【課題】電気的特性が良好な薄膜トランジスタを作製することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層を覆って設けられた第１の絶縁層と、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、離間して設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一対の不純物半導体層と、第１の絶縁層上に、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、且つ一対の不純物半導体層の少なくとも一方と重畳せずしてチャネル形成領域の一部に設けられた微結晶半導体層と、第１の絶縁層と微結晶半導体層との間に接して設けられた第２の絶縁層と、第１の絶縁層上に第２の絶縁層及び微結晶半導体層を覆って設けられた非晶質半導体層と、を有し、第１の絶縁層は窒化シリコン層であり、第２の絶縁層は酸化窒化シリコン層である薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその製造方法を提供する。また、消費電力の低い半導体装置又はその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極として機能する透光性を有する導電層と、該透光性を有する導電層上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート電極として機能する透光性を有する導電層上にゲート絶縁膜を介して半導体層と、半導体層に電気的に接続されたソース電極又はドレイン電極として機能する透光性を有する導電層とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程を単純化させて製造コストを低減できるキャパシタ及び薄膜トランジスタを有する基板、これを具備した平板ディスプレイ装置及び該キャパシタ及び薄膜トランジスタを有する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）同一層に配された、半導体層、及びドーピングされた半導体層から形成されて導電性を有する第１キャパシタ電極、（ｉｉ）半導体層及び第１キャパシタ電極を覆う絶縁膜、（ｉｉｉ）絶縁膜上に配された、前記半導体層の一部領域に対応するゲート電極、及び第１キャパシタ電極に対応する第２キャパシタ電極を具備し、ゲート電極の厚さは、第２キャパシタ電極の厚さより厚いことを特徴とするキャパシタ及び薄膜トランジスタを有する基板、これを具備した平板ディスプレイ装置及び該キャパシタ及び薄膜トランジスタを有する基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法を提供する。また、層間絶縁膜、平坦化膜、ゲート絶縁膜等の絶縁膜、配線、電極、端子等の導電膜、半導体膜等の半導体素子の各部位の膜を形成する方法を提供する。また、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ガリウムと亜鉛を含む液滴を吐出して、基板上に膜パターンを形成する。または、印刷法により、基板上にガリウムと亜鉛を含む材料を用いて膜パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉや金属層の種類が限定されずＳｉの酸化膜除去処理によっても金属層が剥離することのない電極及びその形成方法、並びに前記電極を備える半導体デバイスを提供する。
【解決手段】表面に活性化処理されたＳｉを有する基板１１上に、第１の末端にＣＨ基、ＣＨ_２基、ＣＨ_３基のいずれかを有し、第２の末端にアミノ基、メルカプト基、フェニル基、カルボキシル基のいずれかを有する有機分子の薄膜（有機分子膜）１２ａを形成する有機分子膜形成工程と、前記有機分子膜１２ａ表面に触媒金属１２ｂを付与する触媒化工程と、前記有機分子膜１２ａに触媒金属１２ｂを付与した密着層１２表面に無電解めっき法により金属層１３を形成する無電解めっき工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】配線の凹凸やコンタクト不良を大幅に低減した配線の作製方法を用いることによって半導体装置の信頼性を向上させること。
【解決手段】層間絶縁膜２０７に設けられた開口部に液滴吐出法を用いてノズル２０８から導電性組成物が分散された液滴２０９を滴下し配線２１０を形成する。さらに、加熱処理を行うことで配線２１０をリフローする。これにより、配線表面を平坦化し、且つ配線のコンタクト不良を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の製造方法において、低抵抗状態の無機半導体膜を形成後、チャネル領域のみ高抵抗化する。
【解決手段】基板１０上に、ゲート電極２０、ゲート絶縁膜３０および無機酸化物膜４０を順次形成し、ソース電極６２およびドレイン電極６３を無機酸化物膜４０の一部を被覆するように形成し、電極に被覆されていない無機酸化物膜４０の領域の半導体素子のチャネル領域４４として用いる領域のキャリア濃度を、酸化処理によって低減させる。 （もっと読む）

【課題】積層構造のゲート電極をもつ薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極上の絶縁層のステップカバレージの低下を防止し、かつ、前記第１金属層のヒロック（ｈｉｌｌｏｃｋ）の生成を防止する。
【解決手段】基板上に第１金属層４３と第２金属層４５を連続して蒸着し、さらに所定幅（Ｗ１）を持つ感光膜４７を形成する（図５（ａ））。感光膜４７をマスクとして第２金属層４５を等方性のウェットエッチング方法で感光膜の幅（Ｗ１）よりも１μｍ乃至４μｍ程度小さな幅（Ｗ２）にパターニングする（図５（ｂ））。次に、感光膜４７をマスクとして第１金属層４３を異方性エッチング方法で幅（Ｗ１）を持つようにパターニングして積層構造のゲート電極を形成する（図５（ｃ））。１μｍ＜Ｗ１−Ｗ２＜４μｍの関係にあればステップカバレージの低下とヒロックの両方を防止できる。 （もっと読む）

