半導体素子及びその形成方法、半導体クラスタ装備
【課題】電気的な特性が向上される半導体素子の形成方法を提供する。
【解決手段】この方法は、導電パターン１０５を有する半導体基板１００の上に絶縁膜１１０を形成する。絶縁膜をパターニングして導電パターンの一部を露出する開口部１１５を形成し、開口部の内壁及び絶縁膜の上部面に予備拡散防止膜１２０を形成する。予備拡散防止膜に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜１２０ａを形成する。第１拡散防止膜により囲まれている開口部を埋める金属膜１５２を形成する。この方法により製造された半導体素子及び半導体素子の製造に利用する半導体クラスタ装備を提供する。
【解決手段】この方法は、導電パターン１０５を有する半導体基板１００の上に絶縁膜１１０を形成する。絶縁膜をパターニングして導電パターンの一部を露出する開口部１１５を形成し、開口部の内壁及び絶縁膜の上部面に予備拡散防止膜１２０を形成する。予備拡散防止膜に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜１２０ａを形成する。第１拡散防止膜により囲まれている開口部を埋める金属膜１５２を形成する。この方法により製造された半導体素子及び半導体素子の製造に利用する半導体クラスタ装備を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子と、半導体素子を製造する方法及び装備に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の高集積化によって金属配線は細線になるが、逆に、その金属配線の抵抗は増加する。これによって、金属配線としてアルミニウム（Ａｌ）の代わりに、抵抗が低い銅（Ｃｕ）に替わっている。しかし、銅配線が接合パッド等の最終配線層に使われる場合、酸化し易い問題点がある。従って、アルミニウム配線が銅配線上の最終配線層に使われている。前記銅配線とアルミニウム配線の間に銅又はアルミニウムが拡散されると、銅とアルミニウムの合金が形成される。前記合金は比抵抗が高いので、半導体素子の電気的な特性を低下させる。
【０００３】
一方、前記アルミニウム配線は開口部、例えばコンタクトホールに形成される。半導体素子の高集積化によって、コンタクトホールの縦横比は増加している。これによって、アルミニウム配線の形成過程で、前記コンタクトホールがアルミニウムによって完全に埋められないのでコンタクトホールの中に空孔が発生し易い。前記空孔によって、半導体素子の電気的な特性が低下する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、電気的な特性が向上される半導体素子及びその形成方法を提供するものである。
【０００５】
本発明の他の目的は、電気的な特性が向上される半導体素子を製造するとき、利用する半導体クラスタ装備を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の課題を解決するための半導体素子は、導電パターンを有する半導体基板と、前記導電パターン及び半導体基板上に形成され、前記導電パターンの一部を露出する開口部を有する絶縁膜と、前記開口部を埋める金属配線と、前記金属配線と前記導電パターンとの間に介されると共に、酸素原子等を含む第１拡散防止パターンを備える。
【０００７】
一実施形態によると、前記酸素原子等は、前記第１拡散防止パターンの結晶粒子の界面に位置する。
【０００８】
一実施形態によると、前記導電パターンは、銅を含み、前記金属配線は、アルミニウムを含む。
【０００９】
一実施形態によると、前記半導体素子は、前記第１拡散防止パターンと前記金属配線との間に介された第２拡散防止パターンをさらに備える。前記第１拡散防止パターン及び前記第２拡散防止パターンは、各々耐熱性金属を含む。前記耐熱性金属はチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、バナジウム（Ｖ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、モリブデン（Ｍｏ）、レニウム（Ｒｅ）、タングステン（Ｗ）、チタン−ジルコニウムの中で少なくとも一つを含む。前記第１拡散防止パターン及び前記第２拡散防止パターンは、各々耐熱性金属窒化物から構成しても良い。前記耐熱性金属窒化物は、チタン窒化物、タンタル窒化物、ニオブ窒化物、バナジウム窒化物、ジルコニウム窒化物、ハフニウム窒化物、モリブデン窒化物、レニウム窒化物、タングステン窒化物、チタン−ジルコニウム窒化物の中で少なくとも一つを含む。
【００１０】
一実施形態によると、前記第２拡散防止パターンは、前記開口部の側壁上に延長される。この場合、前記半導体素子は、前記開口部の上部側壁部の金属配線と前記開口部の上部側壁部の第２拡散防止パターンとの間に介される蒸着抑制パターンをさらに備える。結果的に、前記開口部の中の前記第２拡散防止パターンの下部側壁は、前記金属配線と接触される。前記第２拡散防止パターンは、第１金属窒化膜を含み、前記蒸着抑制パターンは、第２金属窒化膜を含む。前記第２金属窒化膜の窒素含有量は、前記第１金属窒化膜の窒素含有量に比べて多い。前記第１金属窒化膜と前記第２金属窒化膜は、同じ耐熱性金属を含む。前記第２拡散防止パターンは、耐熱性金属膜を含み、前記蒸着抑制パターンは、耐熱性金属窒化膜を含む。
【００１１】
又、本発明は上述した課題を解決するための半導体クラスタ装備を提供する。半導体クラスタ装備は、開口部を有する基板上に予備拡散防止膜を形成すること、前記予備拡散防止膜に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜を形成すること、前記第１拡散防止膜上に第２拡散防止膜を形成することの中で少なくとも一つを行う様に設定される第１工程チャンバと、前記開口部の中の第２拡散防止膜の下部側壁が露出する様に、前記開口部の中の第２拡散防止膜の上部側壁及び前記開口部の外の第２拡散防止膜の上部面に蒸着抑制層を形成する様に設定される第２工程チャンバと、前記蒸着抑制層を有する基板上に前記開口部を埋める金属膜を形成する様に設定される第３工程チャンバとを備える。
【００１２】
一実施形態によると、前記半導体クラスタ装備は、第４工程チャンバと、第５工程チャンバをさらに備える。この場合、前記第１工程チャンバは、前記予備拡散防止膜を形成する様に設定され、前記第４工程チャンバは、前記酸素原子等を供給する様に設定され、前記第５工程チャンバは、前記第２拡散防止膜を形成する様に設定される。
【００１３】
一実施形態によると、前記第４工程チャンバはクリーニングチャンバ、脱ガスチャンバ、冷却チャンバの中で少なくとも一つに設定される。前記クリーニングチャンバは、前記開口部を有する基板を洗浄するチャンバである。
【００１４】
一実施形態によると、前記基板は導電パターンと、前記導電パターンを露出する前記開口部を有する絶縁膜を備える。
【００１５】
又、本発明は上述した課題を解決するための半導体素子の製造方法を提供する。この方法は、導電パターンを有する半導体基板を備えること、前記導電パターン及び前記半導体基板上に絶縁膜を形成すること、前記絶縁膜をパターニングして前記導電パターンの一部を露出する開口部を形成すること、前記開口部の内壁及び前記絶縁膜の上部面に予備拡散防止膜を形成すること、前記予備拡散防止膜に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜を形成すること、前記第１拡散防止膜上に金属膜を形成することを含む。前記金属膜は、前記第１拡散防止膜により囲まれている前記開口部を埋める様に形成される。
【００１６】
一実施形態によると、前記酸素原子等は、前記予備拡散防止膜の結晶粒子の界面に供給される。
【００１７】
一実施形態によると、前記酸素原子等は、酸素熱処理工程を利用して供給される。
【００１８】
一実施形態によると、前記酸素原子等は、酸素プラズマ工程を利用して供給される。
【００１９】
一実施形態によると、前記酸素原子等は、Ｏ２ガス、Ｎ２Ｏガス、Ｈ２Ｏガス、Ｏ２とＨ２の混合ガス、Ｏ３ガスの中で少なくとも何れか一つを利用して供給される。
【００２０】
一実施形態によると、前記方法は、前記金属膜を形成する前に、前記第１拡散防止膜上に第２拡散防止膜を形成することをさらに含む。前記第１拡散防止膜及び前記第２拡散防止膜は、各々耐熱性金属膜から形成される。前記耐熱性金属膜は、チタン、タンタル、ニオブ、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、レニウム、タングステン、チタン−ジルコニウムの中で少なくとも一つを含む。前記第１拡散防止膜及び前記第２拡散防止膜は、各々耐熱性金属窒化膜から形成しても良い。前記耐熱性金属窒化膜は、チタン窒化膜、タンタル窒化膜、ニオブ窒化膜、バナジウム窒化膜、ジルコニウム窒化膜、ハフニウム窒化膜、モリブデン窒化膜、レニウム窒化膜、タングステン窒化膜、チタン−ジルコニウム窒化膜の中で少なくとも一つを含む。
【００２１】
一実施形態によると、前記導電パターンは、銅から形成され、前記金属膜は、アルミニウムから形成される。
【００２２】
一実施形態によると、前記方法は、前記金属膜と第２拡散防止膜と第１拡散防止膜をパターニングして順次に積層される第１拡散防止パターンと、第２拡散防止パターン及び金属配線を形成することをさらに含む。前記金属パターンは、前記第２拡散防止パターンにより囲まれている前記開口部を埋める様に形成される。前記方法は、前記金属膜を形成する前に前記第２拡散防止膜を有する半導体基板上に蒸着抑制層を形成することをさらに含む。前記蒸着抑制層は、前記開口部の中の前記第２拡散防止膜の下部側壁が露出する様に前記開口部の外の前記第２拡散防止膜の上部面及び前記開口部の中の前記第２拡散防止膜の上部側壁に形成される。前記金属配線が形成されるとき、前記蒸着抑制層は、パターニングされて前記金属配線の下に蒸着抑制パターンが形成される。前記金属配線は、化学気相蒸着方法から形成される。このとき、前記露出された第２拡散防止膜上の前記金属膜の蒸着率は、前記金属抑制層上の前記金属膜の蒸着率より高い。前記第２拡散防止膜は、第１金属窒化膜から形成され、前記蒸着抑制層は、第２金属窒化膜から形成される。このとき、前記第２金属窒化膜の窒素含有量は、前記第１金属窒化膜の窒素含有量に比べて多い。前記第２拡散防止膜と前記蒸着抑制層は、同じ耐熱性金属を含む。又、前記第２拡散防止膜は、耐熱性金属膜から形成され、前記蒸着抑制層は、耐熱性金属窒化膜から形成しても良い。前記第２拡散防止膜は、化学気相蒸着方法から形成され、前記蒸着抑制層は、物理気相蒸着方法から形成される。前記導電パターン、前記予備拡散防止膜、前記第１拡散防止膜、前記第２拡散防止膜、前記蒸着抑制層、前記金属配線は、一つのクラスタ装備から形成される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の実施形態によると、拡散防止膜の結晶粒子の界面部に酸素が供給される。酸素が供給された拡散防止膜は、銅原子等及び／又はアルミニウム原子等の拡散を減少させる役割をする。又、拡散防止膜は複合層に形成される。これによって、銅原子等及び／又はアルミニウム原子等の拡散をさらに減少させることができる。これに加えて、蒸着抑制層を利用してコンタクトホールのアルミニウム配線に空孔が形成されない様にする。従って、半導体素子の電気的な特性が向上される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に、本発明の実施形態に係る半導体素子及びその形成方法、半導体クラスタ装備を図面を参照して詳しく説明する。本発明は、ここに説明される実施形態に限定されるものではなく、他の形態に具現化できる。ここに開示される実施形態は開示された内容が完全になる様に、又は、この技術分野の人に本発明の技術思想を十分に伝達するために提供されるものである。
【００２５】
