【課題】パッシベーションおよびゲート絶縁膜のエッチング時の形状制御を可能とし、導電層の段切れを防止可能とし、品質を向上させた薄膜トランジスタ、これを用いた液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁基板１上にゲート層２、ゲート絶縁膜３、半導体層４、ドレイン層５、パッシベーション層６０を設け、かつ前記パッシベーション層６０上に配置された導電層７がコンタクトホールを介して前記ゲート層２若しくは前記ドレイン層５と接続される薄膜トランジスタにおいて、前記パッシベーション層６０が、表面側を高速エッチングレート層６２、基板側を低速エッチングレート層６１の２層以上で形成され、かつ前記高速エッチングレート層６２の膜厚を前記導電層７の膜厚以下とする。 （もっと読む）

【解決手段】液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の一部にされる金属特徴を定めるための方法およびシステムが提供される。この方法は、ガラス基板に対して施され、ガラス基板は、ガラス基板上にまたはガラス基板の層上に定められたブランケット導電性金属層（例えば障壁層）を有する。ブランケット導電性金属層の上には、反転フォトレジストマスクが塗布される。次いで、反転フォトレジストマスクの上に、めっきメニスカスが形成される。めっきメニスカスは、少なくとも電解液およびめっき化学剤を含み、めっきメニスカスは、ブランケット導電性金属層の上の、反転フォトレジストマスクによって覆われていない領域内に金属特徴を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、トランジスタのソース・ドレイン電極間のチャネル長を短く、均一に形成する。
【解決手段】表面に下地絶縁膜１０２を形成したガラス基板１０１上にソース・ドレイン電極１０３を形成し、ソース・ドレイン間に不純物含有液体シリコン材料を塗布して塗布膜１０４を形成し、塗布膜１０４にレーザー光を照射して一部を除去し、第１の塗布膜１０６と第２の塗布膜１０７とに分離し、第１の塗布膜１０６と第２の塗布膜１０７とを焼成してＮ型シリコン膜にする。さらに、第１のＮ型シリコン膜１０８と第２のＮ型シリコン膜１０９の間に半導体膜１１０を形成し、半導体膜１１０上にゲート絶縁膜１１１、ゲート電極１１３を順次形成する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極の膜厚を厚く形成することなく、ゲート電極の十分な遮光性と低抵抗化とを両立することができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 多結晶シリコン層５ａと、多結晶シリコン層５ａに積層する高融点金属の硅化物層５ｂと、硅化物層５ｂに積層する高融点金属層５ｃとを具備する多層構造の薄膜でＴＦＴ３０のゲート電極３ａを形成することにより、ゲート電極３ａの膜厚を厚く形成することなく、十分な遮光性と低抵抗化とを両立する。すなわち、多結晶シリコン層５ａの上層に積層された高融点金属の硅化物層５ｂ及び高融点金属層５ｃを積層によって、ゲート電極３ａの低抵抗化が実現され、同時に、硅化物層５ｂの上層に積層されたシリコン成分を含まない高融点金属層５ｃによって、ＴＦＴ基板１０にアニール処理が行われた場合等にも、薄い膜厚でゲート電極３ａの遮光性が十分に確保される。
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【課題】製造プロセスにおけるプラズマ電流により破壊されることを防止でき、且つダイオードの耐圧が上昇してしまうことを回避した半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、支持基板であるシリコン基板１０１ａと、シリコン基板１０１ａ上の酸化膜１０１ｂと、酸化膜１０１ｂ上のシリコン薄膜１０１ｃとを有するＳＯＩ基板１０１を用い、これのシリコン薄膜１０１ｃ上に形成された入力端子ＩＮ（第２上層配線１３４）と、シリコン薄膜１０１ｃ上に形成されたＶｓｓ端子Ｔvss（第１上層配線１３９）と、シリコン薄膜１０１ｃに形成され、入力端子ＩＮとＶｓｓ端子Ｔvssとに接続された半導体素子（例えばインバータ１１）と、シリコン薄膜１０１ｃに形成され、Ｖｓｓ端子Ｔvssから入力端子ＩＮへ順方向に接続された保護ダイオード１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】より良好な電気的特性を有する化合物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する半導体装置、及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体層として化合物半導体材料を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に、それぞれ導電性の有機化合物及び無機化合物を含むバッファ層を形成する。バッファ層は有機化合物及び無機化合物を含む層として形成される。