【課題】本発明は、エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関する。
【解決手段】エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関し、前記エッチング液組成物は、リン酸、硝酸、酢酸、水及び添加剤を含み、前記添加剤は、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物及び酸化調整剤を含む。また、前記エッチング液組成物を利用して、互いに異なる導電物質からなるゲート電極、ソース／ドレイン電極及び画素電極をパターニングする工程を行ってフラットパネルディスプレイを製造する方法を提供することによって、工程をさらに単純化させることができ、生産費用の低減と生産性の向上を期待することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハなどに金属フィルムをメッキする場合、メッキ電流の拡散や、流体分布の不均一によって、不均一な電着を生じる問題を解決するために、電界分布や流体フローを制御する方法および装置を提供する。
【解決手段】ワークピースを保持するワークピースホルダの隣に、不均一な振動をしながらワークピースの表面に対して平行に移動し、流体を攪拌する部材２０４’を設置する。さらに、ワークピースの表面に向かう電界の一部を遮断する非導電材料からなるプレートを配置する。 （もっと読む）

【課題】微小構造を有するマイクロマシンの量産に際して、微小構造体と微小構造体を制御する半導体素子を同一基板上に形成し、コストを低減する方法を提供する。
【解決手段】マイクロマシンの作製に際して、膜のパターン形成を行うためのマスク材料を用いて犠牲層を形成し、半導体素子を形成する領域におけるマスクの除去と、微小構造体を形成する領域における犠牲層とマスクの除去を同一の工程にて行う。具体的には絶縁性基板上に選択的に犠牲層１０３を形成し、犠牲層を覆って半導体層１０４を形成し、半導体層上にマスク１０５を形成し、マスクを用いて半導体層をエッチングし、マスク及び犠牲層の除去を同時に行う微小電気機械式装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な薄膜トランジスタ及びその作製技術を提供することを目的とする。また、薄膜トランジスタを構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタが有する配線や電極パターンは、第１の領域及び第２の領域を有する絶縁表面上に設けられた配線層と、配線層に接する電極層とを有し、前記配線層は前記第２の領域に設けられ、電極層は第１の領域に設けられ、電極層及び配線層に対するぬれ性は、前記第１の領域より前記第２の領域が高い領域に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 ２層構造のゲート電極を有する半導体装置において、耐湿性が高く保護性能の劣化しない半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】 半導体装置が、半導体基板と、半導体基板の上に設けられ、その傘部が高融点金属層とその上に形成された低抵抗金属層とを含むＴ型ゲート電極と、Ｔ型ゲート電極を覆うパッシベーション膜とを含む。傘部の端部において、高融点金属層の内角が、略９０°以上である。内角は鈍角であっても良い。 （もっと読む）