図面等に於いて、層及び領域等の厚さは、明確にするために誇張されている。又、層が他の層又は基板上にあることと説明される場合、それは他の層又は基板上に直接形成されたり、それらの間に第３の層が介されたりすることを意味する。明細書の同じ符号等は同じ構成要素等を示す。
【００２６】
図１から図８は本発明の半導体素子の形成方法及びその方法により製造された半導体素子等を説明するための断面図である。
【００２７】
図１を参照すると、導電パターン１０５を有する半導体基板１００を備える。前記導電パターン１０５は銅膜から形成される。前記導電パターン１０５及び半導体基板１００の上に絶縁膜１１０が形成される。前記絶縁膜１１０は化学気相蒸着方法から形成されるシリコン酸化膜を含む。前記絶縁膜１１０をパターニングして前記導電パターン１０５を露出する開口部１１５が形成される。前記開口部１１５は孔形態又は溝形態に形成される。
【００２８】
図２を参照すると、前記開口部１１５の内壁及び前記絶縁膜１１０の上部面に予備拡散防止膜１２０が形成される。前記開口部１１５の内壁は、前記開口部１１５の側壁及び前記導電パターン１０５の露出された面からなる。前記予備拡散防止膜１２０は化学気相蒸着方法から形成される。これによって、図２に図示された様に、前記予備拡散防止膜１２０は前記開口部１１５を有する半導体基板１００の上に実質的に均一に形成される。前記予備拡散防止膜１２０は耐熱性金属膜から形成される。前記耐熱性金属膜はチタン、タンタル、ニオブ、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、レニウム、タングステンの中で少なくとも一つを含む。前記耐熱性金属はチタン−ジルコニウムから形成しても良い。又、前記予備拡散防止膜１２０は、耐熱性金属窒化膜から形成しても良い。前記耐熱性金属窒化膜は、チタン窒化膜、タンタル窒化膜、ニオブ窒化膜、バナジウム窒化膜、ジルコニウム窒化膜、ハフニウム窒化膜、モリブデン窒化膜、レニウム窒化膜、タングステン窒化膜の中で何れか一つを含む。前記耐熱性金属窒化膜はチタン−ジルコニウム窒化膜から形成しても良い。
【００２９】
図３を参照すると、前記予備拡散防止膜１２０に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜１２０ａが形成される。前記酸素原子等は前記予備拡散防止膜１２０の結晶粒子の界面に提供される。言い換えれば、前記酸素原子等が供給されて前記予備拡散防止膜１２０が酸化されたり、前記予備拡散防止膜１２０の結晶粒子の界面に酸素原子が浸透されたりすることを意味する。前記酸素原子等は酸素を主とするガス（ｏｘｙｇｅｎ−ｂａｓｅｄ ｇａｓ）を利用して供給される。前記酸素を主とするガスはＯ２ガス、Ｎ２Ｏガス、Ｈ２Ｏガス、Ｏ２とＨ２の混合ガス、Ｏ３ガスの中で少なくとも何れか一つを利用する。
【００３０】
前記酸素原子等は、酸素熱処理工程を利用して供給される。前記酸素熱処理工程は、高温で酸素を主とするガスを供給する。例えば、前記酸素熱処理工程は、２０〜６００℃の温度、１〜１００００ｓｃｃｍ以下の酸素流量及び１０００ｔｏｒｒ以下の圧力条件で行われる。この他に、前記酸素原子等は、酸素プラズマ工程を利用して供給しても良い。例えば、前記酸素プラズマ工程は２０〜６００℃の温度、１〜１００００ｓｃｃｍの酸素流量、１〜１００００ｓｃｃｍの不活性ガス流量及び０ｔｏｒｒより大きく、１０００ｔｏｒｒ以下の圧力条件で酸素ラジカル等及び酸素イオン等を利用して行われる。
【００３１】
図４を参照すると、前記第１拡散防止膜１２０ａの上に第２拡散防止膜１３０が形成される。前記第２拡散防止膜１３０は、化学気相蒸着方法から実質的に均一に形成される。前記第２拡散防止膜１３０は、耐熱性金属膜から形成される。例えば、前記耐熱性金属膜はチタン、タンタル、ニオブ、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、レニウム、タングステンの中で何れか一つを含む。又は、前記耐熱性金属膜はチタン−ジルコニウムを含む。この他に、前記第２拡散防止膜１３０は、耐熱性金属窒化膜から形成しても良い。前記耐熱性金属窒化膜は、チタン窒化膜、タンタル窒化膜、ニオブ窒化膜、バナジウム窒化膜、ジルコニウム窒化膜、ハフニウム窒化膜、モリブデン窒化膜、レニウム窒化膜、タングステン窒化膜の中で何れか一つを含む。又、前記耐熱性金属窒化膜はチタンジルコニウム窒化膜を含む。
【００３２】
図５を参照すると、前記第２拡散防止膜１３０の上に蒸着抑制層１４０ａが形成される。本発明の一実施形態によると、前記蒸着抑制層１４０ａは劣悪なステップカバレージを形成する蒸着工程から形成される。従って、前記蒸着抑制層１４０ａは前記開口部１１５の中の第２拡散防止膜１３０の上部側壁及び前記開口部１１５の第２拡散防止膜１３０の上部面に形成される。これに加えて、前記蒸着抑制層１４０ａは前記開口部１１５の底面上の前記第２拡散防止膜１３０の上に形成される。結果的に、前記蒸着抑制層１４０ａは図示された様に、前記開口部の上部角を覆うオーバハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）型に形成される。これに加えて、前記蒸着抑制層１４０ａは図示された様に開口部１１５の中の第２拡散防止膜１３０の下部側壁が露出する様に形成される。前記蒸着抑制層１４０ａは物理気相蒸着方法、例えばスパッタリング方法から形成される。このとき、窒素ガスが前記蒸着抑制層１４０ａを形成するとき使用される。
【００３３】
前記第２拡散防止膜１３０は第１金属窒化膜から形成され、前記蒸着抑制層１４０ａは第２金属窒化膜から形成される。この場合、前記第２金属窒化膜の窒素含有量は、前記第１金属窒化膜の窒素含有量に比べて多い。前記第２拡散防止膜１３０と前記蒸着抑制層１４０ａは、同じ耐熱性金属を含む。本発明の一実施形態によると、前記第２拡散防止膜１３０は耐熱性金属膜から形成され、前記蒸着抑制層１４０ａは耐熱性金属窒化膜から形成される。
【００３４】
図６を参照すると、第１金属膜１５２が前記蒸着抑制層１４０ａを含む半導体基板１００の上に形成される。前記第１金属膜１５２は前記開口部１１５を埋める。前記第１金属膜１５２は化学気相蒸着方法から形成される。前記第１金属膜１５２はアルミニウム（Ａｌ）を含む。前記第１金属膜１５２を前記化学気相蒸着方法から形成するとき、前記第１金属膜１５２は、前記開口部１１５の中露出された第２拡散防止膜１３０の上から第１蒸着率で形成され、前記蒸着抑制層１４０ａの上から第２蒸着率で形成される。この場合、前記第１蒸着率は前記第２蒸着率に比べて高い。これは、前記第２拡散防止膜１３０の窒素含有量が、前記蒸着抑制層１４０ａの窒素含有量に比べて少ないためである。例えば、アルミニウムは下部導電体の窒素含有量により選択的に蒸着される。従って、前記第１金属膜１５２は、前記開口部１１５を空孔が発生しない様に埋めることができる。
【００３５】
図７を参照すると、前記第１金属膜１５２の上に第２金属膜１５４が形成される。前記第２金属膜１５４は工程時間を節約するために物理気相蒸着方法から形成される。前記第２金属膜１５４が低温の物理気相蒸着方法から形成される場合、前記第２金属膜１５４の蒸着後に、リフロー工程が行われる。しかし、前記第２金属膜１５４が高温の物理気相蒸着方法から形成される場合、リフロー工程は省略される。前記第１及び第２金属膜等１５２、１５４は金属膜１５０を構成する。
【００３６】
前記導電パターン１０５、前記予備拡散防止膜１２０、前記第１拡散防止膜１２０ａ、前記第２拡散防止膜１３０、前記蒸着抑制層１４０ａ及び前記金属膜１５０は、一つのクラスタ装備から形成される。
【００３７】
本発明の実施形態によると、前記第１拡散防止膜１２０ａ及び前記第２拡散防止膜１３０によって前記導電パターン１０５の銅原子等及び／又は前記金属膜１５０のアルミニウム原子等が拡散されることを防止する。即ち、前記第１及び第２拡散防止膜等１２０ａ、１３０によって前記導電パターン１０５の銅原子等が前記金属膜１５０に拡散されること及び／又は前記金属膜１５０のアルミニウム原子等が前記導電パターン１０５に拡散されることを防止する。第１拡散防止膜１２０ａ及び第２拡散防止膜１３０の何れか一つは銅拡散を防止し、他の一つはアルミニウム拡散を防止する。
【００３８】
詳しくは、前記第１拡散防止膜１２０ａの結晶粒子の界面に酸素原子等があるので、アルミニウムが結晶粒子の界面に沿って拡散するうちにアルミニウム酸化物が形成される。前記アルミニウム酸化物はアルミニウムの拡散経路を遮断する役割をする。
【００３９】
図８を参照すると、前記金属膜１５０、前記蒸着抑制層１４０ａ、前記第２拡散防止膜１３０及び第１拡散防止膜１２０ａを連続にパターニングして順次に積層される第１拡散防止パターン１２０ａ’、第２拡散防止パターン１３０’、蒸着抑制パターン１４０ａ’及び金属配線１５０’が形成される。前記金属配線１５０’は順次に積層される第１金属パターン１５２’及び第２金属配線１５４’を含む。前記金属配線１５０’は前記開口部１１５を覆う様に形成される。
【００４０】
以下、本発明の実施形態等に係る半導体素子等を図８を参照して説明する。
【００４１】
図８を参照すると、導電パターン１０５を有する半導体基板１００が提供される。前記導電パターン１０５は銅からなる。絶縁膜１１０が導電パターン１０５及び半導体基板１００の上に設けられる。前記導電パターン１０５の一部は前記絶縁膜１１０を貫通する開口部１１５により露出される。金属配線１５０’が前記開口部１１５の中及び前記絶縁膜１１０の上に設けられる。前記金属配線１５０’は順次に積層される第１金属パターン１５２’及び第２金属パターン１５４’を含む。前記第１金属パターン１５２’は化学気相蒸着方法によって形成され前記開口部１１５を埋める。前記第２金属パターン１５４’は物理気相蒸着方法によって形成される。前記金属配線１５０’はアルミニウムを含む。前記金属配線１５０’は円柱形態又はライン形態に構成できる。
【００４２】
前記金属配線１５０’と前記導電パターン１０５との間に第１拡散防止パターン１２０ａ’が設けられる。前記第１拡散防止パターン１２０ａ’は前記開口部１１５の側壁及び前記絶縁膜１１０の上部面に延長される。即ち、前記第１拡散防止パターン１２０ａ’は前記金属配線１５０’及び絶縁膜１１０との間に設けられる。前記第１拡散防止パターン１２０ａ’は酸素を含む。例えば、前記第１拡散防止パターン１２０ａ’は酸素原子等に露出又は浸透された結晶粒子の界面等を含む。前記第１拡散防止パターン１２０ａ’と前記金属配線１５０’との間に第２拡散防止パターン１３０’が介される。
【００４３】
前記第１拡散防止パターン１２０ａ’と前記第２拡散防止パターン１３０’は、各々耐熱性金属を含む。例えば、前記第１及び第２拡散防止パターン等１２０ａ’、１３０’の各々は、チタン、タンタル、ニオブ、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、レニウム、タングステンの中で少なくとも一つを含む。又は、前記第１及び第２拡散防止パターン等１２０ａ’、１３０’の中で少なくとも一つはチタン−ジルコニウムを含む。この他に、前記第１拡散防止パターン１２０ａ’及び前記第２拡散防止パターン１３０’は、各々耐熱性金属窒化物から形成しても良い。例えば、前記第１及び第２拡散防止パターン等１２０ａ’、１３０’の各々は、チタン窒化物、タンタル窒化物、ニオブ窒化物、バナジウム窒化物、ジルコニウム窒化物、ハフニウム窒化物、モリブデン窒化物、レニウム窒化物及びタングステン窒化物の中で少なくとも一つを含む。又は、前記第１及び第２拡散防止パターン等１２０ａ’、１３０’の中で少なくとも一つはチタン−ジルコニウム窒化物を含む。
【００４４】
前記第１拡散防止パターン１２０ａ’と前記第２拡散防止パターン１３０’が設けられることによって、前記導電パターン１０５の銅及び前記金属配線１５０’のアルミニウムの拡散が防止される。さらに、前記第１拡散防止パターン１２０ａ’は、結晶粒子の界面に酸素を含むので、前記第１拡散防止パターン１２０ａ’の結晶粒子の界面に拡散されるアルミニウムがアルミニウム酸化物になる。従って、第１拡散防止パターン１２０ａ’は拡散経路を遮断する役割をする。