化合物半導体材料を用いた半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に介在するバッファ層によって、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との導電性は向上し、電気的に良好な接続を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 フォトマスクの枚数を低減して製造コストの低減が可能なパターニング方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）電極層２０およびオーミック接続層３０を順に積層形成する工程と、（ｂ）接続層３０の表面の所定位置にエッチングマスク層４０を形成する工程と、（ｃ）接続層３０のａ−Ｓｉ材料のエッチングレートが、電極層２０のＭｏ材料およびエッチングマスク層４０のレジスト材料のエッチングレートより大きくなる第１エッチングと、（ｄ）電極層２０のＭｏ材料およびエッチングマスク層４０のレジスト材料のエッチングレートが、接続層３０のａ−Ｓｉ材料のエッチングレートより大きくなる第２エッチングとを、繰り返し実施することにより、接続層３０および電極層２０をパターニングするとともに、電極層２０の側面を傾斜面とする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板を製造する際に必要なフォトマスクの枚数を従来よりも減らすと共に、低消費電力駆動を実現する。
【解決手段】まず、第１のフォトマスクを用いて、ゲート線１、ゲート電極１ａ及びソース線下層部３ａを形成する。次いで、第２のフォトマスク１１を用いてレジスト層１２を形成する。続いて、レジスト層１２の第１開口部１２ａを介してｎ⁺アモルファスシリコン膜、真性アモルファスシリコン膜及びゲート絶縁膜４をエッチングする。その後、レジスト層１２の第２開口部１２ｂを介してｎ⁺アモルファスシリコン膜をエッチングして、ソース領域５ｂ及びドレイン領域５ｃをパターニングして半導体層５を形成する。さらに、第３のフォトマスクを用いて、コンタクトホール６ａ、６ｂ及び６ｃを形成する。最後に、第４のフォトマスクを用いて画素電極８ａ及びソース線３を形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗の低いトランジスタを提供する。
【解決手段】Ｐ型又はＮ型を付与する不純物元素を含む半導体膜と、その上に形成された絶縁膜と、少なくとも前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体膜と電気的に接続された電極又は配線とを有し、前記半導体膜は、所定の深さよりも深い領域に含まれる前記不純物元素の濃度が第１の範囲（１×１０^２０／ｃｍ^３以下）であり、且つ前記所定の深さより浅い領域に含まれる前記不純物元素の濃度が第２の範囲（１×１０^２０／ｃｍ^３を超える）であり、前記半導体膜の、前記電極又は配線と接する部分よりも深い領域は、前記不純物元素の濃度が前記第１の範囲である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、プラスチック基板が熱によって変形することを防止して正確な薄膜パターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】
本発明による表示板を製造する方法は、可撓性基板を形成する段階、前記基板の上にゲート線を形成する段階、前記基板の上にゲート絶縁膜を積層する段階、前記ゲート絶縁膜の上に半導体層を形成する段階、前記半導体層の上にデータ線及びドレーン電極を形成する段階、そして前記ドレーン電極と電気的に連結されている画素電極を形成する段階を含み、前記ゲート線を形成する段階、ゲート絶縁膜を積層する段階、半導体層を形成する段階、ソース電極を含むデータ線及びドレーン電極を形成する段階、そして画素電極を形成する段階のうち、少なくとも一つは温度８０℃乃至１５０℃及び１×１０^-6乃至９×１０^-6Ｔｏｒｒの真空度でスパッタリングする段階を含む。 （もっと読む）

【課題】膜パターンの機能（導電膜の場合は導電性）を阻害させることなく、基体に対する密着力が高い膜パターンを、液滴吐出法により提供する。
【解決手段】基板上にインクジェットから液滴を吐出し、乾燥固化し、密着性機能を持つドットアレイ１０を形成する。このときドット直径以上のピッチで形成する。密着性機能を持つドットアレイの周りに導電性機能を持つドットアレイ１１をドット直径以上のピッチで液滴吐出し、乾燥固化する。この後、導電性機能を持つドットの間にドットが一部重ねて連結するように導電性機能を持つドットアレイ１２，１３，１４を同様の方法で形成する。密着性機能を持つドットアレイは機能性ドットアレイは基体表面に選択的に形成できるので、表面に電極等が形成されている基板にも適用できる。 （もっと読む）

【課題】下部バリアメタル層の省略を可能にすると共に、工程数を増やすことなく簡略化し、Ａｌ系合金膜を薄膜トランジスタの半導体層に対し直接かつ確実に接続することができ、しかも、Ａｌ合金膜に対して低い熱プロセス温度を適用した場合でも、透明画素電極間の低電気抵抗率化を達成し得るソース−ドレイン電極を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層３３と、ソース−ドレイン電極３４と、透明画素電極５とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極３４は、合金成分としてＮｉを０．１〜６原子％含有するＡｌ合金の薄膜からなり、Ａｌ合金の薄膜は薄膜トランジスタの半導体層３３と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】 液状の導電性材料を充填・硬化することで膜パターンを上記基板上に形成するためのバンクが形成されている膜パターン形成用基板やそれを用いた基板の製造コストを抑える。
