【課題】 複数枚のターゲットを並設し、この並設したターゲットに、複数台のバイポーラパルス電源を介してバイポーラパルス状に電力投入してスパッタリング法を実施する際に、簡単な制御でスイッチングノイズの影響を受け難くしてターゲットに精度よく投入電力できるようにする。
【解決手段】 対をなすターゲット毎に、直流電力供給源からの正負の直流出力端に接続したブリッジ回路５２の各スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ４のオン、オフを切換えてバイポーラパルス状に電力供給し、各ターゲットをスパッタリングするスパッタリング方法において、前記直流電力供給源からの正負の直流出力間に設けた出力短絡用スイッチング素子ＳＷ０の短絡状態で前記スイッチング素子のオン、オフの切換えを行うと共に、出力短絡用スイッチング素子の切換えのタイミングをブリッジ回路毎に相互にずらす。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ターゲット上でのアーク放電の発生を長期的に抑制でき、かつ、速い成膜速度にて非常に薄い膜を高い面内均一性で確保できるスパッタリング方法及び装置を提供するものである。
【解決手段】真空容器中に、形成したい薄膜の成分の一部または全部からなる複数のターゲットを配し、前記真空容器中にガスを導入し前記複数のターゲットのうち少なくとも一つのターゲットに電圧を印加することで真空容器中にプラズマを発生させ、絶縁物の成膜を行うスパッタリング方法において、正の逆パルスを印加する毎に周波数または印加時間の少なくとも１つを変化させる。 （もっと読む）

【課題】均一で安定したプラズマを発生させ、かつ、基体に比較的広い面積に亘って均一な膜厚、特性を維持することが可能なスパッタ成膜方法、電子素子の製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０１の内部に被成膜基板１１５の搬送方向に対して等間隔に配置され、かつ、被成膜基板１１５との距離がそれぞれ異なる複数の矩形状ターゲットのうちで、隣り合う第１のターゲット１０４及び第２のターゲット１０５における被成膜基板１１５の搬送方向と平行な辺の長さをＷ１及びＷ２とし、間隔をＬとしたときに、Ｌ≦３（Ｗ１＋Ｗ２）を満たすとき、基板１１５までの距離をＴで表したときに、複数のターゲット１０４，１０５，１０６のうちで最長になっている最長距離Ｔｍａｘと、そのときの間隔Ｌとの関係が、０．４≦Ｔｍａｘ／Ｌ≦０．８を満たすようにスパッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】装置の高いスループットを維持しつつ、バリアメタルの酸化工程の追加や異なる種類のシード層の積層、バリア層の積層等を行い配線の信頼性を向上させる。
【解決手段】薄膜の合金シード層を成長させるチャンバー、または、薄膜のバリアメタルを成長させるチャンバーのうち、最も短いタクト時間のチャンバー数を最も少なくして、あるいは、統一して１台の装置で専用に用い、タクト時間の長い工程のチャンバーを２または、３チャンバー以上にすることにより、薄膜工程のチャンバー間バラツキを無くして、装置のスループットを向上させる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたホールの内部にスパッタリングにより成膜した貴金属膜の厚みを、ホールの両サイドで対称なものとすることができ、したがって、貴金属膜に断線等の不具合が生じる虞がなく、信頼性をより向上させることができる貴金属膜の成膜装置及び貴金属膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の貴金属膜の成膜装置は、基板２３に形成されたホールの内部に貴金属膜をスパッタリングにより成膜する装置であり、ターゲット２４と、このターゲット２４に対向配置されるステージ２２と、ターゲット２４にスパッタリング電力Ｐ_ｔ（Ｗ）を印加する電源２６とを備え、ターゲットの直径Ｔと、ターゲット２４とステージ２２上の基板２３との距離Ｌとの比Ｌ／Ｔを、０．５以上かつ１．５以下の範囲で変更可能とした。 （もっと読む）

【課題】 基板ホルダーが移動しても、整合状態が大きく変化することなく、インピーダンスの整合状態が維持されることを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、本願に係わる基板処理装置は、処理チャンバー、前記処理チャンバー内に位置し、基板を保持するための基板ホルダー、前記基板ホルダーに高周波電力を供給するための高周波電源、前記基板ホルダーと前記高周波電源との電気的に間に位置する整合器及び前記基板ホルダーと前記整合器を一体に移動させる移動機構を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、被処理物を効率良く冷却できるスパッタリング装置及び方法を提供する。
【解決手段】スパッタ室３３，３５内にワークＷに対向して配置されたターゲット３３ｃ，３５ｃの材料を、スパッタリングによってワークＷに膜状に堆積させるスパッタリング装置であって、ゲルＧを介してワークＷに貼付されたサセプタＳを有する。サセプタＳを冷却する冷却室３４が、スパッタ室３３，３５とは別に設けられ、スパッタ室３３と冷却室３４との間で、ゲルＧを介してワークＷが貼付されたサセプタＳを移送する移送装置を有する。 （もっと読む）

