【課題】Al合金の配線を用いた画像表示装置において、ヒロックが発生せず、かつ、配線内にボイドが形成されないAl合金の配線を形成する。
【解決手段】下部電極１１２とトンネル絶縁膜１１５と薄膜電極１１７によってMIM電子源１１４が形成される。トンネル絶縁膜１１５は下部電極１１２を陽極酸化することによって形成する。下部電極１１２は信号線１３１の上に形成される。信号線１３１はヒロックを防止するために、Ndを添加するが、Ndの添加量を基板１１１側から連続的に減少させる。その結果トンネル絶縁膜は純Alを陽極酸化した質の良い絶縁膜とすることが出来る。また、本発明では信号線１３１膜内に界面は形成されず、界面に起因したボイドの発生も無い。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜による段差を有する半導体基板上を覆うＡｌ電極膜の厚さが、前記段差の２倍以上の厚膜とする場合であっても、前記絶縁膜段差の上方でＡｌ電極膜にボイドが形成され難くすることのできる半導体装置の製造方法および半導体装置製造用スパッタ装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板７に半導体機能領域と所要の絶縁膜パターン９を形成した後、該半導体基板７の全面を覆うアルミニウム膜１１またはアルミニウム合金膜を、前記絶縁膜９の２倍以上の膜厚でスパッタリング法により成膜する際に、アルミニウム成膜工程とアルゴンスパッタリング法によるアルミニウム膜１１の整形工程とを複数回繰り返して成膜する工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ウェハーホルダ１２がその中心軸周りに回転するようにされて底壁に設けられ、かつウェハーホルダ上に配置されたウェハーに対して少なくとも２つの傾斜されたカソード１１ａ〜１１ｄが上壁に設けられる反応容器１０を備え、カソードの各々はｒｆ発生器から整合回路を介してｒｆ電流が供給され、ガス導入部とガス排出部を含む圧力制御機構を備える。 （もっと読む）

【課題】スペース効率が良好でコンパクトな基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハにスパッタリングを施すスパッタリング室１２と、スパッタリング室
１２内に収納されウエハ１を保持するウエハチャック２０と、ウエハ１を保持したウエハ
チャック２０を回転させる回転機構２１と、ウエハ１に向けてイオンビーム３６を照射す
るミリング用イオン源３０とを備えており、ミリング用イオン源３０のミリング用電極３
２を短辺側がウエハの外径より小さい矩形形状に形成し、このミリング用電極３２の開口部３３の開口率をウエハの中心側より周辺側が大きくなるように設定する。ミリング加工時にウエハを回転させつつイオンビームをウエハに照射すると、ミリング加工量をウエハ全面で均一化できる。ミリング用イオン源のサイズを小さくできるので、スペース効率を向上させてスパッタリング装置を小型化できる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ熱を充分に抑制することができ、連続膜形成における被処理体に形成される膜質の変化およびターゲットの表面荒れを抑制し、安定した膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 ターゲット５を冷却するターゲット冷却手段１５２と、被処理体４を冷却する被処理体冷却手段１２４と、被処理体保持手段とターゲット保持手段との間に設けられ、被処理体４の膜形成部分を除く残余の部分への膜の形成を阻止するシールド２と、シールド２を冷却するシールド冷却手段１５０と、被処理体保持手段とターゲット保持手段との間に介在され、被処理体保持手段に保持される被処理体４の膜形成部分への膜の形成を阻止する阻止位置と、阻止位置から退避した退避位置とにわたって変位可能に設けられるシャッタ３と、シャッタ３を冷却するシャッタ冷却手段１５１とを含むスパッタリング装置１で、被処理体４に膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも低コストの装置でかつ薄膜の生産性を向上することができるマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 真空容器２と、その内部に対向して設置された一対のターゲット４ａ、４ｂと、各ターゲットの表面に沿ってトンネル状の漏洩磁場を発生させる磁石ユニット３と、磁場と直交する方向に電界を発生させる電界発生手段５と、磁場と電界により発生したレーストラック状のプラズマにより薄膜が形成される一対の基板６ａとを備え、磁石ユニット３は、直線部とその両端のコーナー部を有し、少なくとも直線部は、強磁性体からなる中央ヨーク３１と、中央ヨーク３１を取り囲む外周ヨーク３２と、中央ヨーク３１と外周ヨーク３２との間に設置され、中央ヨークに同極性の磁極が向くように磁化された永久磁石３４を有する。 （もっと読む）

【課題】基板５とターゲット３との間の放電領域内において電離するガス分子の圧力を均等化し、これにより電離した荷電粒子をターゲット３に均等の衝突させて、基板５上に均等な膜厚の薄膜を形成する。
【解決手段】スパッタリング装置は、真空チャンバ１内にターゲット３を配置し、同真空チャンバ１内にガスを供給して希薄ガス雰囲気とすると共に、この希薄ガスを電離し、電離した荷電粒子を前記ターゲット３に衝突させて、これによりターゲット３から発生して粒子をターゲット３と対向する基板５上に堆積させて薄膜を形成するものである。ここで、真空チャンバ１内に希薄ガスを供給するノズル９に多数の小孔を有するオリフィス２２を設ける。オリフィス２２の小孔の径は０．５μｍ〜１μｍが適当である。 （もっと読む）

