【課題】 液相法により導電性に優れた透光性導電膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 導電性微粒子と分散媒とを含む分散液１５０を基体上に配置し、導電性微粒子を含む微粒子膜を基体上に形成し、その後に、導電性微粒子を溶解した有機溶媒１５１を微粒子膜上に配置し、所定の温度の熱処理を行う。 （もっと読む）

導電性材料を噴射する第一の溶液噴射手段を用いて配線を形成する工程と、第二の溶液噴射手段を用いて前記配線の上にレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクをマスクとして、線状のプラズマ発生手段を有する大気圧プラズマ装置、又は、複数のプラズマ発生手段が線状に配列された大気圧プラズマ装置を用いて前記配線をエッチングする工程とを有する。
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【課題】高い信頼性と動作性能とを兼ね備えた半導体装置を作製する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域１１４と、第１の不純物領域１１２，１１３と、第２の不純物領域１１５，１１６と、第３の不純物領域１１７，１１８とを有する。前記第１の不純物領域は、前記第２の不純物領域及び前記第３の不純物領域よりも濃度が高く、前記第２の不純物領域は前記第１の不純物領域と前記第３の不純物領域との間に設けられ、前記第３の不純物領域は前記第１の不純物領域よりも前記チャネル形成領域に近く設けられる。前記ゲート電極１０８は前記チャネル形成領域及び前記第２の不純物領域と重なり、前記第２の不純物領域に含まれる不純物の濃度は、前記チャネル形成領域から前記第１の不純物領域に向かって増加している。 （もっと読む）

【課題】 薄膜形成領域の断面全域に機能液を充填することにより、形成される薄膜の機能を実現するために充分な断面積と必要な断面形状を有する薄膜を形成することができる、薄膜パターン形成方法、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を実現する。
【解決手段】 薄膜パターン形成方法は、第１の薄膜を構成する材料を含む機能液に対して親液性を有する第２の薄膜を形成するステップと、第２の薄膜の表面に、機能液に対する撥液性を付与する処理を行うステップと、第２の薄膜の一部を取り除いて、第１の薄膜のパターン形状を規定する凹部を形成するステップと、凹部に向けて機能液を吐出するステップと、凹部に吐出された機能液を乾燥させて第１の薄膜を形成するステップとを有する。半導体装置の回路配線は、上記薄膜パターン形成方法を用いて形成されており、電気光学装置は当該半導体装置を備え、電子機器は上記電気光学装置を備える。 （もっと読む）