【００４５】
前記第２拡散防止パターン１３０’は前記開口部１１５の側壁及び絶縁膜１１０の上部面に延長される。蒸着抑制パターン１４０ａ’が前記金属配線１５０’と第２拡散防止パターン１３０’との間の一部に設けられる。例えば、前記蒸着抑制パターン１４０ａ’は、前記絶縁膜１１０の上部面の第２拡散防止パターン１３０’と前記金属配線１５０’の縁部との間に設けられる。これに加えて、前記蒸着抑制パターン１４０ａ’は前記開口部１１５の中の第２拡散防止パターン１３０’の上部側壁を覆う。又、前記蒸着抑制パターン１４０ａ’は、前記開口部１１５の底面上の第２拡散防止パターン１３０’の上にも介される。結果的に、前記金属配線１５０’は前記開口部１１５の中の前記第２拡散防止パターン１３０’の下部側壁と接触される。
【００４６】
前記第２拡散防止パターン１３０’は第１金属窒化物を含み、前記蒸着抑制パターン１４０ａ’は第２金属窒化物を含む。前記第２金属窒化物の窒素含有量は前記第１金属窒化物の窒素含有量より多い。前記第１金属窒化物と前記第２金属窒化物は同じ耐熱性金属を含む。又、前記第２拡散防止パターン１３０’は耐熱性金属を含み、前記蒸着抑制パターン１４０ａ’は耐熱性金属窒化物を含む様に形成しても良い。
【００４７】
図９は様々な金属膜等のシート抵抗の変化を比較して示すグラフ図である。図９に於いて、横軸は従来技術による金属膜及び本発明により製造された金属膜を示し、縦軸はアニール工程前の金属膜の第１シート抵抗ＲＳ１とアニール工程後の金属膜の第２シート抵抗ＲＳ２との間のシート抵抗の変化率ＲＶを示す。横軸のＴａ１、Ｔａ２、ＴａＮ１及びＴａＮ２は従来の金属膜等であり、横軸のＴａ１（酸素処理）、Ｔａ２（酸素処理）、ＴａＮ１（酸素処理）及びＴａＮ２（酸素処理）は本発明による金属膜等である。金属膜等の各々は基板上に銅膜を形成すること、銅膜上に拡散防止膜を形成すること、拡散防止膜上にアルミニウム膜を形成すること、銅膜、拡散防止膜及びアルミニウム膜をアニールすることを含む半導体工程から製造される。このとき、前記第１シート抵抗ＲＳ１は前記アニール工程前に測定し、前記第２シート抵抗ＲＳ２は前記アニール工程後に測定した。従って、前記シート抵抗の変化率ＲＶは次の方程式を利用して計算することができる。
【００４８】
ＲＶ＝{（ＲＳ２−ＲＳ１）}×１００÷ＲＳ１
【００４９】
従来技術による拡散防止膜等は５０Åの厚さを有する第１タンタル膜Ｔａ１、１００Åの厚さを有する第２タンタル膜Ｔａ２、５０Åの厚さを有する第１タンタル窒化膜ＴａＮ１及び１００Åの厚さを有する第２タンタル窒化膜ＴａＮ２を形成した。又、本発明による拡散防止膜等は予備拡散防止膜を形成した後に酸素を供給する工程を経て形成した。図９のＴａ１（酸素処理）、Ｔａ２（酸素処理）、ＴａＮ１（酸素処理）及びＴａＮ２（酸素処理）参照。このとき、前記予備拡散防止膜は従来技術による拡散防止膜等の中の一つに対応する。
【００５０】
図９を参照すると、従来の金属膜等Ｔａ１、Ｔａ２、ＴａＮ１、ＴａＮ２は約８０％から１２０％のシート抵抗の変化率ＲＶを示した。逆に、本発明による金属膜等は約５％から２５％のシート抵抗の変化率ＲＶを示した。この結果を見ると、前記アニール工程を行ううちに、アルミニウム及び銅の合金が形成されるが、面抵抗が極めて増加されたことが分かる。又、本発明による金属膜等のシート抵抗の変化率ＲＶは従来の金属膜等のシート抵抗の変化率ＲＶに比べて著しく小さいことが分かる。従って、本発明の酸素を含む拡散防止膜により、銅原子等及び／又はアルミニウム原子等の拡散が最小化されて銅及びアルミニウムの合金の形成が最小化されることが分かる。
【００５１】
図１０は互いに異なる窒素含有量を有するタンタル窒化膜等による金属膜等の物理的なパラメータ及び電気的なパラメータ等を示す図面である。図１０に於いて、横軸は互いに異なる窒素含有量を有する様々なタンタル窒化膜等ＴａＮ１からＴａＮ８を示し、左側の縦軸はタンタル窒化膜等上に蒸着されたアルミニウム膜等の厚さを示し、右側の縦軸は各タンタル窒化膜等の比抵抗を示す。前記タンタル窒化膜等ＴａＮ１からＴａＮ８は窒素反応スパッタリング技術（ｎｉｔｒｏｇｅｎ ｒｅａｃｔｉｖｅ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）から形成され、ＣＶＤアルミニウム膜等が前記タンタル窒化膜等上に各々形成されている。前記ＣＶＤアルミニウム膜等は蒸着時間を同じにした。タンタル窒化膜等の窒素含有量は右側の縦軸の方に行くほど段々蒸着量が多くなる。即ち、８番目のタンタル窒化膜ＴａＮ８が一番多い窒素含有量を有する様に形成され、１番目のタンタル窒化膜ＴａＮ１が一番少ない窒素含有量を有する様に形成した。
【００５２】
図１０の様に、タンタル窒化膜の窒素含有量が高くなるほどタンタル窒化膜上の前記ＣＶＤアルミニウム膜の蒸着率が低くなる。従って、タンタル窒化膜が図４及び図５に開示された第２拡散防止膜１３０及び蒸着抑制層１４０ａからなるとき、第２拡散防止膜１３０の窒素含有量が前記蒸着抑制層１４０ａの窒素含有量より低いので、空孔が発生しない様に前記開口部１１５を完全に埋めることができる。
【００５３】
図１１は互いに異なる窒素含有量を有する様々なチタン窒化膜等上に蒸着されたＣＶＤアルミニウム膜等のシート抵抗を示すグラフ図である。図１１に於いて、横軸は互いに異なる窒素含有量を有するチタン窒化膜等ＴｉＮ１、ＴｉＮ２、ＴｉＮ３、ＴｉＮ４を示し、縦軸は前記チタン窒化膜等ＴｉＮ１、ＴｉＮ２、ＴｉＮ３、ＴｉＮ４の上に蒸着されたＣＶＤアルミニウム膜等のシート抵抗を示す。前記チタン窒化膜等ＴｉＮ１、ＴｉＮ２、ＴｉＮ３、ＴｉＮ４は窒素反応スパッタリング技術から形成される。前記ＣＶＤアルミニウム膜等は蒸着時間を同じにした。チタン窒化膜等の窒素濃度は右側の方に行くほど段々増加する。即ち、４番目のチタン窒化膜ＴｉＮ４が一番多い窒素含有量を有する様に形成され、１番目のチタン窒化膜ＴｉＮ１が一番少ない窒素含有量を有する様に形成した。
【００５４】
図１１から分かる様に、チタン窒化膜の窒素含有量が高くなるほどチタン窒化膜上のＣＶＤアルミニウム膜のシート抵抗は高くなる。この結果から、チタン窒化膜上に蒸着されたＣＶＤアルミニウム膜の厚さは、チタン窒化膜の窒素含有量に反比例することが分かる。これは、図１０のタンタル窒化膜等のグラフ図と実質的に同じ結果を得る。
【００５５】
図１２は本発明の実施形態に係る半導体素子を製造するとき、利用する半導体クラスタ装備を説明するための図面である。
【００５６】
図１２を参照すると、半導体クラスタ装備１０は、第１及び第２ロードロックチャンバ等２０、第１及び第２移送チャンバ等３０、第１及び第２冷却チャンバ等４４、複数の工程チャンバ等を含む。前記第１及び第２ロードロックチャンバ等２０は前記第１移送チャンバ３０に取り付けられる。前記第１及び第２冷却チャンバ等４４は前記第１及び第２移送チャンバ等３０の間に配置される。前記工程チャンバ等はクリーニングチャンバ４２、脱ガスチャンバ４６、第１から第７チャンバ等５２、５４、５６、５８、６２、６４、７０を含む。前記クリーニングチャンバ４２、脱ガスチャンバ４６、第３チャンバ５６及び第４チャンバ５８は、前記第１移送チャンバ３０に取り付けられ、第１チャンバ５２、第２チャンバ５４、第５チャンバ６２、第６チャンバ６４及び第７チャンバ７０は前記第２移送チャンバ３０に取り付けられる。
【００５７】
前記各移送チャンバ等３０はウェハの移送のためのウェハ移送装置を備える。前記ウェハ移送装置はロボットアーム３５を備え、前記ロボットアーム３５は、工程チャンバ等とロードロックチャンバ２０との間からウェハを搬入及び搬出する。
【００５８】
続いて、前記半導体クラスタ装備１０を利用して半導体素子を製造する方法を説明する。
【００５９】
図１乃至図７及び図１２を参照すると、コンタクトホール又はライン形態の溝の様な開口部１１５を有するウェハを備える。前記開口部１１５を有するウェハは前記ロードロックチャンバ等２０の中の一つにローディングされる。前記ロードロックチャンバ２０の中のウェハは、前記第１移送チャンバ３０を通じて前記クリーニングチャンバ４２に移送される。前記クリーニングチャンバ４２で、開口部を有するウェハはアルゴン（Ａｒ）ガス及び／又はヘリウム（Ｈｅ）ガス等を利用して洗浄される。前記洗浄されたウェハは、前記第１及び第２移送チャンバ３０を通じて前記第１チャンバ５２に移送される。前記第１チャンバ５２で、前記開口部を有する半導体基板上に予備拡散防止膜１２０が形成される。続いて、前記第１工程チャンバ５２で、前記予備拡散防止膜１２０の結晶粒子の界面部に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜１２０ａが形成される。又、前記予備拡散防止膜１２０を有するウェハが前記第２チャンバ５４に移送された後、前記酸素原子等は前記第２チャンバ５４で供給されても良い。即ち、前記半導体クラスタ装備１０は、前記酸素原子等を供給するためのチャンバを別途に設置する。しかし、前記酸素の供給は、前記クリーニングチャンバ４２で行っても良い。前記第１拡散防止膜１２０ａは前記第１チャンバ５２、第２チャンバ５４又はクリーニングチャンバ４２で形成される。
【００６０】
前記第１拡散防止膜１２０ａを有するウェハは、第１及び第２移送チャンバ等３０を通じて第３チャンバ５６に移送される。前記第３チャンバ５６で前記第１拡散防止膜１２０ａの上に第２拡散防止膜１３０が形成される。前記第２拡散防止膜１３０は前記第１チャンバ５２で形成しても良い。即ち、前記予備拡散防止膜１２０、前記第１拡散防止膜１２０ａ及び前記第２拡散防止膜１３０は、酸素原子等を供給することができる同じチャンバで形成しても良い。
【００６１】
前記第２拡散防止膜１３０を有するウェハは、第４チャンバ５８に移送される。前記第４チャンバ５８で前記第２拡散防止膜１３０を有するウェハ上に蒸着抑制層１４０ａを形成する。この場合、前記第４チャンバ５８は、劣悪なステップカバレージを形成する物理気相蒸着チャンバである。前記蒸着抑制層１４０ａは、前記開口部１１５の中の第２拡散防止膜１３０の上部側壁及び前記開口部１１５の外の第２拡散防止膜１３０の上部面に形成される。従って、前記開口部１１５の中の第２拡散防止膜１３０の下部側壁は、前記蒸着抑制層１４０ａを形成した後にも露出されている。
【００６２】
前記蒸着抑制層１４０ａを有するウェハは、第５チャンバ６２に移送される。前記第５チャンバ６２で前記蒸着抑制層１４０ａを覆う様にウェハ上に第１金属膜１５２、例えば、アルミニウム膜が形成される。前記第５チャンバ６２は、化学気相蒸着チャンバである。前記第１金属膜１５２を有するウェハが第６チャンバ６４に移送される。前記第６チャンバ６４で前記第１金属膜１５２の上に第２金属膜１５４が形成される。前記第６チャンバ６４は、物理気相蒸着チャンバである。
【００６３】
前記ウェハは導電パターン１０５を有し、前記導電パターン１０５は、前記開口部１１５を形成する前に第７チャンバ７０で形成される。本発明の一実施形態によると、前記第１拡散防止膜１２０ａを形成するための酸素原子等を供給することは、ウェハ表面の汚染を除去する脱ガスチャンバ４６、又は、蒸着工程により高くなった温度を下げる冷却チャンバ４４で行われる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図２】本発明の他の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図３】本発明の他の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図４】本発明の他の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図５】本発明の他の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図６】本発明の他の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図７】本発明の他の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図８】本発明の他の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図９】本発明の半導体素子の特性を説明するためのグラフ図である。