【課題】ワークに均一に成膜を行う。
【解決手段】ターゲット１１とワークＷとの間には、ＲＦコイル２３が配され、ターゲット１１からワークＷに向けて飛散するスパッタ粒子は、ＲＦコイル２３に高周波電力が供給されるとによってプラスイオンにイオン化される。ワークＷまたはワークＷを保持するワークホルダ８には、バイアス電源２６によってマイナスのバイアスが与えられ、イオン化されたスパッタ粒子を吸着する。バイアス電源２６に流れる電流は、付着したスパッタ粒子が直ちに電気的に中性とならないように制限される。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の損傷を抑えながらタンタルを主成分とするバリア膜をスパッタによって成膜する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１１３上に、キセノンガスを用いたスパッタリングで、タンタルまたは窒化タンタルを主成分とするバリア膜１１６を形成するスパッタ成膜工程を備える。スパッタ成膜工程は、層間絶縁膜１１３の上に、基板にＲＦバイアスを印加して行うキセノンガスを用いるスパッタリングにより、窒化タンタルを主成分とするバリア膜１１６Ａを形成する工程と、ＲＦバイアスを印加せずに行うキセノンガスを用いるスパッタリングにより、バリア膜１１６Ａの上に、タンタルを主成分とするバリア膜１１６Ｂを形成する工程とを備えてもよい。バリア膜１１６はＲＦバイアスを連続的に変化させて、層間絶縁膜１１３側をＲＦバイアスを印加して、配線層１１７側をＲＦバイアスを印加せずに形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】紫外光を効率よく出力できる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体層１４を含み、少なくとも紫外領域に発光波長を有する半導体層と、前記ｐ型半導体層１４上に設けられた透光性電極１５とを備え、前記透光性電極１５が、結晶化されたＩＺＯ膜を含むものである半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】ターゲットの使用効率を向上させる。
【解決手段】
長方形の第一、第二のターゲット２１ａ，２１ｂの裏面に、大きさが異なる第一、第二のマグネトロン磁石装置２０₁，２０₂を周回移動させ、四本のエロージョン領域が形成されるようにする。第一、第二のマグネトロン磁石装置２０₁，２０₂が第一、第二のターゲット２１ａ，２１ｂの短辺を横切って、裏面位置に出入りするようにすると、エロージョン領域は長辺に沿った直線状になり、広い面積がスパッタリングされる。 （もっと読む）

【課題】成膜工程中に装置構成部品に付着する成膜材料の剥離脱落を安定的かつ有効に防止し、成膜装置のクリーニングや構成部品の頻繁な交換などに伴う膜製品の生産性の低下や成膜コストの増加を抑制すると共に、微細なパーティクルの発生を抑制することを可能にした真空成膜装置用部品を提供する。
【解決手段】真空容器内で蒸発させた薄膜形成材料を基板上に蒸着せしめて薄膜を形成する真空成膜装置を構成する真空成膜装置用部品において、上記真空成膜装置用部品１の表面粗さが算術平均粗さＲａで５μｍ以下であることを特徴とする真空成膜装置用部品１である。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の製造工程におけるパーティクルの発生や組成比の変動を抑制させて、半導体装置の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造装置に関するものである。
【解決手段】成膜チャンバ３３は、第１カソード４０ａと第２カソード４０ｂを備え、各カソード４０ａ，４０ｂに、それぞれＺｒを含む第１ターゲット４２ａと、ＢＮを主成分とする第２ターゲット４２ｂを搭載する。そして、成膜チャンバ３３は、各外部電源を駆動して第１ターゲット４２ａと第２ターゲット４２ｂとを同時にスパッタし、第１絶縁層の表面と第１配線の表面、又は、第２絶縁層の表面と第２配線の表面に、ＺｒＢＮを主成分とするメタルキャップ層を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】予備スパッタの安定化を図ることにより膜質や膜厚制御性を向上させた成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】シャッタ板１５は、回動経路Ｒに設けられてターゲット１８とシャッタ板１５との間にターゲット１８を遮蔽するための遮蔽面１５Ｕを有し、また、回動経路Ｒに設けられてターゲット１８とシャッタ板１５との間に基板Ｓ側に向かって凹設された凹部１５Ｂとを有する。そして、シャッタ板１５は、ターゲット１８のプレスパッタを実行するとき、その凹部１５Ｂとターゲット１８とを対向させ、ターゲット１８の本スパッタを実行するとき、その開口１５Ａとターゲット１８とを対向させる。 （もっと読む）