【課題】 ナノＳｉの結晶性を格段に向上させることにより、所望の可視光を高効率で引き出せる結晶シリコン素子を提供し、また、その製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型単結晶のシリコン基板１０と、このシリコン基板１０の一表面側に、シリコン基板１０から分離して設けられ、このシリコン基板１０と同一の結晶軸を持つナノＳｉ(ｐ型結晶シリコン)１２と、シリコン基板１０のナノＳｉ(ｐ型結晶シリコン)１２が設けられた一表面側に形成される透明電極１５と、このシリコン基板１０の他表面側に形成される金属電極１６とを備えた。
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【課題】 レーザプロセスを利用した薄膜トランジスタの形成方法を提供すること。
【解決手段】 薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極に接する半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記ゲート絶縁層に重なるゲート電極を設ける第４の工程と、を包含している。そして、前記第１の工程は、レーザプロセスによって前記ソース電極およびドレイン電極を設ける工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】レジスト等のマスクは一般的にパターニングが終了すると、除去され、マスク除去のための工程が必要となり工程数が増えてしまう。そこで、マスクを除去することなく使用した薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】所望の形状にパターニングするためのマスクを除去せずに薄膜トランジスタの一部を構成させる。例えば、ソース・ドレイン電極をパターニングするためのマスクを除去せず、薄膜トランジスタが有する構成とする。ソース・ドレイン電極は、インクジェット法によって作製されるため、薄膜トランジスタの半導体膜は、ソース・ドレイン電極の側面に接する構成となる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの特性が向上した平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の平板表示装置は、絶縁基板；絶縁基板上に離隔して形成されてチャネル領域を規定するソース電極及びドレイン電極；電極それぞれの少なくとも一領域とチャネル領域上に形成されている有機半導体層；有機半導体層と電極との間に位置し、電極と有機半導体層との間の接触抵抗を減少させる自己組立単層膜を含むことを特徴とする。平板表示装置の製造方法は、絶縁基板を準備し；前記絶縁基板上に離隔して形成されてチャネル領域を規定するソース電極及びドレイン電極を形成し；前記ソース電極と前記ドレイン電極上に自己組立単層膜物質を加え、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と化学的に結合する自己組立単層膜を形成し；前記自己組立単層膜の少なくとも一領域と前記チャネル領域に有機半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】光触媒物質、又はアミノ基を有する物質を含む組成物を吐出して選択的に光触媒物質、又はアミノ基を有する物質を形成し、光触媒物質、又はアミノ基を有する物質を、めっき触媒物質を含む溶液中に浸漬し、光触媒物質、又はアミノ基を有する物質にめっき触媒物質を吸着又は析出させ、めっき触媒物質を、金属材料を含むめっき液に浸漬し、めっき触媒物質を吸着又は析出させた光触媒物質又はアミノ基を有する物質表面に金属膜を形成し半導体装置を作製し、めっき触媒物質を含む溶液はｐＨを３以上６以下に調整して用いる。 （もっと読む）

【課題】 定常損失を低減しつつ耐圧を向上することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 整流素子は、基板１と、半導体からなる不純物領域層（ｎ層３およびｐ層５）と、アノード電極９とを備える。不純物領域層は、基板１上に形成され、基板１側の表面である第１の面と、当該第１の面と反対側の表面である第２の面とを有する。アノード電極９はｎ層３およびｐ層５上に形成される。不純物領域層では、第２の面から第１の面に到達するｎ型のｎ層３と、ｎ層３に隣接するとともにｎ層３を挟むように配置され、第２の面から第１の面に向けて延在するｐ型のｐ層５とが形成される。アノード電極９は、ｎ層３にショットキー接触し、かつ、ｐ層５に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 印刷等で簡便に作製可能な非線形有機半導体素子、並びにそれを画素制御に用いた表示素子の提供することを目標とする。
【解決手段】 基板上に第１電極層、有機半導体層、第２電極層が順次積層されて積層体をなしており、第１電極層と有機半導体層の界面、もしくは第２電極層と有機半導体層の界面の一方にショットキー接合が形成され、もう一方にオーミック接合が形成される有機半導体素子において、特に有機半導体層が２層の有機半導体層からなり、オーミック接合側の有機半導体層にキャリアドープを行うことにより、耐電圧性が高い非線形有機半導体素子を得た。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体の発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
ｎ−電極、ｎ型化合物半導体層、活性層、ｐ型化合物半導体層、及びｐ−電極を含み、ｎ−電極へのオーミック接触特性が向上した窒化物系化合物半導体の発光素子が提供される。前記ｎ−電極は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕからなる群から選択される少なくとも一種の元素からなる第１電極層と；前記第１電極層上に、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、及びＡｕからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む伝導性物質を用いて形成される第２電極層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】段差が無く、且つ、密着性及び平坦性の良い配線層を透明基板上に形成できなかったため、表示装置の大型化が困難な状況にある。
【解決手段】薄膜トランジスタのゲート電極或いはゲート配線を、下地密着層、触媒層、配線金属層、配線金属拡散抑止層の順に積層して４層構造にすることよって、密着性及び平坦性を改善した。この場合、下地密着層は金属に配位可能な構造を有する樹脂により形成され、絶縁基板との密着性を改善できた。また、配線金属層上に配線金属拡散抑止層を設けることにより、配線金属の拡散を防止できるため、薄膜トランジスタの特性を改善できる。 （もっと読む）

