【課題】高出力の窒化ガリウムショットキー・ダイオード素子を提供する。
【解決手段】１〜６μｍの厚さを有するｎ＋型ドープしたＧａＮダイオードから製造した窒化ガリウムベースの半導体ショットキー・ダイオードをサファイア基板の上に配設する。１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。細長形の指の層厚、長さおよび幅は、降伏電圧が５００Ｖを超え、電流容量が１アンペアを超え、かつ順方向電圧が３Ｖ未満である素子を得るように最適化される。 （もっと読む）

【課題】 トレンチパワーＭＯＳやトレンチＩＧＢＴ、或いはトレンチアイソレーションを用いた半導体装置での基板に加わる応力を低減する。
【解決手段】 Ｎｃｈ パワーＭＯＳトランジスタには、小さな粒径を有するシリカ微粒子７がトレンチゲート底部に埋め込まれ、トレンチゲート上部には、シリカ微粒子と接するＮ＋多結晶シリコン膜からなるゲート電極８が埋め込まれている。シリカ微粒子７の空隙には、ゲート電極８が形成されていない。 （もっと読む）

窒化ガリウム材料デバイスおよびその形成方法を提供する。該デバイスは、電極規定層を包含する。電極規定層は典型的にはその内部に形成されたビアを有し、該ビア内に電極が（少なくとも部分的に）形成される。したがって、ビアは、電極の寸法を（少なくとも部分的に）規定する。いくつかの場合において、電極規定層は、窒化ガリウム材料領域上に形成された不動態化層である。 （もっと読む）