【課題】アップドレイン構造のＭＯＳＦＥＴでは、ドレイン電極直下に設けた電流の引き上げ領域に電流が集中するため、電流経路の抵抗値の低減には限界があった。
【解決手段】素子領域としては無効領域となるゲートパッド下方の一部に高濃度のn型不純物領域を配置する。これにより、素子領域を狭めることなくまたチップを拡大することなく、ドレイン抵抗の低減が可能となる。また、ｎ型不純物領域とドレイン電極をチップ外周端に設けることにより、従来のアニュラー領域やシールドメタルを別途も受けなくても、基板の空乏層を終端させることが可能となる。つまり、ｎ型不純物領域とドレイン電極によりアニュラー領域やシールドメタルを兼用できるので、必要な構成を備えたアップドレイン構造のＭＯＳＦＥＴでありながら、素子領域の縮小やチップ面積の増大を回避できる。 （もっと読む）

【目的】チップ面積の増加を伴うことなく高サージ耐量の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の裏面に形成されるサージ保護素子であるショットキーバリアダイオード３１を横型のＭＯＳＦＥＴ３４やＩＣが形成される素子領域３２の直下の位置に重なるように形成することで、チップ面積の増加を伴わずに動作抵抗を小さくして、半導体装置のサージ耐量を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の形成後に酸化処理および酸化膜除去処理からなる洗浄処理が行われても、ゲート電極の表面が半導体層の表面よりも下がるのを防止することができる構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１では、エピタキシャル層３の基層部がＮ⁻型領域４をなし、エピタキシャル層３には、そのＮ⁻型領域４に接して、Ｐ⁻型のボディ領域５が形成されている。ゲート絶縁膜７を介してゲート電極８が埋設されるトレンチ６は、エピタキシャル層３の表面から掘り下げて形成され、ボディ領域５を貫通して、その最深部がＮ⁻型領域４に達している。そして、ゲート電極８の表面は、耐酸化性のＷ膜２８により被覆されている。 （もっと読む）

本発明は、約２０Ｖの降伏電圧を有するツェナーダイオードとして自動車ジェネレータシステムにおける使用に適している、クリップ素子としてのサブストレートＰＮダイオードが集積されているトレンチＭＯＳバリア・ショットキー・ダイオード（ＴＭＢＳ−Ｓｕｂ−ＰＮ）を備えた半導体装置に関する。ＴＭＢＳ−Ｓｕｂ−ＰＮは、ショットキーダイオードとＭＯＳ構造体とサブストレートＰＮダイオードとの組み合わせから較正されており、サブストレートＰＮダイオードの降伏電圧（ＢＶ＿ｐｎ）はショットキーダイオードの降伏電圧（ＢＶ＿ｓｃｈｏｔｔｋｙ）およびＭＯＳ構造体の降伏電圧（ＢＶ＿ｍｏｓ）より低い。
（もっと読む）

【課題】ＥＳＤ耐量が高く、逆方向漏れ電流の少ないショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】本発明のショットキーバリアダイオードは、表面に第１導電型の半導体層を有する半導体基板と、前記第１導電型の半導体層の表面から所定の深さに設けられたジャンクションバリアとしての複数の第２導電型の半導体層と、前記第１導電型の半導体層の表面で前記第２導電型の半導体層を囲むように環状に形成された第２導電型の半導体層からなるガードリングと、前記第１導電型の半導体層及び前記第２導電型の半導体層とに接するように配設された金属層とを具備したショットキーバリアダイオードであって、前記ガードリングの不純物濃度が前記ジャンクションバリアの不純物濃度よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧ＶＦと逆方向漏れ電流ＩＲとの両方を改善し、順方向電圧が低くかつ逆方向漏れ電流の少く、素子耐圧の高いショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】 本発明のショットキーバリアダイオードは、表面に第１導電型の半導体層を有する半導体基板と、前記第１導電型の半導体層の表面から所定の深さに設けられたジャンクションバリアとしての複数の第２導電型の半導体層と、前記第１導電型の半導体層の表面で前記第２導電型の半導体層を囲むように環状に形成された第２導電型の半導体層からなるガードリングと、前記第１導電型の半導体層及び前記第２導電型の半導体層とに接するように配設された金属層とを具備したショットキーバリアダイオードであって、電圧印加時に、前記ジャンクションバリア内が、空乏層で充填されるように、前記空乏層の幅が決定されることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の一実施形態は、オーム接点層を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物構造物を製作する方法を提供する。この方法は、ｐ型層を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物構造物を製作することを包含する。この方法は、最初にｐ型層をアニーリングすることなしに、ｐ型層上にオーム接点層を堆積させることを、さらに包含する。この方法はまた、続いてアニーリングチャンバー内で所定の温度で所定の期間の間、ｐ型層およびオーム接点層をアニーリングし、それによって単一のアニーリングプロセスにおいてｐ型層とオーム接点との抵抗率を低減することも包含する。