【図１０】本発明の他の半導体素子の特性を説明するためのグラフ図である。
【図１１】本発明の他の半導体素子の特性を説明するためのグラフ図である。
【図１２】本発明の半導体素子を製造するとき、利用する半導体クラスタ装備を説明するための図面である。
【符号の説明】
【００６５】
１０５ 導電パターン
１２０ａ 第１拡散防止膜
１３０ 第２拡散防止膜
１４０ａ 蒸着抑制層
１５０ 金属配線
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子と、半導体素子を製造する方法及び装備に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の高集積化によって金属配線は細線になるが、逆に、その金属配線の抵抗は増加する。これによって、金属配線としてアルミニウム（Ａｌ）の代わりに、抵抗が低い銅（Ｃｕ）に替わっている。しかし、銅配線が接合パッド等の最終配線層に使われる場合、酸化し易い問題点がある。従って、アルミニウム配線が銅配線上の最終配線層に使われている。前記銅配線とアルミニウム配線の間に銅又はアルミニウムが拡散されると、銅とアルミニウムの合金が形成される。前記合金は比抵抗が高いので、半導体素子の電気的な特性を低下させる。
【０００３】
一方、前記アルミニウム配線は開口部、例えばコンタクトホールに形成される。半導体素子の高集積化によって、コンタクトホールの縦横比は増加している。これによって、アルミニウム配線の形成過程で、前記コンタクトホールがアルミニウムによって完全に埋められないのでコンタクトホールの中に空孔が発生し易い。前記空孔によって、半導体素子の電気的な特性が低下する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、電気的な特性が向上される半導体素子及びその形成方法を提供するものである。
【０００５】
本発明の他の目的は、電気的な特性が向上される半導体素子を製造するとき、利用する半導体クラスタ装備を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の課題を解決するための半導体素子は、導電パターンを有する半導体基板と、前記導電パターン及び半導体基板上に形成され、前記導電パターンの一部を露出する開口部を有する絶縁膜と、前記開口部を埋める金属配線と、前記金属配線と前記導電パターンとの間に介されると共に、酸素原子等を含む第１拡散防止パターンを備える。
【０００７】
一実施形態によると、前記酸素原子等は、前記第１拡散防止パターンの結晶粒子の界面に位置する。
【０００８】
一実施形態によると、前記導電パターンは、銅を含み、前記金属配線は、アルミニウムを含む。
【０００９】
一実施形態によると、前記半導体素子は、前記第１拡散防止パターンと前記金属配線との間に介された第２拡散防止パターンをさらに備える。前記第１拡散防止パターン及び前記第２拡散防止パターンは、各々耐熱性金属を含む。前記耐熱性金属はチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、バナジウム（Ｖ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、モリブデン（Ｍｏ）、レニウム（Ｒｅ）、タングステン（Ｗ）、チタン−ジルコニウムの中で少なくとも一つを含む。前記第１拡散防止パターン及び前記第２拡散防止パターンは、各々耐熱性金属窒化物から構成しても良い。前記耐熱性金属窒化物は、チタン窒化物、タンタル窒化物、ニオブ窒化物、バナジウム窒化物、ジルコニウム窒化物、ハフニウム窒化物、モリブデン窒化物、レニウム窒化物、タングステン窒化物、チタン−ジルコニウム窒化物の中で少なくとも一つを含む。
【００１０】
一実施形態によると、前記第２拡散防止パターンは、前記開口部の側壁上に延長される。この場合、前記半導体素子は、前記開口部の上部側壁部の金属配線と前記開口部の上部側壁部の第２拡散防止パターンとの間に介される蒸着抑制パターンをさらに備える。結果的に、前記開口部の中の前記第２拡散防止パターンの下部側壁は、前記金属配線と接触される。前記第２拡散防止パターンは、第１金属窒化膜を含み、前記蒸着抑制パターンは、第２金属窒化膜を含む。前記第２金属窒化膜の窒素含有量は、前記第１金属窒化膜の窒素含有量に比べて多い。前記第１金属窒化膜と前記第２金属窒化膜は、同じ耐熱性金属を含む。前記第２拡散防止パターンは、耐熱性金属膜を含み、前記蒸着抑制パターンは、耐熱性金属窒化膜を含む。
【００１１】
又、本発明は上述した課題を解決するための半導体クラスタ装備を提供する。半導体クラスタ装備は、開口部を有する基板上に予備拡散防止膜を形成すること、前記予備拡散防止膜に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜を形成すること、前記第１拡散防止膜上に第２拡散防止膜を形成することの中で少なくとも一つを行う様に設定される第１工程チャンバと、前記開口部の中の第２拡散防止膜の下部側壁が露出する様に、前記開口部の中の第２拡散防止膜の上部側壁及び前記開口部の外の第２拡散防止膜の上部面に蒸着抑制層を形成する様に設定される第２工程チャンバと、前記蒸着抑制層を有する基板上に前記開口部を埋める金属膜を形成する様に設定される第３工程チャンバとを備える。
【００１２】
一実施形態によると、前記半導体クラスタ装備は、第４工程チャンバと、第５工程チャンバをさらに備える。この場合、前記第１工程チャンバは、前記予備拡散防止膜を形成する様に設定され、前記第４工程チャンバは、前記酸素原子等を供給する様に設定され、前記第５工程チャンバは、前記第２拡散防止膜を形成する様に設定される。
【００１３】
一実施形態によると、前記第４工程チャンバはクリーニングチャンバ、脱ガスチャンバ、冷却チャンバの中で少なくとも一つに設定される。前記クリーニングチャンバは、前記開口部を有する基板を洗浄するチャンバである。
【００１４】
一実施形態によると、前記基板は導電パターンと、前記導電パターンを露出する前記開口部を有する絶縁膜を備える。
【００１５】
又、本発明は上述した課題を解決するための半導体素子の製造方法を提供する。この方法は、導電パターンを有する半導体基板を備えること、前記導電パターン及び前記半導体基板上に絶縁膜を形成すること、前記絶縁膜をパターニングして前記導電パターンの一部を露出する開口部を形成すること、前記開口部の内壁及び前記絶縁膜の上部面に予備拡散防止膜を形成すること、前記予備拡散防止膜に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜を形成すること、前記第１拡散防止膜上に金属膜を形成することを含む。前記金属膜は、前記第１拡散防止膜により囲まれている前記開口部を埋める様に形成される。
【００１６】
一実施形態によると、前記酸素原子等は、前記予備拡散防止膜の結晶粒子の界面に供給される。
【００１７】
一実施形態によると、前記酸素原子等は、酸素熱処理工程を利用して供給される。
【００１８】
一実施形態によると、前記酸素原子等は、酸素プラズマ工程を利用して供給される。
【００１９】
一実施形態によると、前記酸素原子等は、Ｏ２ガス、Ｎ２Ｏガス、Ｈ２Ｏガス、Ｏ２とＨ２の混合ガス、Ｏ３ガスの中で少なくとも何れか一つを利用して供給される。
【００２０】
一実施形態によると、前記方法は、前記金属膜を形成する前に、前記第１拡散防止膜上に第２拡散防止膜を形成することをさらに含む。前記第１拡散防止膜及び前記第２拡散防止膜は、各々耐熱性金属膜から形成される。前記耐熱性金属膜は、チタン、タンタル、ニオブ、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、レニウム、タングステン、チタン−ジルコニウムの中で少なくとも一つを含む。前記第１拡散防止膜及び前記第２拡散防止膜は、各々耐熱性金属窒化膜から形成しても良い。前記耐熱性金属窒化膜は、チタン窒化膜、タンタル窒化膜、ニオブ窒化膜、バナジウム窒化膜、ジルコニウム窒化膜、ハフニウム窒化膜、モリブデン窒化膜、レニウム窒化膜、タングステン窒化膜、チタン−ジルコニウム窒化膜の中で少なくとも一つを含む。
【００２１】
一実施形態によると、前記導電パターンは、銅から形成され、前記金属膜は、アルミニウムから形成される。
【００２２】
一実施形態によると、前記方法は、前記金属膜と第２拡散防止膜と第１拡散防止膜をパターニングして順次に積層される第１拡散防止パターンと、第２拡散防止パターン及び金属配線を形成することをさらに含む。前記金属パターンは、前記第２拡散防止パターンにより囲まれている前記開口部を埋める様に形成される。前記方法は、前記金属膜を形成する前に前記第２拡散防止膜を有する半導体基板上に蒸着抑制層を形成することをさらに含む。前記蒸着抑制層は、前記開口部の中の前記第２拡散防止膜の下部側壁が露出する様に前記開口部の外の前記第２拡散防止膜の上部面及び前記開口部の中の前記第２拡散防止膜の上部側壁に形成される。前記金属配線が形成されるとき、前記蒸着抑制層は、パターニングされて前記金属配線の下に蒸着抑制パターンが形成される。前記金属配線は、化学気相蒸着方法から形成される。このとき、前記露出された第２拡散防止膜上の前記金属膜の蒸着率は、前記金属抑制層上の前記金属膜の蒸着率より高い。前記第２拡散防止膜は、第１金属窒化膜から形成され、前記蒸着抑制層は、第２金属窒化膜から形成される。このとき、前記第２金属窒化膜の窒素含有量は、前記第１金属窒化膜の窒素含有量に比べて多い。前記第２拡散防止膜と前記蒸着抑制層は、同じ耐熱性金属を含む。又、前記第２拡散防止膜は、耐熱性金属膜から形成され、前記蒸着抑制層は、耐熱性金属窒化膜から形成しても良い。前記第２拡散防止膜は、化学気相蒸着方法から形成され、前記蒸着抑制層は、物理気相蒸着方法から形成される。前記導電パターン、前記予備拡散防止膜、前記第１拡散防止膜、前記第２拡散防止膜、前記蒸着抑制層、前記金属配線は、一つのクラスタ装備から形成される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の実施形態によると、拡散防止膜の結晶粒子の界面部に酸素が供給される。酸素が供給された拡散防止膜は、銅原子等及び／又はアルミニウム原子等の拡散を減少させる役割をする。又、拡散防止膜は複合層に形成される。これによって、銅原子等及び／又はアルミニウム原子等の拡散をさらに減少させることができる。これに加えて、蒸着抑制層を利用してコンタクトホールのアルミニウム配線に空孔が形成されない様にする。従って、半導体素子の電気的な特性が向上される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に、本発明の実施形態に係る半導体素子及びその形成方法、半導体クラスタ装備を図面を参照して詳しく説明する。本発明は、ここに説明される実施形態に限定されるものではなく、他の形態に具現化できる。ここに開示される実施形態は開示された内容が完全になる様に、又は、この技術分野の人に本発明の技術思想を十分に伝達するために提供されるものである。
【００２５】
図面等に於いて、層及び領域等の厚さは、明確にするために誇張されている。又、層が他の層又は基板上にあることと説明される場合、それは他の層又は基板上に直接形成されたり、それらの間に第３の層が介されたりすることを意味する。明細書の同じ符号等は同じ構成要素等を示す。
【００２６】
図１から図８は本発明の半導体素子の形成方法及びその方法により製造された半導体素子等を説明するための断面図である。
【００２７】
