【課題】従来に比べて短時間で効率的に残留応力の改善と疲労強度の向上を行うことのできるレーザピーニング方法を提供する。
【解決手段】被施工対象物の表面に液体を通してパルス状のレーザビームを、走査方向（ｘ方向）に移動させながら一定の走査間隔毎に照射し、一定の走査長さを走査した後、走査方向（ｘ方向）と直交するピッチ方向（ｙ方向）に一定のピッチ移動させ、走査方向（ｘ方向）に移動させながら一定の走査間隔毎に前記レーザビームを照射する工程を繰り返して、被施工対象物の表面に圧縮残留応力を付与するレーザピーニング方法であって、被施工対象物の部位にかかる負荷の方向及び大きさに応じて、走査方向（ｘ方向）とピッチ方向（ｙ方向）及びこれらの方向における夫々の単位面積当たりの照射密度を変更することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固体表面に存在する数１０ｎｍ〜１００μｍ程度の周期の表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減する。
【解決手段】固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす角度を照射角度とし、固体とこの固体に衝突したクラスターとが相互作用する距離が飛躍的な増大に転じる照射角度を臨界角として、予め固体表面の形状データを取得する過程と、臨界角以上の照射角度で固体表面に対して、形状データに含まれる８００ｎｍ以上１．１μｍ以下の範囲の周期をもつ表面の凹凸のうねりの方向と照射方向とを一致させてガスクラスターイオンビームを照射する照射過程とを有する固体表面の平坦化方法とする。この臨界角は７０°である。 （もっと読む）

【課題】基準面からの凹面の厚さを均一化する加工方法を提供する。
【解決手段】ラジカル反応による無歪精密加工方法は、複数の凹面が形成された被加工物２０と加工電極４とを相対的に走査させて、被加工物をラジカル反応により加工する方法であって、被加工物２０の複数の凹面３１〜３６の基準面２２からの厚さを被加工面のほぼ中央の座標位置でそれぞれ個別に測定する工程と、これらの測定値を複数の凹面毎に加工電極４の走査方向に連続する近似曲線Ｃを作成する工程と、この近似曲線Ｃから厚さの最小値を算出する工程と、近似曲線Ｃに基づき任意の座標位置の基準面から厚さを算出し、任意の座標位置の基準面から厚さと最小値との差を加工量として算出する工程と、加工量に基づき、加工電極４の走査速度を算出する工程と、を有し、走査速度に基づき加工時間を制御する。このような加工方法によれば、複数の凹面の基準面２２からの厚さを均一化できる。 （もっと読む）

【課題】取付スペースが小さくて済み、かつ開閉動作時間も短いエッチング装置おけるシャッタ機構を提供する。
【解決手段】パレット２２に複数のパーツを搭載し、パレット２２の下方のイオンビーム発射装置から発射されたイオンビームIをパレット２２の入射口２３からパーツの底部に照射することによりエッチングを行うエッチング装置において、入射口２３に配置されたシャッタ羽根１４と、シャッタ羽根１４が連結された回転アクチェータ１２とを備え、回転アクチェータ１２の回転によりシャッタ羽根１４を、入射口２３を開放する垂直位置と入射口２３を閉鎖する水平位置とに回転駆動するようにした。 （もっと読む）

集積回路編集のための銅の集束イオンビームエッチング用のエッチング促進剤はイオンビームによる隣接する誘電体の損失を防ぎ、隣接面上のスパッタされ再堆積した銅を非導電性にして電気的短絡を回避する。促進剤は分子中にＮ−Ｎ結合を有し、約７０〜２２０℃の沸点を有し、ヒドラジン及び水の溶液と、ヒドラジン誘導体と、メチル、エチル、プロピル及びブチルから選択された２つの炭化水素基によって飽和したニトロソアミン誘導体と、ニトロソアミン関連化合物と、四酸化窒素とを含み、好適にはヒドラジン一水和物（ＨＭＨ）、ヒドロキシエチルヒドラジン（ＨＥＨ）、ＣＥＨ、ＢｏｃＭＨ、ＢｏｃＭＥＨ、ＮＤＭＡ、ＮＤＥＡ、ＮＭＥＡ、ＮＭＰＡ、ＮＥＰＡ、ＮＤＰＡ、ＮＭＢＡ、ＮＥＢＡ、ＮＰＹＲ、ＮＰＩＰ、ＮＭＯＲ及びカルムスチン単独、又は四酸化窒素との組合せである。促進剤は高アスペクト比（深さ）の孔の銅をエッチングするのに有効である。
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【課題】物質や化学反応の情報を設定すること無しに、多くの波長における波形から、代表的な少数の波長を選定することができ、大きな工数のかかるエッチングデータの解析を削減して、効率的にエッチングのモニタ・監視の設定を行うことができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置において、複数のエッチング処理時間軸に沿った発光強度波形を取得するロット・ウェハ・ステップ別ＯＥＳデータ検索・取得機能５１１と、複数の発光強度波形において変化の有無を判定する波形変化有無判定機能５２１と、発光強度波形間の相関行列を算出する波形相関行列算出機能５２２と、発光強度波形をグループに分類する波形分類機能５２３と、グループより代表的な発光強度波形を選定する代表波形選定機能５２４とを備えた。 （もっと読む）