本発明は基板（１７）上に少なくとも１つのナノ構造体（９）を形成する方法に関する。この方法においては、電極がそれぞれ突出している電極領域を有し、電極領域は電極側とは反対側に端部（５）を備えており、隣接する端部（５）がそれぞれ周波数により時間的に変化する電位差を形成するように１つのラインに沿って配置されている、少なくとも１つのマルチ電極構造（１１）が基板（１７）上に形成され、例えばナノチューブ、ナノワイヤおよび／またはカーボンナノチューブのようなナノオブジェクト（３）を有する懸濁液が生成され、懸濁液がそれぞれ隣接する端部（５）間において基板（１７）上に移され、隣接する端部（５）間においてラインに沿って、それぞれ行われる誘電泳動により別個のナノオブジェクトクラスタ（７）が析出され、端部（５）の領域においてナノオブジェクトクラスタ（７）がそれぞれ統合されてナノ構造体（９）が形成される。
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【課題】 均一な金属シリコン化合物もしくは金属ゲルマニウム化合物からなるゲート電極を形成する。
【解決手段】 ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置の製造方法において、ゲート電極形成後に絶縁膜で埋め込み、前記絶縁膜を、前記ゲート電極の上面が露出するまで平坦化し、前記ゲート電極の上部に金属膜を選択的に成膜し、前記ゲート電極を金属シリコン化合物又は金属ゲルマニウム化合物にする、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体層中に発生する電界分布を可能な限り広げることで、電流分布の偏りを低減し、光取出し効率が向上した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、複数の窒化ガリウム系化合物半導体層がエピタキシャル成長法により積層された直方体状の半導体積層体７を有するとともに、最上層の窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成された四角形状のｐ側導電層９と、窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を除去した露出部に形成された鉤状のｎ側導電層１１とが、半導体積層体７の同じ主面側に平面視で全体として一つの四角形状を成すように相補的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳＦＥＴ構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本方法は、第一ＭＯＳＦＥＴ型領域（４０）では半導体層（２２）を完全に半導体金属合金に変換するのに十分な厚さで、第二ＭＯＳＦＥＴ型領域（３０）では半導体層（２０）を部分的に半導体金属合金に変換するのに十分な厚さで金属含有層（５６）を形成する。第一の実施態様では、第一ＭＯＳＦＥＴ型領域（４０）のゲートスタックは金属含有層（５６）を形成する前に凹化しておくので第一ＭＯＳＦＥＴ半導体スタックの高さは第二ＭＯＳＦＥＴ半導体スタックの高さ未満である。もう一つの実施態様では、変換プロセスの前に第一ＭＯＳＦＥＴ領域（４０）よりも第二ＭＯＳＦＥＴ領域（３０）の金属含有層（５６）を薄く形成する。 （もっと読む）

【課題】高温下で使用しても、特性劣化が生じない炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体基体５００と、この炭化珪素半導体基体５００にヘテロ接合し、炭化珪素とはバンドギャップの異なるヘテロ半導体材料からなるソース領域１１と、炭化珪素半導体基体５００とソース領域１１との接合部に隣接してゲート絶縁膜７を介して配設されたゲート電極８と、ソース領域１１に接するように形成されたソース電極９と、炭化珪素半導体基体５００と接触するように形成されたカーボンナノチューブ層１２と、このカーボンナノチューブ層１２を介して炭化珪素半導体基体５００と隣接するように形成されたドレイン電極１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 幅の異なる幾つかの領域を有するパターン形成領域に機能液を配置する場合等において、形成される膜パターン間での膜厚さを無くした該膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の膜パターンの形成方法は、基板４８上に所定パターンのバンク３４を形成するバンク形成工程と、前記形成したバンク３４に対してフッ素化処理を施す撥液化処理工程と、前記撥液化処理後、前記バンク３４に区画されたパターン形成領域５５，５６に機能液を配置する機能液配置工程と、前記配置した機能液を乾燥させる乾燥工程と、を含み、前記バンク形成工程は、前記基板４８上に第１バンク層３４ａを形成する第１バンク層形成工程と、前記形成した第１バンク層３４ａ上に、該第１バンク層３４ａよりもフッ素化され易い第２バンク層３４ｂを形成する第２バンク層形成工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）