【課題】ウェーハ外周部のスルーホールやトレンチ内における被覆性を向上できるマグネトロンスパッタ装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ３に接続された高周波電源８と、スパッタ室２の外側であって、ターゲットの中心軸Ｃ１と同軸のプレート９と、中心軸を中心Ｃにプレートを回転させる回転移動手段と、プレートの一面においてＳ極端をターゲットに向けたＳ極マグネット１０Ｓと、プレートの一面においてＮ極端をターゲットに向けた第１及び第２のＮ極マグネット１０Ｎと、を備え、第１のＮ極マグネットと第２のＮ極マグネットとの磁束密度がＳ極マグネットの磁束密度より大きい。 （もっと読む）

【課題】ターゲット陰極を有するスパッタ堆積システム内で層を堆積させるための方法および制御システムを提供する。
【解決手段】層の堆積に先だって、陰極電圧、陰極電流および陰極電力から選択される動作パラメータに対する層の堆積速度の第１の依存関係が提供される。層を堆積させている間、同じく陰極電圧、陰極電流および陰極電力から選択される異なる動作パラメータが実質的に一定に保持された状態で、時間に対する動作パラメータの第２の依存関係が測定される。層を堆積させている間、第１および第２の依存関係に基づいて、層の堆積時間が動的に決定される。 （もっと読む）

【課題】基板の成膜処理により成膜される付着膜を容易に剥離・除去することができる成膜装置用部品、成膜装置、成膜装置用部品の製造方法、成膜装置用部品の再生方法を提案する。
【解決手段】基板Ｐ類への成膜処理中に不要な付着膜３０が成膜される成膜装置用部品２０は、成膜装置用部品本体２１と、成膜装置用部品本体２１の表面に形成されて付着膜３０と共に剥離可能な保護膜２２と、を有する。保護膜２２は、ジメチルシリコーン重合膜である。成膜装置用部品としては、例えば、防着板２０がある。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の凹部に沿って成膜した銅及び添加金属の合金膜を利用してバリア膜と銅膜とを形成し、その後銅配線を埋め込むにあたって、前記銅膜の酸化を抑え、配線抵抗の上昇を抑える技術を提供すること。
【解決手段】銅に添加金属を添加した合金膜を、基板表面の層間絶縁膜における凹部の壁面に沿って形成する工程と、次いで、前記添加金属と層間絶縁膜の構成元素との化合物からなるバリア層を形成すると共に余剰の添加金属を合金膜の表面に析出させるために、有機酸、有機酸無水物またはケトン類を含む雰囲気で基板を加熱する工程と、凹部に銅を埋め込む工程と、を含むように半導体装置の製造方法を実施する。有機酸、有機酸無水物及びケトン類は銅に対して還元性を持つため、合金膜に含まれる銅の酸化を抑えつつ、添加金属と絶縁膜中の構成元素との化合物からなるバリア層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜時のウエハの周辺部での非対称性の発生を抑制する。
【解決手段】処理室３を形成するチャンバー２の上部にバッキングプレート６が配置されその下面側にターゲットプレート８が取り付けられ、上部側にマグネトロン磁石９が配設される。処理室３の下部にはウエハを載置するサセプタ４が配設される。サセプタ４は高周波電源５から高周波電圧が印加される。バッキングプレート６は直流電源７から負電圧が印加される。チャンバー２外側の周囲に多数の磁石１０ａを放射状に配置して円弧状に配列して構成した回転磁石１０が配置される。回転磁石１０は、マグネトロン磁石９と同期して回転し、上下動も可能に構成され、処理室３内にカスプ磁場を形成し、ターゲットプレート８からチャンバー２の側壁に飛散する粒子の軌道をウエハ側に曲げるので、ウエハの周辺部での成膜の非対称性を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】
半導体構造の微細化に対応でき、しかも基板上に形成した被覆膜におけるビアホールやトレンチの開口部におけるオーバーハングや非対称性を改善できる成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】
スパッタリング法又はALD又はCVD法で上記基板上に金属配線を形成するための被覆膜を形成し、この被覆膜形成中又は形成後に、アルゴン、ネオンなどの希ガスのイオンを３００~１００００ｅＶのイオンエネルギーで基板に対してほぼ平行に照射して上記基板上に形成された被覆膜の形状を適切に変更する。 （もっと読む）