図１を参照すると、導電パターン１０５を有する半導体基板１００を備える。前記導電パターン１０５は銅膜から形成される。前記導電パターン１０５及び半導体基板１００の上に絶縁膜１１０が形成される。前記絶縁膜１１０は化学気相蒸着方法から形成されるシリコン酸化膜を含む。前記絶縁膜１１０をパターニングして前記導電パターン１０５を露出する開口部１１５が形成される。前記開口部１１５は孔形態又は溝形態に形成される。
【００２８】
図２を参照すると、前記開口部１１５の内壁及び前記絶縁膜１１０の上部面に予備拡散防止膜１２０が形成される。前記開口部１１５の内壁は、前記開口部１１５の側壁及び前記導電パターン１０５の露出された面からなる。前記予備拡散防止膜１２０は化学気相蒸着方法から形成される。これによって、図２に図示された様に、前記予備拡散防止膜１２０は前記開口部１１５を有する半導体基板１００の上に実質的に均一に形成される。前記予備拡散防止膜１２０は耐熱性金属膜から形成される。前記耐熱性金属膜はチタン、タンタル、ニオブ、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、レニウム、タングステンの中で少なくとも一つを含む。前記耐熱性金属はチタン−ジルコニウムから形成しても良い。又、前記予備拡散防止膜１２０は、耐熱性金属窒化膜から形成しても良い。前記耐熱性金属窒化膜は、チタン窒化膜、タンタル窒化膜、ニオブ窒化膜、バナジウム窒化膜、ジルコニウム窒化膜、ハフニウム窒化膜、モリブデン窒化膜、レニウム窒化膜、タングステン窒化膜の中で何れか一つを含む。前記耐熱性金属窒化膜はチタン−ジルコニウム窒化膜から形成しても良い。
【００２９】
図３を参照すると、前記予備拡散防止膜１２０に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜１２０ａが形成される。前記酸素原子等は前記予備拡散防止膜１２０の結晶粒子の界面に提供される。言い換えれば、前記酸素原子等が供給されて前記予備拡散防止膜１２０が酸化されたり、前記予備拡散防止膜１２０の結晶粒子の界面に酸素原子が浸透されたりすることを意味する。前記酸素原子等は酸素を主とするガス（ｏｘｙｇｅｎ−ｂａｓｅｄ ｇａｓ）を利用して供給される。前記酸素を主とするガスはＯ２ガス、Ｎ２Ｏガス、Ｈ２Ｏガス、Ｏ２とＨ２の混合ガス、Ｏ３ガスの中で少なくとも何れか一つを利用する。
【００３０】
前記酸素原子等は、酸素熱処理工程を利用して供給される。前記酸素熱処理工程は、高温で酸素を主とするガスを供給する。例えば、前記酸素熱処理工程は、２０〜６００℃の温度、１〜１００００ｓｃｃｍ以下の酸素流量及び１０００ｔｏｒｒ以下の圧力条件で行われる。この他に、前記酸素原子等は、酸素プラズマ工程を利用して供給しても良い。例えば、前記酸素プラズマ工程は２０〜６００℃の温度、１〜１００００ｓｃｃｍの酸素流量、１〜１００００ｓｃｃｍの不活性ガス流量及び０ｔｏｒｒより大きく、１０００ｔｏｒｒ以下の圧力条件で酸素ラジカル等及び酸素イオン等を利用して行われる。
【００３１】
図４を参照すると、前記第１拡散防止膜１２０ａの上に第２拡散防止膜１３０が形成される。前記第２拡散防止膜１３０は、化学気相蒸着方法から実質的に均一に形成される。前記第２拡散防止膜１３０は、耐熱性金属膜から形成される。例えば、前記耐熱性金属膜はチタン、タンタル、ニオブ、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、レニウム、タングステンの中で何れか一つを含む。又は、前記耐熱性金属膜はチタン−ジルコニウムを含む。この他に、前記第２拡散防止膜１３０は、耐熱性金属窒化膜から形成しても良い。前記耐熱性金属窒化膜は、チタン窒化膜、タンタル窒化膜、ニオブ窒化膜、バナジウム窒化膜、ジルコニウム窒化膜、ハフニウム窒化膜、モリブデン窒化膜、レニウム窒化膜、タングステン窒化膜の中で何れか一つを含む。又、前記耐熱性金属窒化膜はチタンジルコニウム窒化膜を含む。
【００３２】
図５を参照すると、前記第２拡散防止膜１３０の上に蒸着抑制層１４０ａが形成される。本発明の一実施形態によると、前記蒸着抑制層１４０ａは劣悪なステップカバレージを形成する蒸着工程から形成される。従って、前記蒸着抑制層１４０ａは前記開口部１１５の中の第２拡散防止膜１３０の上部側壁及び前記開口部１１５の第２拡散防止膜１３０の上部面に形成される。これに加えて、前記蒸着抑制層１４０ａは前記開口部１１５の底面上の前記第２拡散防止膜１３０の上に形成される。結果的に、前記蒸着抑制層１４０ａは図示された様に、前記開口部の上部角を覆うオーバハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）型に形成される。これに加えて、前記蒸着抑制層１４０ａは図示された様に開口部１１５の中の第２拡散防止膜１３０の下部側壁が露出する様に形成される。前記蒸着抑制層１４０ａは物理気相蒸着方法、例えばスパッタリング方法から形成される。このとき、窒素ガスが前記蒸着抑制層１４０ａを形成するとき使用される。
【００３３】
前記第２拡散防止膜１３０は第１金属窒化膜から形成され、前記蒸着抑制層１４０ａは第２金属窒化膜から形成される。この場合、前記第２金属窒化膜の窒素含有量は、前記第１金属窒化膜の窒素含有量に比べて多い。前記第２拡散防止膜１３０と前記蒸着抑制層１４０ａは、同じ耐熱性金属を含む。本発明の一実施形態によると、前記第２拡散防止膜１３０は耐熱性金属膜から形成され、前記蒸着抑制層１４０ａは耐熱性金属窒化膜から形成される。
【００３４】
図６を参照すると、第１金属膜１５２が前記蒸着抑制層１４０ａを含む半導体基板１００の上に形成される。前記第１金属膜１５２は前記開口部１１５を埋める。前記第１金属膜１５２は化学気相蒸着方法から形成される。前記第１金属膜１５２はアルミニウム（Ａｌ）を含む。前記第１金属膜１５２を前記化学気相蒸着方法から形成するとき、前記第１金属膜１５２は、前記開口部１１５の中露出された第２拡散防止膜１３０の上から第１蒸着率で形成され、前記蒸着抑制層１４０ａの上から第２蒸着率で形成される。この場合、前記第１蒸着率は前記第２蒸着率に比べて高い。これは、前記第２拡散防止膜１３０の窒素含有量が、前記蒸着抑制層１４０ａの窒素含有量に比べて少ないためである。例えば、アルミニウムは下部導電体の窒素含有量により選択的に蒸着される。従って、前記第１金属膜１５２は、前記開口部１１５を空孔が発生しない様に埋めることができる。
【００３５】
図７を参照すると、前記第１金属膜１５２の上に第２金属膜１５４が形成される。前記第２金属膜１５４は工程時間を節約するために物理気相蒸着方法から形成される。前記第２金属膜１５４が低温の物理気相蒸着方法から形成される場合、前記第２金属膜１５４の蒸着後に、リフロー工程が行われる。しかし、前記第２金属膜１５４が高温の物理気相蒸着方法から形成される場合、リフロー工程は省略される。前記第１及び第２金属膜等１５２、１５４は金属膜１５０を構成する。
【００３６】
前記導電パターン１０５、前記予備拡散防止膜１２０、前記第１拡散防止膜１２０ａ、前記第２拡散防止膜１３０、前記蒸着抑制層１４０ａ及び前記金属膜１５０は、一つのクラスタ装備から形成される。
【００３７】
本発明の実施形態によると、前記第１拡散防止膜１２０ａ及び前記第２拡散防止膜１３０によって前記導電パターン１０５の銅原子等及び／又は前記金属膜１５０のアルミニウム原子等が拡散されることを防止する。即ち、前記第１及び第２拡散防止膜等１２０ａ、１３０によって前記導電パターン１０５の銅原子等が前記金属膜１５０に拡散されること及び／又は前記金属膜１５０のアルミニウム原子等が前記導電パターン１０５に拡散されることを防止する。第１拡散防止膜１２０ａ及び第２拡散防止膜１３０の何れか一つは銅拡散を防止し、他の一つはアルミニウム拡散を防止する。
【００３８】
詳しくは、前記第１拡散防止膜１２０ａの結晶粒子の界面に酸素原子等があるので、アルミニウムが結晶粒子の界面に沿って拡散するうちにアルミニウム酸化物が形成される。前記アルミニウム酸化物はアルミニウムの拡散経路を遮断する役割をする。
【００３９】
図８を参照すると、前記金属膜１５０、前記蒸着抑制層１４０ａ、前記第２拡散防止膜１３０及び第１拡散防止膜１２０ａを連続にパターニングして順次に積層される第１拡散防止パターン１２０ａ’、第２拡散防止パターン１３０’、蒸着抑制パターン１４０ａ’及び金属配線１５０’が形成される。前記金属配線１５０’は順次に積層される第１金属パターン１５２’及び第２金属配線１５４’を含む。前記金属配線１５０’は前記開口部１１５を覆う様に形成される。
【００４０】
以下、本発明の実施形態等に係る半導体素子等を図８を参照して説明する。
【００４１】
図８を参照すると、導電パターン１０５を有する半導体基板１００が提供される。前記導電パターン１０５は銅からなる。絶縁膜１１０が導電パターン１０５及び半導体基板１００の上に設けられる。前記導電パターン１０５の一部は前記絶縁膜１１０を貫通する開口部１１５により露出される。金属配線１５０’が前記開口部１１５の中及び前記絶縁膜１１０の上に設けられる。前記金属配線１５０’は順次に積層される第１金属パターン１５２’及び第２金属パターン１５４’を含む。前記第１金属パターン１５２’は化学気相蒸着方法によって形成され前記開口部１１５を埋める。前記第２金属パターン１５４’は物理気相蒸着方法によって形成される。前記金属配線１５０’はアルミニウムを含む。前記金属配線１５０’は円柱形態又はライン形態に構成できる。
【００４２】
前記金属配線１５０’と前記導電パターン１０５との間に第１拡散防止パターン１２０ａ’が設けられる。前記第１拡散防止パターン１２０ａ’は前記開口部１１５の側壁及び前記絶縁膜１１０の上部面に延長される。即ち、前記第１拡散防止パターン１２０ａ’は前記金属配線１５０’及び絶縁膜１１０との間に設けられる。前記第１拡散防止パターン１２０ａ’は酸素を含む。例えば、前記第１拡散防止パターン１２０ａ’は酸素原子等に露出又は浸透された結晶粒子の界面等を含む。前記第１拡散防止パターン１２０ａ’と前記金属配線１５０’との間に第２拡散防止パターン１３０’が介される。
【００４３】
前記第１拡散防止パターン１２０ａ’と前記第２拡散防止パターン１３０’は、各々耐熱性金属を含む。例えば、前記第１及び第２拡散防止パターン等１２０ａ’、１３０’の各々は、チタン、タンタル、ニオブ、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、レニウム、タングステンの中で少なくとも一つを含む。又は、前記第１及び第２拡散防止パターン等１２０ａ’、１３０’の中で少なくとも一つはチタン−ジルコニウムを含む。この他に、前記第１拡散防止パターン１２０ａ’及び前記第２拡散防止パターン１３０’は、各々耐熱性金属窒化物から形成しても良い。例えば、前記第１及び第２拡散防止パターン等１２０ａ’、１３０’の各々は、チタン窒化物、タンタル窒化物、ニオブ窒化物、バナジウム窒化物、ジルコニウム窒化物、ハフニウム窒化物、モリブデン窒化物、レニウム窒化物及びタングステン窒化物の中で少なくとも一つを含む。又は、前記第１及び第２拡散防止パターン等１２０ａ’、１３０’の中で少なくとも一つはチタン−ジルコニウム窒化物を含む。
【００４４】
前記第１拡散防止パターン１２０ａ’と前記第２拡散防止パターン１３０’が設けられることによって、前記導電パターン１０５の銅及び前記金属配線１５０’のアルミニウムの拡散が防止される。さらに、前記第１拡散防止パターン１２０ａ’は、結晶粒子の界面に酸素を含むので、前記第１拡散防止パターン１２０ａ’の結晶粒子の界面に拡散されるアルミニウムがアルミニウム酸化物になる。従って、第１拡散防止パターン１２０ａ’は拡散経路を遮断する役割をする。
【００４５】
前記第２拡散防止パターン１３０’は前記開口部１１５の側壁及び絶縁膜１１０の上部面に延長される。蒸着抑制パターン１４０ａ’が前記金属配線１５０’と第２拡散防止パターン１３０’との間の一部に設けられる。例えば、前記蒸着抑制パターン１４０ａ’は、前記絶縁膜１１０の上部面の第２拡散防止パターン１３０’と前記金属配線１５０’の縁部との間に設けられる。これに加えて、前記蒸着抑制パターン１４０ａ’は前記開口部１１５の中の第２拡散防止パターン１３０’の上部側壁を覆う。又、前記蒸着抑制パターン１４０ａ’は、前記開口部１１５の底面上の第２拡散防止パターン１３０’の上にも介される。結果的に、前記金属配線１５０’は前記開口部１１５の中の前記第２拡散防止パターン１３０’の下部側壁と接触される。
