【課題】マルチチャンバーにおけるステージ温度の急激な低下を抑制することによって品質異常を抑制することのできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るスパッタリング装置は、第１チャンバーと、第２チャンバーと、第３のチャンバーとを具備しており、第３のチャンバーにて処理待ち状態が所定時間経過した後（Ｓ５）、ダミー収容室内のダミー基板を第２チャンバー内にて、ダミー基板を加熱しながらダミー基板上に金属膜をスパッタリング成膜し、第２チャンバー内のダミー基板を第３チャンバー内にて、ダミー基板を加熱しないで金属膜上に第２の膜をスパッタリング成膜する（Ｓ７）。その後、第３チャンバーにおいて、第２チャンバーによって金属膜が成膜された基板を加熱しない状態で金属膜上に第２の膜をスパッタリング成膜する（Ｓ８）。これによって、マルチチャンバーにおけるステージ温度を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

本明細書で述べられる実施形態は、無拡散アニールプロセスを使用して金属シリサイド層を形成する方法を包含する。一実施形態では、基板上に金属シリサイド材料を形成するための方法が、提供される。その方法は、基板のシリコン含有表面を覆って金属材料を堆積させるステップと、金属材料を覆って金属窒化物材料を堆積させるステップと、金属窒化物材料を覆って金属接点材料を堆積させるステップと、基板を無拡散アニールプロセスにさらして金属シリサイド材料を形成するステップとを含む。無拡散アニールプロセスの短い時間枠は、窒素がシリコン含有界面に拡散して窒化シリコンを形成する時間を低減し、それ故に界面抵抗を最小限にする。
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【課題】良好なオーミック性接触が得られる裏面電極を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の面１１ａに半導体素子が形成された半導体基板１１と、半導体基板１１の第１の面１１ａと対向する第２の面１１ｂに分散して形成され、金アンチモン合金、または金ガリウム合金を主成分とする第１導電層１２と、半導体基板１１の第２の面１１ｂに第１導電層１２を覆うように形成された第２導電層１３と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置のメンテナンス方法、とりわけ、インライン式スパッタ装置をメンテナンスする場合のシステムベントの方法を必要かつ充分な条件で効率的に行うための手段を提供し、最適な真空成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空成膜装置において、真空解除のためのベントガスを導入するにあたり、乾燥ガスと成膜装置設置場所周辺の大気とのいずれかを選択して導入できるようにした。また、装置のシステムベントにおいて成膜装置設置場所周辺の大気の直接導入を行う。 （もっと読む）

【課題】装置コストを増大せずに、良質な薄膜を、高い成膜速度で形成することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ガスの導入と排気が可能な真空容器と、この真空容器内に配置され、かつ、成膜の材料となるターゲットを保持するバッキングプレートと、前記真空容器内に前記バッキングプレートに対向して配置され、かつ、前記成膜材料の薄膜が形成される成膜用基板を保持する基板ホルダとを有し、前記バッキングプレートは、板状の形状を有し、かつ、焼結により生成する理論上の重さに対する焼結後の実際の重さの比重を表す焼結密度が９５％以上であるターゲットよりも熱膨張係数が小さいことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】磁気促進大電力スパッタリング法において、イオン化度を高くし、同時にターゲットの表面から正の電荷を除去し、ターゲットの加熱を防止すると共に、ターゲット材料の利用率を高くすること。
【解決手段】プロセスチャンバ内で、あるシーケンスの複合放電パルスを発生し、スパッタリングガスをイオン化する大電力パルス化マグネトロンスパッタリング法において、この複合放電パルスは、第１のパルス時間（τ_１）の間印加される大電力スパッタリングパルス（１０）と第２のパルス時間（τ_２）の間印加されるターゲット上の電荷を除去する小電力電荷除去パルス（１１）とを含み、前記第２パルス時間（τ_２）に対する前記第１パルス時間（τ_１）の比（τ_１／τ_２）は最大で０.５である。 （もっと読む）

薄膜電気デバイスを基板上に製造するシステムを使用する方法が一実施例により与えられる。本システムはチャンバ及び気体ゲートを含む。チャンバはその中に集積装置を含む。集積装置はチャンバ内にて基板の一部分を集めるべく構成される。気体ゲートは、チャンバの圧力領域と第２圧力領域との流体連通を与える。
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【課題】Ｇａを含有するｎ型半導体層に対して低いコンタクト抵抗を実現する。
【解決手段】本発明は、ガリウム（Ｇａ）を含有するｎ型半導体層２０１の表面に形成されるｎ側電極１１０である。電極１１０は、Ｇａ含有率が１原子数％以上２５原子数％以下の金属層２０２を有する。金属層２０２はｎ型半導体層２０１に接している。 （もっと読む）