【課題】１個の処理容器内でスパッタによって厚さ方向に濃度勾配を有するように添加金属を含んだ合金層を被処理体上に容易に形成することができる技術を提供すること。
【解決手段】添加金属と主金属とを含む合金からなる金属ターゲットを備えた処理容器内にプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスに電力を供給してプラズマ化し、そのプラズマによりスパッタされた金属ターゲット粒子により第１の合金膜を被処理体に成膜する第１の成膜工程と、処理容器内の圧力及び前記電力の少なくとも一つを異ならせてプラズマを発生させ、スパッタされた前記金属ターゲットの粒子により、添加金属の濃度が第１の合金膜の添加金属の濃度とは異なる第２の合金膜を第１の合金膜に積層する第２の成膜工程と、を含むようにスパッタ成膜を行い、主金属に対する添加金属の濃度が厚さ方向に異なる膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】 従来より低コスト、小型で、筒状治具を自転させながら蒸着原料の周りを公転させつつ移動させる装置が必要なく、また試料の一部分に成膜の不要な箇所がある場合にその箇所にマスキング等が不要な、膜厚の均一性が高い薄膜を成膜する薄膜の成膜装置を提供すること。
【解決手段】 真空の炉体２内でターゲット８（蒸着原料）をプラズマ化させ、試料４の表面に膜を形成する薄膜の成膜装置１で、試料４の表面に窒素ガス（不活性ガス）を供給するガス供給装置６を備える。 （もっと読む）

【課題】段差被覆性に優れた銅シード層の製造方法を提供する。
【解決手段】同じスパッタチャンバ内で実行される堆積された銅のスパッタエッチング１６２が、銅のスパッタ堆積１６０の後に続いて実行される。これにより、特に銅の電気めっきの前に、狭いビア内に銅シード層を形成するのに有用な銅堆積プロセスとなる。該堆積は、高い銅イオン化割合及び銅イオンを該ビア内に引き付ける強力なウェーハバイアスを促進する条件下で実行される。該エッチングは、好ましくは、該チャンバの周りのＲＦコイルによって誘導励起されたアルゴンイオンによって、又は、高いターゲット電力及び極めて強いマグネトロンで形成することができる銅イオンによって、あるいは、ＲＦコイルの使用によって行うことができる。堆積／エッチングの２つ以上のサイクルを実行することができる。最後の瞬時堆積１６８は、高い銅イオン化及び低いウェーハバイアスで実行することができる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの中心部に再堆積された材料物質が、該ターゲットから剥がれて、集積回路に欠陥をもたらさない、再堆積物質を洗浄する装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング用デュアルマグネトロンにおいて、該マグネトロンの位置は、スパッタ堆積とターゲット洗浄の間で、相補的半径方向に動かすことができる。該マグネトロンは、異なる特徴のサイズ、強度及び不平衡を有する。該ソースマグネトロンは、より小さく、より強く、かつアンバランスのソースマグネトロン６２であり、スパッタ堆積及びエッチングにおいて、ウェーハのエッジ近くに位置している。該補助マグネトロン６４は、より大きく、弱く、かつより平衡しており、該ターゲットの中心を洗浄し、スパッタ堆積において、スパッタイオンを該ソースマグネトロンからガイドするのに使用される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スパッタ装置の真空ロボットにより基板を基板ホルダに取付ける際の位置調整を行う位置調整装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スパッタ装置内の基板ホルダに真空ロボットにより基板を取付けるときの取付け位置を調整する位置調整装置であって、取付け位置情報を記憶する記憶手段と、記憶された取付け位置情報に基づき真空ロボットにより基板を基板ホルダに取付ける取付け手段と、取付けられた基板の取付け状態を測定する測定手段と、測定結果に基づき、位置ずれを生じているか否かを判定する判定手段と、位置ずれと判定されたときは、基板の取付け位置情報を補正する位置情報補正手段と、を有する位置調整装置。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ膜の埋め込み性を向上させた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置に関するものである。
【解決手段】制御部が、ビアホールＶＨを有したシリコン基板の表面に金属膜ＢＭ１（Ｔｉ膜）と金属窒化膜ＢＭ２（ＴｉＮ膜）を被覆させ、金属窒化膜ＢＭ２に被覆されたビアホールＶＨの内部にＣＶＤ法を用いてＡｌ−ＣＶＤ膜Ｐ１を形成させた。そして、制御部が、成膜条件データに対応する成膜条件の下で金属窒化膜ＢＭ２を被覆させ、ビアホールＶＨの底部に位置する金属窒化膜ＢＭ２の膜厚を基準膜厚よりも薄く形成し、かつ、ビアホールＶＨの上部に位置する金属窒化膜ＢＭ２の膜厚を基準膜厚よりも厚く形成させた。 （もっと読む）

基板上にコーティングを形成するためにターゲットのスパッタリングを発生させるための装置が提供される。本装置は、カソード及びアノードを具備するマグネトロンを備える。上記マグネトロンには電源が動作可能に接続され、上記電源には少なくとも一つのキャパシタが動作可能に接続される。本装置は、また、上記少なくとも一つのキャパシタに動作可能に接続されたインダクタンスを備える。第１のスイッチは、上記マグネトロンを充電させるために上記マグネトロンに上記電源を動作可能に接続し、上記第１の電源は、第１のパルスにより上記マグネトロンを充電させるように構成される。第２のスイッチは、上記マグネトロンを放電させるために動作可能に接続される。第２のスイッチは、第２のパルスにより上記マグネトロンを放電させるように構成される。
（もっと読む）