【課題】集積回路のためのアルミニウム相互接続部メタライゼーションを、所望によりアルゴンが追加されてもよい純粋な酸素雰囲気中で制御可能に酸化させる。
【解決手段】ウエハ３２をアルミニウムスパッタリング中に生じる３００℃を超える温度からアルミめっきを施したウエハをプラスチックカセット３４に装填させることを可能にする１００℃未満まで冷却させるので有利に行われる。酸化は高真空搬送チャンバ６２と低真空搬送チャンバ４０の間の通過チャンバ５６、８０内で制御可能に行うことができる。酸素分圧は有利には０.０１〜１トール、好ましくは０.１〜０.５トールである。１トールを超える全圧にアルゴンを添加すると、ウエハが水冷却ペデスタル上に載置された場合にウエハ冷却が促進される。スパッタチャンバへの酸素逆流を防止するために冷却チャンバは冷却中に真空ポンプで排気されず最初にアルゴンが次に酸素が冷却チャンバにパルスされる。 （もっと読む）

【課題】他の処理チャンバからの汚染をもたらさず、スループットを低下させずに各処理チャンバで処理を行うことができる真空処理システムを提供すること。
【解決手段】真空処理システム１は、ウエハＷを搬送する第１の搬送室１１にＰＶＤ処理チャンバ１２〜１５を接続してなる第１の処理部２と、ウエハを搬送する第２の搬送室２１にＣＶＤ処理チャンバ２２，２３を接続してなる第２の処理部と、第１の搬送室１１および第２の搬送室１２の間にゲートバルブＧを介して設けられ、ウエハＷを収容し、かつ圧力調整可能なバッファ室５ａと、バッファ室５ａが第１の搬送室１１および第２の搬送室１２のいずれか一方に対して選択的に連通し、その内部の圧力が連通した搬送室内の圧力と適合するようにゲートバルブＧの開閉およびバッファ室５ａの圧力を制御する制御部１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットのエロージョンを均一化することができるマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】反応室に基板とターゲットを互いに対向させ、バッキングプレートの裏面側にターゲットに対して磁界を形成する磁界発生手段を移動可能に配置し、基板とターゲットとの間に高電圧を印加して放電を発生させ、ターゲット材の構成原子を基板上に付着させて薄膜を形成するマグネトロンスパッタ装置において、バッキングプレートの裏面に沿って駆動操作される磁界発生手段を、磁極の向きが逆極性で、かつ磁化方向がバッキングプレートの裏面に向くようにして配置された第１の永久磁石２１Ａと第２の永久磁石２１Ｂとで構成し、かつ、磁界発生手段の駆動方向と交差する方向に磁界を形成する永久磁石の厚みを、駆動方向に沿って磁界を形成する永久磁石の厚みよりも小さくして、第１の永久磁石と第２の永久磁石の磁界強度を部分的に弱くなるように設定した。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】防着板がスパッタリングされない成膜装置を提供する。
【解決手段】
ターゲット３２と静電吸着装置３１の間のスパッタリング空間を取り囲む防着板３５の内周側面の面積がターゲット３２の表面積よりも小さい成膜装置１の電源装置４０に、直流電圧源４１を設け、負の直流電圧であるバイアス電圧に高周波交流電圧が重畳されたスパッタ電圧をターゲット３２に印加する。ターゲット３２の電位が負電位になるので、接地電位の防着板３５はスパッタされなくなり、薄膜中の汚染物質が減少する。 （もっと読む）

【課題】 マイクロプラズマの径を可能な限り小さくし、その熱容量を低減させてプラズマジェット照射時の基板のダメージを防ぐと共に、金属等を溶融、蒸発又は気化させ、プラズマジェットと共に噴出させることにより、基板上に微小なサイズの金属等のドット及びラインを形成する。
【解決手段】 マイクロプラズマにより溶融、蒸発又は気化する材料を、低融点基板上にドット状に堆積した直径１〜１００μｍの前記材料のドットを備えていることを特徴とする微小なドットを備えた低融点基板。石英管の中に堆積させるための材料及びプラズマガスを導入すると共に、石英管の外周に誘導コイルを配置し、この誘導コイルに高周波を印加して材料を溶融、蒸発又は気化させ、１００μｍ以下の内径を有する石英管のキャピラリー先端から基板に向かって噴射させることを特徴とする基板上の微小な領域にドット又はラインを形成するマイクロプラズマによる堆積方法。 （もっと読む）

【課題】 反応性スパッタリングにより酸化物膜を形成する際に、次工程においてＣＶＤ法による薄膜形成が行われるような場合でも、基板との界面付近の酸素濃度の低下を防止して基板と酸化物膜との密着強度の低下を招くことのない薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 真空雰囲気中のスパッタ室１１ａ内にスパッタガス及び反応ガスを導入しつつ、スパッタ室内で処理すべき基板Ｓに対向させて配置したターゲット４１ａ乃至４１ｈに電力投入し、プラズマ雰囲気中のイオンでターゲットをスパッタリングし、反応性スパッタリングにより基板表面に所定の薄膜を形成する場合に、薄膜が所定の膜厚に達するまでの間で反応ガス成分の含有濃度が高い領域を形成する。 （もっと読む）