（もっと読む）

【課題】同一のオーミック電極形成条件であっても、ｎ型不純物領域では特性を改善させ、ｐ型不純物領域ではオーミック特性を維持することができる炭化珪素半導体装置の製造方法、炭化珪素半導体装置を提供すること。
【解決手段】リンを含む第１層間絶縁膜１２を用いる場合に、ｐ型不純物領域７上にリンを含まない第２層間絶縁膜を形成することによって第１層間絶縁膜１２をｐ型不純物領域７に直接的に接触させないことができるので、第１層間絶縁膜１２からｐ型不純物領域７へのリンの拡散を防止することにより、ｐ型コンタクトのオーミック性を劣化させることない。また、ｎ型不純物領域５にリンを含む第１層間絶縁膜１２を接触させて熱処理することにより、ｎ型不純物領域５にリンを拡散させたリン拡散不純物領域１３を形成でき、ｎ型コンタクトの特性を改善したオーミック電極を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、大電力用ＳＢＤにおいて逆方向特性を悪化させることなく、順方向特性を向上させる製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明のＳＢＤの製造方法は、Ｎ^＋型のサブ層の上に、厚みが２〜４μｍのＮ⁻型のエピ層を積層した半導体基板を形成し、半導体基板の上面側からエピ層の所定の位置にＰ^＋型のガードリングを形成し、ガードリングで囲まれたエピ層を一辺が０．１〜０．５ｍｍの複数の単位領域に分割し、各単位領域内にＮ型のショットキーコンタクト領域とその周りを囲むＰ^＋型の素子分割領域を形成し、ショットキーコンタクト領域を除く半導体基板の上面に絶縁層を形成し、ショットキーコンタクト領域の各上面にバリアメタルを形成し、半導体基板の上面側にすべてのバリアメタルと接続する第１の電極を形成し、半導体基板の下面側にサブ層と接続する第２の電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧を得ることとＰＮダイオードを構成するためにドリフト層の表面に形成される半導体層を低抵抗にすることの両立を図る。
【解決手段】各ｐ型層８ａ〜８ｅとｎ^-型ドリフト層２のうち各ｐ型層８ａ〜８ｅの間に挟まれる領域に関して、これらのチャージ量が一致するような設計、すなわち各ｐ型層８ａ〜８ｅのチャージ量（正孔電荷量）とｎ^-型ドリフト層２のうち各ｐ型層８ａ〜８ｅの間に挟まれる領域のチャージ量（電子電荷量）とが一致する設計とする。このようにチャージ量を一致させることを前提とすれば、各部の設計を容易に行うことが可能となると共に、高耐圧を得ることとＰＮダイオードを構成するためのｐ型層８ａ〜８ｅを低抵抗にすることの両立を図ることができるＪＢＳを容易に設計することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プロセス上のばらつきに対する耐圧の低下が小さく、終端距離の短い半導体装置を提供する。
【解決手段】第２の第１導電型半導体層と第３の第２導電型半導体層との周期的配列構造より外側でこの周期的配列構造に隣接して第１の第１導電型半導体層の主面上に設けられ、周期的配列構造よりも不純物濃度が低い第６の半導体層と、第６の半導体層に隣接し、底部が第１の第１導電型半導体層まで到達するトレンチとを備え、周期的配列構造における、第６の半導体層に隣接する第１導電型もしくは第２導電型の最外半導体層の不純物量は、最外半導体層より内側の第２の第１導電型半導体層もしくは第３の第２導電型半導体層の不純物量の概ね半分である。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を大幅に低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置２０は、ｎ型エピタキシャル層２の領域２ａに形成されたトレンチ３と、ｎ型エピタキシャル層２の領域２ｂに形成されたｐ⁺型拡散層７と、トレンチ３に埋め込まれた埋め込み電極５とを備えている。そして、領域２ａにおいて、トレンチ３の周辺に形成される空乏層１４でｎ型エピタキシャル層２の隣接するトレンチ３間の各領域が塞がれることにより電流通路１２が遮断される一方、トレンチ３の周辺に形成された空乏層１４の少なくとも一部が消滅することにより電流通路１２が開くように構成されており、領域２ｂにおいて、ｎ型エピタキシャル層２とｐ⁺型拡散層７との接合部分８がツェナーダイオード８となるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】サージ発生時に電界集中による素子破壊を防止できるＪＢＳを備えたＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】ショットキー電極４のうちｎ^-型ドリフト層２と接触する領域の中心部に近づくほどｐ型層８ａ〜８ｄの幅、つまりｎ⁺型基板１の平面方向の寸法が広くなるようにする。これにより、中心部においてサージ電流が流れる際のｐ型層８の断面積を大きくして抵抗値を下げることができ、ｐ型層８のうち外周部８ｄよりも中心部８ａ寄りの部分に多くのサージ電流が流れるようにできる。