【課題】 複数の磁石を必要とせず、磁石の表面の磁束密度を容易に均一化する磁石ホルダを備えるスパッタリング装置を安価に提供する。
【解決手段】 スパッタリング装置が、プラズマガンと、プラズマ形成室と、一対の磁石１１Ａ，１１Ｂと、一対の磁石ホルダ２５Ａ，２５Ｂと、真空成膜室と、電磁コイルと、電源と、を備え、前記一対の磁石ホルダは、それぞれ、その有効主面に対向する第１の構成部材２８Ａ，２８Ｂと、前記有効主面以外の部分に対向する第２の構成部材２６Ａ，２６Ｂ，２７Ａ，２７Ｂと、を有し、第１の構成部材２８Ａ，２８Ｂが磁性材料からなる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング膜の成膜レートを低下させずに、ターゲットのスパッタリング時に生じるターゲット材料の凝集を適切かつ容易に抑制できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、基板３４Ｂおよびターゲット３５Ｂを格納する真空成膜室３０と、カソードユニット４１を有して、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電により、真空成膜室３０内にプラズマ２７を形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０に電力を供給するプラズマガン電源５０と、ターゲット３５Ｂにバイアス電圧を印加するバイアス電源５２と、を備え、プラズマ２７中の荷電粒子によりスパッタリングされたターゲット３５Ｂの材料が基板３４Ｂにおいて凝集を起こさないよう、プラズマの放電電流ＩＤがプラズマガン電源５０を用いて調整され、かつ、バイアス電圧ＶＢがバイアス電源５２を用いて調整されている。 （もっと読む）

複数のパルスで陽極とターゲット間に電力を印加することによってＴａＮ層（４）を被着し、ターゲットから基板（２）へ反応的にＴａをスパッタしてＴａNシード層（４）を形成する方法から成る。Ｔａ層（５）は複数のパルスにおける電力を印加すると共に、前記基板（２）を支持するペデスタルに高い周波数信号を印加することによって前記ＴａＮシード層（４）の上に被着され、前記基板（２）に隣接した自己バイアス場を生成する金属化構造体（１）を被着する方法。
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【課題】半導体基板上のサブミクロン構造について、メタライゼーションに先立つ予備洗浄を提供する。
【解決手段】この方法は、酸素、CF4/O2の混合物またはHe/NF3の混合物のような反応性ガスのプラズマからのラジカルを用いてサブミクロン構造を洗浄することを含み、このプラズマは、好ましくは遠隔プラズマ源により発生され、ラジカルは基板が配置されるチャンバーに供給される。サブミクロン構造内に残留する自然酸化物は、好ましくは、第二の工程において水素を含むプラズマからのラジカルで還元される。第一のまたは両方の洗浄工程に続いて、当該構造は、利用可能なメタライゼーション技術によって金属で充填することができる。これは、典型的には、アルミニウム、銅またはタングステンの蒸着に先立って、露出した誘電体表面にバリア／ライナー層を蒸着することを含む。この予備洗浄およびメタライゼーション工程は、入手可能な一貫処理プラットホーム上で行うことができる。 （もっと読む）

ワークピース上への材料のプラズマ支援物理的気相堆積において、金属ターゲットは、ワークピースの直径未満の、ターゲットからワークピースまでの間隔を横断してワークピースに面する。キャリアガスは、チャンバー内に導入され、チャンバー内のガス圧力は、平均自由行程が前記間隔の５％未満である閾値圧力以上に維持される。ＶＨＦ発生器からのＲＦプラズマ源電力は、ターゲットに容量結合プラズマを発生させるためにターゲットに印加され、そのＶＨＦ発生器は、３０ＭＨｚを越える周波数を有する。プラズマは、ワークピースを通ってＶＨＦ発生器の周波数での第１のＶＨＦ大地帰還経路を提供することによってワークピースまで前記間隔を横断して広げられる。
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【課題】搬送室内に配設されたクライオパネルを有する気体溜め込み式真空排気系においてクライオパネルから不純物を除去する再生を行う際に，クライオパネルから放出された不純物が搬送室の内壁に付着することを防止できる気体溜め込み式真空排気系の再生方法及びこれを用いた基板処理装置の制御方法を提供する。
【解決手段】共通搬送室３００内に不活性ガスを導入しながら排気することで，共通搬送室内の圧力を高めつつ不活性ガスの流れを形成する。この状態でクライオパネル３４２を加熱してクライオパネル３４２から不純物を放出させることにより，その不純物を不活性ガスの粘性流に乗って共通搬送室の外部に排出させる。 （もっと読む）

