【課題】従来に比べて短時間で効率的に残留応力の改善と疲労強度の向上を行うことのできるレーザピーニング方法を提供する。
【解決手段】被施工対象物の表面に液体を通してパルス状のレーザビームを、走査方向（ｘ方向）に移動させながら一定の走査間隔毎に照射し、一定の走査長さを走査した後、走査方向（ｘ方向）と直交するピッチ方向（ｙ方向）に一定のピッチ移動させ、走査方向（ｘ方向）に移動させながら一定の走査間隔毎に前記レーザビームを照射する工程を繰り返して、被施工対象物の表面に圧縮残留応力を付与するレーザピーニング方法であって、被施工対象物の部位にかかる負荷の方向及び大きさに応じて、走査方向（ｘ方向）とピッチ方向（ｙ方向）及びこれらの方向における夫々の単位面積当たりの照射密度を変更することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】汚染物に対する仕上げ処理等を必要とすることなく、さらには高精度かつ高効率で材料表面に凹部（くぼみ）を形成することが可能な、多孔形成方法を提供する。
【解決手段】母材の少なくとも表面部分にこの母材よりも平衡蒸気圧が高い物質が分散された被加工材１１に対して、その表面に電子ビーム１３を照射して前記物質を蒸発させ、前記被加工材の表面に凹部１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】各種の用途に用いられるＡｌまたはＡｌ合金材の表面に、ＡｌＮ層を低コストで形成する方法を提供する。
【解決手段】ＡｌまたはＡｌ合金材の表面を、ＢＨＦ溶液を用いて５〜１５分間処理した後、真空容器内でＡｌまたはＡｌ合金材の温度６００℃以上６６０℃未満で、３〜３０分間のサーマルクリーニング処理をすることにより表面酸化物を除去し、その後、前記真空容器内に、好ましくは６６０〜７５０℃に加熱したアンモニアガスを導入して、前記表面酸化物を除去したＡｌまたはＡｌ合金材を温度６００℃以上６６０℃未満で、１〜１０時間の窒化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】金属や半導体、セラミックス、プラスチックの表面に被覆したTiN、TiC、TiCN、DLCなどの硬質被膜を剥離するに際し、下地素材を損傷することなく被覆被膜のみを剥離することができる硬質膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】金属や半導体、セラミックス、プラスチックの表面に被覆したTiN、TiC、TiCN、DLCなどの硬質被膜を剥離するに際し、フェムト秒レーザを照射することにより、下地素材を損傷することなく被覆被膜のみを剥離するようにしたことを特徴とする硬質膜の剥離方法。 （もっと読む）

【課題】微細な金メッキ剥離加工を効率よくかつ高精度に行う。
【解決手段】出射ユニット１６は、ＹＡＧレーザ発振器より光ファイバ１８を介して受け取ったＹＡＧ第２高調波のレーザ光ＳＨＧをユニット内の光学レンズに通して先端の出射口より出射し、各コンタクトＷに設定された剥離領域ＨＥ内に扁平度の高い楕円状ビームスポットＳＰ_SHGで集光照射する。剥離領域ＨＥにおいては、楕円状ビームスポットＳＰ_SHG付近で金メッキ層１２がレーザエネルギーにより一瞬に蒸発して除去される。剥離領域ＨＥ内の金メッキ層１２をほぼ隈なく除去するために、ＹＡＧ第２高調波レーザ光ＳＨＧと加工対象のコンタクトＷとの間で楕円状ビームスポットＳＰ_SHGの長軸方向に対して所望の角度をなす方向に相対移動（走査）が行われる。 （もっと読む）

【課題】 レーザー光によるメッキ層剥離方法、加工メッキ鋼板、作業機械の防錆燃料タンク及びレーザー加工機に関し、簡素な構成でメッキ鋼板の加工工程における生産性及び施工品質をともに向上させる。
【解決手段】 レーザー光を出射するレーザー発振器６，レーザー発振器６から出射された該レーザー光を反射するミラー１５，ミラー１５で反射された該レーザー光を集光するレンズ７，及びレンズ７によって集光されるレーザー光の焦点位置Ａを制御する焦点移動装置８を有するレーザー加工機１０と、レーザー加工機１０による加工対象物としてのメッキ鋼板１とを用意し、焦点移動装置８によりレーザー発振器６から出射された該レーザー光の焦点位置Ａをメッキ鋼板１の表面から該レーザー光の照射方向へずらして照射することでレーザー光の出力強度を調整して、メッキ層２を溶融させる。 （もっと読む）