【００４６】
前記第２拡散防止パターン１３０’は第１金属窒化物を含み、前記蒸着抑制パターン１４０ａ’は第２金属窒化物を含む。前記第２金属窒化物の窒素含有量は前記第１金属窒化物の窒素含有量より多い。前記第１金属窒化物と前記第２金属窒化物は同じ耐熱性金属を含む。又、前記第２拡散防止パターン１３０’は耐熱性金属を含み、前記蒸着抑制パターン１４０ａ’は耐熱性金属窒化物を含む様に形成しても良い。
【００４７】
図９は様々な金属膜等のシート抵抗の変化を比較して示すグラフ図である。図９に於いて、横軸は従来技術による金属膜及び本発明により製造された金属膜を示し、縦軸はアニール工程前の金属膜の第１シート抵抗ＲＳ１とアニール工程後の金属膜の第２シート抵抗ＲＳ２との間のシート抵抗の変化率ＲＶを示す。横軸のＴａ１、Ｔａ２、ＴａＮ１及びＴａＮ２は従来の金属膜等であり、横軸のＴａ１（酸素処理）、Ｔａ２（酸素処理）、ＴａＮ１（酸素処理）及びＴａＮ２（酸素処理）は本発明による金属膜等である。金属膜等の各々は基板上に銅膜を形成すること、銅膜上に拡散防止膜を形成すること、拡散防止膜上にアルミニウム膜を形成すること、銅膜、拡散防止膜及びアルミニウム膜をアニールすることを含む半導体工程から製造される。このとき、前記第１シート抵抗ＲＳ１は前記アニール工程前に測定し、前記第２シート抵抗ＲＳ２は前記アニール工程後に測定した。従って、前記シート抵抗の変化率ＲＶは次の方程式を利用して計算することができる。
【００４８】
ＲＶ＝{（ＲＳ２−ＲＳ１）}×１００÷ＲＳ１
【００４９】
従来技術による拡散防止膜等は５０Åの厚さを有する第１タンタル膜Ｔａ１、１００Åの厚さを有する第２タンタル膜Ｔａ２、５０Åの厚さを有する第１タンタル窒化膜ＴａＮ１及び１００Åの厚さを有する第２タンタル窒化膜ＴａＮ２を形成した。又、本発明による拡散防止膜等は予備拡散防止膜を形成した後に酸素を供給する工程を経て形成した。図９のＴａ１（酸素処理）、Ｔａ２（酸素処理）、ＴａＮ１（酸素処理）及びＴａＮ２（酸素処理）参照。このとき、前記予備拡散防止膜は従来技術による拡散防止膜等の中の一つに対応する。
【００５０】
図９を参照すると、従来の金属膜等Ｔａ１、Ｔａ２、ＴａＮ１、ＴａＮ２は約８０％から１２０％のシート抵抗の変化率ＲＶを示した。逆に、本発明による金属膜等は約５％から２５％のシート抵抗の変化率ＲＶを示した。この結果を見ると、前記アニール工程を行ううちに、アルミニウム及び銅の合金が形成されるが、面抵抗が極めて増加されたことが分かる。又、本発明による金属膜等のシート抵抗の変化率ＲＶは従来の金属膜等のシート抵抗の変化率ＲＶに比べて著しく小さいことが分かる。従って、本発明の酸素を含む拡散防止膜により、銅原子等及び／又はアルミニウム原子等の拡散が最小化されて銅及びアルミニウムの合金の形成が最小化されることが分かる。
【００５１】
図１０は互いに異なる窒素含有量を有するタンタル窒化膜等による金属膜等の物理的なパラメータ及び電気的なパラメータ等を示す図面である。図１０に於いて、横軸は互いに異なる窒素含有量を有する様々なタンタル窒化膜等ＴａＮ１からＴａＮ８を示し、左側の縦軸はタンタル窒化膜等上に蒸着されたアルミニウム膜等の厚さを示し、右側の縦軸は各タンタル窒化膜等の比抵抗を示す。前記タンタル窒化膜等ＴａＮ１からＴａＮ８は窒素反応スパッタリング技術（ｎｉｔｒｏｇｅｎ ｒｅａｃｔｉｖｅ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）から形成され、ＣＶＤアルミニウム膜等が前記タンタル窒化膜等上に各々形成されている。前記ＣＶＤアルミニウム膜等は蒸着時間を同じにした。タンタル窒化膜等の窒素含有量は右側の縦軸の方に行くほど段々蒸着量が多くなる。即ち、８番目のタンタル窒化膜ＴａＮ８が一番多い窒素含有量を有する様に形成され、１番目のタンタル窒化膜ＴａＮ１が一番少ない窒素含有量を有する様に形成した。
【００５２】
図１０の様に、タンタル窒化膜の窒素含有量が高くなるほどタンタル窒化膜上の前記ＣＶＤアルミニウム膜の蒸着率が低くなる。従って、タンタル窒化膜が図４及び図５に開示された第２拡散防止膜１３０及び蒸着抑制層１４０ａからなるとき、第２拡散防止膜１３０の窒素含有量が前記蒸着抑制層１４０ａの窒素含有量より低いので、空孔が発生しない様に前記開口部１１５を完全に埋めることができる。
【００５３】
図１１は互いに異なる窒素含有量を有する様々なチタン窒化膜等上に蒸着されたＣＶＤアルミニウム膜等のシート抵抗を示すグラフ図である。図１１に於いて、横軸は互いに異なる窒素含有量を有するチタン窒化膜等ＴｉＮ１、ＴｉＮ２、ＴｉＮ３、ＴｉＮ４を示し、縦軸は前記チタン窒化膜等ＴｉＮ１、ＴｉＮ２、ＴｉＮ３、ＴｉＮ４の上に蒸着されたＣＶＤアルミニウム膜等のシート抵抗を示す。前記チタン窒化膜等ＴｉＮ１、ＴｉＮ２、ＴｉＮ３、ＴｉＮ４は窒素反応スパッタリング技術から形成される。前記ＣＶＤアルミニウム膜等は蒸着時間を同じにした。チタン窒化膜等の窒素濃度は右側の方に行くほど段々増加する。即ち、４番目のチタン窒化膜ＴｉＮ４が一番多い窒素含有量を有する様に形成され、１番目のチタン窒化膜ＴｉＮ１が一番少ない窒素含有量を有する様に形成した。
【００５４】
図１１から分かる様に、チタン窒化膜の窒素含有量が高くなるほどチタン窒化膜上のＣＶＤアルミニウム膜のシート抵抗は高くなる。この結果から、チタン窒化膜上に蒸着されたＣＶＤアルミニウム膜の厚さは、チタン窒化膜の窒素含有量に反比例することが分かる。これは、図１０のタンタル窒化膜等のグラフ図と実質的に同じ結果を得る。
【００５５】
図１２は本発明の実施形態に係る半導体素子を製造するとき、利用する半導体クラスタ装備を説明するための図面である。
【００５６】
図１２を参照すると、半導体クラスタ装備１０は、第１及び第２ロードロックチャンバ等２０、第１及び第２移送チャンバ等３０、第１及び第２冷却チャンバ等４４、複数の工程チャンバ等を含む。前記第１及び第２ロードロックチャンバ等２０は前記第１移送チャンバ３０に取り付けられる。前記第１及び第２冷却チャンバ等４４は前記第１及び第２移送チャンバ等３０の間に配置される。前記工程チャンバ等はクリーニングチャンバ４２、脱ガスチャンバ４６、第１から第７チャンバ等５２、５４、５６、５８、６２、６４、７０を含む。前記クリーニングチャンバ４２、脱ガスチャンバ４６、第３チャンバ５６及び第４チャンバ５８は、前記第１移送チャンバ３０に取り付けられ、第１チャンバ５２、第２チャンバ５４、第５チャンバ６２、第６チャンバ６４及び第７チャンバ７０は前記第２移送チャンバ３０に取り付けられる。
【００５７】
前記各移送チャンバ等３０はウェハの移送のためのウェハ移送装置を備える。前記ウェハ移送装置はロボットアーム３５を備え、前記ロボットアーム３５は、工程チャンバ等とロードロックチャンバ２０との間からウェハを搬入及び搬出する。
【００５８】
続いて、前記半導体クラスタ装備１０を利用して半導体素子を製造する方法を説明する。
【００５９】
図１乃至図７及び図１２を参照すると、コンタクトホール又はライン形態の溝の様な開口部１１５を有するウェハを備える。前記開口部１１５を有するウェハは前記ロードロックチャンバ等２０の中の一つにローディングされる。前記ロードロックチャンバ２０の中のウェハは、前記第１移送チャンバ３０を通じて前記クリーニングチャンバ４２に移送される。前記クリーニングチャンバ４２で、開口部を有するウェハはアルゴン（Ａｒ）ガス及び／又はヘリウム（Ｈｅ）ガス等を利用して洗浄される。前記洗浄されたウェハは、前記第１及び第２移送チャンバ３０を通じて前記第１チャンバ５２に移送される。前記第１チャンバ５２で、前記開口部を有する半導体基板上に予備拡散防止膜１２０が形成される。続いて、前記第１工程チャンバ５２で、前記予備拡散防止膜１２０の結晶粒子の界面部に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜１２０ａが形成される。又、前記予備拡散防止膜１２０を有するウェハが前記第２チャンバ５４に移送された後、前記酸素原子等は前記第２チャンバ５４で供給されても良い。即ち、前記半導体クラスタ装備１０は、前記酸素原子等を供給するためのチャンバを別途に設置する。しかし、前記酸素の供給は、前記クリーニングチャンバ４２で行っても良い。前記第１拡散防止膜１２０ａは前記第１チャンバ５２、第２チャンバ５４又はクリーニングチャンバ４２で形成される。
【００６０】
前記第１拡散防止膜１２０ａを有するウェハは、第１及び第２移送チャンバ等３０を通じて第３チャンバ５６に移送される。前記第３チャンバ５６で前記第１拡散防止膜１２０ａの上に第２拡散防止膜１３０が形成される。前記第２拡散防止膜１３０は前記第１チャンバ５２で形成しても良い。即ち、前記予備拡散防止膜１２０、前記第１拡散防止膜１２０ａ及び前記第２拡散防止膜１３０は、酸素原子等を供給することができる同じチャンバで形成しても良い。
【００６１】
前記第２拡散防止膜１３０を有するウェハは、第４チャンバ５８に移送される。前記第４チャンバ５８で前記第２拡散防止膜１３０を有するウェハ上に蒸着抑制層１４０ａを形成する。この場合、前記第４チャンバ５８は、劣悪なステップカバレージを形成する物理気相蒸着チャンバである。前記蒸着抑制層１４０ａは、前記開口部１１５の中の第２拡散防止膜１３０の上部側壁及び前記開口部１１５の外の第２拡散防止膜１３０の上部面に形成される。従って、前記開口部１１５の中の第２拡散防止膜１３０の下部側壁は、前記蒸着抑制層１４０ａを形成した後にも露出されている。
【００６２】
前記蒸着抑制層１４０ａを有するウェハは、第５チャンバ６２に移送される。前記第５チャンバ６２で前記蒸着抑制層１４０ａを覆う様にウェハ上に第１金属膜１５２、例えば、アルミニウム膜が形成される。前記第５チャンバ６２は、化学気相蒸着チャンバである。前記第１金属膜１５２を有するウェハが第６チャンバ６４に移送される。前記第６チャンバ６４で前記第１金属膜１５２の上に第２金属膜１５４が形成される。前記第６チャンバ６４は、物理気相蒸着チャンバである。
【００６３】
前記ウェハは導電パターン１０５を有し、前記導電パターン１０５は、前記開口部１１５を形成する前に第７チャンバ７０で形成される。本発明の一実施形態によると、前記第１拡散防止膜１２０ａを形成するための酸素原子等を供給することは、ウェハ表面の汚染を除去する脱ガスチャンバ４６、又は、蒸着工程により高くなった温度を下げる冷却チャンバ４４で行われる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図２】本発明の他の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図３】本発明の他の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図４】本発明の他の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図５】本発明の他の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図６】本発明の他の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図７】本発明の他の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図８】本発明の他の半導体素子の形成方法及びその方法により製造される半導体素子等を説明するための断面図である。
【図９】本発明の半導体素子の特性を説明するためのグラフ図である。
【図１０】本発明の他の半導体素子の特性を説明するためのグラフ図である。
【図１１】本発明の他の半導体素子の特性を説明するためのグラフ図である。