したがって、終端構造とｐ型層８との境界位置で電界集中がし難くなる構造にでき、より高いサージ耐圧を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】サージ発生時に電界集中による素子破壊を防止できるＪＢＳを備えたＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】ショットキー電極４のうちｎ^-型ドリフト層２と接触する領域において、複数のｐ型層８を配置し、この複数のｐ型層８が終端構造を構成するｐ型リサーフ層６やｐ型ガードリング層７よりも深くなるようにする。これにより、ｐ型層８の下方位置全面において電界集中を受けることになり、ＰＮダイオード部に全体でほぼ均等にサージ電流を流せるようにできるため、高いサージ耐圧を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的はＶＦおよびｔｒｒ特性の向上を図り得る半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、第1導電型の半導体層に所定の離間間隔を有して形成した溝に、前記第1導電型と反対の導電型を示す第２導電型の半導体材料をエピタキシャル成長によって埋設形成した溝埋設層を有しており、該溝埋設層によって前記半導体層に繰返しＰＮ構造を備えており、前記溝埋設層内に、間隙を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＪＢＳのＰＮダイオードを構成する不純物層とショットキー電極とをオーミック接触させられるようにする。
【解決手段】ショットキー電極４を複数の電極材料で構成し、上層電極４ｂをｎ^-型ドリフト層２とショットキー接触させつつ、下層電極４ａを各ｐ型層８とオーミック接触させるようにする。これにより、ショットキーダイオード特性とＰＮダイオード特性の２つを兼ね備えたＪＢＳとして、各特性を有効に生かすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数の横型ＤＭＯＳ素子を備える構成において、ＥＳＤ耐量を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＤＭＯＳ素子を複数備えた半導体装置であって、半導体基板における複数のＬＤＭＯＳ素子の形成領域として、半導体層とともに、半導体層のウェル形成面とは反対の面上に、半導体層よりも不純物濃度の高い第１導電型の高濃度層が形成され、半導体基板におけるゲート電極形成面の裏面であって、少なくとも高濃度層の半導体層との境界とは反対の表面全面にドレイン電極が直接形成され、ドレイン電極と複数のドレイン領域とが、それぞれ電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】終端構造を構成する部分のうち最も半導体素子側の部分の内側の端部において、逆方向電圧印加時の電界集中を緩和できるようにし、耐圧低下を防止できるようにする。
【解決手段】ｐ型リサーフ層６の内周側において、ｐ型リサーフ層６から離間して配置されるｐ型電界緩和層８を形成する。これにより、逆方向電圧印加時に、電界が複数のｐ型電界緩和層８の下方にまで伸びるようにできる。したがって、ｐ型リサーフ層６やｐ型ガードリング層７を形成する不純物として拡散係数の低いＡｌ等が用いられていても、終端構造を構成する部分のうち最もセル部側に位置しているｐ型リサーフ層６の内側の端部において電界集中を緩和でき、耐圧低下を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】逆方向電圧印加時のリーク電流を低減しつつ、高耐圧で歩留まりの良いＳＢＤを備えたＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】ショットキー電極４が配置される領域において、同心円状に複数のｐ型層８ｂ〜８ｅを配置し、中心部８ａを中心として対称的な形状によりｐ型層８を構成し、かつ、中心部８ａを中心とする径方向に切断する断面において、中心部８ａと外周部８ｅとの間で、内周部８ｂ〜８ｄが対称的に配置されるようにする。これにより、高い対称性を得ることができ、ｐ型層８の外周に配置されるｐ型リサーフ層６やｐ型ガードリング層７などの終端構造とのオーバラップ部の設計が容易に行える。したがって、逆方向電圧印加時のリーク電流を低減しつつ、高耐圧で歩留まりの良いＳＢＤを備えたＳｉＣ半導体装置とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】スーパージャンクション構造におけるショットキーバリアダイオードにおいて、低抵抗、高耐圧、そして逆回復特性の向上を図る。
【解決手段】Ｎコラム２０およびＰコラム３０によってスーパージャンクション構造にショットキーバリアダイオードが設けられ、当該スーパージャンクション構造全体に格子欠陥が形成されていることにより、当該格子欠陥が形成された領域がライフタイム制御領域５０とされている。これにより、Ｎコラム２０、Ｐコラム３０における少数キャリアのライフタイムを短くすると共に、逆方向に流れる電流を小さくし、さらに半導体装置の逆回復特性を向上することができる。 （もっと読む）