【課題】 微細な金メッキ剥離加工を効率よくかつ高精度に行う。
【解決手段】 出射ユニット１６は、ＹＡＧレーザ発振器より光ファイバ１８を介してＹＡＧ第２高調波のレーザ光ＳＨＧを受け取り、ユニット内で光ファイバ１８の終端面より出射されたＹＡＧ第２高調波レーザ光ＳＨＧをユニット内の光学レンズに通して先端の出射口より出射し、各コンタクトＷに設定された剥離領域ＨＥ内に扁平度の高い楕円状ビームスポットＳＰ_SHGで集光照射する。剥離領域ＨＥにおいては、楕円状ビームスポットＳＰ_SHG付近で金メッキ層１２がレーザエネルギーにより一瞬に蒸発して除去される。剥離領域ＨＥ内の金メッキ層１２をほぼ隈なく除去するために、ＹＡＧ第２高調波レーザ光ＳＨＧと加工対象のコンタクトＷとの間で相対移動（走査）が行われる。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミックの表面に形成された導体膜の一部をレーザ加工して除去することにより誘電体セラミックが変質・劣化して低下した特性を、導体膜の酸化や導体膜材料の誘電体セラミックへの拡散などを引き起こすことなく回復させて、所望の特性を備えたセラミック電子部品を効率よく製造できるようにする。
【解決手段】誘電体セラミック（誘電体ブロック）１の表面に形成された導体膜（内導体４の一部領域４ａ）（場合によっては内導体４および／または外導体３の一部）をレーザ加工により除去した後、
酸素濃度：１．０×１０^-15ppm〜１．０×１０²ppm、
熱処理のピーク温度：導体膜に用いられる導電性材料の融点をＡ(Ｋ)とした場合において０．５１Ａ(Ｋ)〜０．８５Ａ(Ｋ)の範囲の温度条件
で熱処理を行い、レーザ加工することによって誘電体セラミック（誘電体ブロック）１が還元されることにより低下した誘電体セラミックの特性を回復させる。 （もっと読む）

この発明は、コーティングされ表面が微細構造化された工作物およびその作製方法に関する。ここにおいては、微細構造の構造深さ（ｓ）は、層厚（ｄ）よりも大きく設定、あるいはこれに対して或る定められた割合に設定される。
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【課題】 接合に際し、ミクロン未満、例えば数ナノオーダーの厚さの薄い金属間化合物層を生成する。
【解決手段】 固相状態での接合に金属間化合物層の形成を要する異種金属ワークを接合する異種金属の接合装置は、接合すべき異種金属ワークＷ1、Ｗ2が入れられる真空容器11と、真空容器11内の一方のワークＷ2の接合面に金属間化合物層を形成するようにクラスターを照射するクラスター源15と、金属間化合物層を形成したワークＷ2と他方のワークＷ1を加圧および加熱する加圧・加熱手段とを備えている。 （もっと読む）

基板処理チャンバは、チャンバ内部に露出された表面を有する要素を含む。この露出した表面は、互いに離間した窪みのパターンを有し、各窪みは、開口、側壁、及び底壁を有する。これらの窪みは、構造物の或る位置にある一部を気化するのに充分長い時間、構造物の表面上のその位置にパルス化したレーザビームを指向することによって形成される。また、要素は、エンクロージャへプラズマが入るのを減少するために、異なる直径を有する第１と第２の開口を有する、レーザで孔のあけられた、複数のガスの出口のあるエンクロージャを有するガス分配器であることができる。また、レーザで孔のあけられたガスの出口は、丸められたエッジを有することができる。
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本発明は、第１の清浄化領域（２０６）内にある表面（２１８）のレーザアブレーションの方法に関し、前記アブレーションは、キャビティ（２０４）に電磁放射を供給するための励起手段（２０２）に関連付けられたキャビティ（２０４）によって放射されるレーザビーム（２１６）を使用する。本発明の方法は、キャビティ（２０４）が、電磁放射を伝送する光ファイバ（２１０）によって励起手段（２０２）と関連付けられ、励起手段（２０２）が上述の清浄化領域（２０６）の外側に維持されるようになることを特徴とする。本発明によれば、前記ファイバ内で励起放射の波長はわずかに減衰され、ファイバは１０ｍより長い。
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