【図１２】本発明の半導体素子を製造するとき、利用する半導体クラスタ装備を説明するための図面である。
【符号の説明】
【００６５】
１０５ 導電パターン
１２０ａ 第１拡散防止膜
１３０ 第２拡散防止膜
１４０ａ 蒸着抑制層
１５０ 金属配線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電パターンを有する半導体基板を備えること、
前記導電パターン及び前記半導体基板上に絶縁膜を形成すること、
前記絶縁膜をパターニングして前記導電パターンの一部を露出する開口部を形成すること、
前記開口部の内壁及び前記絶縁膜の上部面に予備拡散防止膜を形成すること、
前記予備拡散防止膜に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜を形成すること、
前記第１拡散防止膜上に金属膜を形成することを含むと共に、前記金属膜は、前記第１拡散防止膜により囲まれている前記開口部を埋める様に形成されることを特徴とする半導体素子の形成方法。
【請求項２】
前記酸素原子等は、前記予備拡散防止膜の結晶粒子の界面に供給されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項３】
前記酸素原子等は、酸素熱処理工程を利用して供給されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項４】
前記酸素原子等は、酸素プラズマ工程を利用して供給されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項５】
前記酸素原子等は、Ｏ２ガス、Ｎ２Ｏガス、Ｈ２Ｏガス、Ｏ２とＨ２の混合ガス、Ｏ３ガスの中で少なくとも何れか一つを利用して供給されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項６】
前記金属膜を形成する前に、前記第１拡散防止膜上に第２拡散防止膜を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項７】
前記第１拡散防止膜及び前記第２拡散防止膜は、各々耐熱性金属膜から形成されることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項８】
前記耐熱性金属膜は、チタン、タンタル、ニオブ、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、レニウム、タングステンの中で少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項９】
前記耐熱性金属膜は、チタン−ジルコニウムを含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１０】
前記第１拡散防止膜及び前記第２拡散防止膜は、各々耐熱性金属窒化膜から形成されることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１１】
前記耐熱性金属窒化膜は、チタン窒化膜、タンタル窒化膜、ニオブ窒化膜、バナジウム窒化膜、ジルコニウム窒化膜、ハフニウム窒化膜、モリブデン窒化膜、レニウム窒化膜、タングステン窒化膜の中で少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１２】
前記耐熱性金属窒化膜は、チタン−ジルコニウム窒化膜を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１３】
前記導電パターンは、銅から形成され、前記金属膜は、アルミニウムから形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１４】
前記金属膜、第２拡散防止膜及び第１拡散防止膜をパターニングして順次に積層される第１拡散防止パターン、第２拡散防止パターン及び金属配線を形成することをさらに含むと共に、前記金属パターンは、前記第２拡散防止パターンにより囲まれている前記開口部を埋める様に形成されることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１５】
前記金属膜を形成する前に、前記第２拡散防止膜を有する半導体基板上に蒸着抑制層を形成することをさらに含むと共に、
前記蒸着抑制層は、前記開口部の中の前記第２拡散防止膜の下部側壁が露出する様に前記開口部の外の前記第２拡散防止膜の上部面及び前記開口部の中の前記第２拡散防止膜の上部側壁に形成され、
前記金属配線が形成されるとき、前記蒸着抑制層はパターニングされて前記金属配線の下に蒸着抑制パターンが介されることを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１６】
前記金属配線は、化学気相蒸着方法から形成され、
前記露出された第２拡散防止膜上の金属膜の蒸着率は、前記金属抑制層上の金属膜の蒸着率より高いことを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１７】
前記第２拡散防止膜は、第１金属窒化膜から形成され、前記蒸着抑制層は、第２金属窒化膜から形成され、
前記第２金属窒化膜の窒素含有量は、前記第１金属窒化膜の窒素含有量に比べて多いことを特徴とする請求項１６に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１８】
前記第２拡散防止膜と前記蒸着抑制層は、同じ耐熱性金属を含むことを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１９】
前記第２拡散防止膜は、耐熱性金属膜から形成され、前記蒸着抑制層は、耐熱性金属窒化膜から形成されることを特徴とする請求項１６に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項２０】
前記第２拡散防止膜は、化学気相蒸着方法から形成され、前記蒸着抑制層は、物理気相蒸着方法から形成されることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項２１】
前記導電パターン、前記予備拡散防止膜、前記第１拡散防止膜、前記第２拡散防止膜、前記蒸着抑制層、前記金属配線は一つのクラスタ装備から形成されることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項２２】
導電パターンを有する半導体基板と、
前記導電パターン及び半導体基板上に形成され、前記導電パターンの一部を露出する開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部を埋める金属配線と、
前記金属配線と前記導電パターンとの間に介されると共に、酸素原子等を含む第１拡散防止パターンを備えることを特徴とする半導体素子。
【請求項２３】
前記酸素原子等は、前記第１拡散防止パターンの結晶粒子の界面に位置することを特徴とする請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２４】
前記導電パターンは、銅を含み、前記金属配線は、アルミニウムを含むことを特徴とする請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２５】
前記第１拡散防止パターンと前記金属配線との間に介される第２拡散防止パターンをさらに備えることを特徴とする請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２６】
前記第１拡散防止パターン及び前記第２拡散防止パターンは、各々耐熱性金属を含むことを特徴とする請求項２５に記載の半導体素子。
【請求項２７】
前記耐熱性金属は、チタン、タンタル、ニオブ、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、レニウム、タングステンの中で少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２６に記載の半導体素子。
【請求項２８】
前記耐熱性金属は、チタン−ジルコニウムを含むことを特徴とする請求項２６に記載の半導体素子。
【請求項２９】
前記第１拡散防止パターン及び前記第２拡散防止パターンは、各々耐熱性金属窒化物を含むことを特徴とする請求項２５に記載の半導体素子。
【請求項３０】
前記耐熱性金属窒化物は、チタン窒化物、タンタル窒化物、ニオブ窒化物、バナジウム窒化物、ジルコニウム窒化物、ハフニウム窒化物、モリブデン窒化物、レニウム窒化物、タングステン窒化物の中で少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２９に記載の半導体素子。
【請求項３１】
前記耐熱性金属窒化物は、チタン−ジルコニウム窒化物を含むことを特徴とする請求項２９に記載の半導体素子。
【請求項３２】
前記第２拡散防止パターンは、前記開口部の側壁上に延長されていることを特徴とする請求項２５に記載の半導体素子。
【請求項３３】
前記開口部の中の上部側壁部の金属配線と前記開口部の中の上部側壁部の第２拡散防止パターンとの間に形成される蒸着抑制パターンをさらに含むと共に、
前記開口部の中の下部側壁部の第２拡散防止パターンは、前記金属配線と接触されることを特徴とする請求項３２に記載の半導体素子。
【請求項３４】
前記第２拡散防止パターンは、第１金属窒化膜を含み、
前記蒸着抑制パターンは、第２金属窒化膜を含み、
前記第２金属窒化膜の窒素含有量は、前記第１金属窒化膜の窒素含有量に比べて多いことを特徴とする請求項３３に記載の半導体素子。
【請求項３５】
前記第１金属窒化膜と前記第２金属窒化膜は、同じ耐熱性金属を含むことを特徴とする請求項３４に記載の半導体素子。
【請求項３６】
前記第２拡散防止パターンは、耐熱性金属膜を含み、前記蒸着抑制パターンは、耐熱性金属窒化膜を含むことを特徴とする請求項３３に記載の半導体素子。
【請求項３７】
開口部を有する基板上に予備拡散防止膜を形成すること、前記予備拡散防止膜に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜を形成すること、前記第１拡散防止膜上に第２拡散防止膜を形成することの中で少なくとも一つを行う様に設定される第１工程チャンバと、
前記開口部の中の第２拡散防止膜の下部側壁が露出する様に、前記開口部の中の第２拡散防止膜の上部側壁及び前記開口部の外の第２拡散防止膜の上部面に蒸着抑制層を形成する様に設定される第２工程チャンバと、
前記蒸着抑制層を有する基板上に前記開口部を埋める金属膜を形成する様に設定される第３工程チャンバとを備えることを特徴とする半導体クラスタ装備。
【請求項３８】
第４工程チャンバと、
第５工程チャンバをさらに含むと共に、
前記第１工程チャンバは、前記予備拡散防止膜を形成する様に設定され、前記第４工程チャンバは、前記酸素原子等を供給する様に設定され、前記第５工程チャンバは、前記第２拡散防止膜を形成する様に設定されることを特徴とする請求項３７に記載の半導体クラスタ装備。
【請求項３９】
前記第４工程チャンバは、クリーニングチャンバ、脱ガスチャンバ、冷却チャンバの中で少なくとも一つに設定されることを特徴とする請求項３８に記載の半導体クラスタ装備。
【請求項４０】
前記クリーニングチャンバは、前記開口部を有する基板を洗浄するチャンバであることを特徴とする請求項３９に記載の半導体クラスタ装備。
【請求項４１】
前記基板は、導電パターンと、前記導電パターンを露出する前記開口部を有する絶縁膜を備えることを特徴とする請求項３７に記載の半導体クラスタ装備。
【請求項１】
導電パターンを有する半導体基板を備えること、
前記導電パターン及び前記半導体基板上に絶縁膜を形成すること、
前記絶縁膜をパターニングして前記導電パターンの一部を露出する開口部を形成すること、
前記開口部の内壁及び前記絶縁膜の上部面に予備拡散防止膜を形成すること、