【解決手段】 本発明の膜パターン形成用基板は、少なくとも一つの膜部材がバンクを成している。例えば、ａ−Ｓｉ膜１３とｎ＋型ａ−Ｓｉ膜１５とがバンクを成している。そこへ液状の導電性材料を充填・硬化することで膜パターンを上記基板上に形成する。したがってバンク形成専用のプロセスや部材が不要になる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたＦＥＴをはじめとする酸化物半導体デバイスの製造方法において、低コストでかつ高品質・高性能の素子を提供する。
【解決手段】 酸化物半導体をチャネル層１４として用いたＦＥＴの製造方法において、チャネル層１４を成す酸化物半導体の所望の場所に短波長の光または高エネルギーの粒子を照射する。そして低導電率のチャネル層１４に高導電率のドレイン１５およびソース１６を形成することにより、チャネル層１４の界面状態を良好に保ったＦＥＴを製造する。あるいは、高導電率の酸化物半導体の所望の場所に光触媒を接触させ、光触媒に光を照射して酸化物半導体に低導電率の部分を形成する。その低導電率の部分をチャネル層に用いて、チャネル層の界面状態を良好に保ったＦＥＴを製造する。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬ発光層などの自発光素子を用いてディスプレイを作製する際に両面で発光するディスプレイを作製することができるようにする。
【解決手段】 薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ＴＦＴ）７０５で発光層７１３における発光を駆動し、発光層７１３を下部電極７０９と上部電極７１５とで挟む発光素子において、ＴＦＴ７０５の活性層がＩｎとＧａとＺｎを含み、かつ電子キャリア濃度が１０¹⁸／ｃｍ³未満であり、かつ少なくとも一部が非晶質の酸化物であり、かつＴＦＴ７０５のドレイン電極に発光層７１３の一部が電気的に接続され、少なくともＴＦＴ７０５の電極と、下部電極７０９と、下部電極７０９とドレイン電極とを接続する電極とが透明である。 （もっと読む）

【課題】 電極層と半導体層との接触抵抗が低く、密着性と経時安定性に優れた酸化物半導体素子を提供する。
【解決手段】 酸化物半導体層と貴金属電極との間に、それらの間の密着性を向上させるための密着性向上層１０６が分散して配置され、前記酸化物半導体層と貴金属電極が接触する部分を有する。密着性向上層１０６は、島状又はストライプ状に分散している。密着性向上層１０６は、１０ｎｍ以下の厚さを有し、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ又はＷの少なくとも１つを含む。貴金属電極１０３の材料は、Ａｕ、Ｐｔ又はＰｄの少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】 成膜中及び成膜後の雰囲気からの水分や酸素の吸着及び拡散を抑制し、全体として高比誘電率を有する絶縁層を提供することを目的とする。
【解決手段】 チャネルとチャネル上に絶縁層を有するトランジスタ１であって、絶縁層はチャネル側から第１の絶縁層５、第２の絶縁層４、第３の絶縁層３を有しており、第２の絶縁層４が第１の絶縁層５及び第３の絶縁層３よりも比誘電率が高く、第１の絶縁層５と第２の絶縁層４及び第２の絶縁層４と第３の絶縁層３各々の界面にはアモルファス領域が存在する。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流を減らすことを可能にするとともにフラットバンド電圧がシフトするのを抑制することを可能にする。
【解決手段】 半導体基板２上に設けられた酸素を含む高誘電体からなるゲート絶縁膜４と、ゲート絶縁膜上に設けられ、酸素を含む電気伝導体からなる電気伝導体膜６と、電気伝導体膜上に設けられたゲート電極８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ソース領域及びドレイン領域における不純物の活性化及びコンタクト抵抗の低減を効率良く行うことができる、生産性に優れた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に半導体膜を形成する工程、前記半導体膜を含む前記基板上にゲート絶縁膜を形成する工程、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、前記ゲート電極をマスクとして前記ゲート絶縁膜をエッチングし、前記半導体膜を露出する工程、全面に金属層を形成する工程、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体膜に不純物を注入する工程、及び前記不純物注入領域に熱処理を施し、前記半導体膜中の不純物を活性化するとともに、前記半導体膜と金属層との界面に金属シリサイド層を形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製した半導体装置を提供することを目的とする。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】パターン材料を含む組成物からなる複数の第１の液滴を第１の線上に中心を有するように吐出し、第１の液滴の間に複数の第２の液滴を第２の線上に中心を有するように吐出して形成されたパターンを有する半導体装置である。第１の線と第２の線とが一定の距離を有するため、パターンの側端部が波状形状となる。 （もっと読む）