【課題】切削加工された被加工物の加工面に発生した虹目等の凹凸を、切削加工で創成した形状の悪化や損傷を生じることなく、一様に除去できる固体除去技術を提供する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム１０の照射経路上に、被加工物１１が載置される回転ステージ１２、この回転ステージ１２が載置されたＸ軸ステージ１３およびＹ軸ステージ１４、Ｙ軸ステージ１４が載置されるブラケット１５、ブラケット１５が載置される揺動ステージ１６、揺動ステージ１６を支持するベース１７を備える加工ステージ３０を設け、被加工物１１の加工面の加工後の表面荒さを加工前の表面粗さよりも悪化させない範囲に、被加工物１１の加工面に対するガスクラスターイオンビーム１０の照射角度が保たれるように被加工物１１の姿勢を制御しつつ、被加工物１１の加工面に存在する条痕による虹目を除去する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比構造のエッチングにおけるマイクロローディングを低減するための方法
【解決手段】異なるアスペクト比の構成を導電層内にエッチングするための方法が提供される。方法は、アスペクト比依存性堆積によって導電層の上に堆積を行うことと、導電層のアスペクト比依存性エッチングによって導電層内に構成をエッチングすることと、堆積およびエッチングを少なくとも１回ずつ繰り返すことと、を含む。 （もっと読む）

【課題】フォーカスリング及び載置台の間の熱伝達効率を十分に改善することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されるサセプタ１２と、サセプタ１２の上部に配置され且つウエハＷを載置する静電チャック２２と、載置されたウエハＷの周縁部を囲うように静電チャック２２に載置されるフォーカスリング２４とを備え、フォーカスリング２４における静電チャック２２との接触面２４ａに、印刷処理によって樹脂からなる熱伝達膜３９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高融点金属膜の下地膜の荒れの発生を従来に比べて抑制することのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、コンピュータ記憶媒体及び処理レシピが記憶された記憶媒体を提供する。
【解決手段】被処理基板１０の高融点金属膜１０２を、マスク層１０３を介してプラズマエッチングする方法であって、グレインのエッチング速度よりグレイン境界部のエッチング速度が速いプラズマエッチングを行う第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程より絶縁膜に対する高融点金属膜の選択比が高いプラズマエッチングを行う第２のエッチング工程とを具備し、グレイン境界部の絶縁膜１０１が露出する前に、第１のエッチング工程から第２のエッチング工程に切り換える。 （もっと読む）

【課題】微細な金メッキ剥離加工を効率よくかつ高精度に行う。
【解決手段】出射ユニット１６は、ＹＡＧレーザ発振器より光ファイバ１８を介して受け取ったＹＡＧ第２高調波のレーザ光ＳＨＧをユニット内の光学レンズに通して先端の出射口より出射し、各コンタクトＷに設定された剥離領域ＨＥ内に扁平度の高い楕円状ビームスポットＳＰ_SHGで集光照射する。剥離領域ＨＥにおいては、楕円状ビームスポットＳＰ_SHG付近で金メッキ層１２がレーザエネルギーにより一瞬に蒸発して除去される。剥離領域ＨＥ内の金メッキ層１２をほぼ隈なく除去するために、ＹＡＧ第２高調波レーザ光ＳＨＧと加工対象のコンタクトＷとの間で楕円状ビームスポットＳＰ_SHGの長軸方向に対して所望の角度をなす方向に相対移動（走査）が行われる。 （もっと読む）

基板を用いて電気化学セルを形成するための電極、およびその電極の製造方法。電極は、前側にパターニングされた絶縁層（７）を有するキャリア（１）を備える。電極層（４）の導電性材料がパターニングされた絶縁層の空洞にキャリアに接触して成膜される。接続層（５）が、キャリアの裏側にキャリアに接触して形成される。電極の周辺部は絶縁材料により被覆される。 （もっと読む）

【課題】 レーザー光によるメッキ層剥離方法、加工メッキ鋼板、作業機械の防錆燃料タンク及びレーザー加工機に関し、簡素な構成でメッキ鋼板の加工工程における生産性及び施工品質をともに向上させる。
【解決手段】 レーザー光を出射するレーザー発振器６，レーザー発振器６から出射された該レーザー光を反射するミラー１５，ミラー１５で反射された該レーザー光を集光するレンズ７，及びレンズ７によって集光されるレーザー光の焦点位置Ａを制御する焦点移動装置８を有するレーザー加工機１０と、レーザー加工機１０による加工対象物としてのメッキ鋼板１とを用意し、焦点移動装置８によりレーザー発振器６から出射された該レーザー光の焦点位置Ａをメッキ鋼板１の表面から該レーザー光の照射方向へずらして照射することでレーザー光の出力強度を調整して、メッキ層２を溶融させる。 （もっと読む）