前記予備拡散防止膜に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜を形成すること、
前記第１拡散防止膜上に金属膜を形成することを含むと共に、前記金属膜は、前記第１拡散防止膜により囲まれている前記開口部を埋める様に形成されることを特徴とする半導体素子の形成方法。
【請求項２】
前記酸素原子等は、前記予備拡散防止膜の結晶粒子の界面に供給されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項３】
前記酸素原子等は、酸素熱処理工程を利用して供給されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項４】
前記酸素原子等は、酸素プラズマ工程を利用して供給されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項５】
前記酸素原子等は、Ｏ２ガス、Ｎ２Ｏガス、Ｈ２Ｏガス、Ｏ２とＨ２の混合ガス、Ｏ３ガスの中で少なくとも何れか一つを利用して供給されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項６】
前記金属膜を形成する前に、前記第１拡散防止膜上に第２拡散防止膜を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項７】
前記第１拡散防止膜及び前記第２拡散防止膜は、各々耐熱性金属膜から形成されることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項８】
前記耐熱性金属膜は、チタン、タンタル、ニオブ、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、レニウム、タングステンの中で少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項９】
前記耐熱性金属膜は、チタン−ジルコニウムを含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１０】
前記第１拡散防止膜及び前記第２拡散防止膜は、各々耐熱性金属窒化膜から形成されることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１１】
前記耐熱性金属窒化膜は、チタン窒化膜、タンタル窒化膜、ニオブ窒化膜、バナジウム窒化膜、ジルコニウム窒化膜、ハフニウム窒化膜、モリブデン窒化膜、レニウム窒化膜、タングステン窒化膜の中で少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１２】
前記耐熱性金属窒化膜は、チタン−ジルコニウム窒化膜を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１３】
前記導電パターンは、銅から形成され、前記金属膜は、アルミニウムから形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１４】
前記金属膜、第２拡散防止膜及び第１拡散防止膜をパターニングして順次に積層される第１拡散防止パターン、第２拡散防止パターン及び金属配線を形成することをさらに含むと共に、前記金属パターンは、前記第２拡散防止パターンにより囲まれている前記開口部を埋める様に形成されることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１５】
前記金属膜を形成する前に、前記第２拡散防止膜を有する半導体基板上に蒸着抑制層を形成することをさらに含むと共に、
前記蒸着抑制層は、前記開口部の中の前記第２拡散防止膜の下部側壁が露出する様に前記開口部の外の前記第２拡散防止膜の上部面及び前記開口部の中の前記第２拡散防止膜の上部側壁に形成され、
前記金属配線が形成されるとき、前記蒸着抑制層はパターニングされて前記金属配線の下に蒸着抑制パターンが介されることを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１６】
前記金属配線は、化学気相蒸着方法から形成され、
前記露出された第２拡散防止膜上の金属膜の蒸着率は、前記金属抑制層上の金属膜の蒸着率より高いことを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１７】
前記第２拡散防止膜は、第１金属窒化膜から形成され、前記蒸着抑制層は、第２金属窒化膜から形成され、
前記第２金属窒化膜の窒素含有量は、前記第１金属窒化膜の窒素含有量に比べて多いことを特徴とする請求項１６に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１８】
前記第２拡散防止膜と前記蒸着抑制層は、同じ耐熱性金属を含むことを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１９】
前記第２拡散防止膜は、耐熱性金属膜から形成され、前記蒸着抑制層は、耐熱性金属窒化膜から形成されることを特徴とする請求項１６に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項２０】
前記第２拡散防止膜は、化学気相蒸着方法から形成され、前記蒸着抑制層は、物理気相蒸着方法から形成されることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項２１】
前記導電パターン、前記予備拡散防止膜、前記第１拡散防止膜、前記第２拡散防止膜、前記蒸着抑制層、前記金属配線は一つのクラスタ装備から形成されることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項２２】
導電パターンを有する半導体基板と、
前記導電パターン及び半導体基板上に形成され、前記導電パターンの一部を露出する開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部を埋める金属配線と、
前記金属配線と前記導電パターンとの間に介されると共に、酸素原子等を含む第１拡散防止パターンを備えることを特徴とする半導体素子。
【請求項２３】
前記酸素原子等は、前記第１拡散防止パターンの結晶粒子の界面に位置することを特徴とする請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２４】
前記導電パターンは、銅を含み、前記金属配線は、アルミニウムを含むことを特徴とする請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２５】
前記第１拡散防止パターンと前記金属配線との間に介される第２拡散防止パターンをさらに備えることを特徴とする請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２６】
前記第１拡散防止パターン及び前記第２拡散防止パターンは、各々耐熱性金属を含むことを特徴とする請求項２５に記載の半導体素子。
【請求項２７】
前記耐熱性金属は、チタン、タンタル、ニオブ、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、レニウム、タングステンの中で少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２６に記載の半導体素子。
【請求項２８】
前記耐熱性金属は、チタン−ジルコニウムを含むことを特徴とする請求項２６に記載の半導体素子。
【請求項２９】
前記第１拡散防止パターン及び前記第２拡散防止パターンは、各々耐熱性金属窒化物を含むことを特徴とする請求項２５に記載の半導体素子。
【請求項３０】
前記耐熱性金属窒化物は、チタン窒化物、タンタル窒化物、ニオブ窒化物、バナジウム窒化物、ジルコニウム窒化物、ハフニウム窒化物、モリブデン窒化物、レニウム窒化物、タングステン窒化物の中で少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２９に記載の半導体素子。
【請求項３１】
前記耐熱性金属窒化物は、チタン−ジルコニウム窒化物を含むことを特徴とする請求項２９に記載の半導体素子。
【請求項３２】
前記第２拡散防止パターンは、前記開口部の側壁上に延長されていることを特徴とする請求項２５に記載の半導体素子。
【請求項３３】
前記開口部の中の上部側壁部の金属配線と前記開口部の中の上部側壁部の第２拡散防止パターンとの間に形成される蒸着抑制パターンをさらに含むと共に、
前記開口部の中の下部側壁部の第２拡散防止パターンは、前記金属配線と接触されることを特徴とする請求項３２に記載の半導体素子。
【請求項３４】
前記第２拡散防止パターンは、第１金属窒化膜を含み、
前記蒸着抑制パターンは、第２金属窒化膜を含み、
前記第２金属窒化膜の窒素含有量は、前記第１金属窒化膜の窒素含有量に比べて多いことを特徴とする請求項３３に記載の半導体素子。
【請求項３５】
前記第１金属窒化膜と前記第２金属窒化膜は、同じ耐熱性金属を含むことを特徴とする請求項３４に記載の半導体素子。
【請求項３６】
前記第２拡散防止パターンは、耐熱性金属膜を含み、前記蒸着抑制パターンは、耐熱性金属窒化膜を含むことを特徴とする請求項３３に記載の半導体素子。
【請求項３７】
開口部を有する基板上に予備拡散防止膜を形成すること、前記予備拡散防止膜に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜を形成すること、前記第１拡散防止膜上に第２拡散防止膜を形成することの中で少なくとも一つを行う様に設定される第１工程チャンバと、
前記開口部の中の第２拡散防止膜の下部側壁が露出する様に、前記開口部の中の第２拡散防止膜の上部側壁及び前記開口部の外の第２拡散防止膜の上部面に蒸着抑制層を形成する様に設定される第２工程チャンバと、
前記蒸着抑制層を有する基板上に前記開口部を埋める金属膜を形成する様に設定される第３工程チャンバとを備えることを特徴とする半導体クラスタ装備。
【請求項３８】
第４工程チャンバと、
第５工程チャンバをさらに含むと共に、
前記第１工程チャンバは、前記予備拡散防止膜を形成する様に設定され、前記第４工程チャンバは、前記酸素原子等を供給する様に設定され、前記第５工程チャンバは、前記第２拡散防止膜を形成する様に設定されることを特徴とする請求項３７に記載の半導体クラスタ装備。
【請求項３９】
前記第４工程チャンバは、クリーニングチャンバ、脱ガスチャンバ、冷却チャンバの中で少なくとも一つに設定されることを特徴とする請求項３８に記載の半導体クラスタ装備。
【請求項４０】
前記クリーニングチャンバは、前記開口部を有する基板を洗浄するチャンバであることを特徴とする請求項３９に記載の半導体クラスタ装備。
【請求項４１】
前記基板は、導電パターンと、前記導電パターンを露出する前記開口部を有する絶縁膜を備えることを特徴とする請求項３７に記載の半導体クラスタ装備。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００８−１７７５７７（Ｐ２００８−１７７５７７Ａ）
【公開日】平成２０年７月３１日（２００８．７．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−９５８２（Ｐ２００８−９５８２）
【出願日】平成２０年１月１８日（２００８．１．１８）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年７月３１日（２００８．７．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１月１８日（２００８．１．１８）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
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