【課題】電極パッドの面積を確保しつつ、装置面積が小さい窒化物半導体装置を実現でき電極パッドの面積を確保しつつ、装置面積が小さい窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、基板１１と、基板１１の主面の上に形成され、主面と平行な方向に電子が走行するチャネル領域を有する窒化物半導体層１３と、窒化物半導体層１３における活性領域３０の上に互いに間隔をおいて形成された第１の電極１８及び第２の電極１７とを備えている。窒化物半導体層１３の上には、第１の電極１８を露出する開口部を有し且つ上面が平坦化された層間絶縁膜２３が形成され、層間絶縁膜２３における活性領域３０の上側の領域には、開口部から露出した第１の電極１８と電気的に接続された第１の電極パッド２５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】パンチスルーの発生を抑制すると共に、オン抵抗の増加を抑制することが可能な縦型半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体領域１５の第１および第２の半導体部１５ｂ、１５ｃは、それぞれ導電性支持基体１３の第１および第２のエリア１３ｂ、１３ｃ上に位置する。ＧａＮ系半導体領域１７は、第１の半導体部１５ｂ上に位置し、またＧａＮ系半導体領域１９は、第２の半導体部１５ｃ上に位置する。ＧａＮ系半導体領域２１は、ＧａＮ系半導体領域１７およびＧａＮ系半導体領域１９上に設けられる。ＧａＮ系半導体領域１７はＧａＮ系半導体領域１５の第１の半導体部１５ｂにヘテロ接合２５を成し、二次元反転層２３が形成される。ＧａＮ系半導体領域１３は、ＧａＮ系半導体領域１９を介してＧａＮ系半導体領域２１に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】空乏化を生じず、また、製造工程における酸化、薬液による腐食、含有する金属による熱処理装置の汚染を抑えることのできるゲート電極を有し、且つトランジスタのオン電流の低下を抑えることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属含有層、並びに前記金属含有層の上面および側面を覆う不純物イオンを含んだ多結晶シリコン層からなるゲート電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電気的な特性が向上される半導体素子の形成方法を提供する。
【解決手段】この方法は、導電パターン１０５を有する半導体基板１００の上に絶縁膜１１０を形成する。絶縁膜をパターニングして導電パターンの一部を露出する開口部１１５を形成し、開口部の内壁及び絶縁膜の上部面に予備拡散防止膜１２０を形成する。予備拡散防止膜に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜１２０ａを形成する。第１拡散防止膜により囲まれている開口部を埋める金属膜１５２を形成する。この方法により製造された半導体素子及び半導体素子の製造に利用する半導体クラスタ装備を提供する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストの回数を削減し、且つ微細な薄膜加工を容易に行う方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成された第１の層及び光吸収性を有する第２の層上に選択的にレーザービーム照射を行い、光吸収層の一部を除去し、光吸収層をマスクとして第１の層の露出させた部分をエッチングにより除去する。次に少なくとも第１の層及び第２の層の除去された部分を覆うように第２の層上の一部にマスクとなる層を液滴吐出法により形成し、マスクとなる層をマスクとして第１の層及び第２の層をエッチングする。所定の場所に適した方法を選択して薄膜加工を行うことができるため、スループットが向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、低いオン状態順方向電圧および小さな寄生抵抗を示すダイオードを提供することである。
【解決手段】 ダイオードを製造する方法は、ＳｉＣ基板上にＡｌ_xＧａ_1-xＮ核生成層を付着させることによって開始され、次いでｎ＋ＧａＮ緩衝層、ｎ−ＧａＮ層、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ障壁層およびＳｉＯ₂誘電体層を付着させる。誘電体層の一部分を除去し、その空洞の中にショットキー金属を付着させる。Ａｕ−Ｓｎ共晶ウェハ接合プロセスを使用して金属接合層によって誘電体層を支持層に貼り付け、反応性イオンエッチングを使用して基板を除去して、ｎ＋層を露出させ、ｎ＋、ｎ−および障壁層の選択された部分を除去して、誘電体層上にショットキー金属を覆うメサ形ダイオード構造を形成し、ｎ＋層上にオーミックコンタクトを付着させる。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体を用いると共にｐ型ガードリングを有するショットキバリアダイオードを提供する。
【解決手段】ショットキバリアダイオード１１では、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３の主面１３ａは、第１のエリア１３ｂと第２のエリア１３ｃとを含む。第１の電極１５は金属体１９を有しており、第１の電極１５の金属体１９は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３の第１のエリア１３ｂ上に設けられ、またｎ型窒化ガリウム系半導体層１３にショットキ接触２１を成す。ｐ型III族窒化物半導体のガードリング領域１７はｎ型窒化ガリウム系半導体層１３の第２のエリア１３ｃ上に設けられる。凸状のガードリング領域１７は第１導電型窒化ガリウム系半導体層１３の第２のエリア１３ｃにｐｎ接合２３を成す。 （もっと読む）