【課題】プロセスガスの均一性の向上を図るガス導入路を提供する。
【解決手段】本発明に従ったスパッタ装置は、基板を保持する基板保持手段、及び基板の周囲を囲む複数の位置に閉曲線状に配置された複数のガス噴出口を有するガス導入経路を有し、閉曲線上の略対向する少なくとも２つの位置にガス導入接続口が設けられている。このようなガス導入経路の２つが基板の表面側と裏面側にそれぞれ基板に対し対称的に設けられている。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止し、この結果、ピンチオフやボイドを発生させることなく凹部内を埋め込むことが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】高融点金属よりなる金属ターゲット９６をスパッタしつつ発生した金属粒子をプラズマでイオン化し、載置台６０上に載置された表面に凹部を有する被処理体２の表面に前記イオン化された金属粒子をバイアス電力により引き込んで高融点金属を含む薄膜を堆積する成膜工程を有する薄膜の形成方法において、被処理体を、堆積されつつある薄膜がフローを生ずるようなフロー温度に加熱した状態に維持するようにする。これにより、表面拡散を生ぜしめて被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面が均一にスパッタリングされる磁石装置を提供する。
【解決手段】外側磁石３１をターゲットに対して静止させておき、内側磁石３５を外側磁石３１の内側で移動させる。ターゲット表面の磁界が変化し、ターゲット表面が均一にスパッタされる。特に、内側磁石３５の直径ｄを外側磁石３１の内周半径Ｒよりも小さくし、外側磁石３１の中心軸線３７を中心として回転させると、強くスパッタリングされる領域がターゲットの全表面上を通過する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの使用効率を向上させる。
【解決手段】第一、第二のマグネトロン磁石装置２０₁、２０₂、８１、８２のうち、一方又は両方のマグネトロン磁石装置は、中心磁石４５と第一のリング磁石４６に加え、第二のリング磁石４７を有している。中心磁石４５は第一のリング磁石４６のリング内側に位置し、第一のリング磁石４６は第二のリング磁石４７のリング内側に位置する。一つのマグネトロン磁石装置２０₁、２０₂、８１、８２がターゲット表面に形成するエロージョン領域の数が多く、また、第一、第二のマグネトロン磁石装置２０₁、２０₂、８１、８２が形成するエロージョン領域は重なり合わないから、ターゲットの使用効率が高い。 （もっと読む）

マグネトロン（７２）をターゲット（３８）の裏面の近傍で、半径方向成分を有する複雑な選択経路（１５０）で走査する場合、ターゲットエロージョン分布は、選択される複数の経路によって変わる形状を有する。所定のマグネトロンに対応する半径方向エロージョン速度分布（１６０）を測定する。走査中、定期的に、エロージョン分布（１６８）を、測定エロージョン速度分布（１６０）及び当該測定エロージョン速度分布から得られる分布（１６２，１６４，１６６）、マグネトロンが異なる半径方向位置で消費した時間、及びターゲット電力に基づいて計算する。計算エロージョン分布を使用することにより、エロージョン量がいずれかの位置で過剰になった時点を通知してターゲット交換を催促することができ、またターゲット上方のマグネトロンの高さを繰り返し走査に対応して調整することができる。本発明の別の態様によれば、マグネトロンの高さを、走査中に動的に調整する（２０６）ことによりエロージョン特性を補正する。当該補正は、計算エロージョン分布に基づいて行なうことができ、または定電力ターゲット電源（１１０）のターゲット電圧（１２４）の現在値をフィードバック制御することにより行なうことができる。
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【課題】スパッタリング装置及びスパッタリング装置を使用した平板表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内部に設置されて基板を支持する基板支持部と、基板上に蒸着されるターゲット物質を含むターゲット部と、基板のエッジを取り囲むように基板と所定間隔離隔されて配置されるマスク部と、マスク部を支持し、アース電位に接続されるシールド部と、マスク部とシールド部とを結合させ、絶縁性物質を含む絶縁部材と、スパッタリング装置の非放電時に、マスク部の短絡如何を検出できるマスク短絡検出手段と、を備えるスパッタリング装置である。 （もっと読む）

【課題】 速い成膜速度においても膜が受けるダメージを最小限に留めることができ、かつ連続成膜可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング法を用いて金属化合物を成膜する際に支持基板にバイアス電圧を印加するバイアススパッタリング法を実施する装置であって、
支持基板搬送部と、該支持基板搬送部と対向するように設けられたターゲットを含むカソードとを有し、支持基板搬送部とターゲットの間を支持基板が搬送されることによって金属化合物を成膜し、
支持基板上にて、磁場が閉じアーチ状磁力線の平行または平行に近いトンネル部分が連続で楕円ないし多角形を描くようにＳ極とＮ極のうち一方の磁極とそれを囲む逆の磁極とを有するマグネットを支持基板搬送部の支持基板と反対側に配置し、
前記トンネル部分に対し同一平面上で略垂直な方向に支持基板を搬送しながら成膜することを特徴とする反応性スパッタリング装置。 （もっと読む）