【課題】裏面電極を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】シリコン基板の表面ｆ１に半導体素子を形成（工程ｓ０１）した後、その反対側の裏面ｆ２に、処理装置ＳＰ内で以下の工程を施す。まず、第１チャンバｃｈ１内でシリコン基板の裏面ｆ２に第１金属膜Ｍ１を堆積（工程ｓ０３）した後、熱処理を施すことで金属シリサイド膜Ｅ１を形成する（工程ｓ０４）。続いて、第３チャンバｃｈ３内でニッケル膜Ｅ３を堆積し（工程ｓ０６）、第２チャンバｃｈ２内で酸化防止導体膜Ｅ４を堆積する（工程ｓ０７）。第１金属膜Ｍ１とシリコン基板とを合金化するための熱処理（工程ｓ０４）は、少なくともニッケル膜Ｅ３を堆積する前に施す。そのために、第１チャンバｃｈ１は第１金属膜Ｍ１を堆積する機構とランプ加熱機構とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜条件（成膜中の圧力、成膜に用いるガス種等）を変更しなくても、成膜された銅膜中の引張残留応力を低減できる銅スパッタリングターゲット材及びスパッタリング方法提供する。
【解決手段】本発明に係る銅スパッタリングターゲット材１０は、一の結晶方位面と他の結晶方位面とを有し、銅材からなるスパッタ面１２を備え、一の結晶方位面は、加速された所定の不活性ガスイオンの照射により他の結晶方位面から弾き出されるスパッタ粒子のエネルギーより大きいエネルギーのスパッタ粒子を放出し、一の結晶方位面と他の結晶方位面との総和に対する一の結晶方位面の占有割合は、１５％以上である。 （もっと読む）

【課題】高価な金(Au)を経済的に使用することができる半導体デバイスの電極形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された領域にデバイスが形成された半導体ウエーハにおける半導体基板の裏面に電極を形成する半導体デバイスの電極形成方法であって、半導体基板の裏面におけるデバイスの電極領域と対応する領域に開口が形成されたマスク部材を貼着するマスキング工程と、マスキング工程が実施された半導体基板の裏面に金をスパッタリングによって積層し半導体基板の裏面におけるデバイスの電極領域に電極を形成する電極形成工程と、電極形成工程が実施された半導体基板の裏面に貼着されているマスク部材を剥離するマスク部材剥離工程と、マスク部材剥離工程によって剥離されたマスク部材に積層されている金を回収する金回収工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタ法において短冊形ターゲットを使用して半導体ウエハにスパッタ成膜を効率的かつ均一に行えるようにする。
【解決手段】被成膜体の半導体ウエハをウエハ配置面Ｐ上の円形基準領域Ａにぴったり重ねて配置する。そして、円形基準領域Ａの中心Ａ_Oを通る法線を回転中心軸として半導体ウエハを所定の回転数で同軸回転させる。そうすると、半導体ウエハ表面の各部は、一回転毎に、半径Ｒ／２よりも内側のウエハ中心部は短冊形堆積領域Ｂ₁のみを通過する間に短冊形ターゲット１０(1)からのスパッタ粒子を浴び、半径Ｒ／２よりも外側のウエハ周辺部では両短冊形堆積領域Ｂ₁，Ｂ₂を通過する間に両短冊形ターゲット１０(1)，１０(2)からのスパッタ粒子を浴びるという形態のスパッタ成膜処理を受ける。 （もっと読む）

【課題】第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂが、それぞれ基板６及び他のターゲットに対して斜めに対向して配置され、基板６を搬送経路１５に沿って搬送しながら成膜する連続方式のスパッタリング装置において、高品質の膜が得られるようにすると共に、粒子のチャンバー３内拡散を防止できるようにする。
【解決手段】第一ターゲット１７ａと第二ターゲット１７ｂとの間の空間の搬送経路１５側への延長領域を挟んで、搬送経路１５と、第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂとの間に、少なくとも基板６の搬送方向に対向するシールド１９ａ，１９ｂを設ける。 （もっと読む）