【課題】生産性及びトランジスタ特性が向上するＴＦＴの製造方法及びＴＦＴを提供すること。
【解決手段】本発明にかかるＴＦＴの製造方法では、レーザー光１０を非晶質半導体膜に対して照射し、ゲート電極２によって反射させて再度非晶質半導体膜に照射する。これにより、ゲート絶縁膜３との界面部の非晶質半導体膜を結晶性を有する微結晶半導体膜４に変換する。そして、不純物濃度がゲート電極２とは反対側からゲート電極２側に向かって連続的に単調減少するように、微結晶半導体膜４に対して不純物元素１１を注入する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】酸素含有量が均一なバリア膜を形成する。
【解決手段】本発明のターゲット１１１は酸素と銅とを含有している。当該ターゲット１１１をスパッタリングして形成されるバリア膜２５は、原子組成がターゲット１１１と略等しくなるので、バリア膜２５中の酸素含有量を厳密に制御することが可能であり、しかも、バリア膜２５中の酸素の面内分布が均一になる。酸素と銅を含有するバリア膜２５はシリコン層やガラス基板への密着性が高い上に、シリコン層へ銅が拡散しないから、薄膜トランジスタ２０の、ガラス基板やシリコン層に密着する電極に適している。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の異なる複数の薄膜トランジスタを、同一基板上に形成する。
【解決手段】基板１と、基板１に支持された薄膜トランジスタ１０、２０とを備えた半導体装置であって、薄膜トランジスタ１０は、ボトムゲート電極１５と一部だけが重なるように配置されたトップゲート電極１６を備え、薄膜トランジスタ２０は、ボトムゲート電極２５と全体が重なるか、または一部だけが重なるように配置されたトップゲート電極２６を備え、トップゲート電極２６の一部だけがボトムゲート電極２５と重なっている場合には、トップゲート電極２６のうちボトムゲート電極２５と重なっていない領域２７のチャネル方向の長さＬ２は、トップゲート電極１６のうちボトムゲート電極１５と重なっていない領域１７のチャネル方向の長さＬ１よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理後も十分に低い電気抵抗率を示し、かつ直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減されると共に、耐食性および耐熱性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂などの破損による形状不良や特性不良などの半導体装置の不良を低減することを目的の一とする。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程中においても上記不良を低減することで半導体装置の製造歩留まりを向上させることを目的の一とする。
【解決手段】一対の第１の耐衝撃層及び第２の耐衝撃層に挟持された半導体集積回路において、半導体集積回路と第２の耐衝撃層との間に衝撃拡散層を有する。外部ストレスに対する耐衝撃層と、その衝撃を拡散する衝撃拡散層とを設けることで、半導体集積回路の単位面積あたりに加えられる力を軽減し、半導体集積回路を保護する。衝撃拡散層は弾性率が低く、破断係数が高い方が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 簡便に形成可能であり、リーク電流の発生を抑制できる薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ２２は、ソース領域及びドレイン領域の一方である第１領域と、他方である第２領域と、を有した半導体層２５と、ゲート絶縁層２７と、ゲート絶縁層上に形成され、第１領域から外れて位置し、第２領域に重ねられた開口部３０ａを有した環状のゲート電極３０と、層間絶縁膜３１と、半導体層の第１領域に接続された第１電極と、半導体層の第２領域に接続された第２電極と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてＡｌ系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ａｌ系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、およびフッ素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層と、ＡｌおよびＳｉを含むＡｌ−Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層を構成する窒素、炭素、およびフッ素のいずれかの元素は、前記半導体層のＳｉと結合している。 （もっと読む）

【課題】半導体の吸収端波長より長波長の光を半導体に照射する機構と、該光の調節機構とを設置することで、半導体の閾値電圧変化を補償又は抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも半導体を構成要素として有する半導体素子を備えた半導体装置であって、前記半導体の吸収端波長より長波長の光を該半導体に照射する機構と、前記光が通過する光路の一部に設けられた、光の強度、照射時間又は波長から選択される少なくとも１つの要素を調節する調光機構と、を有し、前記調光機構によって調節された前記光により、前記半導体素子の閾値電圧を変化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜にコンタクトホール有する回路基板を安価に提供する。
【解決手段】多層配線からなる回路基板であって、層間絶縁膜を介し下部電極と上部電極とが接続されるコンタクトホールがマトリックス状に二次元的に配列されている回路基板の形成方法において、二次元的に配列されている所定の形状のペースト吐出領域を有するスクリーン版であって、スクリーン版において近接する３つ以上のペースト吐出領域から吐出した絶縁ペースト同士がダレにより二次元的に接合することによりコンタクトホールが形成されるように印刷を行う印刷工程と、印刷された絶縁ペーストを硬化させる硬化工程とを含むことを特徴とする回路基板の形成方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】生産性が向上し、かつ寸法精度が良い金属配線の製造方法、ＴＦＴの製造方法、及びそれを用いて製造されたＴＦＴを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる金属配線の製造方法では、まず、主成分金属に、主成分金属より酸化物の生成エネルギーが低い添加金属が添加された第２の金属膜３０を成膜する。そして、第２の金属膜３０を酸化させて金属酸化物を形成し、第２の金属膜３０の表面に酸化層３２を形成する。次に、酸化層３２上にフォトレジスト３１を形成して、第１のドライエッチング条件により、酸化層３２をエッチングする。そして、第１のドライエッチング条件の場合と比較して、主成分金属の金属酸化物に対する選択比が高い第２のドライエッチング条件により、下層の第２の金属膜３０をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】半導体層と絶縁層との間の界面特性である半導体層のキャリヤ移動度の低下を防止した半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】活性多結晶シリコンからなる半導体層１２と、酸化ケイ素からなる絶縁層６との間に窒化ケイ素からなる界面層５を設けている。窒化ケイ素中の窒素元素が活性多結晶シリコン膜からなる半導体層１２中に拡散し、この活性多結晶シリコン膜中の格子歪みを補償し、半導体層１２と絶縁層６との所望の界面特性を満たす。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）