイプの基板処理方法であって、プロセス・チャンバ内で、少なくとも１つの基板の気相エッチングが、プラズマ・プロセスの前に、および／またはプラズマ・プロセスの後に、および／またはプラズマ・プロセスと交互に行われる基板処理方法によって実現される。
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【課題】突起の先端径について高い寸法精度を得たり、各突起を均一に形成することができるシリコン基板のエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｋの表面に形成されたレジスト膜６０に、先端部５４を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第１工程と、シリコン基板Ｋの表面を異方性エッチングして溝６１を形成する第２工程と、シリコン基板Ｋの表面に形成されたレジスト膜６２に、基部５３を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第３工程と、溝６１内に埋め込まれた当該溝底部のレジスト６２が露出するまでシリコン基板Ｋの表面を等方性エッチングする第４工程と、シリコン基板Ｋの表面を異方性エッチングし、基部５３を形成する第５工程と、シリコン基板Ｋのレジスト膜６２を除去する第６工程とを順次実施することにより、基部５３と先端部５４とを備えた複数の突起５２をシリコン基板Ｋに形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁のために電圧等を印加する必要が無く、機械的強度の低下を抑えることができ、寄生容量を抑制可能な、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を有する構造体及びその製法を提供する。
【解決手段】互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域104を有する構造体は、導電性領域104の上面側に、可動に支持された可動子301が設けられ、可動子301は導電性領域104に対向する電極を有する。導電性領域104の下面を介して電気信号が授受可能に構成され、複数の導電性領域104間が、連続した酸化領域によって絶縁され、酸化領域は、複数の貫通孔103もしくは溝が形成された材料の酸化物102から成る。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた光学シート又はその原版として好適な凹凸パターンシート、及びその製造方法、光学シートの製造方法、並びに光学装置を提供する。
【解決手段】一方の面が、下記条件を満たす凹凸構造Ｘと凹凸構造Ｙが重畳した凹凸構造Ｚとされていることを特徴とする凹凸パターンシート。
凹凸構造Ｘ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｘが２〜２００μｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｘに対する最頻高さＨ_ｘの比Ｒ_ｘが０．３５０〜０．７１４である１次元又は２次元の凹凸構造。
凹凸構造Ｙ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｙが３〜３８０ｎｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｙに対する最頻高さＨ_ｙの比Ｒ_ｙが０．５〜１０である２次元凹凸構造。 （もっと読む）

【課題】基板をａｃ又はｄｃプラズマ反応装置のいずれかによって発生されたプラズマ放電の陽光柱内に配置された機械的支持部上への取り付けステップを含んだ基板の低損傷、異方性エッチング及びクリーニングの方法を提供する。
【解決手段】この機械的支持部１２はプラズマ反応装置とは独立し、電気的にバイアスされる。基板は低エネルギー電子のプラズマの陽光柱１５、すなわち、電気的中性部及び、基板と反応する種に曝される。電気的にバイアス可能な付加構造１４がプラズマ内に配置され、プラズマからの粒子のさらなる抽出又は抑制を調整する。 （もっと読む）

【課題】洗浄薬液の混合比を正確に求め、必要量の薬液補充を行うことにより薬液濃度を制御して、被エッチング膜に対するエッチング量を容易に制御する。
【解決手段】薬液交換時において、薬液槽１に供給される薬液２１，２２，２３の供給流量を、それぞれの薬液流量計３１，３２，３３により測定する。測定された流量にて演算部７において供給時間が計算され、供給流量と供給時間の積分値から各薬液の総投入量を算出する。各薬液の総投入量から混合比を求めて薬液濃度を算出する。このとき算出された濃度が設定濃度と異なる場合、所望する薬液濃度となるように各薬液の補充量を演算部７で算出し、補充量を供給時間を可変させることにより調整する。演算部７で算出された供給時間にわたり、補充する薬液のみミキシングバルブ４を開いて薬液槽１に薬液を供給し、薬液濃度を調整する。 （もっと読む）

【課題】突起形状を簡便な方法で、安定して安価に形成することができ、ドライプロセスにより突起先端を清浄な状態に保つことが可能となる基板の加工方法を提供する。
【解決手段】基板表面に収束イオンビームを照射した後、ドライエッチングにより前記基板を加工する基板の加工方法であって、
前記基板表面１０に、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｂｉから選択されるイオンを照射するに際し、第１のイオン照射濃度と、該第１のイオン照射濃度とは異なる第２のイオン照射濃度により照射し、前記基板表面にイオン照射領域を形成する工程１１と、
前記イオン照射領域をエッチングする工程１２と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】高密度のプラズマをワークに供給し得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、下側開口１０１と下側開口１０１に連通するプラズマＰを生成するプラズマ生成空間１０２とを備え、プラズマ生成空間１０２においてプラズマＰを生成し、生成されたプラズマＰを下側開口１０１からワークＷの被処理面に向けて放出するヘッド１０と、ヘッド１０のプラズマ生成空間１０２内にプラズマＰを生成するためのガスＧを供給するガス供給手段５と、プラズマ生成空間１０２内に供給されたガスＧに対してプラズマＰを生成させるための電圧を印加する電圧印加手段３とを有し、ヘッド１０は、下側開口１０１に向かって収斂する収斂形状をなす凹部を有する第１の電極１１と、この凹部の内周面１１１に対応する形状の外周面１２１を備え、内周面１１１と外周面１２１との間にプラズマ生成空間１０２を画成する第２の電極１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は容量的結合型プラズマチェンバー、シャワーヘッドの構造、製造方法並びに新たに再生リサイクルする方法を提案するものである。
【解決手段】 前記シャワーヘッドは低抵抗値を有数する本体層とその表面上にコーティングされたシリコンカーバイド層から構成される。前記シャワーヘッドはＲＦエネルギーを効率よくプラズマ中で容量的結合させることができる。本発明はまたシャワーヘッドの製作方法を提供して微塵粒子の発生を顕著に減らすことができる。このほか、本発明はシャワーヘッドを再生リサイクルする方法を別途提供し、ユーザーの利用コストを大幅に節減させることができる。 （もっと読む）

【課題】精度良く且つ確実に所定の位置でエッチングを停止することができるエッチングマスクを提供する。
【解決手段】基板とドライエッチング用複合体を成すエッチングマスクは、基板の上に第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と、第１の特定スペクトル光を発生する物質からなる層と第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層とに挟まれる第１及び第２のいずれの特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一層と、第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層の上に接して第２の特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一層と、を含む複数の層で構成され、第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層は、基板に接し、基板とは異なるスペクトル光を発生する物質からなる。 （もっと読む）

【課題】厚膜の大型基板を処理可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置は、処理対象物７とプラズマ生成装置１０の間に配置された補助電極２２を有している。補助電極２２は複数の個別電極２１ａ、２１ｂを有し、各個別電極２１ａ、２１ｂには同じ周波数で異なる位相の交流電圧が印加される。プラズマ生成装置１０で生成されたイオンは、補助電極２２に引き付けられ、補助電極に印加処理対象物７が誘電体材料で構成される場合であっても、高エネルギーのイオンが入射するので、エッチング速度は速い。 （もっと読む）