【課題】イオンビームを用いた高精度の表面改質方法を提供する。
【解決手段】電気的スイッチ式イオンビーム源を提供するステップと、サンプル表面の座標をxおよびyとしたときの滞留時間トポロジーt(x,y)を、イオンビーム源の機械的位置決め系の特性に依存する機械的滞留時間t_mechanicalと電気的スイッチ式イオンビーム源の特性に依存するパルス式滞留時間t_pulseの和として定義するステップと、サンプルの初期表面プロファイルz(x,y)を測定するステップと、目標最終等高線プロファイルf(x,y)を指定するステップと、f(x,y)とz(x,y)の差から目標除去トポロジーh(x,y)を計算するステップと、h(x,y)からデコンボリューションによってイオンビームの滞留時間トポロジーt(x,y)を計算するステップと、電気的スイッチ式パルスイオンビームを用いて順次、サンプル表面を改質するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に対して均一なエッチング処理の可能なドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置は、真空排気可能なチャンバ５と、チャンバ５に搭載されエッチング作用を有する化学種３を発生する化学種発生源２と、チャンバ５内に配され処理対象となる基板４を複数個保持して化学種３に暴露するための基板保持部材１とを有し、各基板４表面のエッチング処理を行う。基板保持部材１は、エッチング作用をなす化学種３の密度分布に沿うように複数の基板４を保持可能な形状を有し、各基板４のエッチング処理を均一化する。例えば基板保持部材４はその形状が、円、楕円、双曲線又は放物線の回転対称体の一部をなすドーム状である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜形成に用いるプラズマ成膜装置やプラズマイオン注入（ＰＢＩＩ）装置等の成膜時に防着板の内壁及び基板支持手段等の表面に付着、堆積した薄膜や微粒子などの副生成物を確実に、かつ簡易に除去することを課題としている。
【解決手段】真空容器の内壁面の要部を覆うように電気的に絶縁された防着板を設け、該防着板で囲まれた真空容器内部に基板支持手段を有するプラズマ成膜装置において、所定の反応性ガスを導入し、前記基板支持手段に高周波電力を印加して防着板内に前記所定の反応性ガスの放電プラズマを発生させ、前記防着板に正又は負のバイアス電圧を印加して、防着板の内壁面及び基板支持手段等の表面に付着した堆積物をエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】 被加工物の表面に存在する突起のピッチ以下のスポット径に設定したガスクラスターイオンビームであっても、被加工物表面の突起を除去して形状創成を行えるようにする。
【解決手段】 ソース部１は、中性ビームであるガスクラスターイオンビーム１０を生成する。タングステンフィラメント６は、ガスクラスターイオンビーム１０をイオン化させて自由曲面成形型１２の表面に向かって照射させる。Ｘ軸ステージ１４、Ｙ軸ステージ１５、及び揺動ステージ１３は、ガスクラスターイオンビーム１０が照射される自由曲面成形型１２の表面位置を移動させる。制御部１００は、自由曲面成形型１２の表面位置に応じてガスクラスターイオンビーム１０の加速電圧若しくはソースガス流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法で微小突起物を形成することが可能な時効性金属材料表面への微小突起物の製造方法、その製造方法によって得られる微小突起物、その微小突起物を備える触媒用担体および接触搬送装置を提供する。
【解決手段】時効性金属材料を固溶化熱処理し、析出成分を素地中に溶解させる工程と、素地中に析出成分を含む化合物が析出しないように該金属材料を冷却しながら該金属材料の表面をスパッタエッチングし、該金属材料の該スパッタエッチング面上に析出成分を含む化合物の微小突起物を形成する工程とを含み、該スパッタエッチングはスパッタエッチングする該金属材料の表面近傍の温度が析出成分を含む化合物の析出温度域となるようにエッチングするとともに、該スパッタエッチング速度が該金属材料の析出成分を含む化合物の深さ方法の成長速度を超えない範囲でエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板の表面にミクロンサイズ以下の三次元形状を精度よく加工できるシリコン基板加工方法を提供する。この加工方法を用いて加工された光学素子用金型及び光学素子用金型母型、更に光学素子用金型により加工された光学素子及び回折格子を提供する。
【解決手段】 このシリコン基板加工方法は、シリコン基板上にレジストを塗布し、レジストを三次元形状に形成し、レジストをマスクとしてドライエッチングによりシリコン基板を加工しシリコン基板の表面に三次元形状を形成し、ドライエッチングの終点をレジストマスクの消失の程度に基づいて決める。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板処理のシステムおよび方法には、プラズマ室に基板を装填しプラズマ室の圧力を所定の圧力設定値に設定することが含まれる。プラズマ領域を構成するいくつかの内面が約２００℃以上の処理温度に加熱される。プラズマを形成するために処理ガスがプラズマ領域に注入され、基板が処理される。 （もっと読む）