【課題】半導体層内部に発生する電界を低減し、耐圧を向上できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル層を形成する第１の窒化物半導体層３、及びそれより禁制帯幅が広く窒化物半導体層３に対し障壁層となる層を含む第２の窒化物半導体層４を含む半導体層と、この半導体層３，４上に互いに間隔を隔てて形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、半導体層３，４上のソース電極５とドレイン電極６との間の領域に形成されたゲート電極７とを備え、少なくともゲート電極７とドレイン電極６との間に存在する半導体層３，４にはフッ素を含む少なくとも１つのフッ素導入領域９が備えられている。 （もっと読む）

【課題】溝の埋め込み性を改善することと、溝の埋め込み高さを確保することを両立させることができる半導体装置の製造方法を実現する。
【解決手段】半導体装置の製造方法として、半導体基板１上の層間膜２に幅の異なる溝３，４を形成する工程と、溝３，４が形成された層間膜２上にバリアメタル層５を形成する工程と、バリアメタル層５を覆いかつ溝３，４の形成部位に開口部を有するレジストマスク７を形成する工程と、レジストマスク７を用いてバリアメタル層５をエッチングすることによりオーバーハング部６を除去する工程と、レジストマスク７を除去した後、半導体基板１上で溝３，４に配線材料を埋め込む工程と、半導体基板１上で配線材料とバリアメタル層５の余剰部を研磨により除去する工程とによって溝配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物半導体電界効果トランジスタのような金属絶縁体デバイスおよび／または金属絶縁体金属キャパシタを提供する。
【解決手段】装置は、
炭化タンタル、炭窒化タンタル、炭化ハフニウム、および炭窒化ハフニウムからなる組から選択される金属化合物を含む電極と、
窒素とシリコンを含む酸化ハフニウムからなるｈｉｇｈ−ｋ誘電体層であって、少なくとも４．０のｋ値を有するｈｉｇｈ−ｋ誘電体層と、
電極とｈｉｇｈ−ｋ誘電体層との間に配置された窒素および／またはシリコンおよび／または炭素のバリア層とを含み、
窒素および／またはシリコンおよび／または炭素のバリア層は、１またはそれ以上の金属酸化物を含み、金属酸化物の金属はランタニド、アルミニウム、およびハフニウムからなる組から選択される。 （もっと読む）