【課題】はんだ等の低融点金属を含有する合金膜を、含有金属組成のずれを生じることなく、かつ成膜レートを低下させることなく成膜できる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気とした空間内に、低融点金属を含有する合金ターゲットを設けたカソード電極と基板を設けたアノード電極とを対向して配置し、前記基板の一方の面に、前記低融点金属を含有する合金膜をスパッタ法により形成する成膜装置であって、前記カソード電極にＤＣパルス電圧Ｅｋを印加する電源手段を少なくとも備えたことを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

コーティングシステム１は、スイングモジュール及びチャンバ配列を含むスイングステーション２を含む。チャンバ配列は、ロックチャンバ３及び第１コーティングチャンバ４を含む。ロックチャンバ３は、結合されたロックイン／ロックアウトチャンバとして構成される。チャンバ配列は、破線で示される第１実質的直線搬送経路Ｔ１及び破線で示される第２実質的直線搬送経路Ｔ２を有する。経路Ｔ１、Ｔ２の配置は、デュアルトラックを確立する。システム１は、矢印で示されるように、チャンバ配列３、４を通って、第１搬送経路Ｔ１に沿って、及び／又は、第２搬送経路Ｔ２に沿って、基板を移動させるための搬送システムを含む。１又は特に両方のチャンバ３、４は、デュアル又はトリプルトラックセクションの横移動によって、第１経路Ｔ１から第２経路Ｔ２へ、及び／又は、第２経路Ｔ２から第１経路Ｔ１へ基板／キャリヤを移動させるための移動手段を含む。
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本発明の実施形態は、一般に、基板上のアスペクト比の高い特徴部の底部及び側壁上に材料を均一にスパッタ蒸着させるための装置及び方法に関する。１つの実施形態では、スパッタ蒸着システムが、開口部を有するコリメータを含み、この開口部のアスペクト比が、コリメータの中心領域からコリメータの周辺領域にかけて減少する。１つの実施形態では、内部にねじ山のある留め具と外部にねじ山のある留め具との組み合わせを含むブラケット部材を介して、コリメータが接地されたシールドに結合される。別の実施形態では、コリメータが、接地されたシールドに一体的に取り付けられる。１つの実施形態では、材料をスパッタ蒸着させる方法が、基板支持部上のバイアスを高い値と低い値の間でパルスするステップを含む。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、このような実情に鑑み、従来より高精度の組成比変化にて、多元化合物を一
度の蒸着にて生成できる装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
発明１の多元化合物作製装置は、一つの蒸着室内に、蒸着材料を蒸発させる材料蒸発機構と、前記材料蒸発機構からの蒸気により蒸着される基材を保持する基材保持部と、この基材保持部と前記材料蒸発機構との間に配置した蒸気通過用開口部を持つマスクと、このマスクを前記基材の蒸着面に沿って移動させるマスク移動機構とを有する多元化合物作製装置であって、前記マスクと基材に蒸着面との間隔を調整する間隔調整手段が設けてあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の大きく低ダメージで、かつ、安定した放電が可能なスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】本発明は、平板状のターゲット３０を用い、真空中で基板２０に対してスパッタリングによって成膜を行うスパッタリング方法であって、ターゲット３０の縁部３０ａが基板２０の成膜面２０ａに対して対向する第１の成膜位置にターゲット３０を配置して成膜を行う第１のスパッタリング工程と、ターゲット３０の正面部３０ｂが基板２０の成膜面２０ａに対して対向する第２の成膜位置にターゲット３０を配置して成膜を行う第２のスパッタリング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の大きく低ダメージで、かつ、安定した放電が可能なスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】本発明は、真空槽２内において基板２０を保持して移動可能な基板ホルダー３と、真空槽２内において第１及び第２のカソード部６、７を有するスパッタ源４と、スパッタ粒子４０を通過させるための開口部１０を有するスリット機構９とを備える。第１のカソード部６は、第１のターゲット２１の粒子放出面２１ａが基板２０の成膜面２０ａに対して対向せず、かつ、第１のターゲット２１の粒子放出面２１ａが基板２０の成膜面２０ａに対して鋭角となるように配置構成され、第２のカソード部７は、第２のターゲット２２の粒子放出面２２ａが基板２０の成膜面２０ａに対して対向するように配置構成され、スリット機構９は開口部１０が基板２０の成膜面２０ａに対向する位置で第１のカソード部６の第１のターゲット２１から放出される低エネルギーのスパッタ粒子４０ａの飛翔領域に配置されている。 （もっと読む）