【課題】素子の微細化を進めても電気的特性の劣化を招くことなく、ソース／ドレイン拡散層上にＣｏＳｉ₂ 膜を形成すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、シリコン領域の所定領域と接するコバルト膜を形成する工程と、前記コバルト膜上にチタン膜、窒化チタン膜を順次形成する工程と、熱処理により前記シリコン領域の所定領域と前記コバルト膜とを反応させ、コバルトシリサイド膜を形成する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シロキサンを含む層を選択的にエッチングする技術について提供することを課題とする。また、本発明は、エッチングの際に生じる不具合に起因した動作不良等の低減された半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】トランジスタに電気的に接続する導電層と、その導電層を覆う絶縁層とを形成した後、さらに絶縁層の上にマスクを形成する工程を有する。そしてマスクを形成した後、臭化水素ガスを含む処理用ガスを用いて絶縁層をエッチングすることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】フェムト秒レーザーを用いて薄膜を蝕刻することによって工程の単純化及び生産性の向上が図られる薄膜蝕刻方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する段階と、この薄膜上部にパターン形状が定義されたマスクを整列する段階と、このマスクに定義されたパターン形状を有するように前面にフェムト秒レーザーを照射して薄膜を選択的に除去する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等を、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】導電層を有する基板に対して裏面からの光照射によって、選択的に基板表面を改質し、ぬれ性を制御する。改質された表面上に、導電性材料又は絶縁性材料を吐出（噴出なども含む）などによって、付着させ、導電層、絶縁層を形成する。また、光触媒物質の光吸収、エネルギー放射作用によって、光による処理効率を向上させることができる。また、導電層上にも選択的にマスク層を形成し、非照射領域である導電層上の領域のぬれ性も制御する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗、且つ高耐熱性を有するゲート電極またはゲート配線を備えた高性能な半導体装置を実現する。
【解決手段】ゲート電極またはゲート配線を三層以上の積層構造とし、例えば、第１の導電層１０６ａ／第２の導電層１０６ｂ／第３の導電層１０６ｃを形成する。さらに、第２の導電層の幅は、第１の導電層及び第３の導電層の幅よりも狭いことを特徴とする。そして第１の導電層及び第３の導電層は高融点金属でなる。これにより高性能な半導体装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 細りのない所望する断面積の銅配線を形成することができる銅配線層の形成方法および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１上に下地絶縁膜２、下地バリア層３、銅シード層４を順次成膜したのち、この銅シード層４上にフォトレジスト層５の配線溝６パターンを形成し、この配線溝６の底部に露出した銅シード層４上に銅配線層７を形成し（図２（ａ））、この層７上に保護層８を形成したのちこの層８をマスクとしてフォトレジスト層５、銅シード層４、下地バリア層３を順次エッチングして図２（ｅ）に示す銅配線層７のパターンを形成する。
この層７からの銅の拡散を防止するため表面に層間絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する液晶表示装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な液晶表示装置の作製方法を提供する。更には、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い液晶表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板加熱温度の制限範囲を逸脱することなく製造コストの低減を実現できる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された半導体層と電極部材とを具備した薄膜トランジスタの製造方法であって、前記基板上に前記半導体層を形成した後に行われる前記電極部材を形成する工程が、液相法を用いて金属材料からなる前記電極部材を形成する工程であり、当該工程における前記電極部材の焼成温度が２５０℃以下であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】細い線状のパターンを、精度よく安定して形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に液滴吐出法を用いて機能液Ｌを吐出して所定のパターンを形成する方法であって、上記基板上に、上記機能液Ｌの飛翔径より大きな幅を有する第１領域３４Ａと当該第１領域３４Ａよりも狭い幅を有する第２領域３４Ｂとが配置されるようにバンクＢを形成する工程と、上記第２領域３４Ｂに、上記機能液Ｌに含まれる溶媒Ｌａを吐出する工程と、上記第１領域３４Ａに上記機能液Ｌを吐出して上記第２領域３４Ｂに上記機能液Ｌを流れ込ませる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 細い線状の微細パターンを、精度よく安定して形成することができるバンク構造体、パターン形成方法、及び電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】 機能液により形成するパターンに対応した凹部が設けられた隔壁構造体であって、第１パターン４０に対応して設けられた第１凹部５６と、第１凹部５６の一部に第１凹部５６よりも幅が広く、かつ、外周の少なくとも一部に円弧を有する形状に設けられた第２パターンに対応した第２凹部５７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極近傍のヘテロ接合界面で生じる漏れ電流を低減する。
【解決手段】第一導電型の基板１とドレイン領域２からなる半導体基体と、該半導体基体の一主面に接し、該半導体基体とはバンドギャップが異なるヘテロ半導体領域３と、ヘテロ半導体領域３と前記半導体基体との接合部にゲート絶縁膜５を介して形成されたゲート電極６と、ヘテロ半導体領域３と接続されたソース電極６と、前記半導体基体とオーミック接続されたドレイン電極７と、少なくともヘテロ半導体領域３と前記半導体基体とゲート絶縁膜５とが互いに接する領域から所定距離離れたドレイン領域２中に、第二導電型のウェル領域４とを有し、ウェル領域４内に空乏層が形成されない場合の該ウェル領域４内のフリーキャリア濃度が、該ウェル領域４内に空乏層が形成される場合の空乏層内の空間電荷濃度よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置製造の費用減少、生産性向上。
【解決手段】ＴＦＴ部及びゲート−パッド連結部に第１及び第２金属膜を蒸着しそれら金属膜をパターニングしゲート電極及びゲートパッドを形成する段階、全面に絶縁膜を形成する段階、第１及び第２非晶質シリコン膜パターンをＴＦＴ部の絶縁膜上に形成する段階であって第２非晶質シリコン膜全体の下部表面が第１非晶質シリコン膜表面と当接するようそれらのパターンを形成する段階、ソース及びドレイン電極をＴＦＴ部上に形成しソース及びドレイン電極間の第２非晶質シリコン膜を除去する段階、ドレイン電極及びゲートパッドの一部が露出されるよう保護膜を形成しゲートパッドの一部上の絶縁膜を除去する段階、第１及び第２画素電極パターンを形成する段階を含み、第１金属膜はＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ及びＴｉのうち１つの金属膜であり、第２金属膜はＡｌ又はＡｌ合金である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無線チップのコストを下げることを課題とする。また、無線チップの大量生産を可能として、無線チップのコストを下げることを課題とする。さらに、小型・軽量な無線チップを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、ガラス基板や石英基板から剥離された薄膜集積回路が第１の基体と第２の基体に設けられた無線チップを提供する。本発明の無線チップは、シリコン基板からなる無線チップと比較して、小型、薄型、軽量を実現する。本発明の無線チップが含む薄膜集積回路は、少なくとも、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造のＮ型の薄膜トランジスタと、シングルドレイン構造のＰ型の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 透明導電膜を形成するための非単結晶シリコン系薄膜の表面層に存在する水素の、透明導電膜に与える悪影響を排除する。
【解決手段】 基板上に非単結晶シリコン系薄膜を水素化シリコン系のガスを原料として気相成長法により形成し、得られた非単結晶シリコン系薄膜を大気に曝すことなしに該薄膜上に透明導電膜をスパッタリング法により形成する方法であって、前記透明導電膜の形成に先立って、前記非単結晶シリコン系薄膜を表面処理し、前記非単結晶シリコン系薄膜の表面からの膜厚が少なくとも５Åの表面層の水素密度を低減させることを特徴とする透明導電膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を最小化する。
【解決手段】ゲート電極配線２１０はボディ部２１２、互いに平行する２つのハンド部２１４、２１６を含む。ドレイン電極配線２３０は、ゲート電極配線と絶縁されていて、２つのハンド部２３４、２３６との間でゲート電極配線の一部と重なって延びている。ソース電極配線２４０は、ゲート電極配線と絶縁されていて、ボディ部２４１、２つのハンド部２４２、２４４の外側領域で重なりながらドレイン電極と離隔される。これによって、ゲート−ドレインの間の寄生容量を最小化し、ゲート電極領域がカバーする領域内にドレイン及びソース電極を配置することで、ドレイン−ゲートの間のカップリング容量を最小化させかつトランジスタの配置空間を減らすことができる。 （もっと読む）

多層構造の電子装置を形成する方法であって、横に延びる第１層に断面を規定するステップと、前記第１層の最上部に少なくとも１つの非平坦層を堆積させて、該非平坦層の表面の断面が前記横に延びる第１層の断面と同じにするステップと、前記非平坦層の最上部に少なくとも１つの追加層のパターンを堆積させて、該追加層の横位置が前記非平坦層の断面の形状によって規定されて該追加層が前記第１層の断面と外側で整合するステップとを備える。
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