【課題】混晶層中のＧｅ濃度およびＣ濃度の許容範囲内で、チャネル領域に十分に応力を印加することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にダミーゲート電極３を形成する。次に、ダミーゲート電極３をマスクにしたリセスエッチングにより、リセス領域７を形成する。次いで、リセス領域７の表面に、ＳｉＧｅ層からなる混晶層８をエピタキシャル成長させる。続いて、ダミーゲート電極３を覆う状態で、混晶層８上に、層間絶縁膜１２を形成し、ダミーゲート電極３の表面が露出するまで、層間絶縁膜１２を除去する。ダミーゲート電極３を除去することで、層間絶縁膜１２にＳｉ基板１を露出する凹部１３を形成する。その後、凹部１３内にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極および導電膜を容易に形成するとともに、高いオーミック特性および導電膜の低抵抗を維持する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層１２を準備する準備工程を実施する。そして、半導体層１２上に、オーミック電極材料からなる第１金属層を形成する第１金属層形成工程を実施する。そして、第１金属層上に、第２金属層１４を形成する第２金属層形成工程を実施する。そして、第１および第２金属層１４の一部分を半導体層１２上に残存させる一方、他の部分を半導体層１２上から除去する除去工程を実施する。除去工程後に、第１金属層１４の一部分を半導体層１２と合金化する合金化工程を実施する。第２金属層１４において第１金属層と接触する部分は、合金化工程での加熱温度より融点が高く、かつ第２金属層形成工程と合金化工程とを実施する環境下で第１金属層と反応しない金属からなる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、低い順方向立上り電圧と、高い逆方向電圧とを実現する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたアンドープの第１のIII-Ｖ族窒化物半導体層と、前記第１のIII-Ｖ族窒化物半導体層上に形成された、前記第１のIII-Ｖ族窒化物半導体層よりもバンドギャップの広いアンドープの第２のIII-Ｖ族窒化物半導体層と、前記第２のIII-Ｖ族窒化物半導体層上に形成された第１のアノード電極と、前記第１のアノード電極を覆うように、前記第２のIII-Ｖ族窒化物半導体層上に形成された第２のアノード電極と、前記第２のIII-Ｖ族窒化物半導体層上に形成されたカソード電極とを有し、前記第１のアノード電極は熱処理が施されており、前記第１のアノード電極と前記第２のIII-Ｖ族窒化物半導体層との間に生じるショットキーバリアおよび逆方向耐圧は、前記第２のアノード電極と前記第２のIII-Ｖ族窒化物半導体層との間に生じるショットキーバリアおよび逆方向耐圧よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】スパイク発生を解消する電極膜を提供する。
【解決手段】裏面電極膜５は、コレクタ層３１の表面に、密着層１１と拡散防止層１２とバリア層１３と電極本体層１４と親和層１５とがこの順序で形成されており、親和層１５は、低融点金属層１６によってステージに接続される。密着層１１はアルミニウム合金であり、拡散防止層１２はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｏのうち、１種類を含む金属であり、電極本体層１４はＮｉ合金であり、バリア層１３は拡散防止層１２の金属の窒化物である。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗によるオン電流の低下を抑え、かつ、オン電流のばらつきを抑え、さらに、オフ電流の上昇を抑えたショットキーバリアダイオードを作製する。
【解決手段】島状の半導体膜を形成し、島状の半導体膜に第１のｎ型不純物領域を形成し、島状の半導体膜を覆ってアノード用開口部とカソード用開口部を有する絶縁膜を形成する。アノード用開口部をマスクして、カソード用開口部を通して、ｎ型不純物領域にｐ型不純物元素を添加し、ｎ型不純物元素およびｐ型不純物元素を含む第２のｎ型不純物領域を形成する。カソード用開口部からｐ型不純物元素の添加を行うため、この開口部周辺も僅かながらｐ型不純物元素が添加される。このことにより、第１のｎ型不純物領域はカソード配線とショートしない程度に僅かにずれるため、寄生抵抗およびオフ電流の上昇が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置においてリーク電流の低減が要求されている。
【解決手段】 本発明に従うSBDを形成する方法は、窒化物半導体２の上にチタン膜８及びアルミニウム膜９を電子ビーム蒸着法で形成する工程を有する。チタン膜８及びアルミニウム膜９を電子ビーム蒸着法で形成する時に自然発生的に極く薄いチタン酸化膜１０がチタン膜８と窒化物半導体２との間に生じる。この極く薄いチタン酸化膜１０を窒化物半導体２の上に残存させて表面安定化膜として使用し、リーク電流を低減させる。 （もっと読む）

【課題】TFTアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明ガラス基板11と、上方に順次ゲート絶縁層13、半導体層14、オーミック接触層15が被覆しているゲートライン12b及びゲートライン12bと一体となるゲート電極12aと、ゲートライン12b及びゲート電極12a、ゲート絶縁層13、半導体層14、オーミック接触層15の両側に形成された絶縁層16と、オーミック接触層15に形成され、半導体層14の中間位置の上方でオーミック接触層15を分断する分断溝15aと、絶縁層16及びオーミック接触層15の上方に形成されたデータライン及び第1、第2のソース・ドレイン電極と、を備えるTFTアレイ基板であり、該TFTアレイ基板はスリットフォトリソグラフィー処理を使用しない4回のフォトリソグラフィー処理により製造できる。 （もっと読む）

【課題】島状に設けられた半導体層の端部に起因する不良を防止し、信頼性の向上した半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた島状の半導体層と、島状の半導体層の一表面上及び側面に設けられた絶縁層と、絶縁層を介して島状の半導体層上に設けられたゲート電極と、を有する構造とする。このとき、島状の半導体層に接して設けた絶縁層において、島状の半導体層の一表面上と比較して、島状の半導体層の側面と接する領域の誘電率を小さくする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のチャネルコンタクトマスクとしての利用によりマスク数を減らしてもコンタクトホールに高濃度の異なる二つの導電型の不純物領域を出現させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第一導電型不純物領域（２０２）を有する層（２０）内に第二導電型不純物（２０４）を添加して製造する半導体装置（１）の製造方法であって、前記層（２０）上に層間絶縁膜（４０）を形成する工程と、前記層間絶縁膜（４０）に貫通部（ＣＨ１）を形成する工程と、前記層間絶縁膜の貫通部（ＣＨ１）を通じて前記層（２０）に前記第二導電型不純物（２０４）を注入する工程と、前記層間絶縁膜の前記貫通部（ＣＨ１）を広げてコンタクトホール（ＣＨ２）を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）