【課題】Ａｌ膜の埋め込み性を向上させた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供するものである。
【解決手段】制御部は、ビアホールＶＨを有したシリコン基板Ｓの表面に金属膜ＢＭ１（Ｔｉ膜）と金属窒化膜ＢＭ２（ＴｉＮ膜）を被覆させ、金属窒化膜ＢＭ２に被覆されたビアホールＶＨの内部にＣＶＤ法を用いてＡｌ−ＣＶＤ膜Ｐ１を形成させた。そして、制御部は、Ａｌ−ＣＶＤ膜Ｐ１を埋め込む前に、ビアホールＶＨの底部に位置する金属窒化膜ＢＭ２の一部をスパッタし、ビアホールＶＨの底部の側壁に再付着窒化膜ＢＭｒを形成させた。 （もっと読む）

【課題】成膜時のカバレッジの非対称性の抑制効果と、基板上の素子へのダメージ抑制とを両立させたマグネトロン型スパッタリング装置を提供する
【解決手段】真空チャンバと、真空チャンバ内に互いに対向して配置されたターゲットおよび基板ホルダと、基板ホルダと反対の前記ターゲット側に配置されるマグネトロンと、前記マグネトロンを前記ターゲット面に対して垂直な軸で回転させるための回転機構とを備え、前記マグネトロンは、互いに極性が異なり、等しい幅を持つ大小２つの扇枠状磁石を内外に２重に配置した構造を有すると共に、内側扇枠状磁石と外側扇枠状磁石の基部の間に回転中心を有し、前記内外の扇枠状磁石の円弧部で互いに対向するギャップは、基板ホルダと対向するターゲット面で発生する水平磁場が５００ガウス以上になる最小の距離に設定され、かつ前記内外の扇枠状磁石の直線部で互いに対向するギャップは、円弧部で互いに対向するギャップ以上の距離に設定されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｔｉ合金を用いることにより被処理体の表面の凹部におけるコーナエッチング耐性を向上させることができるバリヤ層を提供する。
【解決手段】被処理体２の表面に絶縁層６と導電層１２とを形成する際に前記絶縁層と前記導電層との間に介在されるバリヤ層１０において、このバリヤ層は、Ｔｉ（チタン）金属よりなる母材に、遷移金属群より選択された１又は２以上の金属を混合してなるＴｉ合金膜８８を含むように構成する。これにより、被処理体の表面の凹部におけるコーナエッチング耐性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時におけるチャージングダメージの発生を大幅に抑制することができる薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｓの表面にスパッタリングにより薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記薄膜８２を形成する薄膜形成工程の前工程として、前記被処理体の表面にチャージングダメージを防止するためのチャージングダメージ防止膜８０をスパッタリングにより形成する防止膜形成工程を行う。これにより、スパッタリング時におけるチャージングダメージの発生を大幅に抑制する。 （もっと読む）

【課題】逆スパッタ処理後に無電解めっき処理を行った際にも、めっきの異常析出を防止する。
【解決手段】支持具１０２に支持された基板１００に逆スパッタ処理を行う第１工程と、逆スパッタ処理された基板１００に金属材料で構成されたシード層１０６を形成する第２工程と、シード層１０６上に、無電解めっき法により金属材料で構成されためっき層を形成する第３工程とを備える。第１工程で飛散した支持具１０２の構成物質と反応する反応性ガスを用いて、飛散した構成物質を絶縁化する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】段差切れのない化合物バリア膜を単一の装置により１プロセスで形成する方法を提供すること
【解決手段】真空室内１に、直流電源５に接続されたメタルターゲット６とその背後の磁石７及び該ターゲットの前方のイオン化率を高めるＲＦコイル８を備えたマグネトロンカソード９を設け、プラズマ発生のための該ターゲット及びＲＦコイルへの投入電力と、該真空室内へ導入するスパッタ用不活性ガス及び反応性ガスの流量とを制御し、該ターゲットに対向して設けたシリコン半導体基板１３の表面にメタル膜の成膜と該メタル膜の化合物化を交互に繰り返して化合物バリア膜を形成する （もっと読む）

【課題】多層配線構造を備えた半導体装置において、配線溝底面におけるバリアメタル膜の消失を回避しつつ、ビアプラグ下端において下層配線パターンと確実なコンタクトを実現する。
【解決手段】配線溝およびビアホールの側壁面および底面を覆うようにバリアメタル膜をスパッタ法により堆積する際に、前記バリアメタル膜の堆積を、層間絶縁膜主面上における堆積速度がスパッタエッチング速度よりも大きくなる第１の条件で前記バリアメタル膜の堆積を行う第１のスパッタ工程と、前記層間絶縁膜主面上における堆積速度とスパッタエッチング速度がほぼ等しくなる第２の条件で前記バリアメタル膜の堆積を行う第２のスパッタ工程により、実行する。 （もっと読む）